SMA5130

SMA5130
絶対最大定格
（Ta＝25℃）
記 号
VDSS
VGSS
ID(DC)
ID（pulse）
VCBO
VCEO
VEBO
Ic（DC）
Ic（pulse）
PT
θj-a
θj-c
Tch/Tj
Tstg
PNP ダーリントン＋NチャネルMOSFET
3相モータドライブ用
定 格
単 位
250
V
±20
V
2.5
A
5（PW≦100μs, duty≦1%）
A
−250
V
−250
V
−6
V
−2.5
A
−5（Pw≦100μs,duty≦1%）
A
4（Ta＝25℃, 全回路動作, No Fin）
W
28（Tc＝25℃, 全回路動作, ∞Fin）
W
31.25（接合−外気間, Ta＝25℃, 全回路動作） ℃/W
4.46（接合−ケース間, Tc＝25℃, 全回路動作） ℃/W
150
℃
−40∼＋150
℃
電気的特性
●Nch MOSFET
記 号
V（BR）DSS
IGSS
IDSS
VTH
Re（yfs）
RDS（ON）
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
VSD
min
250
（Ta＝25℃）
規 格 値
typ
max
±100
100
4.0
2.0
1.2
650
250
150
65
15
25
50
30
0.95
900
1.5
単 位
条 件
V
nA
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ID＝100μA, VGS＝0V
VGS＝±20V
VDS＝250V, VGS＝0V
VDS＝10V, ID＝1mA
VDS＝10V, ID＝1.5A
VGS＝10V, ID＝1.5A
VDS＝10V
f＝1.0MHz
VGS＝0V
ID＝1.5A
VDD＝100V
RG＝50Ω
VGS＝10V
ISD＝2.5A, VGS＝0V
ISD＝2.5A, VGS＝0V,
di/dt＝100A/μs
■等価回路図
trr
1
R1 R2
60
ns
●ダイオード
2
8
記 号
14
3
7
15
5
4
10
9
12
VR
VF
IR
trr
min
100
（Ta＝25℃）
規 格 値
typ
1.2
max
単 位
条 件
1.5
100
V
V
μA
ns
IR＝10μA
IF＝2.5A
VR＝100V
IF＝2.5A, di/dt＝100A/μs
50
13
●PNPトランジスタ
6
記 号
R1＝3kΩ typ.
R2＝80Ω typ.
11
■外形図
4.0±0.1
31.0±0.1
30°
1.45
±0.15
+1
+0.5
6.7
0.65±0.1
28.42±0.3
3 -0
1.16±0.1
9.7 -0.5
±0.5
8.5MAX
2.4
ロ
イ
（10.4）
10.2±0.2
2.5±0.1
0.55±0.1
4±0.3
31.5MAX
（両サイド樹脂バリ含む）
イ．品名
ロ．ロット番号
ICBO
IEBO
VCEO
hFE
VCE
（sat）
VBE（sat）
ton
tstg
tf
Cob
min
（Ta＝25℃）
規 格 値
typ
max
−100
−10
単 位
条 件
μＡ
mA
Ｖ
VCB=−250V
VEB=−6V
Ic=−1mA
VCE=−4V, Ic=−1A
−1.5
−2.2
Ｖ
Ｖ
μs
μs
μs
pF
−250
1000
0.5
4
0.5
70
Ic=−1A, IB=−5mA
Vcc=−100V
Ic=−1A
IB=±10mA
VCB=−10V, f=1MHz
SMA5130
特 性 曲 線（PNP）
hFE-IC特性
（代表例）
hFE-IC特性
（代表例）
VCE＝−4V
Ta＝25˚C
10000
VCE
（sat）
-IB特性
（代表例）
（VCE＝−4V）
10000
（IC＝−0.5A）
3.0
Ta＝125℃
−VCE（sat）
（V）
2.5
1000
hFE
hFE
1000
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=−20℃
100
100
Ta＝75℃
Ta＝25℃
2.0
Ta＝−20℃
1.5
1.0
0.5
10
0.01
0.1
1
10
0.01
5
0.1
1
0.0
0.0001
5
0.001
−IC（A)
−IC（A)
VCE
（sat）-IB特性
（代表例）
VCE
（sat）
-IB特性
（代表例）
（IC＝−1A）
3.0
0.1
VCE
（sat）
-IC特性
（代表例）
（IC＝−1.5A）
3.0
0.01
−IB（A）
（IB＝−5mA）
3.0
Ta＝125℃
2.5
2.5
2.5
Ta＝75℃
2.0
1.5
1.0
0.5
−VCE（sat）
（V）
Ta＝−20℃
−VCE（sat）
（V）
−VCE（sat）
（V）
Ta＝25℃
2.0
Ta＝−20℃
1.5
Ta＝25℃
1.0
Ta＝75℃
0.5
2.0
1.5
Ta＝−20℃
Ta＝25℃
1.0
Ta＝75℃
Ta＝125℃
0.5
Ta＝125℃
0.0
0.0001
0.001
0.01
0.0
0.0001
0.1
0.001
IC-VBE特性
（代表例）
0.0
0.01
0.1
0.1
1
10
−IC（A）
ASO曲線
（VCE＝−4V）
2.5
0.01
−IB（A）
−IB（A）
Switching Time-IC特性
（代表例）
10
10
t＝100us
tst
t＝1ms
2.0
ton, tstg, t（uS）
f
t＝10ms
−IC（A）
−IC（A）
1
1.5
1.0
0.5
0
0.1
Ta＝125℃
Ta＝75℃
Ta＝25℃
Ta＝−20℃
1
2
−VBE（V）
tf
to
VCC≒−100V
IB1＝−10mA
IB2＝10mA
Ta＝25℃
Single Pulse
0.01
0
1
3
1
10
100
−VCE（V）
500
0.1
0.1
1
IC（A）
10
SMA5130
特 性 曲 線（Nチャネル）
RD（ON）-ID特性
（代表例）
RD（ON）-TC特性
（代表例）
（VGS＝10V）
1.5
VDS-VGS特性
（代表例）
（VGS＝10V）
ID＝1.5A
1.5
5
TC＝25℃
4
1
VDS（V）
RD（ON）
（Ω）
RD（ON）
（Ω）
1
3
2
0.5
0.5
ID＝2A
1
ID＝1.5A
ID＝1A
ID＝0.5A
0
0
1
2
3
4
0
0
−25
0
25
IC（A）
100
1
125
VDS-VGS特性
（代表例）
ID-VGS特性
（代表例）
ISD-VSD特性
（代表例）
5
VDS＝10V
VGS＝0V
4
3
3
3
ISD（A）
4
ID（V）
4
2
2
TC＝125℃
TC＝−20℃
0
10
50
1
0
1
2
3
4
5
6
TC＝25℃
TC＝−20℃
0
VGS（V）
7
8
0
0.5
ASO曲線
1.5
IF-VF CURVE逆流防止Di特性
（代表例）
5
10
VCC≒140V
ID＝1.5A
1
VSD（V）
VGS（V）
Typical Gate Charge特性
（代表例）
20
TC＝75℃
TC＝125℃
TC＝75℃
TC＝25℃
TC＝−20℃
1
TC＝25℃
1
2
TC＝125℃
TC＝75℃
1
50
VGS（V）
5
ID＝1.5A
0
10
TC（℃）
5
VDS（V）
75
50
t＝100μs
4
t＝1ms
t＝10ms
IF（A）
1
ID（A）
VGS（V）
15
10
3
2
TC＝125℃
0.1
TC＝75℃
5
0
0
5
10
Q（
g nc）
15
0.01
1
TC＝25℃
1
Single Pulse
TC＝25℃
10
100
VDS（V）
1000
0
TC＝−20℃
0
0.5
1
VF（V）
1.5
2