2SD2141

C
等価回路
2SD2141
サージ電圧吸収
ダーリントン
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ
用途：イグナイタ、ソレノイド、モータ駆動、一般用
ICBO
VCEO
380±50
V
IEBO
VEB＝6V
V
V(BR)CEO
IC＝25mA
A
hFE
6
VEBO
6(パルス10)
IC
1
IB
PC
A
VCE(sat)
35(Tc＝25℃)
W
fT
150
℃
COB
−55∼＋150
℃
Tj
Tstg
VCB＝330V
10max
μA
20max
mA
330∼430
VCE＝2V, IC＝3A
1500min
10.1±0.2
V
IC＝4A, IB＝20mA
1.5max
V
VCE＝12V, IE＝−0.5A
20typ
MHz
VCB＝10V, f＝1MHz
95typ
pF
4.2±0.2
2.8 c0.5
4.0±0.2
V
単位
ø3.3±0.2
イ
ロ
0.8±0.2
380±50
規格値
±0.2
VCBO
試 験 条 件
3.9
単 位
16.9±0.3
規 格 値
記 号
外形図 FM20(T0220F)
(Ta＝25℃)
記 号
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
(1.5kΩ)(100Ω) E
13.0min
■絶対最大定格
B
1.35±0.15
1.35±0.15
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
2.4±0.2
2.2±0.2
製品質量 約2.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
B C E
0
2
4
0
6
0.2
0.5
1
5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
50
(V CE =2V)
10000
5000
100
50
12
1000
5˚
C
25
500
˚C
–5
5˚
C
100
5
20
0.02
10
0.1
1.0
0.5
5
10
度）
）
˚C（
ケー
ス温
度
25
1
0.5
0.1
1
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
40
20
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
10
放
熱
板
付
放熱板なし
自然空冷
20
大
0.1
10
限
最大許容損失 P C (W)
1
0.5
無
コレクタ電流 I C (A)
30
s
C
1ms
D
0m
5
30
ms
10
10
Typ
20
1000
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
40
100
時間 t(ms)
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
f T – I E 特性（代表 例 ）
遮断周波数 f T (MH Z )
2.4
θ j-a – t特 性
50
1
2.0
5
10000
直流電流増幅率 h F E
500
0.5
1.0
5000
1000
0.1
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V C E =2V)
Typ
10
0.02
度）
温
ス
0
100 200
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
h FE – I C 特性（代表 例 ）
直流電流増幅率 h F E
10
ベース電流 I B (mA)
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
0
−30
1A
ス温
3A
1
5
ー
I C =7A
5A
ケー
I B =1 mA
ケ
5
2
C（
2mA
12
コレクタ電流 I C (A)
4mA
(V CE =4V)
10
3
A
20m mA
18
˚C（
A
5˚
1
m
50
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
10
90mA 60mA
コレクタ電流 I C (A)
120mA
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
150x150x2
10
100x100x2
0.05
50x50x2
0
–0.01
–0.05 –0.1
–0.5
エミッタ電流 I E (A)
148
–1
–5
0.01
1
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
500
2
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150