D1FE60 データシート

Rect
i
f
i
erDi
ode
Si
ngl
e
■外観図
D1FE60
OUTLI
NE
Package:1F
t
:mm
Uni
①
特 長
煙小型 SMD
煙高 ESD
Q101準拠
煙AEC-
品名略号
Type No.
②
(例)
ロット記号
Date code
①
2.5
600V1A
E6
00
00
カソードマーク
Cathode mark
②
(例)
管理番号
Control No.
5.0
Feat
ur
e
2.0
煙Smal
lSMD
煙Hi
ghESDCapabi
l
i
t
y
edonAECQ101
煙Bas
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
ert
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i
t
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Mar
ki
ng,T
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i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合は Tl
=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
ageT
emper
at
ur
e
接合部温度
Oper
at
i
ngJunct
i
onT
emper
at
ur
e
せん頭逆電圧
Maxi
mum Rev
er
s
eVol
t
age
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
-5
5~1
5
0
℃
Tj
1
5
0
℃
6
0
0
V
VRM
出力電流
Av
er
ageRect
i
f
i
edFor
war
dCur
r
ent
せん頭サージ順電流
PeakSur
geFor
war
dCur
r
ent
●電気的・熱的特性
50Hz正弦波,抵抗負荷,プリント基板実装,Ta=2
5
℃
50Hzsi
newave,Resi
st
ancel
oad,Ongl
assepoxysubst
r
at
e,T
a=25˚
C
0
.
8
50Hz正弦波,抵抗負荷,アルミナ基板実装,Ta=2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,Onal
umi
nas
ubs
t
r
at
e,T
a=25˚
C
1
.
0
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl
=1
2
6
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,Tl
=126˚
C
1
.
0
I
FSM
5
0
Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj
=2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Nonr
epet
i
t
i
v
e1cy
cl
epeakv
al
ue,Tj
=25˚
C
3
0
I
FSM1
t
p=1
ms
,
Tj
=2
5
℃,非繰り返し
t
p=1ms
,Tj
=25˚
C, Nonr
epet
i
t
i
v
e
7
0
I
o
逆電流
Rev
er
s
eCur
r
ent
静電気耐量
El
ect
r
os
t
at
i
cDi
s
char
geCapabi
l
i
t
y
VF
I
R
VESD
θj
l
534p
(J
〈2014.02〉)
A
A
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合は Tl
=2
5
℃/
unl
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s
so
t
he
r
wi
s
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pe
c
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f
i
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d)
順電圧
For
war
dVol
t
age
熱抵抗
Ther
malRes
i
s
t
ance
条 件
Condi
t
i
ons
θj
a
I
A,
F=1
VR=
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
6
0
0
V, パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX 1
.
1
0
V
MAX
1
0
μA
C=1
5
0
pF,R=1
5
0
Ω,極性±,気中放電
C=150pF
,R=150Ω,Pol
ar
i
t
y±,Ai
r
i
aldi
s
char
ge
TYP
2
5
kV
接合部・リード間
Junct
i
ont
ol
ead
MAX
2
3
接合部・周囲間,
アルミナ基板実装
Junct
i
ont
oambi
ent
,Onal
umi
nas
ubs
t
r
at
e
MAX
1
0
8
接合部・周囲間,
プリント基板実装
Junct
i
ont
oambi
ent
,Ongl
as
s
epoxys
ubs
t
r
at
e
MAX
1
5
7
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
℃/
W
D1FE60
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
順方向特性
逆方向特性
順電力損失曲線
Forward Voltage
Reverse Current
Forward Power Dissipation
100
0.1
0.01
Pulse measurement
0.
5
1
1.5
0
0
Derating Curve
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Tl=125℃
(TYP)
Tl=100℃
(TYP)
1
Tl=75℃
(TYP)
0.1
Tl=50℃
(TYP)
2
tp
T
ディレーティングカーブ
Derating Curve
VR=VRM
D=tp/T
0.
5
SIN
0.
3
0.
2
0.
1
0.
05
40
60
80 100
200
120 140 160
Lead Temperature Tl 〔℃〕
300
400
500
0
0
1.2
1
0.
8
0.
5
0.
3
0.
1
0.
05
0.
2
0
0
20
40
60
80 100
DC
0.
5
SIN
0.
1
0.
05
0.5
Tj=150℃
tp
0.5
IO
D=tp/T
T
1
1.5
120 140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
1.5
VR
VR=VRM
D=tp/T
T
on glass-epoxi substrate
tp
DC
D=0.
8
0.
5
1
IO
0
0
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64mm
SIN
0.
3
0.
2
0.
5
0.
1
0.
05
0
0
20
40
60
80 100
120 140 160
Ambient Temperature Ta〔 ℃〕
せん頭サージ順電流耐量
せん頭サージ順電流減少率 - 接合部温度
Peak Surge Forward Capability
Peak Surge Forward Capability
Peak Surge Forward Current Derating
vs Junction Temperature
100
10ms10ms
1cycle
30
Non-repetitive
Tj=25℃
25
20
15
10
5
0
1
10
100
Number of Cycles〔cycle〕
Sine wave
80
tp
Non-repetitive
Tj=25℃
60
40
20
0
1
θja
θjl
10
1
on glass-epoxi substrate
0.1
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness 1.0mm
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
Junction Temperature Tj〔℃〕
150
1000
100
10-3
Transient Thermal Impedance θja, θjl 〔℃/W〕
Transient Thermal Impedance
Transient Thermal Impedance θja, θjl 〔℃/W〕
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
0.01
10-4
10
Pulse Width tp〔ms〕
過渡熱抵抗
1000
Peak Surge Forward Current Derating〔%〕
Sine wave
35
IFSM1
Peak Surge Forward Current IFSM 1〔A〕
100
IFSM
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
せん頭サージ順電流耐量
40
2
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Derating Curve
2
0.
6 0.
0.
4
0.
3
0.
2
ディレーティングカーブ
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness 1.0mm
SIN
1
IO
T
on glass-epoxi substrate
DC D=0.
8
D=0.
8
VR
VR=VRM
D=tp/T
tp
1.5
0
0
600
Reverse Voltage VR〔V〕
IO
1.5 D=0.
8
20
100
VR
DC
0
0
Pulse measurement
0.001
0
2
Forward Voltage VF〔V〕
ディレーティングカーブ
0.5
Tl=150℃
(TYP)
10
0.01
0.001
0
1
Forward Power Dissipation PF〔W〕
Tl =150℃
(MAX)
Tl =150℃
(TYP)
(MAX)
Tl =25℃
Tl =25℃
(TYP)
2
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Reverse Current IR〔μA〕
1
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Current IF〔A〕
10
101
102
103
θja
100
θjl
10
1
On alumina substrate
0.1
0.01
10-4
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
10-3
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
534p
(J
〈2014.02〉
)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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