2SK3801

■ ID―VDS 特性（代表例）
V（BR）DSS
IGSS
IDSS
VTH
Re（yfs）
RDS（ON）
Ciss
Coss
Crss
t d（on）
tr
t d（off）
tf
VSD
t rr
R th（ch-c）
R th（ch-a）
ID＝100μA, VGS＝0V
VGS＝±15V
VDS＝40V, VGS＝0V
VDS＝10V, ID＝1mA
VDS＝10V, ID＝35A
VGS＝10V, ID＝35A
70
60
60
10
10
1.0
1.5
0
2.0
1.0
2.0
VGS ＝10V
6.0
0.4
0
7.0
5
0
10
15
10
1
70
■ダイナミック入出力特性（代表例）
（ID ＝ 35A）
15
30
6.0
4.0
1
VDS（V）
3.0
10
ID（A）
VDS
2.0
20
10
VGS
VDD＝8V
12V
14V
16V
24V
10
0.1
5
2.0
0
10
20
30
40
50
60
0
−60 −50
70
0
ID（A）
50
100
150
TC（℃）
（Ta ＝ 25℃）
1000
ED
ID（A）
IDR（A）
IT
M
40
Ta＝150℃
25℃
−55℃
Coss
20
S（
10
ON
I
）L
RD
PT
20
30
VDS（V）
40
50
0
100
0
150
=1
100
00
μ
s
=
PT
= 1 1ms
0m
s
PT
120
0μ
s
80
60
40
1
20
10
10
50
=1
Crss
0
0
■ PD ― Tc 特性
PT
100
30
0
100
（Ta ＝ 25℃）
50
Ciss
10
Qg（nC）
500
60
10000
1
■ ASO 曲線（単発パルス）
70
VGS ＝ 0V
f ＝ 1MHz
0.1
PW（s）
■Capacitance ―VDS 特性（代表例） ■ I DR ― VSD特性（代表例）
50000
0.01
0.00001 0.0001 0.001 0.01
PD（W）
1.0
116
Tc＝−55℃
25℃
150℃
100
1
20
10
θj-c（℃／W）
4.0
100
（VDS ＝ 10V）
8.0
5.0
（単位：mm）
35A
■θj-c ― PW 特性（単発パルス）
VGS ＝10V
イ：品名 ロ：ロット番号
1000
VGS（V）
10.0
RDS（ON）
（mΩ）
RDS（ON）
（mΩ）
5.0
■ R DS（ON）―TC 特性（代表例）ID ＝ 35A
6.0
Capacitance（pF）
0.6
0.2
4.0
1. ゲート
2.ドレイン
3. ソース
■Re（yfs）― ID 特性（代表例）
ID ＝ 70A
3.0
1.4
5.45–0.1
0.8
0
+0.2
0.65 — 0.1
+0.2
1.05 — 0.1
（1）（2）（3）
（Ta＝ 25℃）
VGS（V）
■ R DS（ON）― I D 特性（代表例）Ta ＝ 25℃
0
2
15.8±0.2
1.0
Ta＝150℃
25℃
−55℃
2.0–0.1
3
5.45–0.1
■ VDS ―VGS 特性（代表例）
（VDS＝10V）
VDS（V）
7.0
1.5
1.25
35.71
30
20
0.5
ISD＝50A, VGS＝0V
ISD＝25A, di/dt＝50A/µs
6.0
4.8–0.2
3.2–0.1
イ
ロ
Re（yfs）
（S）
VGS ＝ 4.5V
0
ID＝35A
VDD＝20V, RG＝22Ω
RL＝0.57Ω, VGS＝10V
40
20
0
VDS＝10V
f＝1.0MHz
VGS＝0V
VDS（V）
ID（A）
30
±10
100
4.0
3.0
50
5.0
5100
1200
860
100
100
300
130
0.9
100
2.0
30
V
μA
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
℃／W
℃／W
15.6–0.4
13.6
9.6
50
10V
5.5V
5.0V
40
40
■ ID―VGS 特性（代表例）
70
50
ID（A）
試 験 条 件
0
0.2
0.4
0.6
0.8
VSD（V）
1.0
1.2
1.4
0.1
0.1
1
10
VDS（V）
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Tc（℃）
VGS（V）
RG＝50Ω
記 号
外形図 TO-3P
（Ta＝25℃）
規 格 値
単位
min
typ
max
1.8
5.0–0.2
電気的特性
（Ta＝25℃）
記 号
規 格 値
単位
VDSS
40
V
VGSS
±20
V
±70
ID
A
±140
ID（pulse）※1
A
PD
W
100（Tc＝25℃）
EAS※2
mJ
400
Tch
℃
150
Tstg
℃
−40∼＋150
※1: PW≦100μs, duty cycle≦1%
※2: VDD＝20V, L＝1mH, IL＝20A, unclamped,
2.0
絶対最大定格
19.9–0.3
4.0
2SK3801
20.0 min
4.0 max
MOS FET