XC6132 シリーズ
JTR02032-001
センス端子分離(サージ電圧保護機能付き) HYS 外調 遅延容量外付けタイプ電圧検出器
■概要
XC6132 シリーズは超小型、高精度、センス端子分離、遅延容量外付けタイプ高精度電圧検出器です。CMOS プロセス、高精度基準
電源、レーザートリミング技術の採用により高精度、低消費電流を実現しています。
センス端子と電源入力端子が分離されており、別電源の電圧を監視する事が可能で、監視する電源の電圧が 0V まで低下しても、
出力を検出状態に保持する事が可能です。センス端子は高電圧を検出する場合にも適しており、外付け抵抗で任意の検出、解除電圧を
設定することが可能です。さらにサージ電圧保護回路を内蔵しています。
また遅延回路を内蔵しており Cd/MRB 端子に容量を接続する事によって、任意の解除遅延、検出遅延を持たせることが可能でマニュ
アルリセット端子としても使用可能です。
HYS 外調端子を使用することでヒステリシス幅を十分もたせることが可能です。
■用途
■特長
●マイコンのリセット及び誤動作監視
動作温度範囲
動作電圧範囲
検出電圧範囲
検出電圧精度
(Ta=25℃)
検出電圧精度
(Ta=-40～125℃)
検出電圧温度特性
ヒステリシス幅
ヒステリシス外調端子
低消費電流
●バッテリー電圧の監視
●システムのパワーオンリセット
●停電検出
: -40℃～+125℃
: 1.6V～6.0V
: 0.8V～2.0V
: ±18mV (VDF＜1.5V)
: ±1.2％ (1.5V≦VDF≦2.0V)
: ±36mV (VDF＜1.5V)
: ±2.7％ (1.5V≦VDF≦2.0V)
: ±50ppm/℃ (TYP.)
: VDF×0.1％ (TYP.)
: 有り
: 1.28μA (TYP.) VIN=1.6V (検出時)
1.65μA (TYP.) VIN=6.0V (解除時)
: 有り (詳細は機能表参照)
: CMOS or Nch オープンドレイン
: 検出時 H レベル or L レベル
: 解除遅延/検出遅延設定可能
時間比は 5 パターン
(詳細はセレクションガイド参照)
: サージ電圧保護機能有り
: USP-6C, SOT-26
: EU RoHS 指令対応、鉛フリー
マニュアルリセット機能
出力形態
出力論理
遅延容量端子付き
センス端子
パッケージ
環境への配慮
■代表特性例
■代表標準回路
+B
VDD
R1
HYS
VIN
VSEN
RESET
RESETB
GND
RESET
SW
Cd
4.0
Rpull(*1)
R2
VIN=3.3V
VSEN=0V→10V→0V
R2=100kΩ、R3=330kΩ
XC6132C10E
Cd/MRB
VSS
3.5
Output Voltage : VRESET(V)
R3
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Voltage Sense : VSEN(V)
OPEN
R1=330kΩ
R1=560kΩ
バッテリー電圧(+B)の監視:R1/R2 の抵抗分割にて
高電圧を検出。
VSEN-HYS 端子間に R3 を接続して任意のヒステリシスを
つけることが可能(詳細は動作説明参照)。
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XC6132 シリーズ
■ブロック図
(1)XC6132C シリーズ A/B/C/D/L タイプ(RESET OUTPUT:CMOS/Active High)
VSEN
HYS
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
M5
M7
+
RA
-
SURGE
VOLTAGE
PROTECT
BLOCK
Rp
VREF
M1
M4
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESET
M6
Cd/MRB
RC
M2
VSS
* 上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
(2)XC6132C シリーズ E/F/H/K/M タイプ(RESETB OUTPUT:CMOS/Active Low)
HYS
VSEN
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
M5
M7
+
RA
M1
-
SURGE
VOLTAGE
PROTECT
BLOCK
Rp
VREF
M4
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESETB
M6
Cd/MRB
RC
M2
VSS
* 上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
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XC6132
シリーズ
■ブロック図
(3)XC6132N シリーズ A/B/C/D/L タイプ(RESET OUTPUT:Nch open drain/Active High)
VSEN
HYS
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
M5
Rp
+
RA
-
SURGE
VOLTAGE
PROTECT
BLOCK
VREF
M1
M4
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESET
M6
Cd/MRB
RC
M2
VSS
* 上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
(4)XC6132N シリーズ E/F/H/K/M タイプ(RESETB OUTPUT:Nch open drain/Active Low)
HYS
VSEN
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
M5
Rp
+
RA
M1
-
SURGE
VOLTAGE
PROTECT
BLOCK
VREF
M4
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESETB
M6
Cd/MRB
RC
M2
VSS
* 上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
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XC6132 シリーズ
■製品分類
●品番ルール
XC6132①②③④⑤⑥-⑦(*1)
DESIGNATOR
ITEM
①
Output Configuration
②③
Detect Voltage
④
TYPE
⑤⑥-⑦(*1)
(*1)
Packages (Order Unit)
SYMBOL
DESCRIPTION
C
CMOS output
N
Nch open drain output
08～20
e.g. 1.0V → ②=1, ③=0
A～M
Refer to Selection Guide
MR-G
SOT-26 (3,000pcs/Reel)
ER-G
USP-6C (3,000pcs/Reel)
“-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品です。
●セレクションガイド(Selection Guide)
TYPE
RESET/RESETB OUTPUT
A
Active High (*2)
1：0
144kΩ：0Ω
0.1% (TYP.)
B
↑
1：0.125
144kΩ：18kΩ
↑
C
↑
1：1
144kΩ：144kΩ
↑
D
↑
2：1
288kΩ：144kΩ
↑
L
↑
0.076：1
11kΩ：144kΩ
↑
1：0
144kΩ：0Ω
↑
1：0.125
144kΩ：18kΩ
↑
E
F
(*2)
Active Low
↑
(*2)
DELAY(Rp:Rn)
HYSTERESIS
H
↑
1：1
144kΩ：144kΩ
↑
K
↑
2：1
288kΩ：144kΩ
↑
M
↑
0.076：1
11kΩ：144kΩ
↑
Active High は検出時 H レベル、Active Low は検出時 L レベルとなります。
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XC6132
シリーズ
■端子配列
●A/B/C/D/L タイプ
Cd/MRB
6
VSS
5
VSEN
4
1 HYS
VSEN 6
VSS 5
2
1
VIN
2 RESET
Cd/MRB 4
3
3 VIN
RESET HYS
SOT-26
(TOP VIEW)
USP-6C
(BOTTOM VIEW)
●E/F/H/K/M タイプ
Cd/MRB
6
VSS
5
VSEN
4
1 HYS
VSEN 6
VSS 5
1
VIN
2
2 RESETB
Cd/MRB 4
3
3 VIN
RESETB HYS
SOT-26
(TOP VIEW)
USP-6C
(BOTTOM VIEW)
* USP-6C の放熱板は実装強度強化および放熱の為、参考マウントパターンと参考メタルマスクでのはんだ付けを推奨しています。
尚、マウントパターンは VSS 端子(5 番端子)へ接続して下さい。
■端子説明
PIN NUMBER
PIN NAME
FUNCTION
VIN
Power Input
RESETB
Reset Output (Active Low)(*1)
RESET
Reset Output (Active High)(*1)
1
HYS
Adjustable Pin for Hysteresis Width
4
6
VSEN
Voltage Sense
5
5
VSS
Ground
6
4
Cd/MRB
Adjustable Pin for Delay Time/
Manual Reset
SOT-26
USP-6C
1
3
2
2
3
(*1)
品番ルール④参照
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XC6132 シリーズ
■機能表
PIN
NAME
SIGNAL
STATUS
L
Forced Reset
H
For details, refer to " Function Chart "
OPEN
Normal Operation
Cd/MRB
●Function Chart
1.6V≦VIN≦6.0Ｖ
VSEN
VSEN≧VDF+VHYS
VSEN≦VDF
VCd/MRB
Transition of VRESET Condition
Transition of VRESETB Condition
TYPE:A/B/C/D/L
TYPE:E/F/H/K/M
Reset (High
VCd/MRB≦VMRL
Level )(*2)
Reset (Low Level)(*1)
VCd/MRB≧VMRH
Release (Low Level)(*1)
Release (High Level)(*2)
VCd/MRB≦VMRL
Reset (High Level)(*2)
Reset (Low Level)(*1)
VCd/MRB≧VMRH
Undefined(*3)
Undefined(*3)
(*1)
CMOS 出力 : VIN×0.1 以下、Nch オープンドレイン出力 : プルアップ電圧×0.1 以下となります。
(*2)
CMOS 出力 : VIN×0.9 以上、Nch オープンドレイン出力 : プルアップ電圧×0.9 以上となります。
(*3)
詳細は動作説明 P17＜マニュアルリセット機能＞を参照下さい。
(注)VIN＜VSEN で使用した場合、サージ保護回路が動作しますので VIN≧VSEN でご使用下さい。
■絶対最大定格
Ta=25℃
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
Input Voltage
VIN
-0.3～+7.0
VSEN Pin Voltage
VSEN
-0.3～+VIN+0.3 or
UNITS
V
+7.0(*1)
V
HYS Pin Voltage
VHYS
-0.3～+7.0
V
Cd/MRB Pin Voltage
VCd/MRB
-0.3～+VIN+0.3 or +7.0(*1)
V
-0.3～+VIN+0.3 or +7.0(*1)
V
-0.3～+7.0
V
±5.0
mA
±50
mA
+50
mA
IHYS
+50
mA
VSEN Pin Surge Current(+)
ISENSURGE(+)
+2.5(*4)
mA
VSEN Pin Surge Current(-)
ISENSURGE(-)
-2.5(*5)
mA
VSEN Pin Surge Voltage(+)
VSENSURGE(+)
+7.0(*4)
V
VSENSURGE(-)
-0.9 (*5)
V
250
mW
100
mW
Output Voltage
XC6132C(*2)
XC6132N(*3)
Cd/MRB Pin Current
Output Current
XC6132C(*2)
XC6132N(*3)
HYS Pin Current
VSEN Pin Surge Voltage(-)
Power Dissipation
SOT-26
USP-6C
VRESETB
VRESET
ICd/MRB
IRBOUT
IROUT
Pd
Operating Ambient Temperature
Topr
-40～+125
℃
Storage Temperature
Tstg
-55～+125
℃
各電圧定格は VSS を基準とする。
(*1)
最大値は VIN+0.3 と +7.0 いずれか低い電圧になります。
(*2)
CMOS 出力
(*3)
Nch オープンドレイン出力
(*4)
印加時間≦200ms.
(*5)
印加時間≦20ms.
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XC6132
シリーズ
■電気的特性
-40℃≦Ta≦125℃(*7)
Ta=25℃
PARAMETER
SYMBOL
Operating Voltage
VIN
VSEN Input Voltage
VSEN
CONDITIONS
VDF
VDF(T)(*1)=1.5V～2.0V
Temperature
∆VDF/
Characteristics
(∆Topr・VDF)
Hysteresis Width
VHYS
Iss1
RSEN
Release Delay
Release Delay
Resistance
Rp
(TYPE:D/K)
Release Delay
VDF(T)
×0.988
-
-40℃≦Topr≦125℃
-
VSEN=VDF×0.9V,
(TYPE:L/M)
VSEN=VDF×1.1V,
(TYPE:C/D/H/K/L/M)
Detect Delay
Time(*6)
VDF
1.36
E-3
-
VDF(T)
VDF(T)
(*3)
VDF
VDF
×0.001 ×0.01
1.36
V
ppm/℃
V
E-4
-
1.65
E-6(*4)
µA
②
MΩ
③
kΩ
④
µs
⑤
(*3)
4.97
-
144
158
122
144
166
259
288
317
245
288
331
8.3
11
18.4
7.6
11
20.0
130
144
158
122
144
166
16.8
18
19.1
16.2
18
19.8
-
20
102
-
20
136
VCd/MRB=0V
①
4.22
130
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
V
E-2(*3)
-
-
×1.027
-
-
3.25
VDF(T)
±50
-
2.80
+36mV
CIRCUIT
Rn
VIN=6.0V,VSEN=0V,
VCd/MRB=6.0V
(TYPE:B/F)
Detect Delay
VDF
E-5(*4)
VCd/MRB=6.0V
Resistance
Release Delay Time(*5)
-
1.65
VDF(T)
×1.012 ×0.973
E-1(*3)
-
VIN=6.0V,VSEN=6.0V
VDF(T)
±50
-
VIN：Refer to V-1(*2)
VIN=6.0V,VSEN=0V,
Resistance
VDF(T)
+18mV -36mV
×0.001 ×0.007
-
VCd/MRB=0V
Detect Delay
VDF(T)
-
VIN：Refer to V-1(*2)
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
Resistance
V
6.0
VDF(T)
VCd/MRB=0V
(TYPE:A/B/C/E/F/H)
V
0
-18mV
UNITS
6.0
VDF(T)
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
Resistance
1.6
MAX.
6.0
VIN=6.0V
SENSE Resistance
6.0
TYP.
VDF(T)
VSEN=VDF×1.1V,
Iss2
MIN.
0
VIN=6.0V
Supply Current 2
MAX.
VDF(T)
VSEN=VDF×0.9V,
Supply Current 1
TYP.
1.6
VDF(T)(*1)=0.8V～1.4V
Detect Voltage
MIN.
tDR0
tDF0
VIN=6.0V,
VSEN=VDF×0.9V→VDF×1.1V
VIN=6.0V,
VSEN=VDF×1.1V→VDF×0.9V
-
20
82
-
20
116
測定条件:Cd/MRB 端子、HYS 端子の規定がない場合、オープンとする。
(*1)
VDF(T):設定検出電圧値。
(*2)
VIN 条件は SPEC TABLE(P.10)を参照下さい。
(*3)
SPEC TABLE(P.10)を参照下さい。
(*4)
SPEC TABLE(P.11)を参照下さい。
(*5)
RESETB 品:VSEN 端子電圧が解除電圧に達し、リセット出力端子が 5.4V（VIN×90％）に達するまでの時間。
RESET 品:VSEN 端子電圧が解除電圧に達し、リセット出力端子が 0.6V（VIN×10％）に達するまでの時間。
解除電圧(VDR)=検出電圧(VDF)+ヒステリシス幅(VHYS)
(*6)
RESETB 品:VSEN 端子電圧が検出電圧に達し、リセット出力端子が 0.6V（VIN×10％）に達するまでの時間。
(*7)
-40℃≦Ta≦125℃の規格値は設計値となります。
RESET 品:VSEN 端子電圧が検出電圧に達し、リセット出力端子が 5.4V（VIN×90％）に達するまでの時間。
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XC6132 シリーズ
■電気的特性
PARAMETER
Hysteresis Output
Current
SYMBOL
IHYSOUT
CONDITIONS
-40℃≦Ta≦125℃(*12)
Ta=25℃
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
1.9
3.4
-
0.7
3.4
-
VIN=1.6V,
VSEN=0V,VHYS=0.3V
UNITS
CIRCUIT
mA
⑥
Hysteresis Output
Leakage Current
IHYSLEAK
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
-
0.01
0.1
-
0.01
1.0
VIN=1.6V(*9)
1.9
3.4
-
0.7
3.4
-
VIN=2.0V
4.2
6.0
-
2.0
6.0
-
VIN=3.0V
8.6
10.5
-
4.3
10.5
-
VIN=4.0V
12.7
14.1
-
6.2
14.1
-
VIN=5.0V
15.6
17.0
-
7.3
17.0
-
VIN=6.0V
17.8
19.2
-
8.1
19.2
-
VIN=1.6V(*10)
-
-1.2
-0.7
-
-1.2
-0.48
VIN=3.0V
-
-3.0
-2.5
-
-3.0
-1.1
VIN=6.0V
-
-4.9
-4.4
-
-4.9
-2.5
VIN=1.6V(*10)
1.9
3.4
-
0.7
3.4
-
(*11)
4.2
6.0
-
2.0
6.0
-
VHYS=6.0V
µA
VSEN=VDF×0.9V,
Nch. VRESETB=0.3V
IRBOUTN
RESETB
Output Current
mA
VSEN=VDF×1.1V,
Pch. VRESETB=VIN-0.3V
IRBOUTP
VSEN=VDF×1.1V,
Nch. VRESET=0.3V
IROUTN
RESET
Output Current
VIN=2.0V
VIN=3.0V
8.6
10.5
-
4.3
10.5
-
VIN=4.0V
12.7
14.1
-
6.2
14.1
-
VIN=5.0V
15.6
17.0
-
7.3
17.0
-
VIN=6.0V
17.8
19.2
-
8.1
19.2
-
VIN=1.6V(*9)
-
-1.2
-0.7
-
-1.2
-0.48
VIN=3.0V
-
-3.0
-2.5
-
-3.0
-1.1
VIN=6.0V
-
-4.9
-4.4
-
-4.9
-2.5
-
0.01
0.1
-
0.01
1.0
-
-0.01
-
-
-0.01
-
⑦
mA
VSEN=VDF×0.9V,
Pch. VRESET=VIN-0.3V
IROUTP
RESETB Output
Leakage Current
RESET Output
Leakage Current
ILEAKN(*8)
ILEAKP
ILEAKN
(*8)
ILEAKP
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
Nch. VRESETB=6.0V
VIN=6.0V,VSEN=0V,
Pch. VRESETB=0V
VIN=6.0V,VSEN=0V,
Nch. VRESET=6.0V
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
Pch. VRESET=0V
µA
-
0.01
0.1
-
0.01
1.0
-
-0.01
-
-
-0.01
-
測定条件:Cd/MRB 端子、HYS 端子の規定がない場合、オープンとする。
(*8)
MAX 値については XC6132N(Nch オープンドレイン出力）の製品が対象となります。
(*9)
0.8V≦VDF(T)≦1.7V の製品が対象となります。
(*10)
0.8V≦VDF(T)≦1.4V の製品が対象となります。
(*11)
0.8V≦VDF(T)≦1.8V の製品が対象となります。
(*12)
-40℃≦Ta≦125℃の規格値は設計値となります。
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XC6132
シリーズ
■電気的特性
PARAMETER
Cd Pin Sink Current
(TYPE:A/E)
Cd Pin Threshold
Voltage(Release)
Cd Pin Threshold
Voltage(Detect)
MRB High Level
Voltage
MRB Low Level
Voltage
SYMBOL
CONDITIONS
-40℃≦Ta≦125℃(*16)
Ta=25℃
MIN.
TYP.
0.92
1.2
MAX.
MIN.
TYP.
0.66
1.2
MAX.
UNITS CIRCUIT
VIN=1.6V,
ICd
VCd/MRB=0.5V,
mA
⑧
VIN×0.46 VIN×0.5 VIN×0.54 VIN×0.46 VIN×0.5 VIN×0.54
V
⑨
VIN×0.55
V
VSEN=0V
VTCd1
VTCd2
VIN:Refer to V-1(*13),
VSEN=0V→VDF×1.1V
VIN:Refer to V-1(*13),
VSEN=VDF×1.1V→0V
VIN:1.6V～6.0V,
VMRH
VSEN= VDF×1.1V,
VIN
VIN×0.55
VIN
VIN>VSEN
⑩
VIN:1.6V～6.0V,
VMRL
VSEN= VDF×1.1V,
0
VIN×0.18
0
-
5.0
VIN×0.18
V
VIN>VSEN
tMRIN(*14)
MRB Minimum Pulse
VIN:Refer to V-1(*13),
VSEN=VDF×1.1V,
5.0
-
-
-
Apply pulse from
Width
tMRIN
(*15)
VDF×1.1V to 0V to the
µs
32.0
-
-
32.0
-
⑪
-
MRB pin.
測定条件:Cd/MRB 端子、HYS 端子の規定がない場合、オープンとする。
(*13)
VIN 条件は SPEC TABLE(P.10)を参照下さい。
(*14)
CMOS 出力品の TYPE:A/B/C/D/L/E/F/H/K/M、Nch オープンドレイン品の TYPE:E/F/H/K/M が対象となります。
(*15)
Nch オープンドレイン出力品の TYPE:A/B/C/D/L が対象となります。
(*16)
-40℃≦Ta≦125℃の規格値は設計値となります。
9/30
XC6132 シリーズ
■電気的特性 (SPEC TABLE)
設定電圧別一覧表
NOMINAL
DETECT
VOLTAGE(V)
VDF(T)
10/30
V-1
E-1
Ta=25℃
INPUT
VOLTAGE
(V)
0.8
1.6
0.9
↑
1.0
↑
1.1
↑
1.2
↑
1.3
↑
1.4
↑
1.5
VDF×1.1
1.6
↑
1.7
↑
1.8
↑
1.9
↑
2.0
↑
E-2
E-3
-40℃≦Ta≦125℃
E-4
Ta=25℃
Supply Current 1(µA)
-40℃≦Ta≦125℃
Supply Current 2(µA)
TYP.
MAX.
TYP.
MAX.
TYP.
MAX.
TYP.
MAX.
1.28
2.65
1.28
3.92
1.32
2.75
1.32
4.26
1.30
2.70
1.30
4.02
1.43
2.91
1.43
4.49
XC6132
シリーズ
■電気的特性 (SPEC TABLE)
設定電圧別一覧表
NOMINAL
E-5(Ta=25℃)
E-6(-40℃≦Ta≦125℃)
SENSE Resistance(MΩ)
SENSE Resistance(MΩ)
DETECT
VOLTAGE(V)
VDF(T)
MIN.
TYP.
MIN.
TYP.
0.8
7.5
20.7
5.9
20.7
0.9
8.6
23.3
6.8
23.3
1.0
10.0
26.1
7.6
26.1
1.1
11.0
28.6
8.5
28.6
1.2
12.2
31.3
9.3
31.3
1.3
13.4
33.9
10.2
33.9
1.4
14.5
36.6
11.1
36.6
1.5
15.7
38.6
11.9
38.6
1.6
16.9
39.2
12.8
39.2
1.7
18.1
39.8
13.6
39.8
1.8
19.3
40.4
14.5
40.4
1.9
19.0
40.2
14.3
40.2
2.0
18.6
39.9
14.0
39.9
11/30
XC6132 シリーズ
■測定回路図
測定回路図①
VSEN
VIN
RESET
RESETB
Cd/MRB
V
HYS
V
VSS
測定回路図②
A
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
HYS
VSS
測定回路図③
A
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
HYS
VSS
測定回路図④
VSEN
A
Cd/MRB
HYS
VIN
RESET
RESETB
VSS
* RESET 品は A/B/C/D/L タイプ、RESETB 品は E/F/H/K/M タイプです。
12/30
XC6132
シリーズ
■測定回路図
測定回路図⑤
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
Wave Form Measure Point
HYS
VSS
測定回路図⑥
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
A
HYS
VSS
測定回路図⑦
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
HYS
A
VSS
測定回路図⑧
VSEN
A
Cd/MRB
HYS
VIN
RESET
RESETB
VSS
* RESET 品は A/B/C/D/L タイプ、RESETB 品は E/F/H/K/M タイプです。
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XC6132 シリーズ
■測定回路図
測定回路図⑨
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
V
V
HYS
VSS
V
測定回路図⑩
VSEN
Cd/MRB
V
HYS
VIN
RESET
RESETB
V
VSS
測定回路図⑪
VSEN
Cd/MRB
HYS
VIN
RESET
RESETB
VSS
* RESET 品は A/B/C/D/L タイプ、RESETB 品は E/F/H/K/M タイプです。
14/30
Wave Form Measure Point
V
XC6132
シリーズ
■動作説明
＜基本動作＞
図 1 に代表的な回路例、図 2 に図 1 のタイミングチャートを示します。
R2
VSEN
HYS
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
M5
M7
+B
Rp
+
R1
RA
M1
-
SURGE
VOLTAGE
PROTECT
BLOCK
VREF
M4
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
VDD Cd/MRB
RESET
SW
M6
M2
RC
Cd
RESETB
VSS
注：XC6132N シリーズ(Nch オープンドレイン出力)では
出力をプルアップする為のプルアップ抵抗が必要です。
図 1.代表的な回路例(Active Low)
VSEN pin voltage:VSEN(MIN.:0V,MAX.:6.0V)
Release voltage:VDF+VHYS
Detect voltage:VDF
Cd/MRB pin voltage:VCd/MRB(MIN.:VSS,MAX.:VIN)
Cd pin threshold voltage:VTCd1,VTCd2
Output voltage:VRESETB(MIN.:VSS,MAX.:VIN)
ｔDF
①
②
ｔDR
③
④⑤
⑥
図 2.タイミングチャート(VIN=6.0V、Active Low)
①初期状態として VSEN 端子には解除電圧に対して十分に高い電圧(MAX.:6.0V)が印加されており、遅延容量 Cd は電源入力端子電
圧までチャージされているものとします。
VSEN 端子電圧が降下し始め、検出電圧に達するまでの間(VSEN＞VDF)、VRESETB は High レベル(=VIN)となっています。
注：Nch オープンドレイン出力(XC6132N)でプルアップ抵抗を電源入力端子 VIN とは別の電源に接続する場合、High レベルは
プルアップ抵抗を接続している電源の電圧値となります。
15/30
XC6132 シリーズ
■動作説明
②VSEN 端子電圧が降下し続け、検出電圧となった時(VSEN=VDF)、遅延容量ディスチャージ用 Nch トランジスタが ON し、
遅延抵抗 Rn を介して遅延容量 Cd のディスチャージを開始します。
VSEN=VDF から、VRESETB が Low レベルになるまでの時間を検出遅延時間 tDF(Cd/MRB 端子に容量を接続していない場合の検出時
間を tDF0)とします。遅延容量 Cd のディスチャージは VTCd2 の閾値電圧までは遅延抵抗 Rn にてディスチャージしますが VTCd2 の閾値
電圧以下になると内部に内蔵された低インピーダンスのスイッチにて高速にディスチャージします。
③VSEN 端子電圧が検出電圧 VDF 以下の間、遅延容量 Cd はグランドレベルまでディスチャージされ、VSEN 端子が再び上昇し、
解除電圧に達するまでの間(VSEN＜VDF+VHYS)、VRESETB は Low レベルを保持します。
④VSEN 端子電圧が上昇し続け、解除電圧(VDF+VHYS)になった時、遅延容量ディスチャージ用 Nch トランジスタが OFF し、
遅延抵抗 Rp を介して遅延容量 Cd のチャージを開始します。遅延容量 Cd のチャージは VTCd１の閾値電圧までは遅延抵抗 Rp にて
チャージしますが VTCd1 の閾値電圧以上になると内部に内蔵された低インピーダンスのスイッチにて高速にチャージします。
⑤Cd/MRB 端子電圧が VTCd1 になった時、VRESETB は High レベルに変化します。
VSEN=VDF+VHYS から VRESETB の論理が変化するまでの時間を解除遅延時間 tDR(Cd/MRB 端子に容量を接続していない場合の解除
時間を tDR0)とします。
⑥VSEN 端子電圧が検出電圧より高い間(VSEN＞VDF)、VRESETB は High レベルを保持します。
尚、上記は検出時 Active Low 製品を用いての動作説明となります。
Active High 製品の場合は、リセット端子の論理を逆にしてご理解頂きますようお願いします。
また出荷時、内部ヒステリシスはついていませんので(VHYS=VDF×0.001V(TYP.))、外部抵抗で 1%以上のヒステリシスをつけて下さい。
計算方法は以下の＜ヒステリシス外調機能＞を参照して下さい。また注意点として、使用上の注意 5)6)を参照して下さい。
＜ヒステリシス外調機能＞
監視するノードと VSEN 端子間及び VSEN 端子と HYS 端子間に抵抗をつけることで任意のヒステリシスをつけることが可能です。
検出電圧をかえずに解除電圧のみ高くすることによりヒステリシスをつける場合の計算式は以下になります。
回路図は図 3.ヒステリシス増大回路 1 を参照して下さい。
VDR(H)=VDR(T)×{1+(RD/RE)}
ヒステリシス幅=VDR(H)-VDF(T)
例 1：RD=200kΩ、RE=200kΩ、VDF(T)=1.000V、VDR(T)=1.001V とする。
VDR(H)=2.002V
ヒステリシス幅=2.002-1.000=1.002V
次に高電圧を検出かつヒステリシスをつける場合の計算式は以下になります。
回路図は図 4.ヒステリシス増大回路 2 を参照して下さい。
VDF(H)=VDF(T)×{1+(R1/R2)}
VDR(H)=VDR(T)×{1+(R1/R2)+(R1/R3)}
ヒステリシス幅=VDR(H)-VDF(H)
例 2：R1=R3=500kΩ、R2=200kΩ、VDF(T)=2.000V,VDR(T)=2.002V とする。
VDF(H)=7.0V
VDR(H)=9.009V
ヒステリシス幅=9.009-7.0=2.009V
(注 1)VDF(H)は外調後の検出電圧
(注 2)VDR(H)は外調後の解除電圧
(注 3)VDR(T)は解除電圧
(注 4)VDF(T)は検出電圧
(注 5)R2 抵抗は内部 RSEN 抵抗と並列になるため、外調後の検出電圧と解除電圧の精度を上げるためには RSEN 抵抗に対して十分小さい値にして下さい。
RSEN 抵抗値は SPEC TABLE(P.11)を参照して下さい。
(注 6)高電圧を検出する場合、VSEN 端子≦6V になるように R1、R2 の抵抗で分圧して下さい。ここではバッテリー電圧(+B)は、最大で 12V を想定しています。
+B
+B
VDD
RE
RD
HYS
R3
R1
VIN
VDD
HYS
Rpull
RESET
RESETB
GND
Cd
VSS
RESET
RESETB
R2
Cd/MRB
図 3.ヒステリシス増大回路 1
16/30
Rpull(*1)
VSEN
VSEN
RESET
SW
VIN
(*1)
GND
RESET
SW
Cd
Cd/MRB
VSS
図 4.ヒステリシス増大回路 2
XC6132
シリーズ
■動作説明
＜解除遅延時間/検出遅延時間＞
解除遅延時間と検出遅延時間は遅延抵抗(Rp と Rn)及び遅延容量 Cd で決まります。
遅延抵抗(Rp と Rn)の比率は 5 種類から選択可能です。遅延時間は遅延抵抗と遅延容量値の組み合わせにて調整する事が出来ます
（セレクションガイド参照）。
解除遅延時間(tDR)は、式(1)により算出されます。
* ln は自然対数
tDR=Rp×Cd×{-ln(1-VTCd1/VIN)}+tDR0 …(1)
遅延容量端子閾値電圧 VTCd1=VIN/2(TYP.)となっておりますので、tDR0 が無視できる時、簡易的には式(2)で算出する事が可能です。
tDR=Rp×Cd×[-ln{1-(VIN/2)/VIN}]=Rp×Cd×0.693 …(2)
検出遅延時間(tDF)は、式(3)により算出されます。
tDF=Rn×Cd×{-ln(VTCd2/VIN)}+tDF0 …(3)
* ln は自然対数
遅延容量端子閾値電圧 VTCd2=VIN/2(TYP.)となっておりますので、tDF0 が無視できる時、簡易的には式(4)で算出する事が可能です。
tDF=Rn×Cd×{-ln(VIN/2)/VIN}=Rn×Cd×0.693 …(4)
例 3：タイプ A を選択した場合(Rp：Rn=144kΩ：0Ω)以下の遅延時間となります。
Cd を 0.1uF とした場合、
tDR=144×103×0.1×10-6×0.693=10ms
tDF は遅延容量 Cd を接続していない場合の検出遅延時間(tDF0)となります。
例 4：タイプ B を選択した場合(Rp：Rn=144kΩ：18kΩ)以下の遅延時間となります。
Cd を 0.1uF とした場合、
tDR=144×103×0.1×10-6×0.693=10ms
tDF=18×103×0.1×10-6×0.693=1.25ms
(注 7)例 3、例 4 の解除遅延時間 tDR は式(2)より求めた計算値となります。
(注 8)例 4 の検出遅延時間 tDF は式(4)より求めた計算値となります。
(注 9)遅延時間は遅延容量 Cd の実容量値により変わるのでご注意下さい。
＜マニュアルリセット機能＞
Cd/MRB 端子はマニュアルリセット端子としても使用可能です。
図 1 の様に Cd/MRB 端子に遅延容量 Cd とリセットスイッチをつけた状態で解除時にリセットスイッチを ON すると強制的にリセット出
力端子の信号を検出状態にすることができます。
解除時にリセットスイッチを ON すると、RESETB 端子は検出遅延時間後に H→L レベル信号を出力します(RESETB：Active Low タイプ)。
解除時にリセットスイッチを ON すると、RESET 端子は検出遅延時間後に L→H レベル信号を出力します(RESET：Active High タイプ)。
検出時にリセットスイッチを ON/OFF してもリセット出力端子は検出状態を保持します。
リセットスイッチを使用せずに Cd/MRB 端子に MRB H レベルまたは MRB L レベルの電圧を印加して使用する場合、図 5 のタイミン
グチャートの動作となります。
検出時に MRB L レベルの電圧を印加した場合リセット出力端子は検出状態を保持します。検出時に MRB H レベルの電圧を印加した
場合リセット出力端子は不定となります。
VSEN 端子電圧を解除状態から検出状態に推移しても MRB 端子電圧が H レベルである場合、リセット信号は解除状態を維持し、
Cd/MRB 端子電圧が Cd 端子の閾値電圧(VTCd)まで解除状態を保持します。
遅延容量 Cd を接続した状態で Cd/MRB 端子に外部からＨまたはＬ信号を入力しても遅延時間はつきません。
Release voltage:VDF+VHYS
Detect voltage:VDF
VSEN pin voltage:VSEN（MIN.:0V,MAX.:6.0V)
MRB High level voltage:VMRH
Cd pin threshold voltage:VTCd
MRB Low level voltage:VMRL
Cd/MRB pin voltage:VCd/MRB (MIN.:VSS ,MAX.:VIN)
Release voltage:VDF+VHYS
Detect voltage:VDF
Undefined
Output voltage:VRESETB
(MIN.:VSS,MAX.:VIN(CMOS),Vpull(Nch open drain))
図 5.Cd/MRB 端子によるマニュアルリセット動作(VIN=6.0V、Active Low)
17/30
XC6132 シリーズ
■動作説明
＜サージ電圧保護機能＞
VSEN 端子にはサージ電圧保護回路を内蔵しており+2.5mA(≦200ms)、-2.5mA(≦20ms)のサージ電流を流すことが可能です。
プラスのサージ電流(ISENSURGE(+))は SURGE VOLTAGE PROTECT BLOCK 信号で M1 を ON することでサージ電流を流します。
マイナスのサージ電流(ISENSURGE(-))は M1 の寄生ダイオードにて流します。
プラスのサージ電流が流れてサージ電圧保護回路が動作している場合、VSEN 端子電圧は VIN 電圧とサージ電流に比例して上昇します
ので動作電圧を超えない様、図 7 を参考にサージ電流を外付け抵抗で調整して下さい。
* VSEN 電圧の上昇は高温時がワーストとなります。
例 5：VIN=3.3V、ISENSURGE(+)=2.5mA(MAX)の場合、図 7 より VSEN 端子電圧は 5.6V となります。
バッテリー電圧(+B)の MAX が 100V の場合、R1 抵抗には(100-5.6)=94.4V の電圧がかかります。
サージ電流を 2.5mA に抑えるためには R1=V/I=94.4/0.0025=37.8kΩ 以上にして下さい。
例 6：VIN=3.3V、ISENSURGE(-)=-2.5mA(MAX)の場合、M1 の寄生ダイオードの Vf は-0.9V(MAX)となります。
バッテリー電圧(+B)の MAX が-100V の場合、R1 抵抗には{-100-(-0.9)}=-99.1V の電圧がかかります。
サージ電流を-2.5mA に抑えるためには R1=V/I=-99.1/-0.0025=39.6kΩ 以上にして下さい。
プラス側とマイナス側でサージ電圧が異なる場合、R1 抵抗にかかる電圧差が大きい方で抵抗値を算出して下さい。
+B
Resistance for
hysteresis external
adjustment
R1
HYS
R3
R2 VSEN
RSEN=RA+RB+RC
RA
+
SURGE
VOLTAGE
PROTECT
BLOCK
RB
M1
VREF
↑ISENSURGE(-) RC
Surge voltage protect circuit
図 6.サージ電圧保護回路
図 7.VIN-VSEN 特性例
18/30
-
VIN
↓ISENSURGE(+)
M2
M3
XC6132
シリーズ
■使用上の注意
1) 一時的、過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現象について、絶対最大定格を超える場合には、劣化または破壊する可能性があります。
2) 電源-電源入力端子間の抵抗成分と IC 動作時の貫通電流により電源入力端子電圧が降下します。
CMOS 出力の場合、出力電流でも同様に電源入力端子電圧の降下が起こります。
この時、電源入力端子電圧が最低動作電圧を下回ると誤動作の原因となります。
3) 電源入力端子電圧が急峻かつ大きく変動すると誤動作を起こす可能性がありますのでご注意下さい。
4) 電源ノイズは誤動作の原因となる事がありますので、VIN-GND 間にコンデンサを挿入するなど実機での評価を十分にして下さい。
5) 出荷時、内部ヒステリシスはついていませんので、VSEN 端子、HYS 端子に外付け抵抗で 1%以上のヒステリシスをつけてください。
外付け抵抗でヒステリシスをつけない場合、検出電圧や解除電圧で切り替わる際に発振しますのでご注意下さい。
6) VSEN 端子、HYS 端子の抵抗値が高い場合発振する可能性がありますので、監視するノードと VSEN 端子間及び VSEN 端子と HYS 端
子間の各抵抗は 1MΩ 以下でご使用下さい。
7) VIN と VSEN を共通に立ち上げた場合、VIN が動作電圧に達するまで出力は不定となりますのでご注意下さい。
8) マニュアルリセットをかける際に、リセットスイッチを使用せずに Cd/MRB 端子に MRB H レベルまたは MRB L レベルの電圧を印加
して使用する場合、以下の事項にご注意下さい。
検出時に MRB H レベルの電圧を印加した場合、リセット出力端子は不定となります。
また VSEN 端子電圧と Cd/MRB 端子電圧のタイミングによっては出力が不定になる場合がありますのでご注意下さい。
9) Nch オープンドレイン出力の時、出力端子に接続するプルアップ抵抗によって検出時と解除時の VRESETB 電圧が決まります。
以下の事柄を参照して抵抗値を選択して下さい。
【検出時】
VRESETB=Vpull/(1+Rpull/RON)
Vpull：プルアップ先の電圧
RON(*1)：Nch ドライバーM6 の ON 抵抗 (電気的特性より、VRESETB/IRBOUTN から算出)
計算例)VIN=2.0V 時(*2)RON=0.3/(4.2×10-3)=71.4Ω (MAX.)となり、Vpull が 3.0V で検出時の VRESETB を 0.1V 以下に設定する場合、
Rpull={(Vpull/VRESETB)-1}×RON={(3/0.1)-1}×71.4≒2.1kΩ になるため上記条件で
検出時の出力電圧を 0.1V 以下にする為には、プルアップ抵抗を 2.1kΩ 以上にする必要があります。
(*1) V が小さいほど R
IN
ON は大きくなりますのでご注意下さい。
(*2) V の選択はご使用になる入力電圧の範囲での最低値で計算して下さい。
IN
【解除時】
VRESETB=Vpull/(1+Rpull/Roff)
Vpull：プルアップ先の電圧
Roff：Nch ドライバーM6 の OFF 時抵抗値 (電気的特性より、VRESETB/ILEAKN から算出)
計算例)Vpull が 6.0V 時 Roff=6/(0.1×10-6)=60MΩ (MIN.)となり、VRESETB を 5.99V 以上にする場合
Rpull={(Vpull/VRESETB)-1}×Roff={(6/5.99)-1}×60×106≒100kΩ になるため上記条件で
解除時の出力電圧を 5.99V 以上にする為にはプルアップ抵抗を 100kΩ以下にする必要があります。
10) 検出時における遅延容量 Cd の放電時間が短く、遅延容量 Cd をグランドレベルまでディスチャージできない場合、
次の解除動作では遅延容量 Cd に電荷が残っている状態で充電となる為、解除遅延時間が著しく短くなる事があります。
11) 解除時における遅延容量 Cd の充電時間が短く、遅延容量 Cd を VIN レベルまでチャージできない場合、
次の検出動作では遅延容量 Cd が VIN レベル未満から放電となる為、検出遅延時間が著しく短くなる事があります。
12) 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のためにフェールセーフとなる設計および
エージング処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします。
19/30
XC6132 シリーズ
■特性例
(1) Detect, Release Voltage vs. Ambient Temperature
(3) Supply Current vs. Ambient Temperature
(4) Supply Current vs. Input Voltage
20/30
(2) Output Voltage vs Sense Voltage
XC6132
シリーズ
■特性例
(5) Sense Resistance vs Ambient Temperature
(6) Delay Resistance vs Ambient Temperature
21/30
XC6132 シリーズ
■特性例
(7) Delay Time vs Ambient Temperature
(8) Hysteresis Output Current vs Ambient Temperature
(9) Hysteresis Output Current vs Input Voltage
(10) Hysteresis Output Leakage Current vs Ambient Temperature
(11) RESET Output Current vs Ambient Temperature
22/30
XC6132
シリーズ
■特性例
(11) RESET Output Current vs Ambient Temperature (Continued)
(12) RESET Output Current vs Input Voltage
(13) RESET Output Leakage Current vs Ambient Temperature
(14) Cd Pin Sink Current vs Ambient Temperature
(15) Cd Pin Sink Current vs Input Voltage
23/30
XC6132 シリーズ
■特性例
(16) Cd Pin Threshold Voltage vs Ambient Temperature
(17) MRB High Level Threshold Voltage vs Ambient Temperature
24/30
(18) MRB Low Level Threshold Voltage vs Ambient Temperature
XC6132
シリーズ
■外形寸法図
●SOT-26 パッケージ寸法 (unit: mm)
2.9±0.2
+0.1
0.4 -0.05
+0.1
0.4 -0.05
6
5
4
2
0.2MIN
+0.1
0.15 -0.05
(0.95)
1.1±0.1
(0.95)
3
1.3MAX
1
1.6
1234
+0.2
-0.1
2.8±0.2
0～0.1
●SOT-26 参考パターンレイアウト (unit: mm)
1.0
2.4
0.7
0.95
0.95
25/30
XC6132 シリーズ
■外形寸法図
●UPS-6C パッケージ寸法 (unit: mm)
●USP-6C 参考パターンレイアウト (unit: mm)
26/30
●USP-6C 参考メタルマスクデザイン (unit: mm)
XC6132
シリーズ
●SOT-26 パッケージ許容損失(Toprmax+125℃)
SOT-26 パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
1.測定条件 (参考データ)
定条件： 基板実装状態
雰囲気：
実装：
実装基板：
40.0
28.9
自然対流
Pb フリーはんだ
基板 40mm×40mm(片面 1600mm2)に対して
銅箔面積 表面 約 50%-裏面 約 50%
(SOT26 基板を共用)
板厚：
ｽﾙｰﾎｰﾙ：
ガラスエポキシ(FR-4)
1.6mm
ホール径 0.8mm 4 個
1.4
2.54
2.5
基板材質：
40.0
28.9
放熱板と周りの銅箔接続
評価基板レイアウト(単位:mm)
2.許容損失-周囲温度特性
基板実装 (Tjmax=125℃)
周囲温度 (℃)
許容損失 Pd (mW)
25
600
85
240
熱抵抗 (℃/W)
166.67
許容損失Pd（mW）
Pd-Ta特性グラフ
700
600
500
400
300
200
100
0
25
45
65
85
周囲温度Ta（℃）
105
125
27/30
XC6132 シリーズ
●USP-6C パッケージ許容損失(Toprmax+125℃)
USP-6C パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
1.測定条件 (参考データ)
定条件： 基板実装状態
雰囲気：
実装：
実装基板：
自然対流
Pb フリーはんだ
基板 40mm×40mm(片面 1600mm2)に対して
銅箔面積 表面 約 50%-裏面 約 50%
放熱板と周りの銅箔接続
基板材質：
板厚：
ｽﾙｰﾎｰﾙ：
ガラスエポキシ(FR-4)
1.6mm
ホール径 0.8mm 4 個
2.許容損失-周囲温度特性
評価基板レイアウト(単位:mm)
基板実装 (Tjmax=125℃)
28/30
周囲温度 (℃)
許容損失 Pd (mW)
25
1000
85
400
熱抵抗 (℃/W)
100.00
XC6132
シリーズ
■マーキング
SOT-26
6
5
2
③
⑤
②
④
①
③
1
⑤
②
4
④
①
USP-6C
3
1
2
5
4
3
マーク①
製品シリーズ範囲を表す。
シンボル
X
6
品名表記例
XC6132******-G
* XC6132 シリーズのマーク①は共通のシンボルにて連番を取得する。
マーク②,③
登録連番を表す。
連番ルール
連番は 01、…、09、10、…、99、A0、…、A9、B0、…、B9、…、Z9… を順番とする。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。)
マーク④,⑤
製造ロットを表す。
01～09、0A～0Z、11･･･9Z、A1～A9、AA･･･Z9、ZA～ZZ を繰り返す。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。)
* マーク②,③は、マーク①を基準として、製品名（フル品番）を表す。
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XC6132 シリーズ
1.
本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更するこ
とがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理店へお問
い合わせ下さい。
2.
本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業所有
権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。
3.
本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーディオ
／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュータおよび
その周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。
4.
本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅かす恐
れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼制
御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事前に当社
へご連絡下さい。
5.
当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のためにフェ
ールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお
願いします。
6.
保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社では
責任を負いかねますので、ご了承下さい。
7.
本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。
トレックス・セミコンダクター株式会社
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