ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■概要 ELM76xxxxxxxxC系列是带有延迟功能的 CMOS 电压检测器 IC。该 IC的时间延迟电路不需要外设延迟 电容电子元件。延迟时间的设定有 Typ.50ms、Typ.150ms、Typ.250ms、Typ.500ms4种。而且，在 30ms～ 500ms的范围内以每 10ms的单位可进行自由调节。输出级有 N 沟道开漏输出和CMOS输出两种，更在这 两种输出级里分别有 RESET和 RESET两种输出模式可利用。当 Vdd低于检测电压时，RESET模式 IC的 输出电平为 H、RESET模式 IC的输出电平为 L。标准产品的检测电压有 1.6V、2.5V、2.7V、3.0V、4.0V 和 5.5V 可供选择。并可在 1.6V～ 5.5V之间根据顾客的需求设计生产。 ■特点 · 检测电压范围 : 1.6V ～ 5.5V (调整电压以0.1V为单位) · 低消耗电流 : Typ.0.4μA(Vdd=VdetN+1V) · 高检测电压精度 : ±2.0% · Vdd电压恢复后延迟时间 : Typ.50ms, Typ.150ms, Typ.250ms, Typ.500ms · 迟滞电压 : Typ.VdetN×1.04(Top=25℃ ) · 小型封装 : SOT-23, SC-70-5(SOT-353), SC-82AB(SOT-343) ■用途 · 微处理器复位 · 电池的电压检测 · 切换到备用电源 · 电池的电压检测 ■绝对最大额定值 项目 电源电压 输出电压 输出电流 记号 Vdd Vout Iout 容许功耗 Pd 工作温度 保存温度 Top Tstg 规格范围 Vss-0.3 to 8.0 Vss-0.3 to Vdd+0.3 100 250 (SOT-23) 150 (SC-70-5)(SOT-353) 150 (SC-82AB)(SOT-343) -40 to +85 -55 to +125 16 - 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单位 V V mA mW ℃ ℃ Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■产品型号说明 ELM76xxxxxxxxC-x 记号 a, b c d e, f g h i j 项目 描述 (例) 16: Vdetn=1.6V, 25: Vdetn=2.5V 检测电压 27: Vdetn=2.7V, 30: Vdetn=3.0V 40: Vdetn=4.0V, 55: Vdetn=5.5V L: RESET 输出模式 输出模式 H: RESET 输出模式 C: CMOS 输出 输出形式 N: N 沟道开漏输出 05: Typ.50ms, 15: Typ.150ms 延迟时间 25: Typ.250ms, 50: Typ.500ms B: SOT-23 封装 C: SC-70-5(SOT-353) SC-82AB(SOT-343) 1：类型1, 2：类型2 引脚配置类型 3：类型3, 4：类型4 产品版本 C 包装卷带中 S: 参考封装资料 IC 引脚置向 N: 参考封装资料 ELM76 x x x x x x x x C-x ↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑ a b c d e f g h i j ■引脚配置图 SC-70-5(俯视图) 引脚编号 1 2 3 4 5 引脚名称 (76xxxxxxC1C) NC VDD NC OUT VSS SOT-23(俯视图) 3 1 引脚编号 2 SC-82AB(俯视图) 1 2 3 引脚编号 1 2 3 4 引脚名称 (76xxxxxxB1C) (76xxxxxxB2C) OUT VSS VSS OUT VDD VDD (76xxxxxxC2C) OUT VDD NC VSS 引脚名称 (76xxxxxxC3C) VSS OUT NC VDD 16 - 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 (76xxxxxxC4C) NC VSS OUT VDD Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■时序图 RESET 输出逻辑 RESET 输出逻辑 Vdd Vdd VdetP VdetN VdetP VdetN Vhys Vopmin Vss Vhys Vopmin Vss Vout Vout Vss Vss Tdelay2 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay1 ■电路框图 · CMOS 输出 RESET 输出逻辑 RESET 输出逻辑 VDD VDD Vref + - Delay OUT Vref + - Delay OUT VSS VSS · N 沟道开漏输出 RESET 输出逻辑 RESET 输出逻辑 VDD VDD Vref + - Delay OUT Vref + - Delay OUT VSS VSS 16 - 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■电特性 VdetN=1.6V(ELM7616xxxxxxC) 检测电压 项目 记号 VdetN 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd RESET 输出电流 RESET 输出电流 延迟時間 (50ms) 延迟时间 (150ms) 延迟时间 (250ms) 延迟时间 (500ms) 检测电压温度特性 IoutN 条件 Vdd=2.6V Vdd=0.9V, Vds=0.3V Vdd=1.0V, Vds=0.3V Vdd=3.0V, Vds=0.4V Vdd=3.0V, Vds=0.4V Vdd=1.5V, Vds=0.4V Vdd=1.0V → 3.0V Vdd=3.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 3.0V Vdd=3.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 3.0V Vdd=3.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 3.0V Vdd=3.0V → 1.0V IoutP IoutN IoutP Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 ΔVdetN Top=-40℃ to +85℃ ΔTop Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 1.568 1.600 1.632 V 2 VdetN VdetN VdetN V 2 ×0.02 ×0.04 ×0.08 0.4 1.8 μA 1 0.9 6.0 V 2 0.2 1.7 mA 3-(1) 1.0 3.1 0.5 1.1 mA 3-(2) 15.0 30.0 mA 3-(1) 0.1 0.3 mA 3-(2) 40 50 60 ms 4 10 μs 120 150 180 ms 4 10 μs 200 250 300 ms 4 10 μs 400 500 600 ms 4 10 μs +30 ppm/℃ (注) 备注栏是测试电路图的编号。IoutP 只适用于CMOS 输出产品。 VdetN=2.5V(ELM7625xxxxxxC) 检测电压 项目 记号 VdetN 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd RESET 输出电流 RESET 输出电流 延迟時間 (50ms) 延迟时间 (150ms) 延迟时间 (250ms) 延迟时间 (500ms) 检测电压温度特性 IoutN 条件 Vdd=3.5V Vdd=0.9V, Vds=0.3V Vdd=1.0V, Vds=0.3V Vdd=3.0V, Vds=0.4V Vdd=3.0V, Vds=0.4V Vdd=1.5V, Vds=0.4V Vdd=1.0V → 3.0V Vdd=3.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 3.0V Vdd=3.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 3.0V Vdd=3.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 3.0V Vdd=3.0V → 1.0V IoutP IoutN IoutP Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 ΔVdetN Top=-40℃ to +85℃ ΔTop Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 2.450 2.500 2.550 V 2 VdetN VdetN VdetN V 2 ×0.02 ×0.04 ×0.08 0.4 1.8 μA 1 0.9 6.0 V 2 0.2 1.7 mA 3-(1) 1.0 3.1 0.5 1.1 mA 3-(2) 15.0 30.0 mA 3-(1) 0.1 0.3 mA 3-(2) 40 50 60 ms 4 10 μs 120 150 180 ms 4 10 μs 200 250 300 ms 4 10 μs 400 500 600 ms 4 10 μs +30 ppm/℃ (注) 备注栏是测试电路图的编号。IoutP 只适用于CMOS 输出产品。 16 - 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 VdetN=2.7V(ELM7627xxxxxxC) 项目 检测电压 记号 VdetN 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd RESET 输出电流 RESET 输出电流 延迟時間 (50ms) 延迟时间 (150ms) 延迟时间 (250ms) 延迟时间 (500ms) 检测电压温度特性 IoutN 条件 Vdd=3.7V Vdd=0.9V, Vds=0.3V Vdd=1.0V, Vds=0.3V Vdd=4.5V, Vds=0.4V Vdd=4.5V, Vds=0.4V Vdd=1.5V, Vds=0.4V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V IoutP IoutN IoutP Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 ΔVdetN Top=-40℃ to +85℃ ΔTop Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 2.646 2.700 2.754 V 2 VdetN VdetN VdetN V 2 ×0.02 ×0.04 ×0.08 0.4 1.8 μA 1 0.9 6.0 V 2 0.2 1.7 mA 3-(1) 1.0 3.1 0.8 1.5 mA 3-(2) 20.0 40.0 mA 3-(1) 0.1 0.3 mA 3-(2) 40 50 60 ms 4 10 μs 120 150 180 ms 4 10 μs 200 250 300 ms 4 10 μs 400 500 600 ms 4 10 μs +30 ppm/℃ (注) 备注栏是测试电路图的编号。IoutP 只适用于CMOS 输出产品。 VdetN=3.0V(ELM7630xxxxxxC) 项目 检测电压 记号 VdetN 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd RESET 输出电流 RESET 输出电流 延迟時間 (50ms) 延迟时间 (150ms) 延迟时间 (250ms) 延迟时间 (500ms) 检测电压温度特性 IoutN 条件 Vdd=4.0V Vdd=0.9V, Vds=0.3V Vdd=1.0V, Vds=0.3V Vdd=4.5V, Vds=0.4V Vdd=4.5V, Vds=0.4V Vdd=1.5V, Vds=0.4V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V IoutP IoutN IoutP Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 ΔVdetN Top=-40℃ to +85℃ ΔTop Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 2.940 3.000 3.060 V 2 VdetN VdetN VdetN V 2 ×0.02 ×0.04 ×0.08 0.4 1.8 μA 1 0.9 6.0 V 2 0.2 1.7 mA 3-(1) 1.0 3.1 0.8 1.5 mA 3-(2) 20.0 40.0 mA 3-(1) 0.1 0.3 mA 3-(2) 40 50 60 ms 4 10 μs 120 150 180 ms 4 10 μs 200 250 300 ms 4 10 μs 400 500 600 ms 4 10 μs +30 ppm/℃ (注) 备注栏是测试电路图的编号。IoutP 只适用于CMOS 输出产品。 16 - 5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 VdetN=4.0V(ELM7640xxxxxxC) 项目 检测电压 记号 VdetN 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd RESET 输出电流 RESET 输出电流 延迟時間 (50ms) 延迟时间 (150ms) 延迟时间 (250ms) 延迟时间 (500ms) 检测电压温度特性 IoutN 条件 Vdd=5.0V Vdd=0.9V, Vds=0.3V Vdd=1.0V, Vds=0.3V Vdd=4.5V, Vds=0.4V Vdd=4.5V, Vds=0.4V Vdd=1.5V, Vds=0.4V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V Vdd=1.0V → 4.5V Vdd=4.5V → 1.0V IoutP IoutN IoutP Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 ΔVdetN Top=-40℃ to +85℃ ΔTop Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 3.920 4.000 4.080 V 2 VdetN VdetN VdetN V 2 ×0.02 ×0.04 ×0.08 0.4 1.8 μA 1 0.9 6.0 V 2 0.2 1.7 mA 3-(1) 1.0 3.1 0.8 1.5 mA 3-(2) 20.0 40.0 mA 3-(1) 0.1 0.3 mA 3-(2) 40 50 60 ms 4 10 μs 120 150 180 ms 4 10 μs 200 250 300 ms 4 10 μs 400 500 600 ms 4 10 μs +30 ppm/℃ (注) 备注栏是测试电路图的编号。IoutP 只适用于CMOS 输出产品。 VdetN=5.5V(ELM7655xxxxxxC) 项目 检测电压 记号 VdetN 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd RESET 输出电流 RESET 输出电流 延迟時間 (50ms) 延迟时间 (150ms) 延迟时间 (250ms) 延迟时间 (500ms) 检测电压温度特性 IoutN 条件 Vdd=6.0V Vdd=0.9V, Vds=0.3V Vdd=1.0V, Vds=0.3V Vdd=6.0V, Vds=0.4V Vdd=6.0V, Vds=0.4V Vdd=1.5V, Vds=0.4V Vdd=1.0V → 6.0V Vdd=6.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 6.0V Vdd=6.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 6.0V Vdd=6.0V → 1.0V Vdd=1.0V → 6.0V Vdd=6.0V → 1.0V IoutP IoutN IoutP Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 Tdelay1 Tdelay2 ΔVdetN Top=-40℃ to +85℃ ΔTop Vss=0V, Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 5.390 5.500 5.610 V 2 VdetN VdetN VdetN V 2 ×0.02 ×0.04 ×0.08 0.4 1.8 μA 1 0.9 6.0 V 2 0.2 1.7 mA 3-(1) 1.0 3.1 1.0 1.7 mA 3-(2) 25.0 50.0 mA 3-(1) 0.1 0.3 mA 3-(2) 40 50 60 ms 4 10 μs 120 150 180 ms 4 10 μs 200 250 300 ms 4 10 μs 400 500 600 ms 4 10 μs +30 ppm/℃ (注) 备注栏是测试电路图的编号。IoutP 只适用于CMOS 输出产品。 16 - 6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■测试电路 1) 电流消耗 2) 检测电压 A VDD Vdd ELM76xxxxxxxxC OUT Vdd OPEN VDD V ELM76xxxxxxxxC R* OUT V VSS VSS * 该电流电路只有 N 沟道输出需要。 * R=100kΩ(R=2MΩ为Vdd 的最小测量值。) 3)-(1) 输出电流 (N沟道) Vdd 3)-(2) 输出电流 (P沟道) A VDD V ELM76xxxxxxxxC Vdd Vds OUT V ELM76xxxxxxxxC V VSS V VDD Vds OUT A VSS 4) 延迟时间 3.0V, 4.5V or 6.0V VDD * P.G V R* ELM76xxxxxxxxC VSS OUT V 1.0V Vss * 输入脉冲 * 该电流电路只有 N 沟道输出需要。 * R=100kΩ 16 - 7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■封装印字说明 · SOT-23 封装 SOT-23 a, b : 表示 “ 复位逻辑 ”，“ 输出形式 ”， “ 引脚配置类型 ” 和 “ 检测电压范围 ” 记号 57 58 59 5A 5B 5C 5D 5E 5F 5G 5H 5J 5K 5L 5M 5N 复位逻辑 输出形式 引脚配置类型 1 CMOS 2 Low 1 N-ch 2 1 CMOS 2 High 1 N-ch 2 c : 表示 “ 检测电压 ” 记号 检测电压 (V) 1 3.1 2 3.2 3 3.3 4 3.4 5 3.5 6 3.6 7 3.7 8 3.8 9 3.9 0 4.0 A 4.1 B 4.2 C 4.3 D 4.4 E 4.5 记号 F G H J K L M N P Q R S T U V 检测电压范围 (V) 1.6 ~ 3.0 3.1 ~ 5.5 1.6 ~ 3.0 3.1 ~ 5.5 1.6 ~ 3.0 3.1 ~ 5.5 1.6 ~ 3.0 3.1 ~ 5.5 1.6 ~ 3.0 3.1 ~ 5.5 1.6 ~ 3.0 3.1 ~ 5.5 1.6 ~ 3.0 3.1 ~ 5.5 1.6 ~ 3.0 3.1 ~ 5.5 检测电压 (V) 1.6 4.6 1.7 4.7 1.8 4.8 1.9 4.9 2.0 5.0 2.1 5.1 2.2 5.2 2.3 5.3 2.4 5.4 2.5 5.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 - d : 生产组装批号 记号 1 ～ 0 和 A ～ Z (I, O, X 除外 ) 16 - 8 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 · SC-70-5, SC-82AB 封装 SC-70-5 SC-82AB a : 表示 “ 复位逻辑 ” ，“ 输出形式 ” 和 “ 检测电压范围 ” 检测电压范围 记号 复位逻辑 输出形式 (V) 0 1.6 to 3.0 CMOS A 3.1 to 5.5 Low B 1.6 to 3.0 N-ch C 3.1 to 5.5 D 1.6 to 3.0 CMOS E 3.1 to 5.5 High F 1.6 to 3.0 N-ch G 3.1 to 5.5 b : 表示 “ 检测电压 ” 记号 检测电压 (V) 1 3.1 2 3.2 3 3.3 4 3.4 5 3.5 6 3.6 7 3.7 8 3.8 9 3.9 0 4.0 A 4.1 B 4.2 C 4.3 D 4.4 E 4.5 记号 F G H J K L M N P Q R S T U V 检测电压 (V) 1.6 4.6 1.7 4.7 1.8 4.8 1.9 4.9 2.0 5.0 2.1 5.1 2.2 5.2 2.3 5.3 2.4 5.4 2.5 5.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 - c : 生产组装批号 记号 1 ～ 0 和 A ～ Z (I, O, X 除外 ) 16 - 9 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■消耗电流特性曲线图 · VdetN=1.6V(ELM7616xxxxxxC) · VdetN=2.5V(ELM7625xxxxxxC) Iss-Vdd 1.0 Iss-Vdd 1.0 0.8 0.8 0.6 +25� 0.4 -40� 0.2 0 0 Iss (��� Iss (��� +85� 1 2 3 Vdd (V) 4 5 1 2 +85� 0.4 3 Vdd (V) 3 Vdd (V) 4 5 +25� 0 0 6 · VdetN=4.0V(ELM7640xxxxxxC) -40� 1 2 3 Vdd (V) 4 5 6 · VdetN=5.5V(ELM7655xxxxxxC) Iss-Vdd 0.7 6 0.4 0.2 -40� 2 5 +85� +25� 1 4 Iss-Vdd 0.8 Iss (��� Iss (��� -40� 0.6 0.2 Iss-Vdd 0.6 0.6 0.5 0.4 Iss (��� 0.5 Iss (��� +25� · VdetN=3.0V(ELM7630xxxxxxC) Iss-Vdd 0.6 +85� +25� 0.3 0.2 -40� 0.1 0 0 0.4 0 0 6 0.8 0 0 +85� 0.2 · VdetN=2.7V(ELM7627xxxxxxC) 1.0 0.6 1 2 3 Vdd (V) 4 5 0.4 +85� 0.3 0.2 +25� 0.1 -40� 0 0 6 1 16 - 10 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 2 3 Vdd (V) 4 5 6 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■检测电压特性曲线图 · VdetN=1.6V(ELM7616xxxxxxC) · VdetN=2.5V(ELM7625xxxxxxC) Vdet-Top 1.72 2.66 1.70 2.64 VdetP 1.66 1.64 1.62 VdetN 1.60 -20 0 20 40 Top (�) 60 2.54 2.46 -40 80 VdetN Vdet (V) 2.75 VdetN 0 20 40 Top (�) 60 2.95 -40 80 VdetP VdetN -20 0 5.80 60 80 VdetP 5.75 Vdet (V) 4.05 5.70 5.65 5.60 5.55 VdetN VdetN 5.50 20 40 Vdet-Top 5.85 4.10 0 20 Top (�) · VdetN=5.5V(ELM7655xxxxxxC) 4.15 -20 80 3.05 VdetP 4.00 60 3.10 Vdet-Top 4.20 40 Vdet-Top 3.00 · VdetN=4.0V(ELM7640xxxxxxC) 4.25 20 Top (�) 3.15 2.80 -20 0 3.20 VdetP 2.70 -20 · VdetN=3.0V(ELM7630xxxxxxC) Vdet-Top 2.85 Vdet (V) 2.56 2.48 2.90 Vdet (V) 2.58 2.50 · VdetN=2.7V(ELM7627xxxxxxC) 3.95 -40 2.60 2.52 1.58 2.65 -40 VdetP 2.62 Vdet (V) Vdet (V) 1.68 1.56 -40 Vdet-Top 2.68 40 Top (�) 60 5.45 -40 80 -20 16 - 11 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 0 20 40 Top (�) 60 80 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■N沟道输出电流特性曲线图 · ELM76xxLxxxxxC) IoutN-Vds IoutN-Top Vdd=1.0V, Top=25� 5.0 2.5 IoutN (mA) IoutN (mA) 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 Vds (V) IoutN-Vds 50 1.5 1.0 0 -40 1 Vdd=2.0V 20 1 40 60 80 Vds=0.4V Vdd=2.5V 15 Vdd=2.0V 10 Vdd=1.5V 5 Vdd=1.5V 0.5 20 Top (�) 20 40 10 0 25 Vdd=2.5V 30 -20 IoutN-Top Top=25� IoutN (mA) IoutN (mA) 2.0 0.5 60 0 0 Vdd=1.0V, Vds=0.3V 3.0 1.5 Vds (V) 2 0 -40 2.5 -20 0 20 40 Top (�) 60 80 · ELM76xxHxxxxxC) IoutN-Vds 200 26 IoutN (mA) Vdd=4.5V 120 80 Vdd=3.0V 40 0 0 Vds=0.4V 24 Vdd=6.0V 160 IoutN (mA) IoutN-Top Top=25� Vdd=6.0V 22 Vdd=4.5V 20 18 Vdd=3.0V 16 1.0 2.0 3.0 Vds (V) 4.0 5.0 14 -40 6.0 -20 16 - 12 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 0 20 40 Top (�) 60 80 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■P沟道输出电流特性曲线图 · ELM76xxLxxxxxC) IoutP-Vds IoutP-Top 16.0 Vdd=6.0V 1.6 IoutP (mA) 2.0 IoutP (mA) 20.0 Top=25� 12.0 Vdd=4.5V 8.0 Vdd=3.0V 4.0 0 0 1.0 2.0 3.0 Vds (V) Vds=0.4V Vdd=6.0V 1.2 Vdd=4.5V 0.8 Vdd=3.0V 0.4 4.0 5.0 0 -40 6.0 -20 0 20 40 Top (�) 60 80 · ELM76xxHxxxxxC) IoutP-Vds IoutP-Top Top=25� 3.0 1.2 Vds=0.4V 1.0 2.0 IoutP (mA) IoutP (mA) Vdd=2.5V Vdd=2.0V 1.0 Vdd=1.5V 0 0 0.5 1.0 1.5 Vds (V) 0.8 Vdd=2.5V 0.6 Vdd=2.0V 0.4 Vdd=1.5V 0.2 2.0 0 -40 2.5 -20 16 - 13 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 0 20 40 Top (�) 60 80 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■延迟时间特性曲线图 (Tdelay1) · VdetN=1.6V, VdetN=2.5V (delay time : 250ms) Tdelay1-Top 350 Tdelay1-SUPPLY VOLTAGE Vdd=1V�3V Tdelay1 (ms) Tdelay1 (ms) -40� 300 300 250 +25� 250 +85� 200 200 150 -40 Vdd=1V�SUPPLY VOLTAGE 350 -20 0 20 40 Top (�) 60 150 1.0 80 2.0 3.0 4.0 5.0 SUPPLY VOLTAGE (V) 6.0 · VdetN=2.7V, VdetN=3.0V, VdetN=4.0V (delay time : 250ms) Tdelay1-SUPPLY VOLTAGE Tdelay1-Top Vdd=1V�4.5V 350 Tdelay1 (ms) Tdelay1 (ms) -40� 300 300 250 +25� 250 +85� 200 200 150 -40 Vdd=1V�SUPPLY VOLTAGE 350 -20 0 20 40 Top (�) 60 150 4.0 80 4.5 5.0 5.5 SUPPLY VOLTAGE (V) 6.0 · VdetN=5.5V (delay time : 250ms) Tdelay1-SUPPLY VOLTAGE Tdelay1-Top Vdd=1V�6.0V 350 Tdelay1 (ms) Tdelay1 (ms) -40� 300 300 250 +25� 250 +85� 200 200 150 -40 Vdd=1V�SUPPLY VOLTAGE 350 -20 0 20 40 Top (�) 60 150 5.5 80 5.6 5.7 5.8 5.9 SUPPLY VOLTAGE (V) 16 - 14 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 6.0 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 ■延迟时间特性曲线图 (Tdelay2) · VdetN=1.6V (ELM7616xxxxxxC) Tdelay2-VddL Tdelay2-VddH Vdd=VddH�1V 100 2500 80 Top=-40� Tdelay2 (�s) Tdelay2 (�s) Vdd=VdetN+500mV�VddL 3000 60 40 Top=+25� 20 Top=+85� 2000 1500 Top=-40� Top=+25� 1000 Top=+85� 500 0 1 0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 VddH (V) 10 100 VddL (mV) 1000 · VdetN=2.5V (ELM7625xxxxxxC) Tdelay2-VddL Tdelay2-VddH Vdd=VddH�1V 100 2500 Top=+85� Top=-40� Tdelay2 (�s) Tdelay2 (�s) 80 60 40 Top=+25� 20 Top=+85� 0 2.5 Vdd=VdetN+500mV�VddL 3000 3.0 3.5 4.0 4.5 VddH (V) 2000 1500 1000 Top=+25� Top=-40� 500 5.0 5.5 0 1 6.0 10 100 VddL (mV) 1000 · VdetN=2.7V (ELM7627xxxxxxC) Tdelay2-VddH Tdelay2-VddL Vdd=VddH�1V 120 Vdd=VdetN+500mV�VddL 3000 100 2500 80 Tdelay2 (�s) Tdelay2 (�s) Top=-40� 60 40 Top=+25� 20 0 2.5 3.5 4.0 4.5 VddH (V) 1500 Top=+85� 1000 Top=+25� Top=-40� 500 Top=+85� 3.0 2000 5.0 5.5 0 1 6.0 10 16 - 15 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 VddL (mV) 1000 Rev.1.2 ELM76xxxxxxxxC CMOS 内置电容延迟功能电压检测器 · VdetN=3.0V (ELM7630xxxxxxC) Tdelay2-VddL Tdelay2-VddH Vdd=VddH�1V 120 100 2500 Top=-40� Tdelay2 (�s) Tdelay2 (�s) 80 60 40 Top=+25� 20 Top=+85� 0 3.0 3.5 4.0 4.5 Vdd=VdetN+500mV�VddL 3000 2000 1500 Top=+85� 1000 Top=+25� Top=-40� 500 5.0 5.5 VddH (V) 0 1 6.0 10 100 VddL (mV) 1000 · VdetN=4.0V (ELM7640xxxxxxC) Tdelay2-VddL Tdelay2-VddH Vdd=VddH�1V 120 4000 Top=-40� 80 Tdelay2 (�s) Tdelay2 (�s) 100 60 40 Top=+25� 20 0 4.0 5.0 VddH (V) Top=+85� 3000 2000 Top=+25� Top=-40� 1000 Top=+85� 4.5 Vdd=VdetN+500mV�VddL 5000 5.5 0 1 6.0 10 100 VddL (mV) 1000 · VdetN=5.5V (ELM7655xxxxxxC) Tdelay2-VddL Tdelay2-VddH Vdd=VddH�1V 120 4000 Top=-40� Tdelay2 (�s) Tdelay2 (�s) 100 80 60 40 20 0 5.8 Vdd=VdetN+500mV�VddL 5000 3000 Top=-40� Top=+25� 2000 Top=+25� Top=+85� 1000 Top=+85� 5.9 VddH (V) 0 1 6.0 16 - 16 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10 100 VddL (mV) 1000 Rev.1.2