US2A ... US2M US2A ... US2M Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2012-10-09 Nominal current – Nennstrom 2.2± 0.2 2.1± 0.1 5.4± 0.5 0.15 Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMB ~ DO-214AA Weight approx. – Gewicht ca. 2 3.7± 0.3 1.1 2A ± 0.5 4.6 Dimensions - Maße [mm] 0.1 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] US2A 50 50 US2B 100 100 US2D 200 200 US2G 400 400 US2J 600 600 US2K 800 800 US2M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 2A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj 1 TS 12.5 A2s -50...+150°C -50...+150°C Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 US2A ... US2M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] US2A...US2D < 50 < 1.0 2 US2G < 50 < 1.25 2 US2J...US2M < 75 < 1.7 2 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 200 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 50 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL < 15 K/W 10 120 [%] [A] 100 US2A...D 1 US2G 80 US2J...M 60 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10 0 TT 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 2 Tj = 25°C -3 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG