1N4148WT 1N4148WT Surface Mount Small Signal Diodes Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2012-05-03 ±0.05 0.7 0.13 1.2 Power dissipation – Verlustleistung 150 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 75 V Plastic case – Kunststoffgehäuse ~ SOD-523 ±0.05 1.5 0.35 0.8 Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions - Maße [mm] 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) 1N4148WT Power dissipation − Verlustleistung Ptot 150 mW 1) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 125 mA 1) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 250 mA 1) IFSM IFSM 2 A 1) 1A Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 75 V Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung VRSM 100 V 2) Tj TS -65...+150°C -65…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 µs tp ≤ 100ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF IF IF IF = = = = Leakage current – Sperrstrom VR = 20 V VR = 75 V IR IR < 25 nA < 1 µA Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C VR = 25 V VR = 75 V IR IR < 30 µA < 50 µA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 2 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF RthA < 0.715 V < 0.855 V < 1.000 V <1.250V < 833 K/W 1) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4148WT 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C -2 10 60 40 Tj = 25°C -3 10 20 IF Ptot 0 -4 0 TA 50 100 150 [°C] 10 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 2 http://www.diotec.com/ 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG