Vfid„³ _diode2014-03.ec9

FastRecover
yDi
ode
■外観図
D3CE60K
OUTLI
NE
Package:CE
t
:mm
Uni
4.7
600V3A
品名略号
Type No.
①
特 長
②
K 60
0000
煙超小型 SMD
煙超薄型=1.
0mm
管理番号
Control No.
カソードマーク
Cathode mark
Feat
ur
e
②
ロット記号
Date code
0.98
煙Ul
t
r
as
mal
lSMD
煙Ul
t
r
at
hi
nPKG=1.
0mm
①
2.4
Si
ngl
e
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
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i
t
e.Asf
ort
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peci
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i
cat
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Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合は Tl
=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
ageT
emper
at
ur
e
接合部温度
Oper
at
i
ngJunct
i
onT
emper
at
ur
e
せん頭逆電圧
Maxi
mum Rev
er
s
eVol
t
age
●電気的・熱的特性
順電圧
For
war
dVol
t
age
逆電流
Rev
er
s
eCur
r
ent
逆回復時間
Rev
er
s
eRecov
er
yTi
me
接合容量
Junct
i
onCapaci
t
ance
熱抵抗
Ther
malRes
i
s
t
ance
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
-5
5~1
5
0
℃
Tj
1
5
0
℃
6
0
0
V
VRM
出力電流
Av
er
ageRect
i
f
i
edFor
war
dCur
r
ent
せん頭サージ順電流
PeakSur
geFor
war
dCur
r
ent
条 件
Condi
t
i
ons
I
o
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta=2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,T
a=25˚
C
*1
0
.
6
9
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta=2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,T
a=25˚
C
*2
0
.
9
7
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl
=1
0
3
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,Tl
=103˚
C
2
.
2
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl
=7
8
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,Tl
=78˚
C
3
.
0
I
FSM
5
0
Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj
=2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Nonr
epet
i
t
i
v
e1cy
cl
epeakv
al
ue,Tj
=25˚
C
5
0
I
FSM1
t
p=1
ms正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj
=2
5
℃
t
p=1mss
i
newav
e,Nonr
epet
i
t
i
v
e1cy
cl
epeakv
al
ue,Tj
=25˚
C
9
5
A
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合は Tl
=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
VF
I
R
t
r
r
Cj
I
.
0
A,
F=3
VR=
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX 1
.
4
5
6
0
0
V, パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX
1
0
I
.
5A,
I
.
0
A,
0
.
2
5I
F=0
R=1
R
MAX
8
0
I
.
0A,
VR=3
0
V,
di
/
dt
=-5
0
A/
μs
,
0
.
2
5I
F=1
R
MAX
6
4
I
.
0A,
VR=4
2
0
V,
di
/
dt
=-5
0
A/
μs
,
0
.
2
5I
F=1
R
MAX
7
6
f
=1
MHz
,
VR=1
0
V
TYP
1
8
*1
MAX
1
7
2
*2
MAX
1
1
5
MAX
1
5
θj
a
接合部・周囲間
Junct
i
ont
oambi
ent
θj
l
接合部・リード間
Junct
i
ont
ol
ead
*1 ガラス・エポキシ基板実装(2インチ基板)銅箔パターン総面積 3
2
mm2
Meas
ur
edont
he2×2i
nchOngl
as
s
epoxis
ubs
t
r
at
e(
pat
t
er
nar
ea:32mm2)
*2 ガラス・エポキシ基板実装(2インチ基板)銅箔パターン総面積 1
6
0
mm2
Meas
ur
edont
he2×2i
nchOngl
as
s
epoxis
ubs
t
r
at
e(
pat
t
er
nar
ea:160mm2)
534p
(J
〈2014.02〉)
A
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
V
μA
ns
pF
℃/
W
D3CE60K
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
順方向特性
逆方向特性
順電力損失曲線
Forward Voltage
Reverse Current
Forward Power Dissipation
7
Tl=150℃
(TYP)
Pulse measurement
0.1
0
0.
5
1
1.5
1
DC
tp
SIN
VR=VRM
D=tp/T
0.
05
0.
2
20
40
60
80 100
1
Tl=50℃
(TYP)
0.1
Tl=25℃
(TYP)
Pulse measurement
0.01
0.005
0
100
200
120 140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
1.4
300
400
DC
0.
5
0.
6
0.
3
0.
1
0.
4 0.
05
0.
2
0
0
20
40
60
80 100
Tj=150℃
IO
1
tp
1
2
D=tp/T
T
3
4
5
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Derating Curve
2インチ基板実装
銅箔パターン面積160mm2
0.
2
2
ディレーティングカーブ
Soldering land 1.4mm×2.1mm
Conductor layer 35μm
0.
5
0.
1
0.
05
3
120 140 160
Ambietnt Temperature Ta〔℃〕
5
DC
IO
0
0
D=0.
8
VR
4
tp
0.
5
3
2
T
VR=VRM
D=tp/T
SIN
0.
3
0.
2
0.
1
1
0.
05
0
0
20
40
60
80 100
120 140 160
Lead Temperature Tl 〔℃〕
せん頭サージ順電流減少率 - 接合部温度
Peak Surge Forward Capability
Peak Surge Forward Current Derating
vs Junction Temperature
100
10ms10ms
1cycle
Non-repetitive
Tj=25℃
40
30
20
10
0
1
10
Number of Cycles〔cycle〕
100
Sine wave
Peak Surge Forward Current Derating〔%〕
50
120
IFSM1
IFSM
Sine wave
Peak Surge Forward Current IFSM 1〔A〕
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
せん頭サージ順電流耐量
60
100
tp
Non-repetitive
Tj=25℃
80
60
40
20
0
1
10
Pulse Width tp〔ms〕
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
過渡熱抵抗
過渡熱抵抗
Junction Capacitance
Transient Thermal Impedance
Transient Thermal Impedance
1
1
10
100
Reverse Voltage VR〔V〕
600
θja
100
θjl
θjl
10
1
on glass-epoxi substrate
基板
0.1
Soldering land 1.2mm
Conductor layer 35μm
0.01
10-4
銅箔パターン面積32mm2
10-3
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
Trancient Thermal Impedance θja, θjl〔℃/W〕
Trancient Thermal Impedance θja, θjl〔℃/W〕
Junction Capacitance Cj 〔pF〕
10
150
1000
1000
f=1MHz
Tl =25℃
TYP
125
Junction Temperature Tj〔℃〕
接合容量
100
DC
0.
3
0.
2
4
IO
T
on glass-epoxi substrate
基板
1 SIN
SIN
5
VR
VR=VRM
D=tp/T
tp
D=0.
8
6
0
0
600
0
0
D=0.
8
1.2
0.
8
500
Reverse Voltage VR〔V〕
Derating Curve
0.
1
0
0
Tl=75℃
(TYP)
ディレーティングカーブ
2インチ基板実装
銅箔パターン面積32mm2
0.
2
Tl=100℃
(TYP)
IO
Soldering land 1.4mm×2.1mm
Conductor layer 35μm
0.
3
Tl=125℃
(TYP)
10
VR
T
on glass-epoxi substrate
基板
D=0.
8
0.
8 0.
5
0.
4
2.5
0
0
Derating Curve
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
2
Forward Voltage VF〔V〕
ディレーティングカーブ
0.
6
Reverse Current IR〔μA〕
Tl =150℃
(MAX)
Tl =150℃
(TYP)
(MAX)
Tl =25℃
Tl =25℃
(TYP)
1
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Current IF〔A〕
10
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
100
Forward Power Dissipation PF〔W〕
200
20
θja
100
θjl
θjl
10
1
on glass-epoxi substrate
基板
0.1
Soldering land 1.2mm
Conductor layer 35μm
0.01
10-4
銅箔パターン面積160mm2
10-3
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
532p
(J
〈2013.12〉
)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics,
machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc.
【Special applications】
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal
control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
equipment and systems, etc.
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