シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0660A ■概要 ■特長 ELM3C0660A は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ON ・ Vds=600V 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6A ・ Rds(on) < 1.25Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vds Vgs Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェエネルギー L=10mH 接合温度範囲及び保存温度範囲 V V 4.3 Idm Eas Tc=25℃ Tc=100℃ 最大許容損失 600 ±30 6.0 20 45 24 10 -55 to 150 Pd Tj, Tstg A 4 A mJ 3, 4 5 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 記号 Rθjc 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 5.2 単位 ℃/W 62.5 ℃/W ■回路 D TO-220F(TOP VIEW) 1 2 備考 3 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE DRAIN SOURCE 6-1 G S シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0660A ■電気的特性 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss Vds=600V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±30V 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 Vds=10V, Id=3A If=10A, Vgs=0V 250 Ciss Vgs=0V, Vds=25V Coss f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd Vgs=10V, Vds=300V Id=6A td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 tr Vds=300V, Id=6A td(off) Rgen=25Ω tf trr Qrr If=6A, dIf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. 最大容許温度に限られる 5. Vdd=50V時,スタート Tj=25℃ 6-2 μA ±250 nA 2.5 20 4.5 V A Ω 1 1 1.5 S V 1 1 6 A 3 0.98 1.25 8 Is ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 25 Ta=100℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vds=10V, Vgs=10V Rds(on) Vgs=10V, Id=3A Gfs Vsd V Ta=25℃ ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 600 1274 pF 126 23 pF pF 28.9 5.8 10.0 nC nC nC 2 2 2 47 ns 2 32 140 ns ns 2 2 55 560 6 ns ns μC 2 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0660A ■標準特性と熱特性曲線 6-3 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0660A � � � 6-4 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0660A 6-5 シングル N チャンネル MOSFET ELM3C0660A 6-6