ELM842B CMOS 低功耗运算放大器

ELM842B CMOS 低功耗运算放大器
■概要
ELM842B 是专门为电池供电设备所开发的低电压、低消耗功率的 CMOS 单一功率运算放大器。该 IC
能使电源电路设计方便 , 只要有 1.2V 的单电源就可工作。( 建议电源电压在 Vdd=1.2V ～ 5.5V 的范围内
使用 )。输出为 A 类输出 , 电流驱动能力为 90μA（在 Typ.Vdd=1.5V 时）, 适合于需低消耗功率进行信号
处理的电路。
■特点
■用途
· 单电源工作
· 电源电压范围内均可输入
· 电池供电设备
· 低功率信号处理
· 工作电压低　: 1.2V≦Vdd≦5.5V
· 消耗电流低　: 130μA(Typ.Vdd=1.5V)　· 增益带宽积
: 1.0MHz(Typ.Vdd=1.5V)
· 低电压模拟电路
· 封装小　: SOT-25
■绝对最大额定值
项目
电源电压
输入电压
差动输入电压
输出电压
输出短路电路
容许功耗
工作温度
保存温度
记号
Vdd
Vin
Vid
Vout
规格范围
10
Vss-0.3～Vdd+0.3
Vdd-Vss
Vss-0.3～Vdd+0.3
连续
300
-30～+80
-55～+125
Pd
Top
Tstg
单位
V
V
V
V
Sec.( 注）
mW
℃
℃
（注）电源电压在 5.0V以下的情况下 , 当输出引脚与电源短路时均不会损坏芯片。但当电源电压高于 5.0V以上的话 , 将
不能保证 VDD引脚在发生短路时的可靠性。所以请务必避免。
■推荐工作条件
项目
记号
Vdd
Top
电源电压
工作温度
■产品型号构成
ELM842B-x
记号
a
项目
产品版本
b
包装卷带中 IC 引脚置向
最小值
1.2
-20
典型值
描述
B
S: 参考封装资料
N: 参考封装资料
4- 1
如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。
最大值
5.5
+70
单位
V
℃
ELM842 B - x
↑ ↑
a b
ELM842B CMOS 低功耗运算放大器
■引脚配置图
■标准电路图
SOT-25( 俯视图 )
5
Vin
引脚编号
1
2
3
4
5
4
+
1
3
2
+
引脚名称
OUT
VDD
IN+
INVSS
ELM842B
Vout
200k�
22k�
■电特性
Vdd=1.5V
项目
输入漂移电压
输入偏置电流
共模输入电压范围
最大输出电压
最大输出电流
开环电压增益
共模抑制比
电源纹波抑制比
消耗电流
增益带宽积
电压转换速率
记号
Vio
Iib
Vcmr
Vouts
Isource
Avd
CMRR
PSRR
Iss
GBW
SR
条件
Vout=Vdd/2
Vid=100mV, RL=200kΩ
Vid=100mV
Vout=300mV, RL=200kΩ
Vout=Vdd/2, ( 无负载 )
RL=200kΩ, CL=20pF
Vdd=3.0V
项目
输入漂移电压
输入偏置电流
共模输入电压范围
最大输出电压
最大输出电流
开环电压增益
共模抑制比
电源纹波抑制比
消耗电流
增益带宽积
电压转换速率
记号
Vio
Iib
Vcmr
Vouts
Isource
Avd
CMRR
PSRR
Iss
GBW
SR
条件
Vout=Vdd/2
Vid=100mV, RL=200kΩ
Vid=100mV
Vout=300mV, RL=200kΩ
Vout=Vdd/2, ( 无负载 )
RL=200kΩ, CL=20pF
Vss=0V, Top=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
10
mV
1
nA
0.08
1.45
V
1.42
V
40
90
μA
75
dB
75
dB
75
dB
130
310
μA
1
MHz
0.45
1.00
V/μs
Vss=0V, Top=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
10
mV
1
nA
0.04
2.90
V
2.80
V
45
100
μA
80
dB
85
dB
80
dB
145
360
μA
1
MHz
0.45
1.00
V/μs
■封装印字说明
SOT-25
�
�
�
记号
a
b
c
印字
C
0～9
0～9
表示内容
ELM842B
生产批号
生产批号
4-2
如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。
ELM842B CMOS 低功耗运算放大器
■注意事项
1) 负荷电阻
ELM842B 是面向低功耗使用而开发的产品 , 所以输出电流值低 , 只有 90μA（在Typ.Vdd=1.5V 时）
。当
用来驱动低电阻负载时 , 功率放大器不能保持正常电压的输出。因此在使用时请注意负载电阻和反馈电
阻的数值。
在规定工作温度范围内 , 推荐以下的电阻值：
< 电源电压 >
< 负荷电阻值 >
Vdd ≦ 5.5V
:
R ≧ 250kΩ
Vdd ≦ 3.6V
:
R ≧ 200kΩ
Vdd ≦ 1.8V
:
R ≧ 150kΩ
2) 单电源工作
ELM842B 可以在双电源下操作 , 但该 IC 是为适合单电源工作而设计的。由于这个原因 , 本产品可
以和逻辑电路共用一个电源。但在使用时为了避免相互间电源噪声的影响 , 应各自单独配置电源线 ,
并使用去耦电容（旁路电容）。电容器可以改善 10kHz ～ 100kHz 之间和这以上的频率里的电源纹波
抑制比。
3) 反馈
运算放大器在和反馈电阻一起使用时 , 象单位增益缓冲器这样的反馈量多的电路里面可能会产生振
荡现象。
a) 当使用高值反馈电阻时 , 由于运算放大器的输入部分的寄生容量的关系 , 会减少相位裕量。在这种
场合下需要如图 1 那样将反馈电阻和电容器并联使用 ;
b) 如果在容量负荷的情况下 , 像图 2 那样串联一个电阻（R=300Ω ～ 500Ω）可有效防止振荡现象 ;
c) 将 ELN842B 作为单位增益缓冲器来使用的情况下 , 从设计上已考虑到即使直接驱动 100pF 的容量
负荷也不会产生振荡的现象。
4) 在 Vdd<1.2V 状况下工作时
由于在电源电压范围内任何输入电压都可以工作 ,ELM842B 即使是在输入电压为 1.2V 以下（Vdd
≧1.2V）时也可以保持工作。但是这个时候由于偏置电流的减少 AC 特性会降低。( 如果需要更详细
的情报时请向我们查询。)
a) 图 1
���
b) 图 2
���
�
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����
�������
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��
��
4-3
如需确认语言的准确性，请参考 ELM 的英文版或日文版。
ELM842B CMOS 低功耗运算放大器
■标准特性曲线图
102
SINK CURRENT - Vdd
180
160
140
120
100
80
60
40
101
100
10-1
20
0
200
1
2
3
4
Vdd (V)
5
10-2
0
6
SOURCE CURRENT - Top
1
2
5
100
Vdd=1.5V
4
4
RL=47k�
2
RL=20k�
1
10 20 30 40 50 60 70
0
Top (�)
Iss - Vdd
200
6
3
50
-20 -10 0
5
RL=100k�
150
Vdd=3V
3
Vdd (V)
Vout - Vdd
6
Vout(V)
SOURCE CURRENT (�A)
SOURCE CURRENT - Vdd
SINK CURRENT (mA)
SOURCE CURRENT (�A)
200
1
250
2
3
Vdd (V)
4
5
6
Iss - Top
180
160
200
120
Iss (�A)
Iss (�A)
140
100
80
60
20
Av (dB)
Vdd=1.5V
No Load
1
2
3
Vdd (V)
4
5
-20 -10 0
6
10 20 30 40 50 60 70
Top (�)
Av -FREQ
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
101
150
100
40
0
Vdd=3V
Vdd=1.5V
102
103
104
105
FREQ (Hz)
106
107
4-4
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