XC6129 シリーズ
JTR02022-002
外付けコンデンサ遅延タイプ電圧検出器
■ 概要
XC6129 シリーズは超小型、高精度の外付けコンデンサ型遅延機能付電圧検出器です。CMOS プロセス、高精度基準電源、レーザ
ートリミング技術の採用により高精度、低消費電流を実現しています。遅延回路を内蔵しており、Cd 端子に接続する外付けコンデンサ
の値によって解除遅延時間/検出遅延時間を設定出来ます。また Cd 端子はマニュアルリセット端子としても使用可能です。
出力形態は CMOS 出力と Nch オープンドレイン出力の 2 種類があり、CMOS 出力の B/D/F タイプは、不定動作防止機能を搭載し
電源入力端子電圧が最低動作電圧未満において、不定動作による出力端子電圧を 0.4V(MAX.)以下に抑えます。
また、検出時の出力論理が選択可能で、マイコンを使用するすべての電子機器に最適です。
パッケージは超小型 USPN-4 及び業界標準の SSOT-24 の 2 種類を用意しており、携帯機器での小型化、高密度実装を可能としています。
●
マイコン、ロジック回路のリセット
●
バッテリーチェック、充電検出
●
メモリーバックアップ
●
システムパワーオンリセット
●
停電検出
●
遅延回路
■代表標準回路
■特長
：±0.8％ (Ta=25℃)
：±50ppm/℃ (TYP.)
：VDF×5% (TYP.)
：0.42μA TYP. (検出時 VDF=2.7V)
0.58μA TYP. (解除時 VDF=2.7V)
検出電圧範囲
：1.5V～5.5V (0.1V ステップ)
動作電圧範囲
：1.3V～6.0V
出力形態
：CMOS 出力
N-ch オープンドレイン出力
出力論理
：検出時”L”レベル／検出時”H”レベル選択可能
解除遅延時間
：13.9ms (Cd=0.01μF, Rp=2MΩ)
検出遅延時間
：17.9ms (Cd=0.01μF, Rn=2MΩ)
マニュアルリセット機能
：Cd 端子”L”レベル時、検出状態
動作周囲温度
：-40℃～+85℃
パッケージ
：USPN-4、SSOT-24
環境への配慮
：EU RoHS 指令対応、鉛フリー
高精度
検出電圧温度特性
ヒステリシス幅
低消費電流
■代表特性例
VIN=VDF×0.9V→ VDF×1.1V
Cd=0.1μF (tDR=139ms)
XC6129
200
Release Delay Time : DR
t (ms)
■用途
180
160
140
120
100
-50
-25
0
25
50
75
100
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
1/30
XC6129 シリーズ
■ブロック図
1) XC6129C シリーズ A/B/C/D/E/F タイプ
VIN
M2
R1
Comparator
M4
Rp
DELAY/MR
CONTROL
BLOCK
R2
Rn
Vre f
RESETB
M3
M1
VSS
Cd/ MRB
2) XC6129C シリーズ G/J/L タイプ
VIN
M2
R1
Comparator
M4
Rp
DELAY/MR
CONTROL
BLOCK
R2
Rn
Vre f
RESET
M3
M1
VSS
Cd/ MRB
*上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
2/30
XC6129
シリーズ
■ブロック図
3) XC6129N シリーズ A/C/E タイプ
VIN
M2
R1
Comparator
Rp
DELAY/MR
CONTROL
BLOCK
R2
Rn
Vre f
RESETB
M3
M1
VSS
Cd/ MRB
4) XC6129N シリーズ G/J/L タイプ
VIN
M2
R1
Comparator
Rp
DELAY/MR
CONTROL
BLOCK
R2
Rn
Vre f
RESET
M3
M1
VSS
Cd/ MRB
*上記のダイオードは静電保護用のダイオードと寄生ダイオードとなります。
3/30
XC6129 シリーズ
■製品分類
●品番ルール
XC6129①②③④⑤⑥-⑦ (*1)
DESIGNATOR
ITEM
SYMBOL
①
Output Configuration
②③
Detect Voltage
DESCRIPTION
C
CMOS output
N
Nch open drain output
15~55
e.g. 1.8V → ②=1, ③=8
A
B
C
D
④
Type
E
Refer to Selection Guide
F
⑤⑥-⑦ (*1)
(*1)
Packages (Order Unit)
G
J
L
NR-G
SSOT-24 (3,000/Reel)
7R-G
USPN-4 (5,000/Reel)
”-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ EU RoHS 対応製品です。
●セレクションガイド (Selection Guide)
TYPE
RESETB/RESET
OUTPUT
HYSTERESIS
WIDTH
A
B
C
D
Reset Active Low
E
5% (TYP.)
F
G
J
Reset Active High
L
(*2)
CMOS 出力のみ対応となります。
4/30
RELEASE
DELAY
DETECT
DELAY
Yes
No
No
Yes
Yes
Yes
Yes
No
No
Yes
Yes
Yes
Undefined Operation
Protect
No
Yes (*2)
No
Yes (*2)
No
Yes (*2)
No
XC6129
シリーズ
■端子配列
USPN-4
(BOTTOM VIEW)
SSOT-24
(TOP VIEW)
■端子説明
PIN NUMBER
PIN NAME
FUNCTIONS
4
VIN
Power Input
2
3
VSS
Ground
3
2
Cd/MRB
Adjustable Pin for DelayTime
/Manual Reset
4
1
RESETB
Reset Output (Active Low) (*1)
RESET
Reset Output (Active High) (*2)
SSOT-24
USPN-4
1
(*1)
Type A～F (品番ルール④参照)
(*2)
Type G～L (品番ルール④参照)
5/30
XC6129 シリーズ
■機能表
PIN NAME
Cd/MRB
SIGNAL
STATUS
L
Forced Reset
H
Release
OPEN
Normal Operation
詳細は下記の表を参照ください。
1) 出力論理: Active Low 品
●Function Chart
VIN
VIN≧VDF+VHYS
VIN≦VDF
VCd//MRB
Transition of VRESETB Condition
VCd/MRB≦VMRL
Reset (Low Level) (*1)
VCd/MRB≧VMRH
Release (High Level) (*2)
VCd/MRB≦VMRL
Reset (Low Level) (*1)
VCd/MRB≧VMRH
Undefined (*3)
VCd/MRB
Transition of VRESET Condition
VCd/MRB≦VMRL
Reset (High Level) (*2)
VCd/MRB≧VMRH
Release (Low Level) (*1)
VCd/MRB≦VMRL
VCd/MRB≧VMRH
Reset (High Level) (*2)
Undefined (*3)
2) 出力論理: Active High 品
●Function Chart
VIN
VIN≧VDF+VHYS
VIN≦VDF
(* 1)
CMOS 出力: VIN×0.1 以下、Nch オープンドレイン出力
プルアップ電圧×0.1 以下となります。
(* 2)
CMOS 出力: VIN×0.9 以上、Nch オープンドレイン出力
プルアップ電圧×0.9 以上となります。
(* 3)
詳細は■動作説明〈マニュアルリセット機能〉を参照ください。
6/30
XC6129
シリーズ
■絶対最大定格
Ta=25℃
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNITS
VIN
-0.3～+6.5
V
IRBOUT
IROUT
±50
VRESETB
VRESET
VSS-0.3～VIN+0.3 or +6.5 (*3)
Cd/MRB Pin Voltage
VCd/MRB
VSS-0.3～VIN+0.3
V
Cd/MRB Pin Current
ICd/MRB
±5
mA
Input Voltage
Output Current
Output Voltage
XC6129C
(*1)
XC6129N
(*2)
XC6129C (*1)
XC6129N (*2)
Power Dissipation
SSOT-24
USPN-4
Pd
50
VSS-0.3～+6.5
150
100
mA
V
mW
Operating Ambient Temperature
Topr
-40～+85
℃
Storage Temperature
Tstg
-55～+125
℃
各電圧定格は VSS を基準とする。
(*1)
CMOS 出力
(*2)
N-ch オープンドレイン出力
(*3)
最大値は VIN+0.3 と+6.5 のいずれか低い電圧になります。
7/30
XC6129 シリーズ
■電気的特性例
Ta=25℃
XC6129xxxA~XC6129xxxF タイプ (出力論理: Active Low 品)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
(*1)
Detect Voltage
VDF
Temperature
Characteristics
∆VDF/
(∆Topr・VDF)
Hysteresis Width
VHYS
-
Supply Current 1
ISS1
VIN= VDF×0.9V (Detect)
Supply Current 2
ISS2
Operating Voltage
VIN
VDF(T)
IRBOUT1
Output Current
Current
CMOS Output
(P-ch)
N-ch Open
Drain Output
(*7)
(*12)
Rn
Undefined Operation (*13)
VUNS
V
①
±50
-
ppm/℃
①
VDF×0.03
VDF×0.05
VDF×0.07
V
①
μA
②
V
-
mA
③
μA
③
(Type:A,C,E)
E-3 (*2)
(Release)
-
(Type:B,D,F)
E-31 (*2)
1.3
-
6.0
VIN=1.3V, VRESETB=0.5V (N-ch)
1.7
3.0
-
VIN=2.0V(*3), VRESETB=0.5V (N-ch)
5.2
6.7
-
VIN=3.0V(*4), VRESETB=0.5V (N-ch)
8.6
10.2
-
VIN=4.0V(*5), VRESETB=0.5V (N-ch)
10.6
12.3
-
VIN=5.0V(*6), VRESETB=0.5V (N-ch)
11.7
13.5
-
, VRESETB=VIN-0.5V (P-ch)
-
-1.9
-0.9
VIN=3.0V(*9), VRESETB=VIN-0.5V (P-ch)
-
-3.1
-2.1
VIN=4.0V(*10), VRESETB=VIN-0.5V (P-ch)
-
-4.0
-3.0
VIN=5.0V(*11), VRESETB=VIN-0.5V (P-ch)
-
-4.7
-3.7
VIN=6.0V, VRESETB=VIN-0.5V (P-ch)
-
-5.2
-4.2
VIN=VDF×0.9V, VRESETB=0V
-
-0.01
-
VIN=6.0V, VRESETB=6.0V
-
0.01
0.1
1.8
2.0
2.15
MΩ
④
-
-
0.4
V
⑧
-
0.05
-
ms
⑤
-
0.13
-
ms
⑤
VIN×0.44
VIN×0.50
VIN×0.56
V
⑥
0
VIN×0.56
-
VIN×0.17
VIN
V
V
⑥
⑥
5.0
-
-
μs
⑦
(*8)
VIN=6.0V, VCd/MRB =0V
(Type: A, B, E, F)
VIN=VCd/MRB=VDF×0.9V
(Type: C, D, E, F)
VIN<1.3V
(*14)
VIN=VDF×0.9V→VDF×1.1V
Cd: OPEN
Detect Delay Time
tDF0
VIN=VDF×1.1V→VDF×0.9V (*15)
Cd: OPEN
Cd Threshold Voltage
VTCD
MRB Low Level Voltage
MRB High Level Voltage
VMRL
VMRH
Minimum MRB Pulse Width
tMRB
VIN=VDF×1.1V～6.0V (Release)
VIN=VDF×0.9V (Detect)
VIN=VDF×1.1V～6.0V
VIN=VDF×1.1V～6.0V
VIN=VDF×1.1V
VCd/MRB =VIN→0V→VIN
VDF(T): 設定検出電圧値。
各設定検出電圧での詳細な値は設定電圧別一覧表参照。
(*3)
VDF(T)＞2.0V の製品のみ。
(*4)
VDF(T)＞3.0V の製品のみ。
(*5)
VDF(T)＞4.0V の製品のみ。
(*6)
VDF(T)＞5.0V の製品のみ。
(*7)
XC6129C (CMOS 出力)のみ。
(*8)
VDF(T)≦1.8V の製品のみ。
(*9)
VDF(T)≦2.7V の製品のみ。
(*10)
VDF(T)≦3.7V の製品のみ。
(*11)
VDF(T)≦4.6V の製品のみ。
(*12)
抵抗値は Cd/MRB 端子の印加電圧値と電流値から算出。
(*13)
XC6129C シリーズ B/D/F タイプのみ。
(*14)
VIN 立ち上げ時、VIN=VDF＋VHYS から VRESETB=VDF×1.1×0.9 になるまでの時間。(CMOS 出力)
VIN 立ち上げ時、VIN=VDF＋VHYS から VRESETB=プルアップ電圧×0.9 になるまでの時間。(Nch オープンドレイン出力)
(*15)
VIN 立ち下げ時、VIN=VDF から VRESETB=VDF×0.9×0.1 になるまでの時間。(CMOS 出力)
VIN 立ち下げ時、VIN=VDF から VRESETB=プルアップ電圧×0.1 になるまでの時間。(Nch オープンドレイン出力)
8/30
CIRCUIT
-
VIN=VDF×1.1V
tDR0
(*2)
UNITS
E-2 (*2)
Release Delay Time
(*1)
MAX.
VDF(T)×1.008
ILEAK
Rp
Delay Resistance
TYP.
VDF(T)
E-1(*2)
-40℃≦Topr≦85℃
VIN=2.0V
IRBOUT2
Leakage
=1.5V～5.5V
MIN.
VDF(T)×0.992
XC6129
シリーズ
■電気的特性例
XC6129xxxG~XC6129xxxL タイプ (出力論理: Active High 品)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
Detect Voltage
VDF
VDF(T) (*1)=1.5V～5.5V
Temperature
Characteristics
∆VDF/
(∆Topr・VDF)
-40℃≦Topr≦85℃
Hysteresis Width
VHYS
-
Supply Current 1
Supply Current 2
Operating Voltage
ISS1
ISS2
VIN
VIN=VDF×0.9V (Detect)
VIN= VDF×1.1V (Release)
VIN=2.0V(*3), VRESET=0.5V (N-ch)
IROUT1
Output Current
IROUT2
Leakage
Current
CMOS Output
(P-ch)
N-ch Open
Drain Output
MIN.
TYP.
MAX.
VDF(T)×0.992
VDF(T)
E-1 (*2)
VDF(T)×1.008
-
±50
VDF×0.03
VDF×0.05
1.3
5.2
E-2 (*2)
E-3 (*2)
6.7
UNITS
CIRCUIT
V
①
-
ppm/℃
①
VDF×0.07
V
①
μA
②
V
-
mA
③
μA
③
6.0
-
VIN=3.0V(*4), VRESET=0.5V (N-ch)
8.6
10.2
-
VIN=4.0V(*5), VRESET=0.5V (N-ch)
10.6
12.3
-
VIN=5.0V(*6), VRESET=0.5V (N-ch)
11.7
13.5
-
VIN=6.0V, VRESET=0.5V (N-ch)
VIN=1.3V, VRESET=VIN-0.5V (P-ch)
12.4
-
14.3
-0.9
-1.9
-0.1
-0.9
VIN=2.0V(*8), VRESET=VIN-0.5V (P-ch)
(*7)
Ta=25℃
VIN=3.0V(*9), VRESET=VIN-0.5V (P-ch)
-
-3.1
-2.1
VIN=4.0V(*10), VRESET=VIN-0.5V (P-ch)
-
-4.0
-3.0
VIN=5.0V(*11), VRESET=VIN-0.5V (P-ch)
-
-4.7
-3.7
VIN=6.0V, VRESET=0V
-
-0.01
-
VIN=VDF×0.9V, VRESET=6.0V
-
0.01
0.1
1.8
2.0
2.15
MΩ
④
ILEAK
Rp
VIN=6.0V, VCd/MRB=0V
(Type: G, L)
Rn
VIN= VCd/MRB=VDF×0.9V
(Type: J,L)
Release Delay Time
tDR0
VIN=VDF×0.9V→VDF×1.1V (*13)
Cd: OPEN
-
0.05
-
ms
⑤
Detect Delay Time
tDF0
VIN=VDF×1.1V→VDF×0.9V (*14)
Cd: OPEN
-
0.13
-
ms
⑤
Cd Threshold Voltage
VTCD
VIN=VDF×1.1V～6.0V (Release)
VIN=VDF×0.9V (Detect)
VIN×0.44
VIN×0.50
VIN×0.56
V
⑥
Delay Resistance (*12)
MRB Low Level Voltage
VMRL
VIN=VDF×1.1V～6.0V
0
-
VIN×0.17
V
⑥
MRB High Level Voltage
VMRH
VIN=VDF×1.1V～6.0V
VIN×0.56
-
VIN
V
⑥
Minimum MRB Pulse Width
tMRB
5.0
-
-
μs
⑦
VIN=VDF×1.1V
VCd/MRB=VIN→0V→VIN
(*1)
VDF(T): 設定検出電圧値。
各設定検出電圧での詳細な値は設定電圧別一覧表参照。
(*3)
VDF(T)≦1.8V の製品のみ。
(*4)
VDF(T)≦2.7V の製品のみ。
(*5)
VDF(T)≦3.7V の製品のみ。
(*6)
VDF(T)≦4.6V の製品のみ。
(*7)
XC6129C (CMOS 出力)のみ。
(*8)
VDF(T)＞2.0V の製品のみ。
(*9)
VDF(T)＞3.0V の製品のみ。
(*10)
VDF(T)＞4.0V の製品のみ。
(*11)
VDF(T)＞5.0V の製品のみ。
(*12)
抵抗値は Cd/MRB 端子の印加電圧値と電流値から算出。
(*13)
VIN 立ち上げ時、VIN=VDF＋VHYS から VRESETB=VDF×1.1×0.1 になるまでの時間。(CMOS 出力)
VIN 立ち上げ時、VIN=VDF＋VHYS から VRESETB=プルアップ電圧×0.1 になるまでの時間。(Nch オープンドレイン出力)
(*14)
VIN 立ち下げ時、VIN=VDF から VRESETB=VDF×0.9×0.9 になるまでの時間。(CMOS 出力)
VIN 立ち下げ時、VIN=VDF から VRESETB プルアップ電圧×0.9 になるまでの時間。(Nch オープンドレイン出力)
(*2)
9/30
XC6129 シリーズ
■電気的特性例
●設定電圧別一覧表
NOMINAL
DETECT
VOLTAGE
VDF(T)
(V)
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4.0
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
5.0
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
10/30
Ta=25℃
E-1
DETECT VOLTAGE (V)
VDF
MIN.
1.4880
1.5872
1.6864
1.7856
1.8848
1.9840
2.0832
2.1824
2.2816
2.3808
2.4800
2.5792
2.6784
2.7776
2.8768
2.9760
3.0752
3.1744
3.2736
3.3728
3.4720
3.5712
3.6704
3.7696
3.8688
3.9680
4.0672
4.1664
4.2656
4.3648
4.4640
4.5632
4.6624
4.7616
4.8608
4.9600
5.0592
5.1584
5.2576
5.3568
5.4560
MAX.
1.5120
1.6128
1.7136
1.8144
1.9152
2.0160
2.1168
2.2176
2.3184
2.4192
2.5200
2.6208
2.7216
2.8224
2.9232
3.0240
3.1248
3.2256
3.3264
3.4272
3.5280
3.6288
3.7296
3.8304
3.9312
4.0320
4.1328
4.2336
4.3344
4.4352
4.5360
4.6368
4.7376
4.8384
4.9392
5.0400
5.1408
5.2416
5.3424
5.4432
5.5440
E-2
Supply Current1
(μA)
ISS1
MIN.
TYP.
MAX.
0.38
1.11
E-3
MIN.
-
TYP.
0.47
E-31
Supply Current2
(μA)
ISS2
MAX.
MIN.
1.39
-
TYP.
0.63
MAX.
1.67
-
0.42
1.16
-
0.58
1.60
-
0.74
1.88
-
0.47
1.31
-
0.71
1.90
-
0.87
2.18
-
0.52
1.41
-
0.83
2.17
-
0.99
2.45
XC6129
シリーズ
■測定回路
CIRCUIT①
CIRCUIT②
CIRCUIT③
CIRCUIT④
11/30
XC6129 シリーズ
■測定回路
CIRCUIT⑤
CIRCUIT⑥
CIRCUIT⑦
CIRCUIT⑧
12/30
XC6129
シリーズ
■動作説明
図 1 に代表的な回路例、図 2 に図 1 のタイミングチャートを示します。
VIN
M2
R1
Comparator
M4
Rp
DELAY/MR
CONTRO L
BLOCK
R2
Rn
Vre f
RESETB
M3
M1
VSS
VDD
Cd/ MRB
RESET
SW
* XC6129Nシリーズ
(Nchオープンドレイン出力)では、
出力をプルアップする為の
プルアップ抵抗が必要です。
Cd
図 1: 代表的な回路例 (Active Low 品)
図 2: 図 1 のタイミングチャート
① 初期状態として電源入力端子 VIN には解除電圧に対して十分に高い電圧が印加されており、遅延容量端子 Cd/MRB は電源入力端
子電圧までチャージされているものとします。
電源入力端子電圧が降下し始め、検出電圧に達するまでの間(VIN＞VDF)、出力端子電圧 VRESETB は High レベルとなっています。
② 電源入力端子電圧が降下し続け検出電圧となった(VIN=VDF)時、遅延容量ディスチャージ用 Nch トランジスタが ON し、遅延容量の
ディスチャージを開始します。
遅延容量端子が遅延容量端子閾値電圧以下となると VRESETB が Low レベルとなります。
VIN=VDF から、VRESETB が Low レベルになるまでの時間を検出遅延 tDF(遅延容量端子がオープンの時の検出時間を tDF0)とします。
13/30
XC6129 シリーズ
■動作説明
③ 電源入力端子電圧がさらに降下し、検出電圧VDF以下かつ1.3V以上の間、遅延容量端子はグランドレベルまでディスチャージされ、
出力端子電圧VRESETBはLowレベルを保持します。
④ 電源入力端子電圧が1.3V未満となり、再び1.3V以上となるまでの間、出力端子電圧VRESETBはLowレベルを保持できなくなる可能性
が生じます。 この間の動作を不定動作と呼び、VRESETBに現れる電圧を不定動作電圧VUNSと呼びます。
⑤ 電源入力端子電圧が上昇し、1.3V以上かつ解除電圧に達するまでの間(1.3V≦VIN＜VDF+VHYS)、出力端子電圧VRESETBはLowレベ
ルを保持します。
⑥ 電源入力端子電圧が上昇し続け、解除電圧(VDF+VHYS)になった時、遅延容量ディスチャージ用NchトランジスタがOFFし、遅延抵抗
Rpを介して遅延容量端子のチャージを開始します。
⑦ 電源入力端子電圧が解除電圧より高い電圧を保持し続ける間、遅延容量端子は電源入力端子電圧までチャージされます。
遅延容量端子電圧がVTCDになった時、出力端子電圧VRESETBはHighレベルに変化します。
VIN=VDF+VHYS からVRESETB がHighレベルに変化するまでの時間を解除遅延時間tDR(遅延容量端子がオープンの時の解除時間を
tDR0)とします。
⑧ 電源入力端子電圧が検出電圧より高い(VIN＞VDF)間、出力端子電圧VRESETBはHighレベルを保持します。
尚、上記は検出時Active Low製品を用いての動作説明となります。
Active High製品の場合は、VRESETBの論理を逆にしてご理解頂きますようお願いします。
14/30
XC6129
シリーズ
■動作説明
<解除遅延時間/検出遅延時間>
解除遅延時間と検出遅延時間は遅延抵抗(RpとRn)及び遅延容量(Cd)で決まります。
遅延抵抗は回路内部にて2MΩ(TYP.)に設定されている為、遅延時間は遅延容量値により可変する事が出来ます。
解除遅延時間及び、検出遅延時間は製品タイプにより機能の有無が選択できます。(セレクションガイド参照)。
解除遅延tDRは式(1)により算出されます。
tDR=Rp×Cd×{-ln(1-VTCD/VIN)}+tDR0 …(1)
* lnは自然対数
Rn : 遅延抵抗 2.0MΩ(TYP.)
VTCD : 遅延容量端子閾値電圧 VIN/2(TYP.)
tDR0が無視できる時、簡易的には式(2)で算出する事が可能です。
tDR=Rp×Cd×[-ln{1-(VIN/2)/VIN}]=Rp×Cd×0.693 …(2)
例) 遅延容量Cdを0.68μFとした時の解除遅延時間tDRは、2.0×106×0.68×10-6×0.693=942(ms)となります。
検出遅延tDFは式(3)により算出されます。
tDF=Rn×Cd×｛-ln(VTCD/VIN1)}+tDF0 …(3)
* lnは自然対数
Rn : 遅延抵抗 2.0MΩ(TYP.)
VTCD : 遅延容量端子閾値電圧 VIN2/2(TYP.) *VIN2は検出時の電源入力端子電圧
VIN1 : 解除時の電源入力端子電圧
VIN=VDF×1.1V→VDF×0.9Vの場合、tDF0が無視できる時、簡易的には式(4)で算出する事が可能です。
tDF=Rn×Cd×{-ln(VIN2/2)/VIN1}=Rn×Cd×[-ln{(VDF×0.9×0.5)/(VDF×1.1)}]=Rn×Cd×0.894 …(4)
式(4)における検出遅延時間の詳細は、図3をご参照下さい。
例) VIN=VDF×1.1V→VDF×0.9Vにおける遅延容量Cdを0.68μFとした時の検出遅延時間tDFは、2.0×106×0.68×10-6×0.894=1216(ms)となります。
図 3: 式(4)における検出遅延時間 (タイミングチャート)
遅延時間表
遅延容量 Cd (μF)
解除遅延時間 tDR (ms) (*1)
TYP.
検出遅延時間 tDF (ms) (*1)
MIN.～MAX. (*2)
TYP.
MIN.～MAX. (*2)
12.7～22.0
0.01
13.9
10.4～17.7
17.9
0.022
30.5
22.9～38.9
39.3
28.0～48.4
0.047
65.1
48.9～83.0
84.0
59.8～103.3
127～220
0.1
139
104～177
179
0.22
305
229～389
393
280～484
0.47
651
489～830
840
598～1033
1
1386
1042～1766
1788
1274～2198
解除遅延時間の値は式(2)より求めた計算値となります。
検出遅延時間の値は式(4)より求めた計算値となります。
(*1)
遅延時間は遅延容量 Cd の実容量値により変わりますのでご注意下さい。
(*2)
遅延抵抗、遅延容量端子閾値電圧のばらつきを考慮した計算値となります。
15/30
XC6129 シリーズ
■動作説明
<マニュアルリセット機能>
解除状態時に遅延容量端子に電圧を入力する事で強制的にリセット出力端子の信号を検出状態にすることができます。
遅延容量端子電圧の入力がH→Lレベル信号に達した場合、リセット出力端子はH→Lレベル信号を出力します。
(RESETB：Active Lowタイプ)
遅延容量端子電圧の入力がH→Lレベル信号に達した場合、リセット出力端子はL→Hレベル信号を出力します。
(RESET：Active Highタイプ)
検出時にリセットスイッチをON/OFFしてもリセット出力端子は検出状態を保持します。
リセットスイッチを使用せずにCd/MRB端子にMRB HレベルまたはMRB Lレベルの電圧を印加して使用する場合、
図4のタイミングチャートの動作となります。
検出時にMRB Lレベルの電圧を印加した場合リセット出力端子は検出状態を保持します。
検出時にMRB Hレベルの電圧を印加した場合リセット出力端子は不定となります。
VIN電圧を解除状態から検出状態に推移してもCd/MRB端子電圧がHレベルである場合、リセット信号は解除状態を保持し、Cd/MRB端
子電圧がCd端子の閾値電圧(VTCd)まで解除状態を保持します。
遅延容量Cdを接続した状態でCd/MRB端子に外部からHまたはL信号を入力しても遅延時間はつきません。
Release voltage:VDF+VHYS
Detect voltage:VDF
Input Voltage:VIN（MIN.:0V,MAX.:6.0V)
MRB High level voltage:VMRH
Cd pin threshold voltage:VTCd
MRB Low level voltage:VMRL
Cd/MRB pin voltage:VCd/MRB (MIN.:VSS,MAX.:VIN)
Release voltage:VDF+VHYS
Detect voltage:VDF
Undefined
Output voltage:VRESETB
(MIN.:VSS,MAX.:VIN(CMOS),Vpull(Nch open drain))
図 4: 遅延容量端子によるマニュアルリセット動作 (Active Low 品)
<不定動作防止機能>
XC6129CシリーズB/D/Fタイプは、不定動作防止機能を搭載しています。
電源入力端子電圧が最低動作電圧未満において、不定動作による出力端子電圧を0.4V(MAX.)以下に抑えます。
* XC6129C シリーズ A/C/E タイプ、及び、XC6129N シリーズには不定動作防止機能はありません。
16/30
XC6129
シリーズ
■使用上の注意
1) 一時的、過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現象について、絶対最大定格を超える場合には、劣化または破壊する可能性があります。
2) 電源-電源入力端子間の抵抗成分とIC動作時の貫通電流により電源入力端子電圧が降下します。
CMOS出力の場合、出力電流でも同様に電源入力端子電圧の降下が起こります。この時、電源入力端子電圧が最低動作電圧を下
回ると誤動作の原因となります。
また、電源入力端子電圧が検出電圧を下回ると出力端子電圧が発振する可能性があります。電源入力端子に抵抗を接続してご使
用になる場合は、特にご注意下さい。
3) 電源入力端子電圧が急峻かつ大きく変動すると誤動作を起こす可能性がありますので、ご注意下さい。
4) 電源ノイズは誤動作の原因となる事がありますので、VIN-GND間にコンデンサを挿入するなど実機での評価を十分にして下さい。
5) 遅延容量端子にコンデンサを接続した状態で、解除動作時に電源入力端子電圧が急激に低下(例：6.0Vから0V)した場合、遅延容量
端子電圧が絶対最大定格を超える可能性があります。解除動作時において電源入力端子電圧が急激に低下する事が想定される場合は、
図5のように電源入力端子-遅延容量端子にショットキーダイオードを接続してご使用下さい。
図 5: 遅延容量端子にショットキーダイオードを接続した回路例
6) Nchオープンドレイン出力の時、出力端子に接続するプルアップ抵抗によって検出時と解除時のVRESETB電圧が決まります。
以下の事柄を参照して抵抗値を選択して下さい。
【検出時】
VRESETB=Vpull/(1+Rpull/RON)
Vpull :プルアップ先の電圧
RON(*1): NchドライバーM3のON抵抗 (電気的特性より、VRESETB/IRBOUT1から算出)
計算例）VIN=2.0V時(*2) RON=0.5/5.2×10-3=96Ω (MAX.)となり、Vpullが3.0Vで検出時のVRESETBを0.1V以下に設定する場合、
Rpull=(Vpull/VRESETB-1)×RON=(3/0.1-1)×96≒2.8kΩ
になるため上記条件で検出時の出力電圧を0.1V以下にする為には、プルアップ抵抗を2.8kΩ以上にする必要があります。
(*1)
VINが小さいほどRONは大きくなりますのでご注意下さい。
(*2)
VINの選択はご使用になる入力電圧の範囲での最低値で計算して下さい。
【解除時】
VRESETB=Vpull/(1+Rpull/Roff)
Vpull: プルアップ先の電圧
Roff: NchドライバーM3のOFF時抵抗値(電気的特性より、VRESETB/ILEAKから算出)
計算例) Vpullが6.0V時 Roff=6/(0.1×10-6)=60MΩ (MIN.)となり、VRESETBを5.99V以上にする場合、
Rpull=(Vpull/VRESETB-1)×Roff=(6/5.99-1)×60×106≒100kΩ
になるため上記条件で解除時の出力電圧を5.99V以上にする為にはプルアップ抵抗を100kΩ以下にする必要があります。
17/30
XC6129 シリーズ
■使用上の注意
7) 検出時における遅延容量Cdの放電時間が短く、遅延容量Cdをグランドレベルまでディスチャージできない場合、次の解除動作では
遅延容量Cdに電荷が残っている状態で充電となる為、解除遅延時間が著しく短くなる事があります。
8) 解除時における遅延容量 Cd の充電時間が短く、遅延容量 Cd を VIN レベルまでチャージできない場合、次の検出動作では遅延容量
Cd が VIN レベル未満から放電となる為、検出遅延時間が著しく短くなる事があります。
9) 遅延無しタイプにおいても、遅延容量 Cd を接続する事により遅延時間が付きます。
10) マニュアルリセットをかける際に、リセットスイッチを使用せずに Cd/MRB 端子に MRB H レベルまたは MRB L レベルの電圧を印
加して使用する場合、以下の事項にご注意下さい。
検出時に MRB H レベルの電圧を印加した場合、リセット出力端子は不定となります。
また VIN 電圧と Cd/MRB 端子電圧のタイミングによっては出力が不定になる場合がありますのでご注意下さい。
11) 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。 しかしながら、万が一のためにフェールセーフとなる設計およびエージング
処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします。
18/30
XC6129
シリーズ
■特性例
(1) Detect, Release Voltage vs. Ambient Temperature
XC6129 (V DF(T )=1.5V)
XC6129 (V DF(T )=2.7V)
2.90
Detect, Release Voltage : VDFL, V DR (V)
Detect, Release Voltage : VDFL, V DR (V)
1.600
1.575
VDR
1.550
1.525
1.500
VDF
1.475
VDR
2.85
2.80
2.75
2.70
VDF
1.450
2.65
-50
-25
0
25
50
75
100
-50
-25
Ambient Temperature : Ta (℃)
0
25
50
75
100
Ambient Temperature : Ta (℃)
(2) Detect, Release Voltage vs. Input Voltage
XC6129 (V DF(T )=5.5V)
XC6129C (V DF(T )=1.5V)
Type : A/C/E
No Pull-up
6
5.80
5.75
OutPut Voltage : VRESETB (V)
Detect, Release Voltage : VDFL, V DR (V)
5.85
VDR
5.70
5.65
5.60
5.55
5.50
5.45
↓ : V DF側
↑ : V DR側
5
4
Ta=-40℃
3
Ta=25℃
Ta=85℃
2
1
VDF
0
5.40
-50
-25
0
25
50
75
0
100
1
2
3
XC6129C (V DF(T )=2.7V)
5
6
XC6129C (V DF(T )=5.5V)
Type : A/C/E
No Pull-up
Type : A/C/E
No Pull-up
6
6
↓ : V DF側
↑ : V DR側
5
Output Voltage : V RESETB (V)
Output Voltage : V RESETB (V)
4
Input Voltage : V IN (V)
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
4
Ta=-40℃
3
Ta=25℃
2
Ta=85℃
1
↓ : V DF側
↑ : V DR側
5
4
3
Ta=-40℃
2
Ta=25℃
Ta=85℃
1
0
0
0
1
2
3
Input Voltage : V IN (V)
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
Input Voltage : V IN (V)
19/30
XC6129 シリーズ
■特性例
(2) Detect, Release Voltage vs. Input Voltage (Continued)
(3) Supply Current vs. Input Voltage
XC6129 (V DF(T )=1.5V)
1.50
Supply Current : ISS (μA)
1.35
1.20
Ta=-40℃
1.05
Ta=25℃
Ta=85℃
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
0.00
0
1
2
3
4
5
6
4
5
6
Input Voltage: V IN (V)
XC6129 (V DF(T )=2.7V)
XC6129 (V DF(T)=5.5V)
1.50
1.50
1.35
1.35
Ta=-40℃
Ta=85℃
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
Ta=25℃
1.05
Ta=85℃
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
0.00
0.00
0
1
2
3
Input Voltage: V IN (V)
20/30
Ta=-40℃
1.20
Ta=25℃
1.05
Supply Current : ISS (μA)
Supply Current : ISS (μA)
1.20
4
5
6
0
1
2
3
Input Voltage: V IN (V)
XC6129
シリーズ
■特性例
(4) Supply Current vs. Ambient Temperature
XC6129 (V DF(T)=2.7V)
XC6129 (V DF(T)=1.5V)
V IN=V DF×0.9V (Detect)
V IN=V DF×1.1V (Release)
V IN=V DF×0.9V (Detect)
V IN=V DF×1.1V (Release)
1.50
1.50
1.35
1.20
Detect
1.05
Release
Supply Current : ISS (μA)
Supply Current : ISS ( μA)
1.35
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
1.20
Detect
1.05
Release
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
0.15
0.00
0.00
-50
-25
0
25
50
75
-50
100
-25
0
25
50
75
100
Ambient Temperature : Ta (℃)
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
(5) Output Current vs. Input Voltage
XC6129x55A
XC6129 (V DF(T)=5.5V)
V IN=V DF×0.9V (Detect)
V IN=V DF×1.1V (Release)
V RESETB =0.5V (Nch)
25
1.50
Detect
1.05
Release
Output Current : RBOUT
I
(mA)
1.20
0.90
0.75
0.60
0.45
20
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
15
10
0.30
5
0.15
0
0.00
-50
-25
0
25
50
75
0.0
100
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Input Voltage : VIN (V)
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
XC6129C15A
V RESET B=V IN-0.5V (Pch)
0
-1
Output Current : IRBOUT (mA)
Supply Current : ISS (μA)
1.35
-2
-3
-4
-5
-6
Ta=-40℃
-7
Ta=25℃
-8
Ta=85℃
-9
-10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Input Voltage : VIN (V)
21/30
XC6129 シリーズ
■特性例
(5) Output Current vs. Input Voltage (Continued)
(6) Delay Resistance vs. Ambient Temperature
XC6129x
V IN=6.0V , V CD/MRB=0V
(Type : A,B,E,F)
2.5
Delay Resistance : Rp (MΩ)
2.4
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
(7) Release Delay Time vs. Ambient Temperature
XC6129x
V IN=V DF×0.9V , V CD/MRB=6.0V
(Type : C,D,E,F)
2.5
2.4
19
2.3
18
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
V IN=V DF×0.9V → V DF×1.1V
Cd=0.01μF (tDR=13.9ms)
20
Release Delay Time : DR
t (ms)
Delay Resistance : Rn (MΩ)
XC6129
1.6
17
16
15
14
13
12
11
1.5
10
-50
-25
0
25
50
75
-50
100
-25
0
25
50
75
100
Ambient Temperature : Ta (℃)
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
(8) Detect Delay Time vs. Ambient Temperature
XC6129
XC6129
V IN=V DF×0.9V → V DF×1.1V
Cd=0.1μF (tDR=139ms)
190
19
180
18
170
160
150
140
130
120
110
V IN=V DF×1.1V → V DF×0.9V
Cd=0.01μF (tDR=17.9ms)
20
Detect Delay Time : DF
t (ms)
Release Delay Time : DR
t (ms)
200
17
16
15
14
13
12
11
10
100
-50
-25
0
25
50
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
22/30
75
100
-50
-25
0
25
50
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
75
100
XC6129
シリーズ
■特性例
(8) Detect Delay Time vs. Ambient Temperature (Continued)
(9) Cd pin MRB High Level Voltage vs. Ambient Temperature
XC6129x
XC6129
Detect Delay Time : DF
t (ms)
190
180
170
160
150
140
130
120
110
MRB HighLevel Threshold Voltage : VMRH (V)
V IN=V DF×1.1V → V DF×0.9V
Cd=0.1μF (tDR=179ms)
200
4.0
100
V IN=6.0V
3.0
2.0
V IN=4.0V
1.0
V IN=2.0V
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
-50
-25
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
0
(10) Cd pin MRB High Level Voltage vs. Input Voltage
50
75
100
(11) Cd pin MRB Low Level Voltage vs. Ambient Temperature
XC6129x
XC6129
1.5
3.5
MRB LowLevel Threshold Voltage : V MRL (V)
4.0
MRB HighLevel Threshold Voltage : VMRH (V)
25
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
Ta=-40℃
Ta=25℃
3.0
Ta=85℃
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V IN=6.0V
1.2
0.9
V IN=4.0V
0.6
0.3
V IN=2.0V
0.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Input Voltage : V IN (V)
-50
-25
0
25
50
75
100
Ambient Temperature : Ta ( ℃)
(12) Cd pin MRB Low Level Voltage vs. Input Voltage
XC6129
MRB HighLevel Threshold Voltage : VMRH (V)
1.50
1.35
Ta=-40℃
1.20
Ta=25℃
1.05
Ta=85℃
0.90
0.75
0.60
0.45
0.30
0.15
0.00
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Input Voltage : V IN (V)
23/30
XC6129 シリーズ
■外形寸法図
0.25
0.6
●USPN-4 参考パターンレイアウト
●USPN-4 参考メタルマスクデザイン
24/30
XC6129
シリーズ
●SSOT-24 パッケージ許容損失
SSOT-24 パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
40.0
1.測定条件 (参考データ)
定条件： 基板実装状態
雰囲気：
実装：
実装基板：
28.9
自然対流
Pb フリーはんだ
基板 40mm×40mm(片面 1600mm2)に対して
基板材質：
板厚：
ガラスエポキシ(FR-4)
1.6mm
ホール径 0.8mm 4 個
2.5
ｽﾙｰﾎｰﾙ：
28.9
放熱板と周りの銅箔接続
40.0
銅箔面積 表面 約 50%-裏面 約 50%
2.54
1.4
評価基板レイアウト(単位:mm)
2.許容損失-周囲温度特性
基板実装 (Tjmax=125℃)
周囲温度 (℃)
許容損失 Pd (mW)
25
500
85
200
熱抵抗 (℃/W)
200.00
Pd-Ta特性グラフ
許容損失Pd（mW）
600
500
400
300
200
100
0
25
45
65
85
周囲温度Ta（℃）
105
125
25/30
XC6129 シリーズ
●USPN-4 パッケージ許容損失
USPN-4 パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
1.測定条件 (参考データ)
定条件： 基板実装状態
雰囲気：
実装：
実装基板：
40.0
2.5
自然対流
28.9
Pb フリーはんだ
基板 40mm×40mm(片面
1600mm2)に対して
銅箔面積 表面 約 50%-裏面 約 50%
放熱板と周りの銅箔接続
(各リード 表面 約 12.5%-裏面 約 12.5%の
銅箔と接続)
基板材質：
板厚：
ｽﾙｰﾎｰﾙ：
ガラスエポキシ(FR-4)
1.6mm
ホール径 0.8mm 4 個
評価基板レイアウト(単位:mm)
2.許容損失-周囲温度特性
基板実装 (Tjmax=125℃)
周囲温度 (℃)
許容損失 Pd (mW)
25
600
85
240
熱抵抗 (℃/W)
166.67
許容損失Pd（mW）
Pd-Ta特性グラフ
700
600
500
400
300
200
100
0
25
26/30
45
65
85
周囲温度Ta（℃）
105
125
XC6129
シリーズ
■マーキング
●SSOT-24(マーク下バー付)
マーク① 製品シリーズを表す。検出電圧範囲、出力形態を表す。
マーク①-1 (XC6129C*****-G は、マーク下バー仕様)
シンボル
0
1
2
3
4
5
6
8
A
C
D
E
F
H
K
L
N
R
●SSOT-24(マーク上バー付)
出力形態
検出電圧範囲(V)
奇数
CMOS
偶数
Type
A
B
C
D
E
F
G
J
L
A
B
C
D
E
F
G
J
L
品名表記例
XC6129C15A**-G
XC6129C15B**-G
XC6129C15C**-G
XC6129C15D**-G
XC6129C15E**-G
XC6129C15F**-G
XC6129C15G**-G
XC6129C15J**-G
XC6129C15L**-G
XC6129C16A**-G
XC6129C16B**-G
XC6129C16C**-G
XC6129C16D**-G
XC6129C16E**-G
XC6129C16F**-G
XC6129C16G**-G
XC6129C16J**-G
XC6129C16L**-G
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
XC6129C55A**-G
XC6129C55B**-G
XC6129C55C**-G
XC6129C55D**-G
XC6129C55E**-G
XC6129C55F**-G
XC6129C55G**-G
XC6129C55J**-G
XC6129C55L**-G
XC6129C54A**-G
XC6129C54B**-G
XC6129C54C**-G
XC6129C54D**-G
XC6129C54E**-G
XC6129C54F**-G
XC6129C54G**-G
XC6129C54J**-G
XC6129C54L**-G
マーク①-2 (XC6129N*****-G は、マーク上バー仕様)
シンボル
0
1
2
3
4
5
6
8
A
C
D
E
F
H
K
L
N
R
出力形態
検出電圧範囲(V)
奇数
N-ch
偶数
Type
A
B
C
D
E
F
G
J
L
A
B
C
D
E
F
G
J
L
品名表記例
XC6129N15A**-G
XC6129N15B**-G
XC6129N15C**-G
XC6129N15D**-G
XC6129N15E**-G
XC6129N15F**-G
XC6129N15G**-G
XC6129N15J**-G
XC6129N15L**-G
XC6129N16A**-G
XC6129N16B**-G
XC6129N16C**-G
XC6129N16D**-G
XC6129N16E**-G
XC6129N16F**-G
XC6129N16G**-G
XC6129N16J**-G
XC6129N16L**-G
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
～
XC6129N55A**-G
XC6129N55B**-G
XC6129N55C**-G
XC6129N55D**-G
XC6129N55E**-G
XC6129N55F**-G
XC6129N55G**-G
XC6129N55J**-G
XC6129N55L**-G
XC6129N54A**-G
XC6129N54B**-G
XC6129N54C**-G
XC6129N54D**-G
XC6129N54E**-G
XC6129N54F**-G
XC6129N54G**-G
XC6129N54J**-G
XC6129N54L**-G
27/30
XC6129 シリーズ
■マーキング
マーク② 検出電圧を表す。
シンボル
検出電圧(V)
シンボル
検出電圧(V)
シンボル
検出電圧(V)
A
1.5
1.6
K
2.9
3.0
T
4.3
4.4
B
1.7
1.8
L
3.1
3.2
U
4.5
4.6
C
1.9
2.0
M
3.3
3.4
V
4.7
4.8
D
2.1
2.2
N
3.5
3.6
X
4.9
5.0
E
2.3
2.4
P
3.7
3.8
Y
5.1
5.2
F
2.5
2.6
R
3.9
4.0
Z
5.3
5.4
H
2.7
2.8
S
4.1
4.2
0
5.5
-
マーク③,④
製造ロットを表す。01～09, 0A～0Z, 11～9Z, A1～A9, AA～AZ, B1～ZZ を繰り返す。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。)
28/30
XC6129
シリーズ
■マーキング
●USPN-4
マーク① 出力形態を表す。
シンボル
出力形態
品名表記例
K
CMOS
XC6129C*****-G
L
N-ch
XC6129N*****-G
マーク② 検出電圧範囲及び製品シリーズを表す。
Type
品名表記例
0
1
A
XC6129*15A**-G ～ XC6129*55A**-G
B
XC6129*15B**-G ～ XC6129*55B**-G
2
C
XC6129*15C**-G ～ XC6129*55C**-G
3
D
XC6129*15D**-G ～ XC6129*55D**-G
シンボル
4
検出電圧範囲(V)
E
XC6129*15E**-G ～ XC6129*55E**-G
5
F
XC6129*15F**-G ～ XC6129*55F**-G
6
G
XC6129*15G**-G ～ XC6129*55G**-G
8
J
XC6129*15J**-G ～ XC6129*55J**-G
A
L
XC6129*15L**-G ～ XC6129*55L**-G
C
A
XC6129*16A**-G ～ XC6129*54A**-G
D
B
XC6129*16B**-G ～ XC6129*54B**-G
奇数
E
C
XC6129*16C**-G ～ XC6129*54C**-G
F
D
XC6129*16D**-G ～ XC6129*54D**-G
H
E
XC6129*16E**-G ～ XC6129*54E**-G
K
F
XC6129*16F**-G ～ XC6129*54F**-G
偶数
L
G
XC6129*16G**-G ～ XC6129*54G**-G
N
J
XC6129*16J**-G ～ XC6129*54J**-G
R
L
XC6129*16L**-G ～ XC6129*54L**-G
マーク③ 検出電圧を表す。
シンボル
検出電圧(V)
シンボル
検出電圧(V)
シンボル
検出電圧(V)
A
1.5
1.6
K
2.9
3.0
T
4.3
4.4
B
1.7
1.8
L
3.1
3.2
U
4.5
4.6
C
1.9
2.0
M
3.3
3.4
V
4.7
4.8
D
2.1
2.2
N
3.5
3.6
X
4.9
5.0
E
2.3
2.4
P
3.7
3.8
Y
5.1
5.2
F
2.5
2.6
R
3.9
4.0
Z
5.3
5.4
H
2.7
2.8
S
4.1
4.2
0
5.5
-
マーク④,⑤
製造ロットを表す。01～09, 0A～0Z, 11～9Z, A1～A9, AA～AZ, B1～ZZ を繰り返す。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。)
29/30
XC6129 シリーズ
1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す
ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理
店へお問い合わせ下さい。
2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業
所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。
3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ
ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ
ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。
4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か
す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、
燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事
前に当社へご連絡下さい。
5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため
にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な
安全設計をお願いします。
6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社
では責任を負いかねますので、ご了承下さい。
7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。
トレックス・セミコンダクター株式会社
30/30