DB35-005 DB35-16

DB35-005 ... DB35-16
DB35-005 ... DB35-16
Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers
Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter
Version 2014-06-24
Nominal current
Nennstrom
10
_
+
24.3±0.2
Ø 5.2
28.5±0.2
±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
0.8
=
Plastic case with alu bottom
Plastikgehäuse mit Alu-Boden
6.3
16
±0.2
Type
=
21.6±1
35 A
50...1600 V
28.5 x 28.5 x 10 [mm]
Fast-on 1)
Terminals
Anschlüsse
Weight approx. – Gewicht ca.
21 g
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 2)
DB35-005
35
50
DB35-01
70
100
DB35-02
140
200
DB35-04
280
400
DB35-06
420
600
DB35-08
560
800
DB35-10
700
1000
DB35-12
800
1200
DB35-14
900
1400
DB35-16
1000
1600
1
2
Solderable per MIL-STD-202, Method 208, terminal temperature not exceeding 260°C
Lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208, Temperatur der Anschlussdrähte nicht höher als 260°C
Valid per diode – Gültig pro Diode
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DB35-005 ... DB35-16
Maximum ratings
Grenzwerte
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
120 A 1)
Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
450 A
Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
500 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1000 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
35 A
35 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 17.5 A
VF
< 1.05 V 2)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 25°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 10 µA
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
> 2500 V
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 1.8 K/W
10-32 UNF
M5
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
DB35-005 ... DB35-04
DB35-06 ... DB35-16
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
120
10
3
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10
450a-(17a-1,05v)
-1
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG