ダーリントン 2SD2017

C
等価回路
2SD2017
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ
VCEO
250
V
IEBO
VEBO
20
V
V(BR)CEO
6
A
hFE
VCE＝2V, IC＝2A
2000min
μA
VEB＝20V
10max
mA
IC＝25mA
250min
A
VCE(sat)
IC＝2A, IB＝2mA
1.5max
VBE(sat)
IC＝2A, IB＝2mA
2.0max
V
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−1A
20typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
65typ
pF
V
1.35±0.15
1.35±0.15
2.54
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
100
50
2
10
–5
5
–10
0.6typ
16.0typ
3.0typ
A
I B = 0 .4
mA
I C =8A
1
4
3
2
I C =3A
I C =1A
1
0
1
2
3
4
5
0
0.2 0.5
6
1
5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
10
50 100
(V C E =2V)
10000
500
100
0.1
0.5
1
12
25
1000
–
500
˚C
˚
30
C
100
50
30
0.03
5 6
5˚C
過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
1000
50
30
0.03
5
5000
Typ
2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
10000
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =2V)
5000
0
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
0.1
0.5
1
56
1
0.5
0.3
1
5
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代表 例 ）
50
100
500 1000
時間 t(ms)
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
30
35
20
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
10
C=
25
s
C)
1
熱
付
150x150x2
100x100x2
10
放熱板なし
自然空冷
0.05
板
0.1
20
放
0.5
大
最大許容損失 P C (W)
(T
限
10
C
無
コレクタ電流 I C (A )
20
D.
30
s
5
m
1m
10
Typ
遮断周波数 f T (MH Z )
直流電流増幅率 h F E
0
500 1000
12
1
0
ケー
ス温
度）
ケース
温度）
3
2
度）
1mA
ス温
4
2
5
ケー
2mA
C（
4m
5˚
8
(V CE =2V)
6
mA
コレクタ電流 I C (A)
mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
20
5
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
3
6
製品質量 約2.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
A
2.4±0.2
2.2±0.2
VCC
(V)
m
40
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
C（
Tj
ø3.3±0.2
イ
ロ
˚C （
35(Tc＝25℃)
4.2±0.2
2.8 c0.5
−30
PC
10.1±0.2
V
W
1
IB
Tstg
100max
25˚
IC
VCB＝300V
4.0±0.2
ICBO
単位
0.8±0.2
V
規格値
±0.2
300
試 験 条 件
3.9
VCBO
記 号
外形図 FM20(T0220F)
(Ta＝25℃)
単 位
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
E
用途：ソレノイド、リレー、モータ駆動、一般用
16.9±0.3
■絶対最大定格
( 4k Ω)
13.0min
ダーリントン
B
50x50x2
放熱板なし
0
–0.02 –0.05 –0.1
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
–5 –6
0.02
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
300
2
0
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
143