BAV199 - Diotec

BAV199
BAV199
Surface Mount Low Leakage Double-Diodes
Doppel-Dioden mit niedrigem Sperrstrom für die Oberflächenmontage
Version 2012-09-03
1.1
2.9 ±0.1
0.4
Type
Code
1
1.3±0.1
2.5 max
3
2
Power dissipation – Verlustleistung
250 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
85 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1 = A1
2 = C2
3 = C1/A2
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
BAV199
Power dissipation − Verlustleistung 1)
Ptot
250 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
140 mA 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
500 mA 2)
IFSM
IFSM
IFSM
0.5 A
1A
4A
VRRM
85 V
Reverse voltage – Sperrspannung (dc)
VR
85 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-65...+150°C
-65…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current 3)
Sperrstrom
1
2
3
IF
IF
IF
IF
=
=
=
=
1 mA
10 mA
50 mA
150 mA
VF
VF
VF
VF
< 900 mV
<1V
< 1.1 V
< 1.25 V
Tj = 25°C
VR = 75 V
IR
< 5 nA
Tj = 150°C
VR = 75 V
IR
< 80 nA
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAV199
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 3 ns
RthA
< 500 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Marking – Stempelung
Double diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1
2
2 = C2
BAV199 = PX
3 = C1/A2
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
10
-2
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
1
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG