RGL1A RGL1M

RGL1A ... RGL1M
RGL1A ... RGL1M
Fast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Schnelle Silizium-Gleichrichter für die Oberflächenmontage
Version 2005-11-12
Nominal current – Nennstrom
1A
1.6
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
0.4
Plastic case MiniMELF
Kunststoffgehäuse MiniMELF
DO-213AA
0.4
3.5
Weight approx. – Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Marking:
1. red ring denotes “cathode” and “fast switching rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung:
1. roter Ring kennzeichnet “Kathode” und “schnelle Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
2. Cathode ring
2. Kathodenring
RGL1A
50
50
gray / grau
RGL1B
100
100
red / rot
RGL1D
200
200
orange / orange
RGL1G
400
400
yellow / gelb
RGL1J
600
600
green / grün
RGL1K
800
800
blue / blau
RGL1M
1000
1000
violet / violett
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
1 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
22/25 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
2.5 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
RGL1A ... RGL1M
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
trr
trr
trr
< 150 ns
< 250 ns
< 500 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 75 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 40 K/W
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über RGL1A...G
IR = 1 A to IR = 0.25 A RGL1J
RGL1K...M
10
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
1
80
Tj = 25°C
60
10
-1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
TA
50
100
150
[°C]
0.4
1
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
2
10a-(0.5a-1.2v)
-3
0
10
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG