全新高压LED 技术

全新高压 LED 技术
LED 照明应用需求不断上升,我们需要更高性能的解决方案来满足高效率和低成本的市场需求,
来应对传统照明技术的竞争,如日光灯。因此在做设计的时候,需要尽可能考虑到如何才能既提
高效率 减小尺寸又能节约成本。新的高压 LED 技术使这一切变得可能,并且还能提高灯具量度。
众所周之,COB(chip on Board)LED 是一种非常受欢迎的解决方案,而另一种可行的方案正在得
到越来越多的认可,它能使成本更优化。
多结 LED
与一个 die 一个 P/N 结的标准 LED(通常是 3.0v 左右正向电压)不同的是,多结技术(MJT)LED
的 die 由多个 P/N 结构成。通过改变芯片内 P/N 结的数量,LED 封装依旧可以在单个 die 内进
行,但是可以实现更高的正向电压和流明输出。
获得专利的 MJT Die 结构
该项技术的关键在于芯片,金属层用来实现独立 LED cell 间芯片上的互联。该工艺被首尔半导体
公司用来生产 Acrich MJT。
具有竞争力的高压 LED(像 COB)将多个 die 放置在一个封装的列阵中,使用金线相互通联。不过
此方案结构过于庞大复杂,较多的连接线和芯片使得该结构要面对更多的可靠性和一致性风险。
高压 DC Acrich MJT 的效率
Acrich MJT LED 拥有多种封装尺寸、多种流明输出、多种正向电压以及多种功率供选择。这些产
品不仅是用 Acrich IC 进行 off-line AC 设计的理想选择,同时也可用高电压/低电流运行进行
DC 设计。Acrich MJT LED 在低电流/高电压模式下能发挥最大效率。好处有几点:首先,因为是
在低电流状态下运行,所以这些 LED 由于低电流密度而拥有较高的效率。其次,由于这些是高压
LED,接近于输入电压形式来驱动,能大幅减少 AC-DC 转换时的效率损失。除此之外,由于输入电
压和 LED 串联后电压更接近,低瓦数被动元件可用在驱动电路中,因此能减小整个灯具的尺寸和
成本。
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MJT 特性
优势
低电流运行
提高 LED 内部量子效率,减少布线尺寸
高电压芯片
高电压运行利于提高驱动效率 减少 LED 封装数量
多种流明和电压选择
模组选择灵活,同一个封装可用在不同的应用上
凭借 Acrich 多结技术(MJT)
,首尔半导体公司继续保持在高压 LED 技术中的主导地位。
产品型号
SAW8KG0B
SAW8P42A
色温
光通量
[lm]
3700-7000K
53
2600-3700
49
3700-7000K
30
3700-7000K
VF
lf
(mA)
22
20
13
20
132
SAW8WA2A
40
32.5
2600~-3700
124
40
3700-7000K
165
20
SAW09HOA
64
2600~-3700
128
20
尺寸
产品图片
5.6x3.0x0.75
(5630)
6.5 x 4.0 x 0.80
(6540)
3.5 x 2.8 x 1.9
(3528)
4.0 x 4.0 x 2.2
(4040)
更详细的 Acrich MJT 解决方案,请至首尔半导体官网查询。→ Acrich MJT solutions
本文作者:首尔半导体 Dave Neal
Dave Neal 是首尔半导体公司应用工程部总监,负责北美地区通用照明客
户。
Dave 在半导体工程设计和应用支持方面有二十多年的丰富经验。自 2001 年
起便进入 LED 和固态照明行业。在加入首尔半导体北美分公司前,Dave 先
后在安富利电子元件、洛克希德马丁以及通用公司的设计、应用和管理部门
担任要职。
Dave 拥有马萨诸塞大学电气工程科学学士学位,并且是电气与电子工程师
协会和照明工程学会的会员。
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