2SC4138

2SC4138
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (高耐圧・高速スイッチングトランジスタ)
400
V
IEBO
10
V
V(BR)CEO
10(パルス20)
A
hFE
VCE＝4V, IC＝6A
10∼30
100max
μA
VEB＝10V
100max
μA
IC＝25mA
400min
V
A
VCE(sat)
IC＝6A, IB＝1.2A
0.5max
80(Tc＝25℃)
W
VBE(sat)
IC＝6A, IB＝1.2A
1.3max
V
Tj
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−0.7A
10typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
85typ
pF
V
5.45±0.1
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
200
33.3
6
10
–5
0.6
–1.2
1max
3max
0.5max
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
V CE (sat),V BE (sat) – I C 特性(代表例)
2
1
2
3
0
0.02
4
0.05
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
スィッチング時間 t o n• t s t g • t f (µs )
直流電流増幅率 h FE
100
125 ˚C
25 ˚C
– 55 ˚C
10
0.05
0.1
0.5
1
5
0
10
1
5
10
0.4
t s tg
V CC 200V
I C :I B1 :– I B 2 =10:1:2
1
0.5
t on
tf
0.1
0.1
ス温
度）
1.0
1.2
0.5
1
5
10
0.5
0.3
1
10
100
1000
時間 t(ms)
逆バイアスASO曲線
ASO 曲線（単発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
30
0µ
0.8
1
コレクタ電流 I C (A)
10
0.6
3
5
30
s
0.2
θ j-a – t特 性
10
コレクタ電流 I C (A)
1m
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
t on •t stg • t f – I C 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
5
0.02
0.5
コレクタ電流 I C (A)
h FE – I C 温度特性（ 代 表 例 ）
50
0.1
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
0
ス温
ケー
V C E (sat)
0
度）
度）
ス温
4
ケー
I B =100m A
2
6
ケー
200m A
4
V B E (sat)
C（
400mA
6
8
1
5˚
600 mA
(V CE =4V)
10
12
コレクタ飽和電圧 V C E (sat) (V)
ベース飽和電圧 V B E (sat) (V)
コレクタ電流 I C (A)
8
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(I C /I B =5)
1.4
1A
C
製品質量 約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
コレクタ電流 I C (A)
A
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
VCC
(V)
1.2
2
3
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
10
ø3.2±0.1
˚C（
Tstg
2.0±0.1
−55
4
イ
4.8±0.2
ロ
PC
IB
15.6±0.4
9.6
˚C（
IC
単位
VCB＝500V
25
VEBO
試 験 条 件
1.8
VCEO
記 号
5.0±0.2
ICBO
2.0
V
4.0
500
19.9±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
規格値
4.0max
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途： スイッチングレギュレータ、一般用
80
s
10
10
5
5
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
500
最大許容損失 P C (W)
コレクタ電流 I C (A)
50
0.1
5
10
40
付
10
板
5
放熱板なし
自然空冷
L=3mH
– I B2 = 1 A
Duty 1％以下
熱
0.1
0.5
放
放熱板なし
自然空冷
大
0.5
1
限
1
無
コレクタ電流 I C (A)
60
20
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
500
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
91