MOS FET FKP280A 2005年8月 ◆パッケージ ◆特長 パッケージ名：FM100 (TO3P Full Mold) ●低オン抵抗 ●低入力容量 ●アバランシェ エネルギー耐量保証 ◆アプリケーション ●PDP パネルドライブ ●高速 SW ◆内部等価回路図 Ｄ(2) Ｇ(1) Ｓ(3) ◆絶対最大定格 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 定格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧 ＶＤＳＳ ２８０ Ｖ ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧 ＶＧＳＳ ±３０ Ｖ ＩＤ ±４０Ａ Ａ ±１６０Ａ Ａ ８５ （Ｔｃ＝２５℃） Ｗ ４００ ｍＪ ドレ イン電流 （直 流） ド レ イ ン 電 流 （ パ ル ス ） 許 容 損 失 アバランシェエネルギー耐量 （単一パルス） ア チ 保 バ ャ ラ ン ネ 存 シ ェ ル 温 電 温 ＩＤ（pulse） ※１ ＰＤ ＥＡＳ ※２ 流 ＩＡＳ ４０ Ａ 度 Ｔｃｈ １５０ ℃ 度 Ｔｓｔｇ －５５～１５０ ℃ ※１ PW≦100μｓｅｃ．，ｄｕｔｙ ｃｙｃｌｅ≦１％ ※２ VDD=20V，L=460μH，ＩＬp=40A，ｕｎｃｌａｍｐｅｄ，ＲＧ=5０Ω，図１参照 サンケン電気株式会社 T02-001JA-050823 1/7 MOS FET FKP280A 2005年8月 電気的特性 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 規格 条件 MIN ID=100μA,VGS=0V TYP 単位 MAX ドレイン・ソース降伏電圧 Ｖ(BR)ＤＳＳ ２８０ V ゲート・ソース漏れ電流 ＩＧＳＳ VGS=±30V ±１００ nA ドレイン・ソース漏れ電流 ＩＤＳＳ VDS=280V, VGS=0V １００ μA ゲートしきい値電圧 ＶＴＨ VDS=10V, ID=1mA ３．０ ４．５ V 直流伝達コンダクタンス Ｒｅ（Yfs） VDS=10V, ID=20A ２５ 直流オン抵抗 ＲＤＳ（ON） ID=20A, VGS=10V 入力容量 Ｃｉｓｓ VDS=25V ３８００ 出力容量 Ｃｏｓｓ VGS=0V ５８０ 帰還容量 Ｃｒｓｓ f=1MHz １９０ オン時遅れ時間 ｔｄ（on） 立上り時間 ｔｒ ３８ ４６ ID=20A, VDD≒140V ４０ RL=7Ω, VGS=10V ９０ ５３ mΩ pF ns ｔｄ（off） Rg=5Ω １６０ 下降時間 ｔｆ 図２参照 ７０ ソース・ドレイン間Ｄｉ順電圧 ＶＳＤ ゲートしきい値電圧温度 ⊿ＶＴＨ 変化率 ／⊿Ｔｃｈ オフ時遅れ時間 S ISD=40A,VGS=0V １．０ VDS=10V, ID=1mA -１１ １．５ V mV/℃ サンケン電気株式会社 T02-001JA-050823 2/7 MOS FET FKP280A 2005年8月 Characteristic Curves (Tc=25℃) ID-VG S C ha r a ct er ist ics (t y pica l) ID-VDS C ha r a ct er ist ics (t y pica l) VDS=10V VGS=10V 40 40 6.0V 5.5V 30 ID (A) ID (A) 30 20 20 5.0V 10 125℃ 10 25℃ Tc=-55℃ 4.5V 0 0 0 2 4 6 8 10 0 2 VDS (V) 4 6 8 10 VGS (V) R DS (ON)-ID C ha r a ct er ist ics (t y pica l) VDS -VG S C ha r a ct er ist ics (t y pica l) VGS=10V 60 5 50 4 3 VDS (V) RDS(on) (mΩ) 40 30 20 2 ID=40A 10 1 20A 0 0 10 20 ID (A) 30 40 0 1 R DS (ON)-Tc C ha r a ct er ist ics (t y pica l) 150 10 VGS (V) 100 ID=20A VGS=10V RDS(on) (mΩ) 100 50 0 -100 -50 0 50 100 150 Tc (℃) サンケン電気株式会社 T02-001JA-050823 3/7 MOS FET FKP280A 2005年8月 Characteristic Curves (Tc=25℃) C a pa cit a nce-VDS C ha r a ct er ist ics (t y pica l) R e(y fs)-ID C ha r a ct er ist ics (t y pica l) f=1MHz VGS=0V VDS=10V 10000 100 Ciss 10 1000 Capacitance (pF) Re(yfs) (S) Tc=-55℃ 25℃ 1 125℃ Coss Crss 100 0.1 0.01 0.01 10 0.1 1 ID (A) 10 100 0 10 30 VDS (V) S AFE O PERAT I N G AREA IDR-VS D C ha r a ct er ist ics (t y pica l) 20 40 50 1000 40 ID(pulse) max 100 ID max 30 100μs ID (A) ID (A) 10 20 10V RDS(on) LIMITED 1ms 1 10ms 10 0.1 VGS=0V Tc=25℃ 1shot 0 0.0 0.5 1.0 DC 0.01 1.5 0.1 VSD (V) 1 10 100 1000 VDS (V) P D-Ta C ha r a ct er ist ics 100 80 60 PD (W) With infinite heatsink 40 20 Without heatsink 0 0 50 100 150 Ta (℃) サンケン電気株式会社 T02-001JA-050823 4/7 MOS FET FKP280A 2005年8月 図１ アバランシェエネルギー耐量 測定方法 L EAS= V(BR)DSS 1 ･L･ILP2・ 2 V(BR)DSS − VDD V(BR)DSS IL VDS ILp RG VDS VDD VGS IL VDD 0V （ａ） 測定回路 (b) 出力波形 図２ スイッチングタイム 測定方法 RL VDD≒140V ID ID=20A VDS RG RL=7Ω VDD VGS VGS=10V RG=5Ω 0V P.W.=10μs Duty cycle≦1% （ａ） 測定回路 90% VGS 10% 90% VDS 10% td(on) tr td(off) ton tf toff （ｂ） 出力波形 サンケン電気株式会社 T02-001JA-050823 5/7 MOS FET FKP280A 2005年8月 外形図 FM100 (TO3P Full Mold) (1) (2) (3) 質量 約 6.5g サンケン電気株式会社 T02-001JA-050823 6/7 MOS FET FKP280A 2005年8月 ご注意 ・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、 最新の情報であることをご確認ください。 ・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当 社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負い ません。 ・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用者 の責任に於いて検討・判断を行ってください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避け られません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、 使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。 ・本資料に記載されている製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など） に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。 高い信頼性が要求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安 全装置など）への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願いし ます。 極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など）に は、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。 ・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。 ・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。 ・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を 有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよう にお願いします。 尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。 サンケン電気株式会社 T02-001JA-050823 7/7