XC25BS5 シリーズ - トレックス・セミコンダクター

XC25BS5 シリーズ
JTR1502-003a
分周・逓倍回路内蔵 PLL クロックジェネレータ(低周波数対応)
■概要
XC25BS5シリーズは、高周波・低消費電流で動作する超小型パッケージの分周・逓倍回路内蔵PLLクロックジェネレータ
ーです。
分周回路、逓倍用PLL回路を内蔵しています。
分周比(M)は1,3∼2047分周、逓倍比は6∼2047逓倍の任意値をトリミングで選択できます。出力周波数(Q0)は原発振
(fCLKin)に対してQ0=fCLKin×N/Mとなります。出力周波数範囲は3MHz∼30MHzです。
Q1端子出力は原発振、原発振/2、比較周波数、GNDレベルから選択可能です。
原発振は12kHz∼35MHzの基準クロックを入力出来ます。この原発振を分周し比較周波数を生成します。比較周波数範囲
は12kHz∼500kHzです。
CE端子により発振を停止させ、消費電流を抑えることが可能です。この時、出力はハイインピーダンス状態になります。
■用途
■特長
●水晶発振モジュール
出力周波数
●マイコン
入力周波数(fO) : 12kHz ~ 35MHz
●パームトップコンピュータ
●ハンディーオーディオ
: 3MHz ~ 30MHz (Q0=fCLKin×N/M)
分周比(M)
: 1、3∼2047 分周から選択可能
逓倍比(N)
: 6∼2047 逓倍から選択可能
出力
: 3 ステート
●各種システムクロック
Q1 端子出力は原発振、原発振/2、
比較周波数、GND レベルから選択可能
動作電圧範囲
: 2.97V ~ 5.5V
低消費電流
: CMOS 構造 スタンバイ機能付き(*1)
比較周波数
: 12kHz ~ 500kHz
パッケージ
: SOT-26 ミニモールド、USP-6B
環境への配慮
■端子配列
(*1) スタンバイ時は出力ハイインピーダンス
: EU RoHS 指令対応、鉛フリー
■端子説明
Q1 6
1 Q0
VDD 5
2 VSS
CLKin 4
3 CE
SOT-26
(TOP VIEW)
USP-6B
(BOTTOM VIEW)
端子番号
SOT-26
1
2
3
*放熱板はオープンでご使用下さい。
他の端子と接続する場合 5 番端子
(VDD)と接続の上ご使用下さい。
4
USP-6B
3
2
1
6
端子名
CE
VSS
Q0
Q1
機
能
チップイネーブル
GND 端子
PLL 出力端子
原発振、PLL 出力周波数
/2、比較周波数/および
GND レベル出力端子
(1 つを選択)
5
6
5
4
VDD
CLKin
電源端子
基準クロック入力端子
■機能表
●CE, Q0/Q1 端子真理値表
CE
H
L
動
作
Q0 ,Q1 クロック出力
スタンバイ状態 出力端子 = ハイインピーダンス
オープン
スタンバイ状態 出力端子 = ハイインピーダンス
(IC 内蔵抵抗により VSS 端子にプルダウン)
H= High レベル
L= Low レベル
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XC25BS5 シリーズ
■製品分類
●品番ルール
XC25BS5①②③④⑤-⑥(*1)
記
号
内
①②③
④⑤-⑥
容
シンボル
品種番号
整数
パッケージ形状
テーピング仕様(*2)
MR
MR-G
DR
DR-G
詳細内容
但し、番号は社内基準に基づく
例 品種番号 001 → ①②③ = 001
SOT-26
SOT-26
USP-6B
USP-6B
(*1) 末尾に”-G”が付く場合は、ハロゲン&アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。
(*2) エンボステープポケットへのデバイス挿入方向は定まっております。標準とは別に逆挿入を要望される場合は弊社営業に相談ください。
(標準:④R-⑥、逆挿入:④L-⑥)
■ブロック図
Ta = 25℃
■絶対最大定格
項
目
電源電圧
CLKin 端子電圧
CE 端子電圧
記
Q0 端子電圧
Q1 端子電圧
Q0 出力電流
Q1 出力電流
許容損失
動作周囲温度
保存温度
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SOT-26
USP-6B
号
定
格
単位
VDD
VCK
VCE
VSS-0.3 ~ VSS+7.0
VSS-0.3 ~ VDD+0.3
VSS-0.3 ~ VDD+0.3
V
V
V
VQ0
VQ1
IQ0
IQ1
VSS-0.3 ~ VDD+0.3
VSS-0.3 ~ VDD+0.3
±50
±50
150
100
- 30 ~ + 80
- 40 ~ +125
V
V
mA
mA
Pd
Topr
Tstg
mW
℃
℃
XC25BS5
シリーズ
■製品設定値:例 1
XC25BS51XXMR
項
目
記
号
MIN.
TYP.
MAX.
単
位
入力周波数
f CLKin
11.0000
-
16.9344
MHz
逓倍比
N/M
-
1.594
-
逓倍
PLL 出力周波数
fQ0
17.5383
-
27.0000
MHz
Q1 端子出力選択
Q1
●DC 電気的特性例
XC25BS51XXMR
項
目
GND
-
fCLKin=16.9344MHz、逓倍比=1.594、Ta=25℃、無負荷
記
号
条
件
MIN.
TYP.
MAX.
単
位
電源電圧
VDD
2.97
3.30
3.63
V
H レベル入力電圧
VIH
2.7
-
-
V
L レベル入力電圧
VIL
-
-
0.6
V
H レベル入力電流
IIH
VCK = 3.3V
-
-
3.0
μA
L レベル入力電流
IIL
VCK = 0V
-3.0
-
-
μA
H レベル出力電圧
VOH
VDD = 2.97V, IOH = -8mA
2.5
-
-
V
L レベル出力電圧
VOL
VDD = 2.97V, IOL = 8mA
-
-
0.4
V
消費電流 1
IDD1
CE = 3.3V
-
3.0
6.0
mA
消費電流 2
IDD2
CE = 0V
-
-
5.0
μA
CE H レベル電圧
VCEH
2.7
-
-
V
CE L レベル電圧
VCEL
-
-
0.45
V
CE プルダウン抵抗 1
Rp1
CE = 3.3V
0.5
1.5
2.5
MΩ
CE プルダウン抵抗 2
Rp2
CE = 0.3V
20.0
50.0
80.0
kΩ
●AC 電気的特性例
XC25BS51XXMR
項
目
fCLKin=16.9344MHz、逓倍比=1.594、Ta=25℃、負荷容量 CL=15pF
記
号
条
件
MIN.
TYP.
MAX.
単
位
TTLH
VDD=3.3V(20% ~ 80%) (*)
-
5.0
-
ns
出力立ち下がり時間
TTHL
(*)
-
5.0
-
ns
デューティ比
DUTY
40
50
60
%
-
-
20
ms
-
40
-
出力立ち上がり時間
出力開始時間
PLL 出力ジッタ
Ton
Tj
VDD=3.3V(20% ~ 80%)
(*)
1σ
(*)
ps
(*)
設計保証
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XC25BS5 シリーズ
■製品設定値:例 2
XC25BS51XXMR
項
目
記
号
入力周波数
f CLKin
MIN.
TYP.
MAX.
52.0000
-
78.0000
単
kHz
逓倍比
N/M
-
256.000
-
逓倍
PLL 出力周波数
fQ0
13.312
-
19.968
MHz
Q1 端子出力選択
Q1
GND
●DC 電気的特性例
XC25BS51XXMR
項
目
-
fCLKin=78kHz、逓倍比=256、Ta=25℃、無負荷
記
号
条
件
MIN.
TYP.
MAX.
単
位
電源電圧
VDD
2.97
3.30
3.63
V
H レベル入力電圧
VIH
2.7
-
-
V
L レベル入力電圧
VIL
-
-
0.6
V
H レベル入力電流
IIH
VCK=3.3V
-
-
3.0
μA
L レベル入力電流
IIL
VCK=0V
-3.0
-
-
μA
H レベル出力電圧
VOH
VDD=2.97V, IOH= - 8mA
2.5
-
-
V
L レベル出力電圧
VOL
VDD=2.97V, IOL=8mA
-
-
0.4
V
消費電流 1
IDD1
CE=0.3V
-
2.0
4.0
mA
消費電流 2
IDD2
CE=0V
-
-
5.0
μA
CE H レベル電圧
VCEH
2.7
-
-
V
CE L レベル電圧
VCEL
-
-
0.45
V
CE プルダウン抵抗 1
Rp1
CE=3.3V
0.5
1.5
2.5
MΩ
CE プルダウン抵抗 2
Rp2
CE=0.3V
20.0
50.0
80.0
kΩ
●AC 電気的特性例
XC25BS51XXMR
項
目
出力立ち上がり時間
fCLKin=78kHz、逓倍比=256、Ta=25℃、負荷容量 CL=15pF
記
号
TTLH
出力立ち下がり時間
TTHL
デューティ比
DUTY
出力開始時間
Ton
PLL 出力ジッタ
Tj
条
件
単
位
MIN.
TYP.
MAX.
VDD=3.3V(20% ~ 80%)
(*)
-
5.0
-
ns
VDD=3.3V(20% ~ 80%)
(*)
-
5.0
-
ns
40
50
60
%
-
-
20
ms
-
20
-
(*)
1σ
(*)
ps
(*)
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位
設計保証
XC25BS5
シリーズ
■回路接続例
①Q1 端子・・・原発振,原発振/2,比較周波数出力選択品
②Q1 端子・・・GND 選択品
■使用上の注意
(1)バイパスコンデンサ 0.1μF を必ず配置して下さい。
(2)Rq0 および Rq1 はマッチング抵抗です。不要輻射対策となりますので挿入を前提とされることをお勧め
致します。
(3)バイパスコンデンサおよびマッチング抵抗は IC の直近に配置して下さい。バイパスコンデンサが IC から
離れていると、出力がロックできない場合があります。また、マッチング抵抗が IC から離れていると、
抵抗と IC のピンの間のパターンで不要輻射が生じる場合があります。
(4)Q1 端子を GND 選択された場合、IC 内部で GND に接続されておりますが基板上でも GND に接続される
ことをお勧め致します。
(5)CE 端子を外部信号にて制御しない場合には、安全の為 R1=1kΩ・C1=0.1μF による時定数回路の付加を
お勧め致します。
(6)本 IC は PLL 回路によって原発振を逓倍・分周出力しております。この出力をさらに別の PLL 回路の原発
振とした場合、最終出力信号のジッタが大きくなる可能性がありますので十分にご確認の上ご使用下さ
い。
(7)本 IC の電源にはシリーズレギュレータのような低ノイズ電源の使用をお勧め致します。スイッチングレ
ギュレータ等リップル(ノイズ)を持った電源を使用した場合、ジッタが大きくなったり、ロックできな
い可能性がありますので十分にご確認の上ご使用下さい。
(8)本 IC は、入力周波数 対 出力周波数の逓倍動作はしますが、入力信号と出力信号の毎回のエッジ同士の同期は保
証されるものではありません。
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XC25BS5 シリーズ
■参考ランドパターン
①Q1 端子・・・原発振、原発振/2、比較周波数出力選択品
②Q1 端子・・・GND 選択品
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XC25BS5
シリーズ
■AC 特性測定波形
1) 出力立上り時間・出力立下り時間
2) デューティ比
3) 出力開始時間
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XC25BS5 シリーズ
■外形寸法図
●SOT-26
2.9±0.2
+0.1
0.4 -0.05
(0.5)
6
5
4
0~0.1
1
2
(0.95)
3
(0.95)
+0.1
0.15 -0.05
●USP-6B
<USP-6B 参考パターンレイアウト>
2.4
0.45
1
6
2
5
3
4
0.65±0.05
(0.125)
0.65±0.05
2.0±0.05
0.45
0.05
0.05
<USP-6B 参考メタルマスクデザイン>
2.3
1.0±0.05
0.25±0.05
0.7±0.03
0.25±0.05
1.0
0.35
0.35
1
6
2
5
3
4
0.15
0.15
0.8
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XC25BS5
シリーズ
■マーキング
●SOT-26
●XC25BS50
マーク①② 製品シリーズを表す。
シンボル
①
②
B
5
SOT-26
(TOP VIEW)
品名表記例
シンボル
5
品名表記例
XC25BS51**M*
XC25BS50**M*
マーク③ 品名ルール③を表す。
シンボル
1
5
6
マーク④
●XC25BS51
マーク① 製品シリーズを表す。
品名表記例
XC25BS5001M*
XC25BS5005M*
XC25BS5006M*
マーク②③ 品名ルール②③を表す。
シンボル
②
③
0
7
品名表記例
XC25BS5107M*
製造ロットを表す。0~9,A~Z 及び反転文字 0~9,A~Z を繰り返す。
(但し、G,I,J,O,Q,W は除く。)
●USP-6B
マーク①,②,③ 製品シリーズを表す。
① ② ③
2
④ ⑤ ⑥
1
3
USP-6B
(TOP VIEW)
6
シンボル
品名表記例
①
②
③
5
B
S
0
XC25BS50**D*
4
B
S
1
XC25BS51**D*
マーク④,⑤
例:
シンボル
④
⑤
0
7
マーク⑥
品名ルール②,③を表す。
品名表記例
XC25BS5*07D*
製造ロットを表す。0~9,A~Z を繰り返す。
(但し、G,I,J,O,Q,W は除く。)
注:反転文字は使用しない。
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XC25BS5 シリーズ
●SOT-26 パッケージ許容損失
SOT-26 パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
1.測定条件(参考データ)
測定条件:基板実装状態
雰囲気:自然対流
実装:Pb フリーはんだ
実装基盤:基板 40mm×40mm(片面 1600mm2)に対して
銅箔面積 表面 約 50%−裏面 約 50%
放熱板と周りの銅箔接続
基板材質:ガラスエポキシ(FR-4)
板厚:1.6mm
スルーホール:ホール径 0.8mm 4 個
評価基板レイアウト(単位:mm)
2. 許容損失-周囲温度特性
基板実装( Tjmax=125℃)
周囲温度(℃) 許容損失 Pd (mW)
25
600
85
240
熱抵抗(℃/W)
166.67
許容損失Pd(mW
Pd-Ta特性グラフ
700
600
500
400
300
200
100
0
25
10/12
45
65
85
周囲温度Ta(℃)
105
125
XC25BS5
シリーズ
●USP-6B パッケージ許容損失
USP-6B パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
1.測定条件(参考データ)
測定条件:基板実装状態
雰囲気:自然対流
実装:Pb フリーはんだ
実装基盤:基板 40mm×40mm(片面 1600mm2)に対して
銅箔面積 表面約 50%−裏面約 50%
放熱板と周りの銅箔接続
基板材質:ガラスエポキシ(FR-4)
板厚:1.6mm
スルーホール:ホール径 0.8mm 4 個
評価基板レイアウト(単位:mm)
2. 許容損失-周囲温度特性
基板実装( Tjmax=125℃)
周囲温度(℃)
25
85
許容損失 Pd (mW)
1000
400
熱抵抗(℃/W)
100.00
Pd-Ta特性グラフ
許容損失Pd(mW
1200
1000
800
600
400
200
0
25
45
65
85
周囲温度Ta(℃)
105
125
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XC25BS5 シリーズ
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ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理店
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ィオ/ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ
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燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事
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トレックスセミコンダクター株式会社
トレックス・セミコンダクター株式会社
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