T2R7F90SB データシート

I
GBT
■外観図
T2R7F90SB
OUTLI
NE
Package:FTO220AG
pi
n)
(3
4.5
10.0
ロット記号(例)
Date code
900V2.
7A
t
:mm
Uni
煙絶縁タイプ
煙高耐圧
煙高速スイッチング
品名略号
Type No.
15.0
管理番号
(例)
Control No.
特 長
0000
T2R7SB
3.45
13.5
Feat
ur
e
煙I
s
ol
at
edPackage
煙Hi
ghVol
t
age
ghSpeedSwi
t
chi
ng
煙Hi
2.54
①: G
②: C
③: E
2.54
①②③
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
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ef
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i
t
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i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
a
geT
e
mpe
r
a
t
ur
e
チャネル温度
Cha
nne
l
T
e
mpe
r
a
t
ur
e
コレクタ・エミッタ間電圧
Col
l
e
c
t
or
Emi
t
t
e
rVol
t
a
ge
ゲート・エミッタ間電圧
Ga
t
e
Emi
t
t
e
rVol
t
a
ge
コレクタ電流(直流)
Cont
i
nuousCol
l
e
c
t
orCur
r
e
nt(
DC)
コレクタ電流(ピーク)
Cont
i
nuousCol
l
e
c
t
orCur
r
e
nt(
Pe
a
k
)
全損失
T
ot
a
l
Powe
rDi
s
s
i
pa
t
i
on
繰り返しアバランシェ電流
Re
pe
t
i
t
i
v
eAv
a
l
a
nc
heCur
r
e
nt
単発アバランシェエネルギー
Si
ngl
eAv
a
l
a
nc
heEne
r
gy
繰り返しアバランシェエネルギー
Re
pe
t
i
t
i
v
eAv
a
l
a
nc
heEne
r
gy
絶縁耐圧
Di
e
l
e
c
t
r
i
cSt
r
e
ngt
h
締め付けトルク
Mount
i
ngT
or
que
●電気的・熱的特性
項
目
I
t
em
Tc=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
条 件
Condi
t
i
ons
規格値
Rat
i
ngs
Ts
t
g
-5
5~1
5
0
Tc
h
1
5
0
VCES
9
0
0
VGES
±3
0
I
C
℃
V
2
.
7
パルス幅 1
0
μs
,
dut
y=1
/
1
0
0
Pul
s
ewi
dt
h10µs
,dut
y=1/
100
I
CP
A
5
.
4
PT
5
6
.
5
W
2
.
7
A
I
AR
St
a
r
t
i
ngTc
h=2
5
℃,
Tc
h≦1
5
0
℃
EAS
St
a
r
t
i
ngTc
h=2
5
℃,
Tc
h≦1
5
0
℃
1
5
mJ
EAR
St
a
r
t
i
ngTc
h=2
5
℃,
Tc
h≦1
5
0
℃
1
.
5
mJ
Vdi
s
TOR
一括端子・ケース間,AC1分間印加
T
e
r
mi
na
l
st
oc
a
s
e
,AC1mi
nut
e
(推奨値:0
.
3N
・m)
(
Re
c
omme
nde
dt
or
que:
0.
3N
・m)
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合
記号
Sy
mbol
2
kV
0
.
5
N・m
Tc=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
条 件
Condi
t
i
ons
コレクタ・エミッタ間降伏電圧
mA,
VGE=0
V
(BR)
CES I
C=1
Col
l
e
c
t
or
Emi
t
t
e
rBr
e
a
k
downVol
t
a
ge V
コレクタ遮断電流
I
VCE=9
0
0
V,
VGE=0
V
CES
Ze
r
oGa
t
eVol
t
a
geCol
l
e
c
t
orCur
r
e
nt
ゲート漏れ電流
I
V
=±3
0
V
,
V
=0
V
GES
GE
CE
Ga
t
e
Emi
t
t
e
rLe
a
k
a
geCur
r
e
nt
コレクタ・エミッタ間オン電圧
.
7
A,
VGE=1
0
V
CE
(s
a
t
) I
C=2
St
at
i
cCol
l
ect
or
Emi
t
t
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ur
at
i
onVol
t
age V
ゲートしきい値電圧
VTH I
mA,
VCE=1
0
V
C=1
Ga
t
eThr
e
s
hol
dVol
t
a
ge
熱抵抗
接合部・ケース間
θj
c
The
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Re
s
i
s
t
a
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e
J
unc
t
i
ont
oc
a
s
e
ゲート全電荷量
Qg VCC=4
0
0
V,
VGE=1
0
V,
I
.
7
A
C=2
T
ot
a
l
Ga
t
eCha
r
ge
入力容量
C
i
e
s
I
nputCa
pa
c
i
t
a
nc
e
帰還容量
0
V,
VGE=0
V,
f
=1
MHz
Cr
e
s VCE=1
Re
v
e
r
s
eT
r
a
ns
f
e
rCa
pa
c
i
t
a
nc
e
出力容量
C
o
e
s
Out
putCa
pa
c
i
t
a
nc
e
ターンオン遅延時間
t
d
(o
n)
T
ur
nonde
l
a
yt
i
me
上昇時間
t
r
I
A,
RL=1
5
0Ω,
VCC=4
5
0
V,
C=3
Ri
s
et
i
me
ターンオフ遅延時間
0
V,
VGE
V
(+)=1
(-)=0
t
d
(o
f
f
) VGE
T
ur
nof
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l
a
yt
i
me
降下時間
t
f
Fa
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l
t
i
me
GBTp
(I
〈2014.03〉)
単位
Uni
t
www.
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hi
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c
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j
p/
pr
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/
s
emi
/
規格値 Rat
i
ngs
MI
N TYP MAX
─
単位
Uni
t
9
0
0
─
─
─
1
0
─
─
±0
.
1
─
8
1
0
2
.
5
3
.
0
3
.
5
─
─
2
.
2
1 ℃/
W
─
1
1
─
─
2
1
8
─
─
1
6
─
─
3
8
─
─
7
0
─
─
5
5
─
─
1
3
0
─
─
6
0
─
V
μA
V
nC
pF
ns
T2R7F90SB
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
ゲートしきい値電圧−ケース温度
出力特性
伝達特性
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
5
TC=25℃
TC=150℃
4
Collector Current IC〔A〕
Collector Current IC〔A〕
VGE=10V
5 TYP
3
2
1
0
0
10
15
5
Tc=25℃
Tc= −55℃
4
3
2
VCE=20V
TYP
1
Pulse measurement
Pulse measurement
5
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
Tc=150℃
Tc=100℃
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
5.4
5.4
0
0
20
Collector to Emitter Voltage VCE〔V〕
5
10
15
Gate・Emitter Voltage VGE〔V〕
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
−55
20
VCE=10V
IC=1mA
TYP
4.5
Pulse measurement
0
50
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
1
100μs
Power Dissipation
Limited
1ms
0.
1
10ms
IS/B
Tc=25℃
Single pulse
0.
01
1
10
100
DC
Capacitance Cies Coes Cres〔pF〕
2.7
1
0.1
0.01
0.001
10-5 10-4 10-3
900
Collector・Emitter Voltage VCE〔V〕
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
全損失減少率 −ケース温度
ゲートチャージ特性
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
101
102
Collector・Emitter Voltage VCE〔V〕
80
400
40
20
VCC=400V
200V
100V
15
200
10
100
20
0
0
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔℃〕
150
0
0
IC=2.7A
TYP
5
Tc=25℃
f=1MHz
TYP
Ci
s
es
100
Co
Coe
s
s
10
Cr
Cre
s
s
1
0
103
25
VGE
GS
VCE
DS
300
60
150
200
400
600
800 900
Collecto・Emitter Voltage VCE〔V〕
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
500
100
Power Derating〔%〕
1000
Gate・Emitter Voltage VGE〔V〕
10μs
10
10
15
20
Total Gate Charge Qg〔nC〕
5
0
25
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
100
Single Avalanche Energy Derating〔%〕
Collector Current IC〔A〕
5.4
Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕
安全動作領域
10
100
Case Temperature Tc〔℃〕
80
60
40
20
0
0
50
100
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
150
単発アバランシェ電流−インダクタンス
Single Avalanche Current vs Inductive Load
Single Avalanche Current IAS〔 A〕
10
2.7
VCC=150V
VGE=15V, -0V
Rg=50Ω
IAS=2.7A
EAR=1.5mJ
EAS=15mJ
1
0.1
0.01
0.1
1
10
Inductance L〔mH〕
100
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
GBTp
(I
〈2014.03〉
)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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