为智能移动设备应用选择正确的射频开关 - Skyworks Solutions, Inc.

白皮书
为智能移动设备应用选择正确的射频开关
摘要:现代智能手机和平板电脑通常都集成了使用不同
频带(从 FM 无线电到 LTE)的多项无线服务。同时,为
了提高敏感性和避免串音,多天线设计越来越流行。这
两种趋势使微型射频固态开关在智能移动设备的射频前
端设计中扮演越来越重要的角色。本白皮书概述了在常
见移动设备设计中的不同电路位置使用的高掷数和低掷
数射频开关,并探讨了各项性能规格和设计功能对系统
整体性能的影响。此外,本白皮书还对各射频开关模块
进行了深入剖析,并揭示了射频开关核心技术的当前和
未来发展趋势。
简介
当几大主流手机制造商纷纷在小小的手机中集成多项无
线通讯技术,率先引领移动上网风潮之后,以数据为中
心的智能移动设备在全球迅速受到追捧。此后,智能手
机、平板电脑和电子书用户不约而同地追求高速数据传
输和多功能性,进一步推动整个行业朝着两个方向发
展:一方面,更先进的无线标准 / 技术(例如,演进的
高速分组接入 [HSPA+] 和长期演进 [LTE] 技术)正在不断
发展并被大型服务运营商采用;另一方面,更多的无线
服务(例如,GPS、手机电视和 RFID)逐渐集成到各种智
能移动设备中。这两个趋势对移动设备的射频前端设计
产生了相同的影响:即需要更多频带和更强的信号质量
(图 1)。在不久的将来,智能移动设备不仅能够轻松
地在 12 个或更多蜂窝式频带中工作,并且可以提供 WiFi、
WiMAX、GPS、蓝牙、手机 FM/电视、RFID 和其他非蜂窝
式服务。由于需要集成大量的并行路径,射频前端工程
师面临着前所未有的挑战。他们不仅要应付急剧增加的
射频元件数量和功耗,同时还要保持各频带(频率范
围)内的信号质量。
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图 1. 射频前端(蜂窝式)的演进
在所有的多频带前端设计中,开关技术起着关键的作
用。在蜂窝式天线中通常会放置一个高掷射频开关,用
于连接双工器和单边带放大器之间的射频路径。然而,
随着前端设计中需要容纳越来越多的频带,分路开关能
够实现对多模和多频带功率放大器的使用,从而降低设
计的复杂性并减少成本和功耗(图 2)。此外,通过增
加分集式天线和分集式天线开关,不仅能提高数据接收
质量,还能在主天线被语音通信占用的同时下载数据。
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(a)
(b)
图 2. WCDMA 前端设计示例:使用单频带 PA (a) 和使用带分路开关的宽频带 PA (b)
即使是非蜂窝模式,诸如 WiFi 和蓝牙等模块同样可依靠
射频开关在传输和接收信号之间切换,但是对这些开关
的功率要求要低于蜂窝模式下使用的同类开关。
在下面的部分中,我们将详细讨论用于各项功能的重要
开关规格,以及在为常见智能移动设备的射频前端设计
选择开关时需要关注的因素。最后,我们将讨论射频开
关行业的一些重要技术趋势。如果您对技术感兴趣,请
查看“附录”,此部分提供了有关固态射频开关技术的
简单教程、常见开关的工作方式以及如何权衡各种开关
规格的说明。“附录”部分的表 2 列出了与射频开关有
关的重要规格的简单定义。
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在智能移动设备中使用的开关
图 3 显示了一个模拟的智能移动设备射频前端架构,其中
包括 6 个 GSM 端口(2 个 Tx 和 4 个 Rx)、4 个 CDMA/WCDMA
Tx/Rx 频带、4 个分集式频带,同时支持 WiFi、蓝牙和 GPS。
所有开关均已突出显示,并根据各自的应用标注了相应
型号。
图 3. 智能移动设备前端
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单刀 10 掷 (SP10T) 主天线开关的尺寸最大,复杂性最高,
功率容量也最强。主天线开关应至少具备 +36 dBm GSM Tx
功率容量,再加上电路损耗和天线失配,其 1 dB 输入增
益饱和点 (IP1dB) 应接近 +40 dBm (10 W)。
除了高功率容量之外,在考虑主天线开关时,低插入损
耗也是一个重要的规格。降低接收端口的损耗将减少后
续低噪声放大器 (LNA) 的负载,从而增加接收器的灵敏
度。此外,GSM Tx 和 Rx 端口之间的隔离度必须要大于
25 dB,以避免高功率的 Tx 信号泄露到 Rx 路径中并因此
对接收器造成损坏。
为了消除干扰,主天线开关还需要在 GSM Tx 频带具有出
色的谐波抑制度(低于 -30 dBm)。例如,阻止设备的
GSM 低频带 (LB) 信号 (850/900 MHz) 干扰 GSM 高频带 (HB)
信号 (1800/1900 MHz)。GSM Tx 端的谐波抑制度通常可通
过在两个 GSM Tx 端口(LB 和 HB)分别集成两个低通滤波
器 (LPF) 来实现。对于因外部环境导致的天线匹配不佳,
主天线开关应能在天线失配的情况下保持出色的谐波性
能,即使天线端口的电压驻波比 (VSWR) 高达 5:1(图 4)。
除了确保 GSM 端的谐波性能之外,它还需要在 CDMA/
WCDMA 频带中提供出色的线性度。这一规格可通过频带
外阻隔测试以互调失真 (IMD) 的形式进行测量。[3] 请见以
下示例(图 5):设备正在收发一系列的 WCDMA 信号,Tx
为 1.95 GHz,Rx 为 2.14 GHz。当附近有人打电话时,设备
天线将收到 1.76 GHz 的 GSM Tx 信号。如果天线开关的
线性度较差,接收的 GSM HB Tx 信号和本地的 WCDMA HB
Tx 信号会在开关中混合,并在 2.14 GHz 的 WCDMA Rx 频
带产生 3 阶互调峰值。为了避免在 WCDMA 接收器端发生
任何干扰,互调峰值必须要低于系统的最低灵敏度。因
此在这类应用中,最好使用在整个相位范围内 IMD 低于
-100 dBm 的开关。
(a) GSM Tx 低频带
(b) GSM Tx 高频带
图 4. 主天线开关 (SKY13362) 谐波与相位的关系(5:1 失配)
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(a) IMD 机制的解释 [3]
(b) IMD 测试设置
图 5. WCDMA 频带中的互调失真 (IMD)
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在 DC 端,无论是通话、下载网页,还是待机和接听来
电,主天线开关将始终处于活动状态,因此会不断消耗
电池中的电流。减小开关控制器消耗的电流则可降低电
池消耗,从而延长电池的使用时间。通常而言,该供电
电流不应超过 1 mA,一般需低于 0.5 mA。
CDMA/WCDMA 分路开关和分集开关均为中等功率容量的
低掷数和中掷数开关,可提供 CDMA/WCDMA 信号峰值功
率(低于 GSM 的信号峰值功率)。由于在多频带平台中
添加或混合多个频带,前置 PA 和后置 PA 均使用了分路
开关以不同路径传送信号。分集开关则用来连接分集式
天线,它在数据卡应用中非常普遍,并且越来越多地应
用于智能移动设备。分集接收技术可提高数据速率,因
此用在接收器端的分集开关通常具有较低的功率容量。
除了无需高功率容量之外,CDMA/WCDMA 应用同样需要
非常出色的 IMD 性能。
用于 WiFi/蓝牙的低掷数开关属于低功率开关,P1dB 约为
+30 dBm。这些类型的开关通常尺寸较小 (1x1 mm) 、控制
电压较低 (1.8 V)。由于嵌入式 WiFi/蓝牙收发器模块已经
高度标准化,标准的误差矢量幅度 (EVM) 与输入功率测
试是 WiFi/蓝牙开关的常见性能指标(图 6),它能同时
测量被测开关的功率和线性度性能。对于 WiMAX 操作,
射频开关的功率容量和线性度必须高于 WiFi 版本,才能
避免信号失真。
开关技术趋势
由于基频 CMOS 芯片的应用越来越广泛,而总功耗持续降
低,基频控制器的控制电压逐渐从 +2.8 V 降至 +1.8 V。在
某些领域,可能会继续降至 +1.3 V。鉴于这类电压逐渐
接近 GaAs pHEMT 的阈值电压,必须使用集成的 CMOS
电荷泵才能满足不断提升的开关线性度和电源要求,这
引发了人们对 GaAs pHEMT 技术与 SOI MOSFET 技术相对优
势的比较(表 1)。
表 1. GaAs pHEMT 与 SOI MOSFET
GaAs pHEMT
参数
SOI MOSFET
制造工艺
GaAs 工艺
标准硅 CMOS 工艺
通道传导性
单 FET 功率密度
高
中
中
低
典型偏置电压
正(E 模式)或
负(D 模式)
较小
低(仅限 E/D 模式)
中
正和负(需要集成
驱动器部分)
较大
标准
低
芯片面积
逻辑集成支持
每晶片面积的制造
成本
在低掷数开关中,GaAs pHEMT 技术提供良好的功率和线
性度性能,同时占用较少的芯片面积,这意味着封装尺
寸更小。而对于 SOI MOSFET 开关,由于集成正负电压
发生器的要求以及较低的功率容量和较高的 FET 损耗,
因此通常会占用较大的芯片面积。但是,由于能够在低
于 +1.8 V 的电压下工作,并且能够灵活地在芯片上集成
CMOS 逻辑电路,使得 SOI MOSFET 开关在低控制电压和
高掷数开关应用中具有一定的优势。
图 6. 高功率 WLAN 开关在 2.45 GHz 时的
误差矢量幅度 (EVM) 结果
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除了控制电压之外,控制信号协议也在不断演进(图 7)。
通常,开关是通过一种比较宽泛的并行模式:通用输入 /
输出 (GPIO) 来控制的,它包括一组已预定义“高”和
“低”逻辑的并行控制引脚。越来越多的设计从这种并
行控制过渡到串行控制,例如串行外围接口 (SPI)。SPI
协议可能需要时钟引脚、串行控制输入引脚以及锁存引
脚,后者可根据存储的串行控制位触发开关操作。2003
年,几家主要的移动芯片组公司组建了移动行业处理器
接口 (MIPI) 联盟,旨在利用结构化的串行命令来规范移
动设备中所有主要元件之间的通信。[4] 如今,越来越多
的公司采用 MIPI,并要求在其移动设备中使用的射频开
关兼容 MIPI。
图 8. 双天线多输入多输出 (MIMO)
最后,采用固态开关技术的主动天线调谐也受到许多制造
商的青睐(图 9)。此项技术能够改进宽频范围中单天
线的阻抗匹配,因此可降低发射器上的功率要求,并提
高接收器的灵敏度。然而,高功率能力和超低损耗(高
Q 系数)等要求对此类设备的发展提出了挑战。
图 7. 开关控制接口的演进
另一方面,由于 FET 的基本物理限制,导致射频开关的
线性度要求愈加难以实现,因此,开关封装中越来越多
地采用大量的滤波器技术。以原生 GaAs 或 SiO2 晶片为
基材制造的集成无源器件 (IPD) 滤波器可提供良好的谐波
抑制度和高功率容量,常常用于 GSM Tx 端口。声表面波
(SAW) 滤波器 [5] 可提供近乎完美的频带选择,目前用于
GSM Rx 端。与 SAW 滤波器类似,声体波 (BAW) 滤波器 [6]
能够在提供相同滤波特性的同时更加稳定,因此近期逐
渐获得广泛认可。
图 9. 使用并联切换电容器组的数字天线调谐器示例
此外,4G 长期演进 (LTE) 标准提出了使用两个天线来实
现多输入多输出 (MIMO) 操作,该技术可使用双刀双掷
(DPDT) 双天线开关,让基带处理器能够动态选择较强的
接收信号,或者同时将两个独立的数据流与基站进行通
信(图 8)。
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总结
由于移动设备行业不断追求更快的数据速率、更多的无
线服务和更低的功耗,固态射频开关在射频前端设计中
变得至关重要。GaAs pHEMT 和 SOI MOSFET 技术带来了各
种具有出色功率和线性度性能的射频开关,它们为当前
和下一代智能移动设备的通用架构提供理想选择。
附录:固态射频开关的简要教程
制造尺寸小于几平方毫米的常规射频开关时,适合采用
以下三种技术:p-i-n 二极管、微电子机械系统 (MEMS)
和固态场效应晶体管 (FET)。P-i-n 二极管通常用于高功
率应用中,但此技术需要较大的偏置电流并且切换速度
相对较低,使其不适合移动设备的应用。尽管多年来
MEMS 的前景始终被看好,但只有为数不多的 MEMS 设
备面市,包括微型陀螺仪和加速计。MEMS 射频开关具
有超低的插入损耗和高隔离度,因此十分具有吸引力。
但另一方面,高促动电压要求、特殊封装和可靠性问题
是研究人员必须投入多年努力才能解决的问题。而固态
FET 包括多种基于不同材料的不同的结构,但所有这些
结构都具有高速、可靠、可高度集成和功耗低等重要特
点,因此该技术非常适合制造微型射频开关。
FET 技术在几十年前就已经问世,并且在几乎所有知名的
半导体材料系统中得到改进。[2] 在射频开关行业中使用最
广泛的两种 FET 是砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管
(pHEMT) 和硅绝缘 (SOI) 金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)。
GaAs pHEMT 和 SOI MOSFET 以及其它 FET 具有相同的基本
结构:两个电极(“漏级”和“源极”)之间形成平面
“通道”,通道上方放置一个金属“门级”。当偏置电
压引起门级电位发生变化时,通道中的自由电荷进进出
出,导致漏极和源极之间的电阻发生变化。在极端情况
下,FET 可能偏置为完全关断(无限 / 最大电阻)或完全
导通(最小电阻),从而形成一个简单的开关(图 10)。
(a) 通用 FET 结构
(b) 导通状态(相当于电阻器)
(c) 关断状态(相当于电容器)
图 10. GaAs pHEMT 和 SOI MOSFET 结构
对于仅包含一个串联 FET 的射频开关,当开关导通时,
FET 相当于串联电阻器。当射频信号通过时,在其上发生
的任何损耗被称为“插入损耗”,该损耗定义为输出和
输入射频功率之比。因此,开关的导通状态也称为“插
入损耗状态”。另一方面,当开关关断时,由于 FET 的
门级、漏极和源极之间存在寄生电容,使其相当于串联
电容器。在高频率时,一些射频信号仍然能够通过这一
电容性从输入耦合到输出。开关关断时的输出和输入射
频功率之比被称为“隔离度”,开关的关断状态也称
为“隔离状态”(表 2)。
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当增大串联 FET 的尺寸时,会降低电阻,从而改善插入
损耗,但是隔离度会成比例降低;当连接多个串联 FET
时,隔离度会改善,但插入损耗会成比例增加。在很多
时候,仅串联的 FET 开关设计可能无法满足对插入损耗
和隔离度的要求,尤其是在高频率时,因此添加了并
联 FET,这类 FET 在开关处于隔离状态时通常是导通状
态。如图 11 中所示,在高频率范围时添加并联 FET 将大
大提高隔离度,代价是增加了一些插入损耗。图 12 还显
示了真实的 SPDT 开关设计,串联和并联 FET 均已标注。
图 12. 带串联和并联 FET 的常见 SPDT 开关
另一方面,在大信号条件下,当射频信号的峰至峰幅度
与施加到门级上的偏置电压相当时,将处于导通状态的
单 FET 近似成串联电阻器并不完全准确。在此条件下,
FET 的非线性度可能造成第二和第三谐波的产生,而射
频功率过高将导致开关饱和,并且使插入损耗和隔离度
指标快速下降。尽管可以通过测量射频开关的 1 dB 功率
压缩点 (P1dB) 来有效地定义其功率容量,但我们还可以
可以通过其他方法测量开关的线性度,具体取决于应用
和所需的关注点。这些方法包括测量第 2 和第 3 谐波 (H2,
H3)、第 2 和第 3 阶输入截取点 (IIP2, IIP3)、第 2 和第 3 互
调失真 (IMD2, IMD3) 以及误差矢量幅度 (EVM)(表 2)。
(a)
(b)
图 11. 仅串联(虚线)和仅并联(实线)开关架构
之间的性能比较
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表 2. 重要的射频开关规格参数
规格
插入损耗
符号
定义
IL
在传输线路中由于插入开关(导通状态)而导致的
信号功率损失。
dB
dB
隔离度
ISO
与插入损耗相同,但处于关断状态。
1dB 功率压缩点
P1dB
插入损耗增加 1 dB 时的输入功率水平。
第 2 和第 3 谐波
H2, H3
图示
在 2 倍和 3 倍基波信号频率时的信号功率水平,
常用单位
dBm
dBm, dBc
这些谐波是由于开关的非线性所产生
第 2 和第 3 阶输入
功率截取点
第 2 和第 3 阶互调
失真
误差矢量幅度
IIP2, IIP3
由于开关的非线性,两个相似的信号可能会混合,
并生成接近基波信号及其第二谐波的第二和第三个
互调分量。当外推第二和第三互调分量功率等于基
波信号功率时,IIP2 和 IIP3 用于确定输入功率的外
推截取点。
IMD2, IMD3 类似 IIP2 和 IIP3,但可针对非对称信号。
EVM
它用于测量解调器性能,包括开关和其他元件。将
测量符号的位置与参考符号的位置相比较,所得到
的误差矢量距离用于计算 EVM。
dBm
dBm
%, dB
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