TVS diodes - Überspannungs-Schutzdioden unidirektional – bidirektional Through-hole mount - Bedrahtete Ausführung Typ Type Referencevoltage Bezugsspg. VBR / VWM DO-15 6.3 Ø 0.8 DO-201 Ø3 Stand-off: 5.8 V ... 376 V P4KE6.8... P4KE440CA Break down: 6.8 V ... 440 V BZW06-5V8... BZW06-376B Stand-off: 5.8 V ... 376 V P6KE6.8... P6KE440CA Break down: 6.8 V ... 440 V 1.5KE6.8... 1.5KE440CA Break down: 6.8 V ... 440 V 5KP5.0... 5KP110A Stand-off: 5.0 V ... 110 V 400 600 1500 5000 10000 7.5 Ø 1.2 P600 BZW04-5V8... BZW04-376B Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung PPPM [W] Ø 4.5 7.5 Ø 1.2 Ø8 Ø 12.75 +0.05 /-0.02 Ø 11 BYZ35A22... BYZ35A37 ±0. 1 BYZ35K22... BYZ35K37 Break-down: 22 V ... 37 V unidirectional only nur unidirektional Ø 13 ±0.05 BYZ50A22... BYZ50A37 10.7 ±0.2 ±0.2 1.3 5 Press-Fit BYZ50K22... BYZ50K37 Break down: 22 V ... 37 V 02.12 Diotec Notes What is a TVS diode? Was ist eine Überspannungs-Schutz-Diode? Transient voltage suppressor diodes (TVS diodes) are purpose-designed silicon devices to protect electronic circuits. They are intended for data processing, medical equipment, telecommunication, power supply and general applications where permanent damage could otherwise be caused to integrated circuits, MOS-devices, hybrides and other components by surges deriving from lightning, electrostatic discharges, inductive switching, load dumping etc. TVS diodes are avalanche devices in both uni-directional and bi-directional configurations. With uni-directional, the specific clamping characteristic is only apparent in one direction, the other direction exhibiting a forward characteristic like a conventional rectifier. Überspannungs-Schutz-Dioden (TVS-Dioden) wurden speziell dafür entwickelt, elektronische Schaltungen zu schützen. Sie werden eingesetzt in Datenverarbeitung und Telekommunikation, in medizinischen Geräten und Bordnetzen sowie in allen Schaltungen mit IC’s und MOS-Bauelementen, Hybriden und anderen Komponenten, die durch Spannungsspitzen erzeugt von Blitzen, elektrostatischen Entladungen, Lastwechseln und induktiven Schaltvorgängen geschädigt werden können. TVS Dioden sind Avalanche-Elemente in uni- und bidirektionaler Ausführung. Unidirektionale Dioden zeigen die Begrenzereigenschaft nur in einer Richtung, während die andere der Durchlaßkurve eines konventionellen Gleichrichters entspricht. Unidirektionale Charakteristik Bidirektionale Charakteristik Transient voltage suppressor diodes are normally connected in parallel with the equipment that they are intended to protect. Under non-surge conditions they exhibit a high impedance such that normal operation of the circuit is un-affected. In the presence of surges however, they enter an avalanche mode of operation so as to shunt the destructive energy of the surge away from the sensitive equipment. Überspannungs-Schutz-Dioden werden normalerweise parallel zu den Schaltungen gelegt, die sie schützen sollen. Im ungestörten Betrieb stellen sie eine hohe Impedanz dar, die die normale Funktion des Gerätes nicht beeinflußt. Sobald Spannungsspitzen auftreten, werden diese durch die Avalanche-Charakteristik der Dioden begrenzt und die schädliche Energie abgeleitet. The peak pulse power dissipation of TVS families is normally specified with a current pulse of 10/1000Ws waveform (10Ws rise to peak and 1000Ws exponential decay to one-half peak). Power rating is derived from the product of the peak pulse current IPPM and the clamping voltage VC. Die Impuls-Verlustleistung von TVS-Diodenfamilien wird normalerweise mit einem 10/1000Ws-Strom-Impuls spezifiziert (10Ws Anstiegszeit - 1000Ws Abfallzeit bis zur Hälfte des Spitzenwertes). Der Wert errechnet sich aus dem Impulsstrom IPPM multipliziert mit der Clampingspannung VC. Diotec Notes Type numbers of TVS diodes Typenbezeichnung der TVS-Dioden The type numbers of TVS diodes are based on different numbering systems: Die Kennzeichnungen der Überspannungs-Schutz-Dioden erfolgt nach unterschiedlichen Kriterien: Part number based on the breakdown voltage VBR: P4KE... , P6KE..., 1.5KE..., BYZ35..., BYZ50..., TGL34..., TGL 41..., SDA2AK, SDA4AK The part number is based on the nominal breakdown voltage VBR. The limiting values meet ± 5% resp. ± 10% of this value. In addition to that, Diotec specifies the max. stand.off voltage for each type. Kennzeichnung nach der Abbruchspannung VBR: P4KE... , P6KE..., 1.5KE..., BYZ35..., BYZ50..., TGL34..., TGL 41..., SDA2AK, SDA4AK Die Typenbezeichnung gibt den Nominalwert der Abbruchspannung VBR an. Die Grenzwerte betragen ± 5% bzw. ± 10% dieses Wertes. Dazu spezifiziert Diotec den Wert der max. Abbruchspannung für jeden Typ. Part number based on the stand-off voltage VWM: BZW04..., BZW06..., 5KP..., P4AMAJ..., P6SMBJ..., 1.5SMCJ..., The part number is based on the maximum stand-off voltage VWM. The corresponding breakdown voltage is specified as well, its tolerance referres however not to the nominal but to the minimum value. Kennzeichnung nach der Sperrspannung VWM: BZW04..., BZW06..., 5KP..., P4AMAJ..., P6SMBJ..., 1.5SMCJ..., Die Typenbezeichnung gibt den Maximalwert der jeweiligen Sperrspannung VWM an. Die zugehörige Abbruchspannung wird ebenfalls spezifiziert, ihre Toleranz bezieht sich jedoch nicht auf den Nominal- sondern auf den Minimalwert. Type / Typ Production max. VWM min. VBR VC bei/at IPPM P6SMBJ8.5A Diotec 8.5 9.4 14.4 41.7 P6SMB10A Motorola 8.55 9.5 14.5 41 SMBJ8.5A Microsemi 8.5 9.44 14.4 41.7 SM6T10A ST / SGS-Thomson 8.55 9.5 14.5 41 Cross referencing is also required in converting from through-hole to surface mount technology Eine Umschlüsselung ist erforderlich bei der Umstellung von Durchsteck- auf Oberflächenmontage 1.5KE68A Diotec 58.1 64.6 92 17 1.5SMCJ58A Diotec 58 64.4 93.6 16 Selecting and cross referencing of TVS devices Auswahl und Vergleich von TVS-Dioden Following parameters have to be checked when selecting or cross referencing TVS diodes: Zur Dimensionierung bzw. Typenvergleich von TVS-Dioden sind folgende Paramter zu beachten: 1. Peak pulse power dissipation PPPM at given current pulse IPP, (eg. 10/1000Ws or 8/20Ws waveform). 2. Maximum stand-off voltage VWM which approximates the circuit operating voltage. 3. Minimum breakdown voltage VBR is normally 10% higher than stand-off voltage. 1. Impuls-Verlustleistung PPPM bei definiertem Stromimpuls IPP, (z.B 10/1000Ws oder 8/20Ws Impulsform). 2. Maximale Sperrspannung VWM. Sie entspricht der max. Betriebsspannung der zu schützenden Schaltung. 3. Minimale Abbruchspannung VBR. Ihr Wert liegt etwa 10% über der maximalen Sperrspannung VWM. 4. Maximum clamping voltage VC. When transient occur, spike voltage is limited by the TVS diode to this value. All parts of the protected circuit have to take this stress. 4. Maximale Clampingspannung VC. Im Störungsfall werden Spannungsspitzen auf diesen Wert begrenzt. Alle Teile der Schaltung müssen diese Belastung aushalten. Diotec Semiconductor AG Kreuzmattenstraße 4 D – 79423 Heitersheim, Germany Telefon: Telefax: e-Mail: Internet: 07634 / 52 66 - 0 07634 / 52 66 - 61 [email protected] http://www.diotec.com TVS diodes - Überspannungs-Schutzdioden unidirektional – bidirektional Surface mount - Oberflächenmontage Typ Type Referencevoltage Bezugsspg. VBR / VWM MiniMELF SOD-80 TGL34-6.8... TGL34-200CA Breakdown: 6.8 V ... 200 V SDA2AK SDA4AK Breakdown: 1V 2V TGL41-6.8... TGL41-200CA Breakdown: 6.8 V ... 200 V P4SMAJ6.5... P4SMAJ170CA Stand-off: 6.5 V ... 170 V P6SMBJ6.5... P6SMBJ170CA Stand-off: 6.5 V ... 170 V 1.5SMCJ6.5... 1.5SMCJ170CA Stand-off: 6.5 V ... 170 V MELF DO-213AB ~ SMA DO-214AC 3.7 2 ±0.2 ~ SMB DO-214AA 4.6 ±0.2 5.4 ±0.2 ~ SMC DO-214AB Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung PPPM [W] 150 300 400 600 1500