XC6133 シリーズ
JTR02030-001
センス端子分離 遅延容量外付けタイプ電圧検出器
■概要
XC6133 シリーズは超小型、高精度、センス端子分離、遅延容量外付けタイプ高精度電圧検出器です。CMOS プロセス、高精度基準電源、
レーザートリミング技術の採用により高精度、低消費電流を実現しています。
センス端子と電源入力端子が分離されており、別電源の電圧を監視する事が可能で、監視する電源の電圧が 0V まで低下しても、出力
を検出状態に保持する事が可能です。センス端子は高電圧を検出する場合にも適しており、外付け抵抗で任意の検出、解除電圧を設定
することが可能です。
また遅延回路を内蔵しており Cd/MRB 端子に容量を接続する事によって、任意の解除遅延、検出遅延を持たせることが可能でマニュア
ルリセット端子としても使用可能です。
■用途
■特長
●マイコンのリセット及び誤動作監視
動作温度範囲
動作電圧範囲
検出電圧範囲
検出電圧精度
(Ta=25℃)
●バッテリー電圧の監視
●システムのパワーオンリセット
●停電検出
: -40℃～125℃
: 1.6V～6.0V
: 1.0V～5.0V
: ±18mV (VDF＜1.5V)
: ±1.2% (1.5V≦VDF≦3.0V)
: ±1.5% (3.1V≦VDF≦5.0V)
: ±36mV (VDF＜1.5V)
: ±2.7% (1.5V≦VDF≦3.0V)
: ±3.0% (3.1V≦VDF≦5.0V)
: ±50ppm/℃ (TYP.)
: VDF×5.0％ (TYP.)
: 1.28μA (TYP.) VIN=1.6V (検出時)
: 1.65μA (TYP.) VIN=6.0V (解除時)
: 有り (詳細は機能表参照)
: CMOS or Nch オープンドレイン
: 検出時 H レベル or L レベル
: 解除遅延/検出遅延設定可能
: 時間比は 5 パターン
(詳細はセレクションガイド参照)
: USP-6C,SOT-26
: EU RoHS 指令対応、鉛フリー
検出電圧精度
(Ta=-40～125℃)
検出電圧温度特性
ヒステリシス幅
低消費電流
マニュアルリセット機能
出力形態
出力論理
遅延容量端子付き
パッケージ
環境への配慮
■代表特性例
■代表標準回路
VDD2
VIN=3.3V、VSEN=0.72V→0.88V
Cd=0.1μF、Rp=288kΩ(tDR=20ms)
XC6133C08DMR-G
VDD1
21.0
VR or DCDC
VSEN
Cd/MRB
RESET
SW
Cd
VIN
Rpull(*1)
RESET
RESETB
VSS
µP
RESET
RESETB
INPUT
Release Delay Time : tDR (ms)
20.8
VDD
20.6
20.4
20.2
20.0
19.8
19.6
19.4
19.2
19.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature : Ta (℃)
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XC6133 シリーズ
■ブロック図
(1)XC6133C シリーズ A/B/C/D/L タイプ(RESET OUTPUT:CMOS/Active High)
VSEN
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
M5
+
RA
Rp
-
VREF
M2
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESET
M4
Cd/MRB
RC
M1
VSS
* 上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
(2)XC6133C シリーズ E/F/H/K/M タイプ(RESETB OUTPUT:CMOS/Active Low)
VSEN
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
M5
Rp
+
RA
-
VREF
M2
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESETB
M4
Cd/MRB
RC
M1
VSS
* 上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
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XC6133
シリーズ
■ブロック図
(3)XC6133N シリーズ A/B/C/D/L タイプ(RESET OUTPUT:Nch open drain/Active High)
VSEN
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
Rp
+
RA
-
VREF
M2
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESET
M4
Cd/MRB
RC
M1
VSS
* 上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
(4)XC6133N シリーズ E/F/H/K/M タイプ(RESETB OUTPUT:Nch open drain/Active Low)
VSEN
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
Rp
+
RA
-
VREF
M2
RB
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESETB
M4
Cd/MRB
RC
M1
VSS
* 上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。
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XC6133 シリーズ
■製品分類
●品番ルール
XC6133①②③④⑤⑥-⑦(*1)
DESIGNATOR
ITEM
①
Output Configuration
②③
Detect Voltage
④
TYPE
⑤⑥-⑦(*1)
(*1)
Packages (Order Unit)
SYMBOL
DESCRIPTION
C
CMOS output
N
Nch open drain output
10～50
e.g. 1.0V → ②=1, ③=0
A～M
Refer to Selection Guide
MR-G
SOT-26 (3,000pcs/Reel)
ER-G
USP-6C (3,000pcs/Reel)
“-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品です。
●セレクションガイド
TYPE
RESET/RESETB OUTPUT
A
Active High(*2)
1：0
144kΩ：0Ω
5.0%(TYP)
B
↑
1：0.125
144kΩ：18kΩ
↑
C
↑
1：1
144kΩ：144kΩ
↑
D
↑
2：1
288kΩ：144kΩ
↑
L
↑
0.076：1
11kΩ：144kΩ
↑
E
Low(*2)
1：0
144kΩ：0Ω
↑
1：0.125
144kΩ：18kΩ
↑
F
Active
↑
DELAY(Rp:Rn)
HYSTERESIS
H
↑
1：1
144kΩ：144kΩ
↑
K
↑
2：1
288kΩ：144kΩ
↑
M
↑
0.076：1
11kΩ：144kΩ
↑
(*2)Active
4/28
High は検出時 H レベル、Active Low は検出時 L レベルとなります。
XC6133
シリーズ
■端子配列
●A/B/C/D/L タイプ
Cd/MRB
6
VSS
5
VSEN
4
1 NC
VSEN 6
VSS 5
1
2
3
VIN
RESET
NC
2 RESET
Cd/MRB 4
SOT-26
(TOP VIEW)
3 VIN
USP-6C
(BOTTOM VIEW)
●E/F/H/K/M タイプ
Cd/MRB
6
VSS
5
VSEN
4
1 NC
VSEN 6
VSS 5
1
VIN
2
2 RESETB
Cd/MRB 4
3
3 VIN
RESETB NC
SOT-26
(TOP VIEW)
USP-6C
(BOTTOM VIEW)
*USP-6C の放熱板は実装強度強化および放熱の為、参考マウントパターンと参考メタルマスクでのはんだ付けを推奨しています。
尚、マウントパターンは VSS 端子(5 番端子)へ接続して下さい。
■端子説明
PIN NUMBER
SOT-26
USP-6C
1
3
PIN NAME
FUNCTION
VIN
Power Input
RESETB
Reset Output (Active Low)(*1)
RESET
Reset Output (Active High)(*1)
2
2
3
1
NC
No Connection
4
6
VSEN
Voltage Sense
5
5
VSS
Ground
6
4
Cd/MRB
Adjustable Pin for Delay Time/
Manual Reset
(*1)品番ルール④参照
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XC6133 シリーズ
■機能表
PIN
NAME
SIGNAL
STATUS
L
Forced Reset
H
For details, refer to " Function Chart "
OPEN
Normal Operation
Cd/MRB
●Function Chart
1.6V≦VIN≦6.0Ｖ
VSEN
VSEN≧VDF+VHYS
VSEN≦VDF
VCd/MRB
Transition of VRESET Condition
Transition of VRESETB Condition
TYPE:A/B/C/D/L
TYPE:E/F/H/K/M
Reset (High
VCd/MRB≦VMRL
Level )(*2)
Reset (Low Level)(*1)
Release (Low Level)(*1)
VCd/MRB≧VMRH
Reset (High
VCd/MRB≦VMRL
Release (High Level)(*2)
Level)(*2)
Reset (Low Level)(*1)
Undefined(*3)
VCd/MRB≧VMRH
Undefined(*3)
(*1)
CMOS 出力 : VIN×0.1 以下、Nch オープンドレイン出力 : プルアップ電圧×0.1 以下となります。
(*2)
CMOS 出力 : VIN×0.9 以上、Nch オープンドレイン出力 : プルアップ電圧×0.9 以上となります。
(*3)
詳細は動作説明 P16＜マニュアルリセット機能＞を参照下さい。
■絶対最大定格
Ta=25℃
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNITS
Input Voltage
VIN
-0.3～+7.0
V
VSEN Pin Voltage
VSEN
-0.3～+7.0
Cd/MRB Pin Voltage
Output Voltage
XC6133C(*2)
XC6133N(*3)
Cd/MRB Pin Current
Output Current
Power Dissipation
XC6133C(*2)
XC6133N(*3)
SOT-26
USP-6C
VCd/MRB
VRESETB
VRESET
ICd/MRB
IRBOUT
IROUT
Pd
V
+7.0(*1)
V
-0.3～+VIN+0.3 or +7.0(*1)
V
-0.3～+7.0
V
±5.0
mA
±50
mA
+50
mA
250
mW
100
mW
-0.3～+VIN+0.3 or
Operating Ambient Temperature
Topr
-40～+125
℃
Storage Temperature
Tstg
-55～+125
℃
各電圧定格は VSS を基準とする。
(*1) 最大値は V +0.3 と +7.0 いずれか低い電圧になります。
IN
(*2) CMOS 出力
(*3) Nch オープンドレイン出力
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XC6133
シリーズ
■電気的特性
PARAMETER
SYMBOL
Operating Voltage
VIN
VSEN Input Voltage
VSEN
CONDITIONS
VDF(T)(*1)=1.0V～1.4V
Detect Voltage
VDF
VDF(T)(*1)=1.5V～3.0V
VDF(T)(*1)=3.1V～5.0V
Temperature
Characteristics
Hysteresis Width
∆VDF/
-40℃≦Topr≦125℃
(∆Topr・VDF)
Iss1
VIN=1.6V
VSEN=VDF×0.9V,
VIN=6.0V
VSEN=VDF×1.1V,
Supply Current 2
Iss2
VIN=1.6V
VSEN=VDF×1.1V,
VIN=6.0V
SENSE Resistance
RSEN
Release Delay
Resistance
(TYPE:A/B/C/E/F/H)
Release Delay
Resistance
Rp
(TYPE:D/K)
Release Delay
Resistance
(TYPE:L/M)
Detect Delay
Resistance
(TYPE:C/D/H/K/L/M)
Detect Delay
(TYPE:B/F)
Detect Delay
Time(*4)
TYP.
TYP.
MAX.
UNITS CIRCUIT
MAX.
MIN.
1.6
6.0
1.6
6.0
V
0
6.0
0
6.0
V
VDF(T) VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
-18mV
+18mV -36mV
+36mV
VDF(T) VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
×0.988
×1.012 ×0.973
×1.027
VDF(T) VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
VDF(T)
×1.030
×0.985
×1.015 ×0.970
-
±50
-
-
±50
-
-
1.28
2.65
-
1.28
3.92
-
1.36
2.80
-
1.36
4.22
-
1.32
2.75
-
1.32
4.26
-
1.65
3.25
-
1.65
4.97
E-1(*2)
VIN=6.0V,VSEN=6.0V
E-2(*2)
-
-
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
VCd/MRB=0V
130
144
158
122
144
166
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
VCd/MRB=0V
259
288
317
245
288
331
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
VCd/MRB=0V
8.3
11
18.4
7.6
11
20.0
VIN=6.0V,VSEN=0V,
VCd/MRB=6.0V
130
144
158
122
144
166
VIN=6.0V,VSEN=0V,
VCd/MRB=6.0V
16.8
18
19.1
16.2
18
19.8
20
102
-
20
136
V
V
①
V
ppm/℃
V
µA
②
MΩ
③
kΩ
④
µs
⑤
Rn
Resistance
Release Delay
Time(*3)
MIN.
VDF
VDF
VDF
VDF
VDF
VDF
×0.03 ×0.05 ×0.07 ×0.02 ×0.05 ×0.08
VHYS
VSEN=VDF×0.9V,
Supply Current 1
-40℃≦Ta≦125℃(*5)
Ta=25℃
tDR0
VIN=6.0V,
VSEN=VDF×0.9V→VDF×1.1V
-
tDF0
VIN=6.0V,
VSEN=VDF×1.1V→VDF×0.9V
-
20
82
-
20
116
測定条件:Cd/MRB 端子の規定がない場合、オープンとする。
(*1)
VDF(T):設定検出電圧値。
(*2)
VIN 条件は SPEC TABLE(P.10)を参照下さい。
(*3)
RESETB 品:VSEN 端子電圧が解除電圧に達し、リセット出力端子が 5.4V（VIN×90％）に達するまでの時間。
RESET 品:VSEN 端子電圧が解除電圧に達し、リセット出力端子が 0.6V（VIN×10％）に達するまでの時間。
解除電圧(VDR)=検出電圧(VDF)+ヒステリシス幅(VHYS)
(*4)
RESETB 品:VSEN 端子電圧が検出電圧に達し、リセット出力端子が 0.6V（VIN×10％）に達するまでの時間。
RESET 品:VSEN 端子電圧が検出電圧に達し、リセット出力端子が 5.4V（VIN×90％）に達するまでの時間。
(*5)
-40℃≦Ta≦125℃の規格値は設計値となります。
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XC6133 シリーズ
■電気的特性
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
-40℃≦Ta≦125℃(*7)
Ta=25℃
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
VIN=1.6V
1.9
3.4
-
0.7
3.4
-
VIN=2.0V
4.2
6.0
-
2.0
6.0
-
VIN=3.0V
8.6
10.5
-
4.3
10.5
-
VIN=4.0V
12.7
14.1
-
6.2
14.1
-
VIN=5.0V
15.6
17.0
-
7.3
17.0
-
VIN=6.0V
17.8
19.2
-
8.1
19.2
-
UNITS
CIRCUIT
VSEN=VDF×0.9V,
Nch. VRESETB=0.3V
IRBOUTN
RESETB
Output Current
mA
VSEN=VDF×1.1V,
IRBOUTP
Pch.
VRESETB=VIN-0.3V
VIN=1.6V
-
-1.2
-0.7
-
-1.2
-0.48
VIN=3.0V
-
-3.0
-2.5
-
-3.0
-1.1
VIN=6.0V
-
-4.9
-4.4
-
-4.9
-2.5
VIN=1.6V
1.9
3.4
-
0.7
3.4
-
VIN=2.0V
4.2
6.0
-
2.0
6.0
-
VIN=3.0V
8.6
10.5
-
4.3
10.5
-
VIN=4.0V
12.7
14.1
-
6.2
14.1
-
VIN=5.0V
15.6
17.0
-
7.3
17.0
-
VIN=6.0V
17.8
19.2
-
8.1
19.2
-
VIN=1.6V
-
-1.2
-0.7
-
-1.2
-0.48
VIN=3.0V
-
-3.0
-2.5
-
-3.0
-1.1
VIN=6.0V
-
-4.9
-4.4
-
-4.9
-2.5
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
Nch. VRESETB=6.0V
-
0.01
0.1
-
0.01
1.0
ILEAKP
VIN=6.0V,VSEN=0V,
Pch. VRESETB=0V
-
-0.01
-
-
-0.01
-
ILEAKN(*6)
VIN=6.0V,VSEN=0V,
Nch. VRESET=6.0V
-
0.01
0.1
-
0.01
1.0
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,
Pch. VRESET=0V
-
-0.01
-
-
-0.01
-
VSEN=VDF×1.1V,
Nch. VRESET=0.3V
IROUTN
RESET
Output Current
⑥
mA
VSEN=VDF×0.9V,
Pch. VRESET=VIN-0.3V
IROUTP
RESETB Output
Leakage Current
RESET Output
Leakage Current
ILEAKN(*6)
ILEAKP
µA
測定条件:Cd/MRB 端子がない場合、オープンとする。
(*6)
MAX 値については XC6133N(Nch オープンドレイン出力）の製品が対象となります。
(*7)
-40℃≦Ta≦125℃の規格値は設計値となります。
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XC6133
シリーズ
■電気的特性
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
Cd Pin Sink Current
(TYPE:A/E)
ICd
Cd Pin Threshold
Voltage(Release)
VTCd1
VIN:1.6V～6.0V,
VSEN=0V→VDF×1.1V
Cd Pin Threshold
Voltage(Detect)
VTCd2
VIN:1.6V～6.0V,
VSEN=VDF×1.1V→0V
MRB High Level
Voltage
VMRH
VIN:1.6V～6.0V,
VSEN=VDF×1.1V
VMRL
VIN:1.6V～6.0V,
VSEN=VDF×1.1V
VIN=1.6V,
VCd/MRB=0.5V,
VSEN=0V
-40℃≦Ta≦125℃(*11)
Ta=25℃
MIN.
TYP.
0.92
1.2
MAX.
MIN.
TYP.
0.66
1.2
MAX.
UNITS CIRCUIT
mA
⑦
VIN×0.46 VIN×0.5 VIN×0.54 VIN×0.46 VIN×0.5 VIN×0.54
V
⑧
VIN×0.55
V
VIN
VIN×0.55
VIN
⑨
MRB Low Level
Voltage
MRB Minimum
Pulse Width
tMRIN(*8)
tMRIN(*9)
VIN:Refer to V-1(*10),
VSEN=VDF×1.1V,
Apply pulse from
VDF×1.1V to 0V to the
MRB pin.
0
5.0
-
VIN×0.18
0
-
5.0
VIN×0.18
-
V
µs
32.0
-
-
32.0
-
⑩
-
測定条件:Cd/MRB 端子の規定がない場合、オープンとする。
(*8)
CMOS 出力品の TYPE:A/B/C/D/L/E/F/H/K/M、Nch オープンドレイン品の TYPE:E/F/H/K/M が対象となります。
(*9)
Nch オープンドレイン出力品の TYPE:A/B/C/D/L が対象となります。
(*10)
VIN 条件は SPEC TABLE(P.10)を参照下さい。
(*11)
-40℃≦Ta≦125℃の規格値は設計値となります。
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XC6133 シリーズ
■電気的特性 (SPEC TABLE)
設定電圧別一覧表
NOMINAL
E-1(Ta=25℃)
E-2(-40℃≦Ta≦125℃)
SENSE Resistance(MΩ)
SENSE Resistance(MΩ)
DETECT
VOLTAGE(V)
10/28
V-1
INPUT
VOLTAGE
VDF(T)
MIN.
TYP.
MIN.
TYP.
1.0
4.2
13.5
3.5
13.5
1.6
1.1
4.9
14.9
4.0
14.9
↑
1.2
5.5
16.3
4.5
16.3
↑
1.3
6.1
17.7
4.9
17.7
↑
1.4
6.7
19.1
5.4
19.1
↑
1.5
7.4
20.5
5.8
20.5
VDF×1.1
1.6
8.0
21.8
6.3
21.8
↑
1.7
8.6
23.3
6.7
23.3
↑
1.8
9.2
24.7
7.2
24.7
↑
1.9
9.9
26.0
7.6
26.0
↑
2.0
10.5
27.5
8.1
27.5
↑
2.1
11.1
28.9
8.6
28.9
↑
2.2
18.0
38.3
12.1
38.3
↑
2.3
17.8
37.6
11.9
37.6
↑
2.4
17.5
37.0
11.8
37.0
↑
2.5
17.3
36.5
11.7
36.5
↑
2.6
17.1
36.0
11.5
36.0
↑
2.7
17.0
35.6
11.4
35.6
↑
2.8
16.8
35.2
11.3
35.2
↑
2.9
16.7
34.9
11.2
34.9
↑
3.0
16.5
34.5
11.1
34.5
↑
3.1
16.4
34.2
11.0
34.2
↑
3.2
16.3
34.0
11.0
34.0
↑
3.3
16.2
33.7
10.9
33.7
↑
3.4
16.1
33.5
10.8
33.5
↑
3.5
16.0
33.2
10.8
33.2
↑
3.6
15.9
33.0
10.7
33.0
↑
3.7
15.8
32.8
10.7
32.8
↑
3.8
15.7
32.6
10.6
32.6
↑
3.9
15.7
32.5
10.6
32.5
↑
4.0
15.6
32.3
10.5
32.3
↑
4.1
15.6
32.2
10.5
32.2
↑
4.2
15.5
32.0
10.5
32.0
↑
4.3
15.4
31.9
10.4
31.9
↑
4.4
15.4
31.8
10.4
31.8
↑
4.5
15.3
31.7
10.3
31.7
↑
4.6
15.3
31.5
10.3
31.5
↑
4.7
15.2
31.4
10.3
31.4
↑
4.8
15.2
31.3
10.2
31.3
↑
4.9
15.1
31.2
10.2
31.2
↑
5.0
15.1
30.1
10.2
30.1
↑
(V)
XC6133
シリーズ
■測定回路図
測定回路図①
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
V
VSS
V
測定回路図②
A
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
VSS
測定回路図③
A
VIN
VSEN
RESET
RESETB
Cd/MRB
VSS
測定回路図④
VSEN
A
Cd/MRB
VIN
RESET
RESETB
VSS
*RESET 品は A/B/C/D/L タイプ、RESETB 品は E/F/H/K/M タイプです。
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XC6133 シリーズ
■測定回路図
測定回路図⑤
VSEN
VIN
RESET
RESETB
Cd/MRB
Wave Form Measure Point
VSS
測定回路図⑥
VSEN
VIN
RESET
RESETB
Cd/MRB
A
VSS
測定回路図⑦
VSEN
A
Cd/MRB
VIN
RESET
RESETB
VSS
測定回路図⑧
VSEN
Cd/MRB
V
V
VIN
RESET
RESETB
VSS
*RESET 品は A/B/C/D/L タイプ、RESETB 品は E/F/H/K/M タイプです。
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V
XC6133
シリーズ
■測定回路図
測定回路図⑨
VSEN
Cd/MRB
V
VIN
RESET
RESETB
VSS
V
測定回路図⑩
VSEN
Cd/MRB
VIN
RESET
RESETB
Wave Form Measure Point
VSS
V
*RESET 品は A/B/C/D/L タイプ、RESETB 品は E/F/H/K/M タイプです。
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XC6133 シリーズ
■動作説明
＜基本動作＞
図 1 に代表的な回路例、図 2 に図 1 のタイミングチャートを示します。
VR or DCDC
VSEN
VIN
M3
RSEN=RA+RB+RC
M5
+
RA
Rp
-
VREF
M2
RB
VDD
Rn
DELAY/
MRB
CONTROL
BLOCK
RESETB
M4
Cd/MRB
RESET
SW
M1
RC
Cd
VSS
注：XC6133N シリーズ(Nch オープンドレイン出力)では
出力をプルアップする為のプルアップ抵抗が必要です。
図 1.代表的な回路例(Active Low)
VSEN pin voltage:VSEN(MIN.:0V,MAX.:6.0V)
Release voltage:VDF+VHYS
Detect voltage:VDF
Cd/MRB pin voltage:VCd/MRB(MIN.:VSS,MAX.:VIN)
Cd pin threshold voltage:VTCd1,VTCd2
Output voltage:VRESETB(MIN.:VSS,MAX.:VIN)
ｔDF
①
②
ｔDR
③
④⑤
⑥
図 2.タイミングチャート(VIN=6.0V、Active Low)
①初期状態として VSEN 端子には解除電圧に対して十分に高い電圧(MAX.:6.0V)が印加されており、遅延容量 Cd は電源入力端子電
圧までチャージされているものとします。
VSEN 端子電圧が降下し始め、検出電圧に達するまでの間(VSEN＞VDF)、VRESETB は High レベル(=VIN)となっています。
注：Nch オープンドレイン出力(XC6133N)でプルアップ抵抗を電源入力端子 VIN とは別の電源に接続する場合、High レベルは
プルアップ抵抗を接続している電源の電圧値となります。
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XC6133
シリーズ
■動作説明
②VSEN 端子電圧が降下し続け、検出電圧となった時(VSEN=VDF)、遅延容量ディスチャージ用 Nch トランジスタが ON し、
遅延抵抗 Rn を介して遅延容量 Cd のディスチャージを開始します。
VSEN=VDF から、VRESETB が Low レベルになるまでの時間を検出遅延時間 tDF(Cd/MRB 端子に容量を接続していない場合の検出時間
を tDF0)とします。遅延容量 Cd のディスチャージは VTCd2 の閾値電圧までは遅延抵抗 Rn にてディスチャージしますが VTCd2 の閾値電圧
以下になると内部に内蔵された低インピーダンスのスイッチにて高速にディスチャージします。
③VSEN 端子電圧が検出電圧 VDF 以下の間、遅延容量 Cd はグランドレベルまでディスチャージされ、VSEN 端子が再び上昇し、
解除電圧に達するまでの間(VSEN＜VDF+VHYS)、VRESETB は Low レベルを保持します。
④VSEN 端子電圧が上昇し続け、解除電圧(VDF+VHYS)になった時、遅延容量ディスチャージ用 Nch トランジスタが OFF し、
遅延抵抗 Rp を介して遅延容量 Cd のチャージを開始します。遅延容量 Cd のチャージは VTCd1 の閾値電圧までは遅延抵抗 Rp にてチ
ャージしますが VTCd1 の閾値電圧以上になると内部に内蔵された低インピーダンスのスイッチにて高速にチャージします。
⑤Cd/MRB 端子電圧が VTCd1 になった時、VRESETB は High レベルに変化します。
VSEN=VDF+VHYS から VRESETB の論理が変化するまでの時間を解除遅延時間 tDR(Cd/MRB 端子に容量を接続していない場合の解除時
間を tDR0)とします。
⑥VSEN 端子電圧が検出電圧より高い間(VSEN＞VDF)、VRESETB は High レベルを保持します。
尚、上記は検出時 Active Low 製品を用いての動作説明となります。
Active High 製品の場合は、リセット端子の論理を逆にしてご理解頂きますようお願いします。
＜高電圧検出回路例＞
バッテリー電圧(+B)を R1、R2 抵抗で分圧することで高電圧を検出することが可能です。
高電圧を検出する場合の計算式は以下になります。
回路図は図 3.高電圧検出回路を参照して下さい。
VDF(H)=VDF(T)×{(R1+R2)÷R2}
VHYS(H)=VHYS×{(R1+R2) ÷R2}
VDR(H)=VDF(H)+VHYS(H)
例 1：12V(+B:バッテリー電圧)を検出する場合、R1=220kΩ、R2=20kΩ、VDF(T)=1.0V を使用。
解除電圧 VDR(T)=1.05V(TYP.)、VHYS=VDR(T)-VDF(T)=0.05V(TYP.)となり IC 内部で設定されています。
VDF(H)=12.0V
VHYS(H)=0.6V
VDR(H)=12.6V
(注 1)VDF(H)は外調後の検出電圧
(注 2)VHYS(H)は外調後のヒステリシス幅
(注 3)VDR(H)は外調後の解除電圧
(注 4)VDF(T)は検出電圧
(注 5)VHYS は IC 内部のヒステリシス幅
(注 6)VDR(T)は解除電圧
(注 7)R2 抵抗は内部 RSEN 抵抗と並列になるため、外調後の検出電圧と解除電圧の精度を上げるためには RSEN 抵抗に対して十分小
さい値にして下さい。RSEN 抵抗値は SPEC TABLE(P.10)を参照して下さい。
(注 8)高電圧を検出する場合、VSEN 端子≦6V になるように R1、R2 の抵抗で分圧して下さい。
+B
VDD
VIN
R1
Rpull(*1)
VSEN
RESET
RESETB
R2
GND
RESET
SW
Cd/MRB
VSS
図 3.高電圧検出回路
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XC6133 シリーズ
■動作説明
＜解除遅延時間/検出遅延時間＞
解除遅延時間と検出遅延時間は遅延抵抗(Rp と Rn)及び遅延容量 Cd で決まります。
遅延抵抗(Rp と Rn)の比率は 5 種類から選択可能です。遅延時間は遅延抵抗と遅延容量値の組み合わせにて調整する
事が出来ます(セレクションガイド参照)。
解除遅延時間(tDR)は、式(1)により算出されます。
tDR=Rp×Cd×{-ln(1-VTCd1/VIN)}+tDR0 …(1)
* ln は自然対数
遅延容量端子閾値電圧 VTCd1=VIN/2(TYP.)となっておりますので、
tDR0 が無視できる時、簡易的には式(2)で算出する事が可能です。
tDR=Rp×Cd×[-ln{1-(VIN/2)/VIN}]=Rp×Cd×0.693 …(2)
検出遅延時間(tDF)は、式(3)により算出されます。
tDF=Rn×Cd×{-ln(VTCd2/VIN)}+tDF0 …(3)
* ln は自然対数
遅延容量端子閾値電圧 VTCd2=VIN/2(TYP.)となっておりますので、
tDF0 が無視できる時、簡易的には式(4)で算出する事が可能です。
tDF=Rn×Cd×{-ln(VIN/2)/VIN}=Rn×Cd×0.693 …(4)
例 2：タイプ A を選択した場合(Rp：Rn=144kΩ：0Ω)以下の遅延時間となります。
Cd を 0.1uF とした場合、
tDR=144×103×0.1×10-6×0.693=10ms
tDF は遅延容量 Cd を接続していない場合の検出遅延時間(tDF0)となります。
例 3：タイプ B を選択した場合(Rp：Rn=144kΩ：18kΩ)以下の遅延時間となります。
Cd を 0.1uF とした場合、
tDR=144×103×0.1×10-6×0.693=10ms
tDF=18×103×0.1×10-6×0.693=1.25ms
(注 9)例 2、例 3 の解除遅延時間 tDR は式(2)より求めた計算値となります。
(注 10)例 3 の検出遅延時間 tDF は式(4)より求めた計算値となります。
(注 11)遅延時間は遅延容量 Cd の実容量値により変わるのでご注意下さい。
＜マニュアルリセット機能＞
Cd/MRB 端子はマニュアルリセット端子としても使用可能です。
図 1 の様に Cd/MRB 端子に遅延容量 Cd とリセットスイッチをつけた状態で解除時にリセットスイッチを ON すると強制的にリセット出
力端子の信号を検出状態にすることができます。
解除時にリセットスイッチを ON すると、RESETB 端子は検出遅延時間後に H→L レベル信号を出力します
(RESETB：Active Low タイプ)。
解除時にリセットスイッチを ON すると、RESET 端子は検出遅延時間後に L→H レベル信号を出力します
(RESET：Active High タイプ)。
検出時にリセットスイッチを ON/OFF してもリセット出力端子は検出状態を保持します。
リセットスイッチを使用せずに Cd/MRB 端子に MRB H レベルまたは MRB L レベルの電圧を印加して使用する場合、
図 4 のタイミングチャートの動作となります。
検出時に MRB L レベルの電圧を印加した場合リセット出力端子は検出状態を保持します。
検出時に MRB H レベルの電圧を印加した場合リセット出力端子は不定となります。
VSEN 端子電圧を解除状態から検出状態に推移しても MRB 端子電圧が H レベルである場合、リセット信号は解除状態を維持し、
Cd/MRB 端子電圧が Cd 端子の閾値電圧(VTCd)まで解除状態を保持します。
遅延容量 Cd を接続した状態で Cd/MRB 端子に外部からＨまたはＬ信号を入力しても遅延時間はつきません。
Release voltage:VDF+VHYS
Detect voltage:VDF
VSEN pin voltage:VSEN（MIN.:0V,MAX.:6.0V)
MRB High level voltage:VMRH
Cd pin threshold voltage:VTCd
MRB Low level voltage:VMRL
Cd/MRB pin voltage:VCd/MRB (MIN.:VSS ,MAX.:VIN)
Release voltage:VDF+VHYS
Detect voltage:VDF
Undefined
Output voltage:VRESETB
(MIN.:VSS,MAX.:VIN(CMOS),Vpull(Nch open drain))
図 4.Cd/MRB 端子によるマニュアルリセット動作(VIN=6.0V、Active Low)
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XC6133
シリーズ
■使用上の注意
1) 一時的、過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現象について、絶対最大定格を超える場合には、劣化または破壊する可能性があります。
2) 電源-電源入力端子間の抵抗成分と IC 動作時の貫通電流により電源入力端子電圧が降下します。
CMOS 出力の場合、出力電流でも同様に電源入力端子電圧の降下が起こります。
この時、電源入力端子電圧が最低動作電圧を下回ると誤動作の原因となります。
3) 電源入力端子電圧が急峻かつ大きく変動すると誤動作を起こす可能性がありますのでご注意下さい。
4) 電源ノイズは誤動作の原因となる事がありますので、VIN-GND 間に容量を挿入するなど実機での評価を十分にして下さい。
5) VSEN 端子の抵抗値が高い場合発振する可能性がありますので、監視するノードと VSEN 端子間の抵抗は 1MΩ以下でご使用下さい。
6) VIN と VSEN を共通に立ち上げた場合、VIN が動作電圧に達するまで出力は不定となりますのでご注意下さい。
7) マニュアルリセットをかける際に、リセットスイッチを使用せずに Cd/MRB 端子に MRB H レベルまたは MRB L レベルの電圧を印加
して使用する場合、以下の事項にご注意下さい。
検出時に MRB H レベルの電圧を印加した場合、リセット出力端子は不定となります。
また VSEN 端子電圧と Cd/MRB 端子電圧のタイミングによっては出力が不定になる場合がありますのでご注意下さい。
8) Nch オープンドレイン出力の時、出力端子に接続するプルアップ抵抗によって検出時と解除時の VRESETB 電圧が決まります。
以下の事柄を参照して抵抗値を選択して下さい。
【検出時】
VRESETB=Vpull/(1+Rpull/RON)
Vpull：プルアップ先の電圧
RON(*1)：Nch ドライバーM4 の ON 抵抗 (電気的特性より、VRESETB/IRBOUTN から算出)
計算例)VIN=2.0V 時(*2)RON=0.3/(4.2×10-3)=71.4Ω (MAX.)となり、Vpull が 3.0V で検出時の VRESETB を
0.1V 以下に設定する場合、
Rpull={(Vpull/VRESETB)-1}×RON={(3/0.1)-1}×71.4≒2.1kΩ になるため上記条件で
検出時の出力電圧を 0.1V 以下にする為には、プルアップ抵抗を 2.1kΩ 以上にする必要があります。
(*1)V が小さいほど R
IN
ON は大きくなりますのでご注意下さい。
(*2)V の選択はご使用になる入力電圧の範囲での最低値で計算して下さい。
IN
【解除時】
VRESETB=Vpull/(1+Rpull/Roff)
Vpull：プルアップ先の電圧
Roff：Nch ドライバーM4 の OFF 時抵抗値 (電気的特性より、VRESETB/ILEAKN から算出)
計算例)Vpull が 6.0V 時 Roff=6/(0.1×10-6)=60MΩ (MIN.)となり、VRESETB を 5.99V 以上にする場合
Rpull={(Vpull/VRESETB)-1}×Roff={(6/5.99)-1}×60×106≒100kΩ になるため上記条件で
解除時の出力電圧を 5.99V 以上にする為にはプルアップ抵抗を 100kΩ以下にする必要があります。
9) 検出時における遅延容量 Cd の放電時間が短く、遅延容量 Cd をグランドレベルまでディスチャージできない場合、
次の解除動作では遅延容量 Cd に電荷が残っている状態で充電となる為、解除遅延時間が著しく短くなる事があります。
10) 解除時における遅延容量 Cd の充電時間が短く、遅延容量 Cd を VIN レベルまでチャージできない場合、
次の検出動作では遅延容量 Cd が VIN レベル未満から放電となる為、検出遅延時間が著しく短くなる事があります。
11) 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のためにフェールセーフとなる設計および
エージング処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします。
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XC6133 シリーズ
■特性例
(1) Detect, Release Voltage vs. Ambient Temperature
XC6133 (VDF(T)=1.0V)
XC6133 (VDF(T)=5.0V)
VIN=6.0V
VIN=6.0V
5.40
Detect, Release Voltage : VDF, VDR (V)
Detect, Release Voltage : VDF, VDR (V)
1.10
VDR
1.05
1.00
VDF
0.95
5.30
5.20
VDR
5.10
5.00
VDF
4.90
0.90
4.80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
Ambient Temperature : Ta (℃)
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature : Ta (℃)
(2) Output Voltage vs Sense Voltage
XC6133x50A (VDF(T)=5.0V)
XC6133x10A (VDF(T)=1.0V)
VIN=6.0V
TYPE : A/B/C/D/L
7
6
6
OutPut Voltage : VRESET (V)
OutPut Voltage : VRESET (V)
VIN=6.0V
TYPE : A/B/C/D/L
7
5
4
3
Ta=-40℃
2
Ta=25℃
1
5
4
3
Ta=-40℃
2
Ta=25℃
1
Ta=125℃
Ta=125℃
0
0
0
1
2
3
4
5
0
6
1
2
3
4
5
6
VSEN pin Voltage : VSEN(V)
VSEN pin Voltage : VSEN(V)
(3) Supply Current vs. Ambient Temperature
XC6133
XC6133
VSEN=VDF×0.9V
2.0
VIN=6.0V
1.5
VIN=1.6V
1.0
2.0
VIN=6.0V
1.5
VIN=1.6V
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature : Ta (℃)
18/28
VSEN=VDF×1.1V
2.5
Supply Current2 : ISS2 (μA)
Supply Current1 : ISS1 (μA)
2.5
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature : Ta (℃)
100
125
150
XC6133
シリーズ
■特性例
(4) Supply Current vs. Input Voltage
XC6133
XC6133
VSEN=VDF×0.9V
2.5
2.0
1.5
1.0
Ta=-40℃
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
2.0
1.5
1.0
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=125℃
Ta=125℃
0.0
2.5
0.5
Ta=25℃
0.0
VSEN=VDF×1.1V
3.0
Supply Current2 : ISS2 (μA)
Supply Current1 : ISS1 (μA)
3.0
0.0
5.0
6.0
0.0
1.0
2.0
Input Voltage : VIN (V)
4.0
5.0
6.0
Input Voltage : VIN (V)
(5) Sense Resistance vs Ambient Temperature
(6) Delay Resistance vs Ambient Temperature
XC6133
XC6133 (VDF(T)=1.0V)
TYPE : L/M
15.0
Release Delay Resistance : Rp (kΩ)
30
Sence Resistance : RSEN (MΩ)
3.0
25
20
15
10
5
14.5
14.0
13.5
13.0
12.5
12.0
11.5
11.0
10.5
0
10.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
150
-25
0
XC6133
50
75
100
125
150
XC6133
TYPE : A/B/C/E/F/H
155
150
145
140
135
130
125
120
TYPE : D/K
300
Release Delay Resistance : Rp (kΩ)
160
Release Delay Resistance : Rp (kΩ)
25
Ambient Temperature : Ta (℃)
Ambient Temperature : Ta (℃)
295
290
285
280
275
270
265
260
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature : Ta (℃)
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature : Ta (℃)
19/28
XC6133 シリーズ
■特性例
(6) Delay Resistance vs Ambient Temperature (Continued)
XC6133
XC6133
TYPE : B/F
19.5
19.0
18.5
18.0
17.5
17.0
16.5
16.0
TYPE : C/D/H/K/L/M
160
Detect Delay Resistance : Rn (kΩ)
Detect Delay Resistance : Rn (kΩ)
20.0
155
150
145
140
135
130
125
15.5
15.0
120
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
Ambient Temperature : Ta (℃)
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature : Ta (℃)
(7) Delay Time vs Ambient Temperature
XC6133
XC6133
VIN=6.0V
VSEN=VDF×0.9V→VDF×1.1V
Cd=OPEN
45
50
Detect Delay Time : tDF0 (μs)
Release Delay Time : tDR0 (μs)
50
40
35
30
25
20
15
VIN=6.0V
VSEN=VDF×1.1V→VDF×0.9V
Cd=OPEN
45
40
35
30
25
20
15
10
10
5
5
0
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
Ambient Temperature : Ta (℃)
VSEN=0V
VHYS=0.3V
100
125
150
VIN=3.0V
10
VIN=1.6V
VSEN=0V
VHYS=0.3V
30
Hysteresis Output Current : IHYSOUT (mA)
Hysteresis Output Current : IHYSOUT (mA)
VIN=6.0V
20
25
20
15
10
Ta=-40℃
5
Ta=25℃
Ta=125℃
0
0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature : Ta (℃)
20/28
75
XC6133
30
5
50
(9) Hysteresis Output Current vs Input Voltage
XC6133
15
25
Ambient Temperature : Ta (℃)
(8) Hysteresis Output Current vs Ambient Temperature
25
0
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
Input Voltage : VIN (V)
4.0
5.0
6.0
XC6133
シリーズ
■特性例
(10) Hysteresis Output Leakage Current vs Ambient Temperature
(11) RESET Output Current vs Ambient Temperature
XC6133xxxA
XC6133
VIN=6.0V
VSEN=6.0V
VHYS=6.0V
VSEN=VDF×1.1V
VRESET=0.3V
30
0.45
RESET Output Current : IROUTN (mA)
Hysteresis Output Leakege Current : IHYSLEAK (μA)
0.50
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
VIN=6.0V
25
20
VIN=3.0V
15
10
VIN=1.6V
5
0.05
0.00
0
25
50
75
100
125
-50
150
-25
0
Ambient Temperature : Ta (℃)
(11) RESET Output Current vs Ambient Temperature (Continued)
50
75
100
125
150
(12) RESET Output Current vs Input Voltage
XC6133CxxA
XC6133xxxA
VSEN=VDF×0.9V
VRESET=VIN-0.3V
0.0
VSEN=VDF×1.1V
VRESET=0.3V
30
VIN=1.6V
-1.0
RESET Output Current : IROUTN (mA)
RESET Output Current : IROUTP (mA)
25
Ambient Temperature : Ta (℃)
-2.0
VIN=3.0V
-3.0
-4.0
VIN=6.0V
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
25
20
15
10
Ta=-40℃
5
Ta=25℃
Ta=125℃
0
0.0
150
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Input Voltage : VIN (V)
Ambient Temperature : Ta (℃)
(13) RESET Output Leakage Current vs Ambient Temperature
XC6133CxxA
XC6133
0.0
RESET Output Current : IROUTP (mA)
-1.0
RESET Output Leakege Current : ILEAK (μA)
VSEN=VDF×0.9V
VRESET=VIN-0.3V
Ta=-40℃
Ta=25℃
-2.0
Ta=125℃
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
0.0
1.0
2.0
3.0
Input Voltage : VIN (V)
4.0
5.0
6.0
VIN=6.0V
VSEN=0V
VRESET=6.0V
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature : Ta (℃)
21/28
XC6133 シリーズ
■特性例
(14) Cd Pin Sink Current vs Ambient Temperature
(15) Cd Pin Sink Current vs Input Voltage
XC6133
XC6133
VSEN=0V
VCd/MRB=0.5V
VIN=6.0V
3.0
3.0
2.5
2.0
VIN=3.0V
1.5
1.0
VIN=1.6V
2.5
2.0
1.5
Ta=25℃
0.5
0.0
0.0
-25
0
25
50
75
100
125
Ta=-40℃
1.0
0.5
-50
VSEN=0V
VCd/MRB=0.5V
3.5
Cd Pin Sink Current :ICd (mA)
Cd Pin Sink Current :ICd (mA)
3.5
Ta=125℃
1.5
150
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Input Voltage : VIN (V)
Ambient Temperature : Ta (℃)
(16) Cd Pin Threshold Voltage vs Ambient Temperature
XC6133
XC6133
VSEN=0V→VDF×1.1V
3.0
2.5
VIN=6.0V
2.0
1.5
VIN=1.6V
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
VSEN=VDF×1.1V→0V
3.5
Cd Pin Threshold Voltage (Detect) :VTCd2 (V)
Cd Pin Threshold Voltage (Release) :VTCd1 (V)
3.5
3.0
VIN=6.0V
2.5
2.0
1.5
VIN=1.6V
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
Ambient Temperature : Ta (℃)
(17) MRB High Level Threshold Voltage vs Ambient Temperature
75
100
125
150
XC6133
VSEN=VDF×1.1V
VCd/MRB=0V→6.0V
3.0
VIN=6.0V
2.5
2.0
1.5
VIN=1.6V
1.0
0.5
0.0
VSEN=VDF×1.1V
VCd/MRB=6.0V→0V
1.4
MRB Low Level Voltage : VMRL (V)
3.5
MRB High Level Voltage :VMRH (V)
50
(18) MRB Low Level Threshold Voltage vs Ambient Temperature
XC6133
1.2
1.0
VIN=6.0V
0.8
0.6
VIN=1.6V
0.4
0.2
0.0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature : Ta (℃)
22/28
25
Ambient Temperature : Ta (℃)
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature : Ta (℃)
100
125
150
XC6133
シリーズ
■外形寸法図
●SOT-26 パッケージ寸法 (unit:mm)
2.9±0.2
+0.1
0.4 -0.05
+0.1
0.4 -0.05
6
5
4
2
0.2MIN
3
+0.1
0.15 -0.05
(0.95)
1.1±0.1
(0.95)
1.3MAX
1
1.6
1234
+0.2
-0.1
2.8±0.2
0～0.1
●SOT-26 参考パターンレイアウト (unit:mm)
1.0
2.4
0.7
0.95
0.95
23/28
XC6133 シリーズ
■外形寸法図
●UPS-6C パッケージ寸法 (unit:mm)
●USP-6C 参考パターンレイアウト (unit:mm)
24/28
●USP-6C 参考メタルマスクデザイン
XC6133
シリーズ
●SOT-26 パッケージ許容損失(Toprmax+125℃)
SOT-26 パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
1.測定条件 (参考データ)
定条件： 基板実装状態
雰囲気：
実装：
実装基板：
40.0
28.9
自然対流
Pb フリーはんだ
基板 40mm×40mm(片面 1600mm2)に対して
銅箔面積 表面 約 50%-裏面 約 50%
（SOT26 基板を共用）
板厚：
ｽﾙｰﾎｰﾙ：
ガラスエポキシ(FR-4)
1.6mm
ホール径 0.8mm 4 個
1.4
2.54
2.5
基板材質：
40.0
28.9
放熱板と周りの銅箔接続
評価基板レイアウト(単位:mm)
2.許容損失-周囲温度特性
基板実装 (Tjmax=125℃)
周囲温度 (℃)
許容損失 Pd (mW)
25
600
85
240
熱抵抗 (℃/W)
166.67
許容損失Pd（mW）
Pd-Ta特性グラフ
700
600
500
400
300
200
100
0
25
45
65
85
周囲温度Ta（℃）
105
125
25/28
XC6133 シリーズ
●USP-6C パッケージ許容損失(Toprmax+125℃)
USP-6C パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
1.測定条件 (参考データ)
定条件： 基板実装状態
雰囲気：
実装：
実装基板：
自然対流
Pb フリーはんだ
基板 40mm×40mm(片面 1600mm2)に対して
銅箔面積 表面 約 50%-裏面 約 50%
放熱板と周りの銅箔接続
基板材質：
板厚：
ｽﾙｰﾎｰﾙ：
ガラスエポキシ(FR-4)
1.6mm
ホール径 0.8mm 4 個
2.許容損失-周囲温度特性
評価基板レイアウト(単位:mm)
基板実装 (Tjmax=125℃)
26/28
周囲温度 (℃)
許容損失 Pd (mW)
25
1000
85
400
熱抵抗 (℃/W)
100.00
XC6133
シリーズ
■マーキング
SOT-26
6
5
2
③
⑤
②
④
①
③
1
⑤
②
4
④
①
USP-6C
3
1
2
5
4
3
マーク①
製品シリーズ範囲を表す。
シンボル
X
6
品名表記例
XC6133******-G
* XC6133 シリーズのマーク①は共通のシンボルにて連番を取得する。
マーク②,③
登録連番を表す。
連番ルール
連番は 01、…、09、10、…、99、A0、…、A9、B0、…、B9、…、Z9… を順番とする。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。)
マーク④,⑤
製造ロットを表す。
01～09、0A～0Z、11･･･9Z、A1～A9、AA･･･Z9、ZA～ZZ を繰り返す。
(但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。)
* マーク②,③は、マーク①を基準として、製品名（フル品番）を表す。
27/28
XC6133 シリーズ
1.
本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更するこ
とがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理店へお問
い合わせ下さい。
2.
本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業所有
権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。
3.
本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーディオ
／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュータおよび
その周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。
4.
本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅かす恐
れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼制
御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事前に当社
へご連絡下さい。
5.
当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のためにフェ
ールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお
願いします。
6.
保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社では
責任を負いかねますので、ご了承下さい。
7.
本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。
トレックス・セミコンダクター株式会社
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