2SA1725

2SA1725
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4511とコンプリメンタリ)
VCEO
−80
V
VEBO
−6
V
IC
−6
A
hFE
VCB＝−80V
−10max
μA
IEBO
VEB＝−6V
−10max
μA
V(BR)CEO
IC＝−25mA
−80min
V
50min※
VCE＝−4V, IC＝−2A
−0.5max
IB
−3
A
VCE(sat)
IC＝−2A, IB＝−0.2A
PC
30(Tc＝25℃)
W
fT
VCE＝−12V, IE＝0.5A
20typ
MHz
150
℃
COB
VCB＝−10V, f＝1MHz
150typ
pF
−55∼＋150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
1.35±0.15
1.35±0.15
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
2.54
2.2±0.2
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–30
10
–3
–10
5
–0.3
0.3
0.18typ
1.10typ
0.21typ
A
A
–1
12
–4A
–2A
0
0
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–1.0
h FE – I C 特性（代 表 例 ）
(V C E = – 4V)
50
30
–0.02
–0.1
–0.5
–1
過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
25 ˚C
– 30 ˚C
100
100
50
–0.1
コレクタ電流 I C (A)
–0.5
–1
1
–5 –6
10
100
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代 表 例 ）
）
1
0.5
0.4
30
–0.02
–5 –6
–1.5
5
300
Typ
–1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
300
–0.5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE = – 4V)
直流電流増幅率 h F E
0
–1.5
ベース電流 I B (A)
温度
度）
–2
I C =–6A
ース
–1
（ケ
I B =–10mA
0˚C
–20mA
–2
度）
–30mA
–4
−3
–3
–2
ス温
–50mA
ス温
–4
ケー
–8 0m A
ケー
–5
C（
–1 00 m
(V CE = – 4V)
5˚
–1
m
50
コレクタ電流 I C (A)
0
A
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–6
–3
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
–2
0m
2.4±0.2
製品質量 約2.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
–6
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
˚C（
Tstg
4.2±0.2
2.8 c0.5
ø3.3±0.2
イ
ロ
25
Tj
10.1±0.2
4.0±0.2
ICBO
0.8±0.2
V
単位
±0.2
−80
規 格 値
3.9
VCBO
外形図 FM20(TO220F)
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
記 号
16.9±0.3
単 位
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
13.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
30
–20
–10
10
Typ
100ms
板
付
コレクタ電流 I C (A )
熱
–0.5
放
–1
20
大
10
s
DC
限
20
m
無
遮断周波数 f T (MH Z )
–5
最大許容損失 P C (W)
30
10
放熱板なし
自然空冷
–0.1
放熱板なし
2
0
0.02
0.05 0.1
0.5
1
エミッタ電流 I E (A)
30
5 6
–0.05
–3
–5
–10
–50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–100
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150