Page:66 PowerMOSFET ■外観図 P7F60HP2 OUTLI NE Package：FTO220AG （3pi n） t ：mm Uni 600V7A 特 長 煙高耐圧 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング / dt耐量 煙高アバランシェ耐量、高 di 0000 7F60H2 Feat ur e 煙 Hi ghVol t age 煙 LowRON 煙 Fas tSwi t chi ng 煙 Hi ghAv al anchedur abi l i t y ,Hi ghdi / dtdur abi l i t y bサイトをご参照下さい。捺印表示については 外形図については新電元 We 捺印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert oourweb s i t e.Asf ort he ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,T er mi nalConnect i on" . mar ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St o r a g eT e mp e r a t u r e チャネル温度 Ch a n n e l T e mp e r a t u r e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i n So u r c eV o l t a g e ゲート・ソース間電圧 Ga t eSo u r c eV o l t a g e ドレイン電流（直流） Co n t i n u o u sDr a i nCu r r e n t( DC) ドレイン電流（ピーク） Co n t i n u o u sDr a i nCu r r e n t( Pe a k ) ソース電流（直流） Co n t i n u o u sSo u r c eCu r r e n t( DC) 全損失 T o t a l Po we rDi s s i p a t i o n 繰り返しアバランシェ電流 Re p e t i t i v eAv a l a n c h eCu r r e n t 単発アバランシェエネルギー Si n g l eAv a l a n c h eEn e r g y 繰り返しアバランシェエネルギー Re p e t i t i v eAv a l a n c h eEn e r g y ドレイン・ソースダイオード耐量 Dr a i n So u r c eDi o d ed i / d t 絶縁耐圧 Di e l e c t r i cSt r e n g t h 締め付けトルク Mo u n t i n gT o r q u e ●電気的・熱的特性 項 目 I t em Ts t g Tc h VDSS VGSS I D I DP I S PT I AR EAS EAR di / dt Vdi s TOR 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs St a r t i ngTc h=2 5 ℃, Tc h≦1 5 0 ℃ St a r t i ngTc h=2 5 ℃, Tc h≦1 5 0 ℃ St a r t i ngTc h=2 5 ℃, Tc h≦1 5 0 ℃ I s ＝7 A, Tc＝2 5 ℃ 一括端子・ケース間，AC1分間印加 T e r mi n a l st oc a s e , AC1mi n u t e （推奨値：0 . 3 N ・m） ( Re c o mme n d e dt o r q u e: 0 . 3N ・m) 記号 Sy mbol ℃ V A W A mJ mJ A/ μs kV N・m Tc＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） 条 件 Condi t i ons I＝1 mA, V ＝0 V V ＝6 0 0 V, V ＝0 V V ＝±2 5 V, V ＝0 V I＝3 . 5 A, V ＝1 0 V I＝3 . 5 A, V ＝1 0 V I＝1 mA, V ＝1 0 V I＝3 . 5 A, V ＝0 V ドレイン・ソース間降伏電圧 （BR） DSS D GS Dr a i n So u r c eBr e a k d o wnV o l t a g e ドレイン遮断電流 DSS DS GS Ze r oGa t eV o l t a g eDr a i nCu r r e n t ゲート漏れ電流 GSS GS DS Ga t e So u r c eL e a k a g eCu r r e n t 順伝達コンダクタンス D DS F o r wa r dT r a n s c o n d u c t a n c e ドレイン・ソース間オン抵抗 ON D GS St a t i cDr a i n So u r c eOn s t a t eRe s i s t a n c e （DS） ゲートしきい値電圧 T H D DS Ga t eT h r e s h o l dV o l t a g e ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 SD S GS So u r c e Dr a i nDi o d eF o r wa r dV o l t a g e 熱抵抗 接合部・ケース間 T h e r ma l Re s i s t a n c e J u n c t i o nt oc a s e ゲート全電荷量 DD GS D T o t a l Ga t eCh a r g e 入力容量 I n p u tCa p a c i t a n c e 帰還容量 DS GS Re v e r s eT r a n s f e rCa p a c i t a n c e 出力容量 Ou t p u tCa p a c i t a n c e ターンオン遅延時間 T u r n o nd e l a yt i me 上昇時間 D L DD Ri s et i me ターンオフ遅延時間 G S （ ＋） G S （ －） T u r n o f f d e l a yt i me 降下時間 F a l l t i me （MOSFET 〈2012.06〉） 単位 Uni t －5 5～1 5 0 1 5 0 6 0 0 ±3 0 7 2 8 7 7 9 7 5 0 5 3 5 0 2 0 . 5 パルス幅 1 0 μs , d u t y=1 / 1 0 0 Pu l s ewi d t h1 0µ s , d u t y=1 / 1 0 0 El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 V I I gf s R V V θj c Qg Ci s s Cr s s Co s s t d （o n） t r t d （o f f ） t f Tc＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） V ＝4 0 0 V, V ＝1 0 V, I＝7 A V ＝5 0 V, V ＝0 V, f＝1 MHz I＝3 . 5 A, R ＝4 3Ω, V ＝1 5 0 V, Rg=5 0Ω, ＝1 0 V, V ＝0 V V www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 6 0 0 ─ ─ 4 . 5 ─ 3 . 0 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 9 . 0 0 . 8 8 3 . 7 5 ─ ─ 1 9 8 1 0 5 7 5 2 1 2 3 7 0 2 7 単位 Uni t ─ V 1 0 0 μA ±1 0 ─ S 1 . 0 5 Ω 4 . 5 V 1 . 5 1 . 5 8 ℃/ W ─ nC ─ ─ pF ─ ─ ─ ns ─ ─ Page:67 P7F60HP2 ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS Typical Output Characteristics Transfer Characteristics Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area Transient Thermal Impedance Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature Gate Charge Characteristics Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature Single Avalanche Current vs Inductive Load ＊ Si newa veは 5 0 Hzで測定しています。 ＊ 50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / （MOSFET 〈2012.06〉）