シングル P チャンネル MOSFET ELM32403LA-S ■概要 ■特長 ELM32403LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-8A ・ Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -40 V ±20 V -8 Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A -6 -32 A 28 18 -55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 定常状態 記号 Rθjc Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 3 75 単位 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� � � 端子番号 1 2 端子記号 GATE DRAIN 3 SOURCE � 4-1 � � シングル P チャンネル MOSFET ELM32403LA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss -40 V Vds=-32V, Vgs=0V -1 Vds=-30V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 ゲート漏れ電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=-10V, Id=-8A Vgs=-4.5V, Id=-6A 38 65 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-10V, Id=-8A 11 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is Is=If, Vgs=0V ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=-10V f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-8A td(on) Vgs=-10V, Vds=-20V tr Id=-1A, RL=1Ω td(off) Rgen=6Ω tf trr Qrr If=-5A, dIf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4-2 -1.0 -32 μA ±250 nA -1.5 -2.5 V A 55 94 1 mΩ 1 S 1 -1 -1.3 V A 1 -2.6 A 3 690 pF 310 75 pF pF 14.0 nC 2 2.2 1.9 nC nC 2 2 6.7 13.4 9.7 19.4 19.8 35.6 ns ns ns 2 2 2 12.3 22.2 ns 2 15.5 7.9 ns nC NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor シングル P チャンネル MOSFET ELM32403LA-S ■標準特性と熱特性曲線 4-3 P5504EDG TO-252 Lead-Free NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement Field Effect Transistor シングルMode P チャンネル MOSFET ELM32403LA-S P5504EDG TO-252 Lead-Free 4-4 AUG-19-2004