ＭＬＤ６８５Ｄ

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2011 年 2 月
特長
パッケージ
MT100
(TO3P)
z 低オン抵抗
z ゲート保護用Ｄｉ内蔵
アプリケーション
z 大電流スイッチ
z 電動パワーステアリング
主要スペック
z
内部等価回路
z
Ｄ(2)
Ｖ（ＢＲ）ＤＳＳ＝６０Ｖ
（ＩＤ＝１００μＡ）
ＲＤＳ（ＯＮ）＝４．７ｍΩ Ｍａｘ.
（ＶＧＳ＝１０Ｖ、ＩＤ＝４２Ａ）
Ｇ(1)
Ｓ(3)
絶対最大定格
項目
記号
定格
単位
ドレイン・ソース電圧
VDSS
60
V
ゲート・ソース電圧
VGSS
±20
V
ID
± 85
A
ドレイン電流（パルス）
ID(pulse) ※１
± 280
A
許容損失
PD
1 50 ( Tc =2 5℃ )
W
アバランシェエネルギー耐量
（単一パルス）
EAS ※2
2 80
mJ
動 作 チ ャ ネ ル 部 温 度
Tch
-55～150
℃
保
Tstg
-55～150
℃
ドレイン電流（直
存
流）
温
度
※1 PW≦100μsec. duty cycle≦1％
※2 VDD=20V, L=1mH, IL=20A, unclamped, 図１参照
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2011 年 2 月
電気的特性
（Ｔａ＝２５℃）
条件
規格
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ゲート・ソース漏れ電流
IGSS
VGS=±20V
± 10
μA
ドレイン・ソース漏れ電流
IDSS
VDS=60V, VGS=0V
1 00
μA
ゲートしきい値電圧
VTH
VDS=10V, ID=1mA
2.0
3.0
V
直流伝達コンダクタンス
Re(yfs)
VDS=10V, ID=42A
30
直流オン抵抗
RDS(ON)
ID=42A, VGS=10V
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
Crss
オン時遅れ時間
td(on)
立上り時間
tr
オフ時遅れ時間
td(off)
下降時間
tf
ソース・ドレイン間Ｄｉ順電圧
VSD
ISD=50A,VGS=0V
ソース・ドレイン間Ｄｉ逆回復時間
trr
ISD=50A
ｄi/dt=100A/us
ID=100μA,VGS=0V
VDS=10V
VGS=0V
f=1MHz
MIN
TYP
MAX
60
V
2.5
S
4.0
4.7
mΩ
11500
1500
pF
1100
60
ID=42A, VDD≒16V
25
ns
RG=22Ω, VGS=10V
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単位
図 2 参照
3 70
65
ページ 2
0.87
70
1.5
V
ns
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各種代表特性
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(Tc=25℃)
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各種代表特性
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(Tc=25℃)
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各種代表特性
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(Tc=25℃)
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2011 年 2 月
図 1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
EAS=
(ａ) 測定回路
V(BR)DSS
1
･L･ILP2・
2
V(BR)DSS − VDD
(b) 出力波形
図 2 スイッチングタイム 測定方法
90%
VGS
10%
90%
VDS
10%
td(on)
tr
td(off)
ton
(ａ) 測定回路
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toff
(b) 出力波形
ページ 6
tf
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2011 年 2 月
外形図
MT100 (TO3P)
(1) ゲート
(2) ドレイン
(3) ソース
質量
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ページ 7
約6g