MMBTA06 MMBTA06 Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage NPN NPN Version 2015-05-12 +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 Type Code 1 1.3±0.1 3 2.4 ±0.2 0.4+0.1 -0.05 2 Power dissipation Verlustleistung 250 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g 1.9±0.1 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße [mm] 1=B 2=E 3=C Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMBTA06 Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 80 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 4V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 500 mA Base current – Basisstrom IB 100 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -55...+150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. ICB0 – – 100 nA IEB0 – – 100 nA VCEsat – – 250 mV VBEsat – – 1.2 V Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 80 V MMBTA06 Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IC = 0, VEB = 4 V 1 Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) IC = 100 mA, IB = 10 mA 2 Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ) IC = 100 mA, IB = 10 mA 1 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBTA06 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. HFE hFE 100 100 – – – – fT 100 MHz – – DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 1 V, IC = 10 mA VCE = 1 V, IC = 100 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 2 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 420 K/W 2) MMBTA06 = 1GM Marking - Stempelung 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG