業務及市場概況

028
伍、營運概況
一、業務內容
全球半導體市場產值及預測圖
(一)業務範圍
本公司主要經營業務範圍為晶圓代工,並計劃開發BCD以及超高壓
的製程,並致力於特殊邏輯製程代工及專注於「特殊積體電路製造
服務」,同時與各設計服務及矽智財公司進行合作,擴大為客戶提供
代工服務及特殊需求的矽智設計服務,成為特殊積體電路客戶的最
佳合作夥伴。除晶圓代工外,並兼營與本公司業務相關之進出口貿
易業務。
(二)產業概況
根據半導體產業協會(Semiconductor Industry Association,
SIA)發布的報告,因受消費性電子需求強勁導致,調升對2007年
全球半導體市場成長預估至3.8%,年度銷售額2,572億美元;此外
資料來源 : WSTS ; Gartner;工研院IEK(2008/1)
2008~2010年市場成長率預測約為7%,認為半導體市場將穩步緩
升。工研院IEK也公佈統計數字,2007年台灣整體IC產業產值可達
對於2008年半導體景氣預測,各家市調研究機構皆傾向保守,
新台幣14,574億元,較2006年成長4.6%。其中設計業產值為新台
不同機構 預測平均約為4%〈從-5%到7%〉,但仍需後 續觀察大
幣3,997億元,較2006年成長23.6%;製造業為新台幣7,274億元,
環境之因素,包括高油價及次房貸對美國及世界經濟的影響,以
較2006年衰退5.1%;封裝業為新台幣2,280億元,較2006年成長
及2008年奧運帶動大陸市場成長,還有多樣產品如數位電視及
8.2%;測試業為新台幣1,023億元,較2006年成長10.7%。2007年
微軟(Microsoft)Vista作業系統效應所帶來的影響。展望2008
IC製造業只有第三季是正成長,其他都是衰退的局面。在晶圓代工
年台灣整體IC產業產值預期可達新台幣15,860億元,較2007年
方面,2007年第四季表現持平,較第三季成長0.8%,產值達到新台
成長8.8%。其中設計業產值為新台幣4,500億元,較2007年成長
幣1,245億元,但較2006年第四季則大幅成長了17.1%。在十月出貨
12.6%;製造業為新台幣7,660億元,較2007年成長5.3%;封裝業
達到高峰後呈現逐月下滑的走勢,主要仍受到了季節性需求減緩的
為新台幣2,550億元,較2007年成長11.8%;測試業為新台幣1,150
影響。產品方面無線通訊晶片仍支撐晶圓代工出貨的成長,除此之
億元,較2007年成長12.4%。在產業附加價值方面,預估2008年台
外消費性電子IC,諸如LCD 驅動IC出貨量伴隨LCD TV的熱賣也為
灣IC產業附加價值為3,860億新台幣,較2007年成長10.8%。
晶圓代工業帶來不錯的成長動能。
029
台灣IC產業產值
單位:億新台幣
2007 年第一季
2007 年第二季
2007 年第三季
2007 年第四季
產值
2005 年
年成長
產值
年成長
產值
季成長
產值
季成長
產值
季成長
產值
季成長
產值
年成長
產值
IC 產業產值
11,179
1.7%
13,933
24.6%
3,395
-11.4%
3,418
0.7%
4,027
17.8%
3,734
-7.3%
14,574
4.6%
15,860
8.8%
IC 設計業
2,850
9.3%
3,234
13.5%
840
-9.3%
975
16.1%
1,177
20.7%
1,005
-14.6%
3,997
23.6%
4,500
12.6%
年
項目
2006 年
2007 年
2008(e)
年成長
IC 製造業
5,874
-5.9%
7,667
30.5%
1,825
-14.6%
1,678
-8.1%
1,960
16.8%
1,811
-7.6%
7,274
-5.1%
7,660
5.3%
晶圓代工
3,735
-6.3%
4,378
17.2%
914
-14.0%
1,035
13.2%
1,235
19.3%
1,245
0.8%
4,429
1.2%
4,910
10.9%
IC 封裝業
1,780
13.7%
2,108
18.4%
500
-6.5%
520
4.0%
620
19.2%
640
3.2%
2,280
8.2%
2,550
11.8%
IC 測試業
675
17.0%
924
36.9%
230
-2.1%
245
6.5%
270
10.2%
127
3.0%
1,023
10.7%
1,150
12.4%
4,989
2.6%
6,523
30.7%
1,751
-12.4%
1,618
-7.6%
1,902
17.6%
1,571
-17.4%
6,842
4.9%
7,250
6.0%
IC 產品產值
資料來源:工研院 IEK-ITIS 計畫 (2008/2)
產業上、中、下游之關聯性
設備
投資廠家
CAD
設計
光罩
支援服務
系統
製造
CAE
封裝
導線架
運輸
海關
園區
材料
晶元
化學原料
測試
其他
產品發展趨勢
本公司提供最佳品質的邏輯積體電路製程服務,邏輯代工製程技術方面,除了已有的邏輯(Logic)、混合訊號(Mixed-Signal)外,亦提
供 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)、HPA(High Precision Analog)、嵌入式非揮發性記憶體(Embedded Non-Volatile Memory)等
客製化製程,另外,高壓(High Voltage)製程部分更是涵蓋 10V/12V/13.5V/15V/18V/40V/80V/100V 等技術,以滿足不同產品需求規格,
目前正積極開發超高壓如 150V/200V/500V/700V/800V 的相關技術以協助客戶將本公司之服務應用於各個相關領域:
A. 電腦產品
B. 電腦週邊產品﹝如液晶顯示器、光儲存器等﹞
C. 通訊應用產品﹝如手機、無線區域網路、交換機等﹞
D. 汽車電子產品﹝如汽車儀表顯示器﹞
E. 消費性電子產品﹝如高畫質數位電視、DVD 錄放影機、數位相機、MP3 隨身聽等﹞
競爭情形
由於現有晶圓代工者看好晶圓代工市場,不斷擴充產能,再加上諸多新興競爭者的加入,導致產能不斷擴充,恐引發產能過剩並引起價格
競爭壓力,對於市場秩序的維持恐有不利的影響。 在晶圓代工製程上,本公司除陸續自台積電引進邏輯代工製程技術,在技術上移轉台積
電之 0.5 微米 /0.35 微米 /0.25 微米 /0.18 微米 /0.16 微米製程技術。本公司也成功開發多項特殊積體電路技術並成功導入量產,以提昇
客戶產品競爭力。 有別於數位 IC、類比訊號以及高壓技術是扮演真實世界與數位系統的溝通橋樑,各項產品的設計有其特殊元件和 IP 的
需求。本公司深耕特殊元件及 IP 的發展以協助客戶壓縮進入市場的時間。此項與客戶共同開發新技術的商業模式使本公司與客戶形成堅
實的長期夥伴關係。
(三)技術及研發概況
本公司從民國八十九年宣佈轉型成為專業的晶圓代工公司,並自民國九十三年七月產出最後一片DRAM,已完全轉型為特殊晶圓代工公司。
自始致力於建構高壓元件,類比與混合訊號, 及BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 等技術平台,以提供特殊晶圓代工製程的最佳技術服務; 回顧
030
九十六年,在高壓製程方面,大尺寸及中小尺寸面板的驅動IC 仍為主力, 在大尺寸面板方面,為提供更具競爭力服務更導入0.2微米製程,
並且不斷的提高元件的耐受電壓以因應大型化平面電視面板的需求,在中小尺寸面板方面,轉移自台積電0.18微米高壓製程技術, 已順利
進入量產 ,同樣轉移自台積電的0.16微米製程,也已經進入最後可靠性測試階段。 同一時間移轉自台積電的CIS (CMOS Image Sensor )
製程也已進入產品試產。 在BCD 製程技術上 , 也已獲得國內外客戶的採用 , 主要應用在電源管理, 馬達驅動及D類音頻放大器, 已有多家
客戶進入量產。整個BCD製程技術平台漸趨完整,從0.5微米,0.35微米到0.25微米。另一方面也朝0.18微米前進,並且不斷的拓展國內外
的客戶群及其應用領域,其中包括LED驅動IC的應用。
研發計劃之進度
展望民國九十七年除了在平面顯示器驅動IC的高壓製程上,持續積極的提供客戶, 不管在微縮上的成本控制或電壓在不同應用上的需求
的支援及高功率應用IC上,提供客戶在多樣化及高效能產品設計所需要的更高電壓及更好的元件特性的需求。此外,本公司也朝超高電壓
邁進,已經啟動150V, 200V 及800V的開發計劃,並且引進先進的MOSFET技術,以期建構更完整的功率元件技術。在CIS製程技術上也將
持續與台積電合作,建立更先進, 更具競爭力的製程。
世界先進並將持續在矽智財方面建立研發能力,加強與矽智財服務夥伴的合作,提供優越的產品設計服務PDK(Process Design Kits)給
顧客,並擴大為顧客從事特定要求的矽智設計服務。
民國九十七年度,本公司將持續提高研發費用,預估研發費用佔營業額比率將達4.1%以上。
世界先進各項研發計劃及時程
世界先進之製程及IP開發或引進之時程表如下:
應再投入之研發費用
預計完成量產時間
1
最近年度計劃
0.18um, 1.8V/3.3V CIS transfer
產品驗證階段
目前進度
NT$3,183K
Sep-08
未來研發得以成功之主要影響因素
製程成熟度
2
0.16um, 1.8/5/32V HV
產品驗證階段
NT$11,632K
Aug-08
製程成熟度
3
0.20um, 3.3V/13.5V HV
產品設計階段
NT$10,478K
Aug-08
製程成熟度,產品功能
4
0.20um, 3.3V/18V HV
產品設計階段
NT$8,477K
Nov-08
製程成熟度,產品功能
5
0.4um, 5V/15V, 40V BCD
製程開發階段
NT$4,948K
Jun-09
製程成熟度,產品功能
6
0.35um, 3.3V/24V Low Ron BCD
產品設計階段
NT$3,077K
Oct-08
製程成熟度,產品功能
7
0.5um, 800V UHV
製程開發階段
NT$12,250K
Sep-10
製程成熟度
8
0.5um, 5V/150V HV with SOI
製程開發階段
NT$3,507K
Jun-09
製程成熟度,產品功能與市場需求
9
0.18um, 1.8V/5V, 18V BCD
製程開發階段
NT$3,582K
Nov-09
製程成熟度,產品功能與市場需求
最近兩年度研究與發展費用佔營業額比例
研發費用(新台幣佰萬元)
佔營業額比率
九十五年
年度
390
3%
九十六年
583
3.7%
(四)長、短期業務發展計畫
1. 短期發展計劃
本公司不斷創新研發新的製程技術,期許成為特殊積體電路製造服務之先驅,在產品規劃上以求達成客戶之需求並與客戶建立良好之夥伴
關係。短期業務發展計劃:
A. 加快研發時程,深刻瞭解「客戶」以及「客戶的客戶」之長期需求,持續維持各產品製程之銷售額穩定成長。
B. 加強對於客戶的準時交貨率以提昇客戶的滿意度。
C. 以優良的製程技術及專業的技術人員,搭配嚴謹完善的認證制度,獲得客戶的信賴。
D. 持續改善產品之良率,快速邁向低ppm。
2. 長期規劃目標
A.持續開發新的製程技術,特別是超高壓技術,成為Green產品的領導廠商。
B.藉由各項製程及設計服務之開發,成為特殊積體電路製造服務之最佳選擇。
C.加強市場之開發,整合上下游資源,持續開發新客源並成為World Class的晶圓代工廠商。
D.面對全球新供應商的競爭,本公司將充分發揮台積電高效率及低成本的經驗,快速累積提高生產力的能量。
E.積極評估新IC應用領域,進入高壓分離式元件領域。
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