Thyr i st or SMD ■外観図 KC5FB60H OUTLI NE Package：FB 600V5A t ：mm Uni 2.3 6.6 ④ 煙小型 SMD 煙高耐圧 煙高感度品 品名略号 Type No. Feat ur e ロット記号（例） Date code KC560H 000000 煙Smal lSMD 煙Hi ghVol t age ghSens i t i v i t y 煙Hi 2.3 10.0 特 長 2.3 ① ② ③ ① ③ ②④ 外形図については新電元 We bサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert oourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,T er mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合は Tc＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or ageT emper at ur e 接合部温度 Oper at i ngJunct i onT emper at ur e 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 ℃ Tj －4 0～1 2 5 ℃ せん頭オフ電圧 Repet i t i v epeakOf f s t at eVol t age VDRM RGK＝2 2 0 Ω 6 0 0 V せん頭逆電圧 Repet i t i v epeakRev er s eVol t age VRRM RGK＝2 2 0 Ω 6 0 0 V 平均オン電流 Av er ageOns t at eCur r ent I （AV） T Tc＝9 8 ℃，6 0 Hz正弦波，導通角 θ=1 8 0 ° T c=98˚ C,60Hzs i newav e,θ=180° 5 A 9 0 A 3 3 . 6 A2s 5 0 A/ μs 2 W 0 . 2 W 0 . 3 A 6 V サージオン電流 Sur geOns t at eCur r ent I TSM 電流二乗時間積 Cur r entSquar edTi me 2 I t 臨界オン電流上昇率 Cr i t i calRat eofRi seofOnst at eCur r ent di / dt ピークゲート損失 PeakGat eDi s s i pat i on PFGM 平均ゲート損失 Av er ageGat eDi s s i pat i on I FGM ピークゲート逆電圧 PeakRev er s eGat eVol t age VRGM せん頭オフ電流 Of f s t at eCur r ent せん頭逆電流 Rev er s eCur r ent Tj ＝2 5 ℃，8 . 3 ms ，非繰り返し f≧6 0 Hz ，Dut y≦1 0 ％ PFG （AV） ピークゲート順電流 PeakFor war dGat eCur r ent ●電気的・熱的特性 Tj ＝2 5 ℃，6 0 Hz正弦波，導通角 θ=1 8 0 ° 非繰り返し Tj =25˚ C,60Hzs i newav e,θ=180°nonr epet i t i v e f＝ 6 0 Hz ，Dut y≦1 0 ％ El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合は Tc＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） I DRM VD=6 0 0 V，RGK=2 2 0 Ωパルス測定 ,RGK=220Ω Pul s eme a s ur e me nt VD=600V MAX 1 0 μA I RRM VR=6 0 0 V，RGK=2 2 0 Ωパルス測定 ,RGK=220Ω Pul s eme a s ur e me nt VR=600V MAX 1 0 μA オン電圧 Ons t at eVol t age VTM I 5 A パルス測定 TM=1 15APul s eme a s ur e me nt I TM= MAX 1 . 8 V ゲートトリガ電圧 Gat et r i ggerVol t age VGT VD＝6 V, RL＝1 0 0 Ω MAX 0 . 8 V ゲート非トリガ電圧 Gat enont r i ggerVol t age VGD Tj ＝1 2 5 ℃, VD＝1 / 2 VDRM, RGK＝2 2 0 Ω MI N 0 . 1 V 1 1 0 0 0 . 2 5 . 0 μA mA 3 ℃/ W ゲートトリガ電流 Gat et r i ggerCur r ent I GT VD＝6 V, RL＝1 0 0 Ω 保持電流 Hol di ngCur r ent I H I 0 0 mA, RGK＝2 2 0 Ω T＝1 MI N MAX MI N MAX 接合部・ケース間 Junct i ont ocas e MAX 熱抵抗 Ther malRes i s t ance p （THY〈2014.02〉） θj c www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / KC5FB60H ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS オン電圧−オン電流 サージオン電流耐量 オン電力損失曲線 On-state Voltage vs On-state Current Surge On-state Current Capability On-state Power Dissipation １００ １０ ２５℃ （MAX） １２５℃ （MAX） １ ０． ５ 1 １.５ ２ On-state Voltage VT〔V〕 ８０ ６０ Sine wave ４０ ２０ 8.3ms 8.3ms １cycle Non-repetitive RGK open Tj＝２５℃ ０ １ ２.５ On-state Power Dissipation PT〔W〕 ２５℃ （TYP） １２５℃ （TYP） １２ ITSM Surge On-state Current ITSM〔A〕 On-state Current IT〔A〕 ５０ １０ Number of Cycles〔cycle〕 １０ D＝０． ５ sine ８ D＝０． ３ D＝０． ２ ６ D＝０． １ ４ D＝０． ０５ ２ Tj=125℃ ０ ０ １００ DC D＝０． ８ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ Average On-state Current IT（AT） 〔A〕 ディレーティングカーブ Tc-IT（AV） ゲート特性 IGT - tp 特性 Derating Curve Tc-IT（AV） Gate Characteristic Gate Trigger Current vs Pulse Width １０ VFGM=6V ８ DC D=0.8 ６ D=0.5 sine ４ １００００ Gate Trigger Current IGT〔μA〕 R-load Gate Voltage V〔 G V〕 Average On-state Current IT（AT） 〔A〕 １０ D=0.3 D=0.2 D=0.1 ２ D=0.05 ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ １５０ Case Temperature Tc〔℃〕 １ VGT=0.8V PFG（AV）=0.2W TYP VD=6V RL=100Ω Ta=25℃ １０００ IGT=100μA VGD=0.1V IFGM=0.3A ０.１ ０.０１ ０.００００１ ０.０００１ ０.００１ ０.０１ ０.１ １０ １ １ Gate Current IG〔A〕 １００ １０ １００ Pulse width tp〔μs〕 IH - Tj 特性 Gate Trigger Current vs Junction Temperature Holding Current vs Junction Temperature Gate Trigger Voltage VGT〔V〕 TYP VD=6V RL=100Ω Ta=25℃ １ ０.１ １ １０ １００ Pulse width tp〔μs〕 ３ TYP RGK open Pulse measurement ２.５ ２ １.５ １ ０.５ ０ −４０−２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ Junction Temperature Tj〔℃〕 １２５ Holding Current Ratio of IH（Tj℃）/IH （25℃） IGT - Tj 特性 Gate Trigger Voltage vs Pulse Width Gate Trigger Current Ratio of IGT（Tj℃）/IGT（25℃） VGT - tp 特性 １０ ８ ２.５ TYP RGK 220Ω Pulse measurement ２ １.５ １ ０.５ −４０−２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ Junction Temperature Tj〔℃〕 １２５ VGT - Tj 特性 Gate Trigger Voltage Ratio of VGT（Tj℃）/VGT（25℃） Gate Trigger Voltage vs Junction Temperature ２.５ TYP RGK open Pulse measurement ２ １.５ １ ０.５ ０ −４０−２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ Junction Temperature Tj〔℃〕 １２５ ＊ Si newa veは 5 0 Hzで測定しています。 ＊ 50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / p （THY〈2014.02〉 ） ご 注 意 1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。 2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。 その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特 別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の 製品の品質水準は以下のように分類しております。 【標準用途】 コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、 工作機器、パーソナル機器、産業用機器等 【特別用途】 輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療 機器等 【特定用途】 原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム 等 3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止 設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご 検討下さい。 4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。 5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負 いません。 6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません。 7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同 法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。 8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。 Notes 1. If you wish to use any such product, please be sure to refer to the specifications issued by Shindengen. 2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard applications requiring an ordinary level of reliability. If these products are to be used in equipment or devices for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped into the following three applications according the quality grade. 【Standard applications】 Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics, machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc. 【Special applications】 Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc. 【Specific applications】 Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support equipment and systems, etc. 3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented. 4. Please note that all information described or contained herein is subject to change without notice due to product upgrades and other reasons. When buying Shindengen products, please contact the Company s offices or distributors to obtain the latest information. 5. Shindengen shall not bear any responsibility with regards to damages or infringement of any third-party patent rights and other intellectual property rights incurred due to the use of information on this website. 6. The information and materials on this website neither warrant the use of Shindengen's or any third party s patent rights and other intellectual property rights, nor grant license to such rights. 7. 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