SDB160WS SDB160WS Surface Mount Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2014-09-11 Nominal current Nennstrom 1.7±0.1 1000 mA 1±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Type Code ~ SOD-323 Weight approx. Gewicht ca. 1.25±0.1 0.3 ±0.1 Plastic case Kunststoffgehäuse 0.005g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.2 2.5 Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Type Typ 60 V Grenzwerte (TA = 25°C) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) Marking Kennzeichnung 60 < 0.64 38 SDB160WS Power dissipation − Verlustleistung Ptot 600 mW 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 1000 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 4 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 20 / 22 A Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics -50...+150°C -50...+150°C Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 5 V VR = VRRM IR IR < 5 µA < 100 µA Junction Capacitance Sperrschichtkapazität VR = 10 V f = 1 MHz Cj typ. 38 pF Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 RthA < 170 K/W 2) IF = 1 A, Tj = 25°C Mounted on P.C. board with 36 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 36 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SDB160WS 120 [%] Tj = 125°C [mA] 100 80 Tj = 25°C 60 40 IF 20 IFAV 0 0 TA 100 50 150 0 [°C] VF 0.4 0.6 [V] 1 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 10 3 [µA] Tj = 125°C Tj = 25°C f = 1.0 MHz [pF] 102 10 1 Cj IR 10 Tj = 25°C -1 0 VRRM 40 60 80 100 VR [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 2 http://www.diotec.com/ [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) © Diotec Semiconductor AG