D1FT4 データシート

Schot
t
kyBar
r
i
erDi
ode
Si
ngl
e
■外観図
D1FT4
OUTLI
NE
Package:1F
t
:mm
Uni
煙車載用途も対応可能
煙小型 SMDパッケージ
煙低 I
R
煙Tj
=1
75℃
品名略号
Type No.
②
(例)
ロット記号
Date code
①
2.5
①
特 長
DT
00
00
カソードマーク
Cathode mark
40V2A
②
(例)
管理番号
Control No.
5.0
Feat
ur
e
2.0
煙 Av
ai
l
abl
ef
oraut
omot
i
v
eus
e
lSMDpackage
煙 Smal
煙 LowI
R
煙 Tj
=175˚
C
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
ert
oourweb s
i
t
e.Asf
ort
he
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ki
ng,r
ef
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peci
f
i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
ageT
emper
at
ur
e
接合部温度
Oper
at
i
ngJunct
i
onT
emper
at
ur
e
せん頭逆電圧
Maxi
mum Rev
er
s
eVol
t
age
Tl
=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
条 件
Condi
t
i
ons
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
-5
5~1
7
5
℃
Tj
1
7
5
℃
4
0
V
VRM
プリント基板実装
Ongl
assepoxysubst
r
at
e
出力電流
Av
er
ageRect
i
f
i
edFor
war
dCur
r
ent
せん頭サージ順電流
PeakSur
geFor
war
dCur
r
ent
●電気的・熱的特性
I
o
I
FSM
2
.
0
5
0
Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj
=2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Nonr
epet
i
t
i
v
e1cy
cl
epeakv
al
ue,Tj
=25˚
C
6
0
A
A
Tl
=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
I
.
0
A,
F=1
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX 0
.
6
9
I
.
0
A,
F=2
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX 0
.
7
4
I
R
VR=4
0
V,
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX
5
μA
Cj
f
=1
MHz
,
VR=1
0
V
TYP
6
3
pF
接合部・リード間
Junct
i
ont
ol
ead
MAX
2
3
接合部・周囲間,
アルミナ基板実装
Junct
i
ont
oambi
ent
,Onal
umi
nas
ubs
t
r
at
e
MAX
1
0
8
接合部・周囲間,
プリント基板実装
Junct
i
ont
oambi
ent
,Ongl
as
s
epoxys
ubs
t
r
at
e
MAX
1
5
7
VF
逆電流
Rev
er
s
eCur
r
ent
接合容量
Junct
i
onCapaci
t
ance
θj
l
532p
(J
〈2013.12〉)
2
.
0
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl
=1
4
3
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,Tl
=143˚
C
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合
順電圧
For
war
dVol
t
age
熱抵抗
Ther
malRes
i
s
t
ance
1
.
5
5
0
Hz正弦波,抵抗負荷,Ta
=2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,T
a=25˚
C アルミナ基板実装
Onal
umi
nas
ubs
t
r
at
e
θj
a
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
V
℃/
W
D1FT4
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
順方向特性
逆方向特性
順電力損失曲線
Forward Voltage
Reverse Current
Forward Power Dissipation
10000
Tl=175℃
(TYP)
1
Reverse Current IR〔μA〕
Forward Current IF〔A〕
1000
Tl=175℃
(MAX)
(TYP)
Tl=175℃
(MAX)
Tl=25℃
Tl=25℃
(TYP)
0.1
Tl=150℃
(TYP)
100
0.01
Tl=125℃
(TYP)
Tl=100℃
(TYP)
10
Tl=75℃
(TYP)
1
Tl=50℃
(TYP)
0.1
0.01
Pulse measurement
0.5
1
Pulse measurement
1.5
2
Forward Voltage VF〔V〕
0.001
0
5
10
15
ディレーティングカーブ
Reverse Power Dissipation
Derating Curve
T
0.1
VR
tp
DC
D=0.
05
0.
1
D=tp/T
0.
2
0.
3
0.08
0.
5
0.06
0.4
SIN
0.
8
0.02
0
0
10
20
30
ディレーティングカーブ
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
DC
DC
50
IO
0
0
Derating Curve
3
40
Reverse Voltage VR〔V〕
VR
VR=20V
D=tp/T
tp
D=0.
8
T
On alumina substrate
2.5
0.
5
2
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
SIN
0.
3
2
1.5 0.
1
0.
1
0.
05
0.5
0
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta〔℃〕
25
tp
DC
2.5
2
0.
5
SIN
0.
3
2
1.5 0.
1
0.
1
0.
05
0.5
0
0
50
100
150
80
Non-repetitive
Tj=25℃
50
30
20
10
0
1
Transient Thermal Impedance θja, θjl 〔℃/W〕
Transient Thermal Impedance θja, θjl 〔℃/W〕
θja
θjl
10
1
on glass-epoxi substrate
0.1
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness
Time t〔s〕
Tj=175℃
0.5
IO
tp
0.5
1
1.5
2
D=tp/T
T
2.5
3
3.5
ディレーティングカーブ
2.5
2
tp
DC
DC
1
VR
VR=20V
D=tp/T
T
on glass-epoxi substrate
D=0.
8
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness
0.
5
1.5
IO
0
0
Derating Curve
SIN
0.
3
0.
2
0.
1
0.5
0.
05
0
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta〔 ℃〕
200
f=1MHz
Tl = 25℃
TYP
10
100
Number of Cycles〔cycle〕
10
0.1
1
10
Reverse Voltage VR〔V〕
40
1000
100
100
0.
1
0.
05
100
40
Transient Thermal Impedance
10-1
1
1000
10ms10ms
1cycle
60
過渡熱抵抗
10-2
0.
3
0.
2
Junction Capacitance
Sine wave
Transient Thermal Impedance
10-3
0.
5
接合容量
Peak Surge Forward Current Capability
70
SIN
DC
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
200
Lead Temperature Tl 〔℃〕
過渡熱抵抗
0.01
10-4
T
D=0.
8
せん頭サージ順電流耐量
200
1000
IO
VR
VR=20V
D=tp/T
1.5
0
0
40
35
0
0
3.5
3
30
IFSM
0.12
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
Reverse Power Dissipation PR〔W〕
Tj=175℃
0
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
逆電力損失曲線
0.14
20
Reverse Voltage VR〔V〕
D=0.
8
Junction Capacitance Cj 〔pF〕
0.001
0
Forward Power Dissipation PF〔W〕
2
10
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
20
101
102
103
θja
100
θjl
10
1
On alumina substrate
0.1
0.01
10-4
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
10-3
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
532p
(J
〈2013.12〉
)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負
いません。
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【Special applications】
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control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
equipment and systems, etc.
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