DBI30-04B ... DBI30-16B DBI30-04B ... DBI30-16B Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter Version 2013-06-26 35 ±0.2 ±0.2 5.5 ±0.2 4.0 ±0.2 25±0.2 16 35 x 25 x 4 [mm] Pinning – Anschlussfolge 1.5 2.0 400...1600 V Plastic case – Plastikgehäuse -0.3 4 16.5 40 A (85°C) 30 A (105°C) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Type 3.5 Nominal current Nennstrom 1.3 4 1.0 ±0.2 0.5 4x7.5 Dimensions - Maße [mm] + ~~~ - Weight approx. – Gewicht ca. 9g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Features Vorteile Solderable terminals for (automatic) PCB assembly Enlarged creepage and clearance for direct heatsink assembly Lötbare Anschlüsse für (automatisierte) Leiterplattenmontage Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für direkte Kühlkörpermontage Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspg. VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspg. VRRM [V] 1) Surge peak reverse volt. Stoßpitzensperrspannung VRSM [V] 1) DBI30-04B 280 400 500 DBI30-08B 560 800 900 DBI30-12B 800 1200 1300 DBI30-16B 1000 1600 1700 Max. current without cooling – Dauergrenzstrom ohne Kühlung TA = 50°C IFAV 4.0 A 2) Max. current mounted on heatsink Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage (R or C load) TC TC TC TC IFAV IFAV IFAV IFAV 40 30 15 6 Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 74 A 2) Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 370/390 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t = = = = 85°C 105°C 130°C 145°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Operating temperature – Betriebstemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj Top TS A A A A 680 A2s -50...+175°C 150°C -50...+150°C Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DBI30-04B ... DBI30-16B Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 30 A VF < 1.2 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 150°C VR = VRRM IR IR < 5 µA 1) < 1500 µA 1) Isolation voltage terminals to case – Isolationsspg. Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resist. junction to ambient – Wärmewiderst. Sperrschicht – Umgebung RthA < 50 K/W 1) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 4.3 K/W 1) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.7 K/W 2) Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment M4 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm 120 3 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 350a-(12.5a-1,05v) -1 0 TC 100 50 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 100 [%] 10 Zth Rth 1 10-4 [s] 10-3 10-2 10-1 1 [tp] Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 1 2 2 10 Valid per diode – Gültig pro Diode Valid per device – Gültig pro Bauteil http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG