コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM544599A-N ■概要 ■特長 ELM544599A-N は低入力容量、 低電 ・ N チャンネル 圧駆動、 低オン抵抗という特性を備えた Vds=40V, Id=8.0A, Rds(on)=22mΩ(Vgs=10V) 大電流 MOSFET です。 Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28mΩ(Vgs=4.5V) ・ P チャンネル Vds=-40V, Id=-7.2A, Rds(on)=42mΩ(Vgs=-10V) Vds=-40V, Id=-6.2A, Rds(on)=60mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 記号 Vds Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Vgs ±20 ±20 V Id 8.0 6.0 -7.2 -6.2 A 25 2.8 1.8 -25 2.8 1.8 -55 ～ 150 -55 ～ 150 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ N-ch (Max.) P-ch (Max.) 単位 40 -40 V Tj,Tstg A W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 記号 Rθja チャンネル N-ch 定常状態 Rθja P-ch ■端子配列図 Typ. Max. 62.5 単位 ℃/W 62.5 ℃/W ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE1 GATE1 SOURCE2 4 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 8- 1 ・ N－ch ・ P－ch D1 D2 G2 G1 S1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM544599A-N ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 40 1 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=32V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Ta=85℃ オン状態ドレイン電流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is V Vgs=10V, Id=8.0A Vgs=4.5V, Id=6.0A Vds=15V, Id=5.0A 10 1.0 20 μA ±100 nA 3.0 V A 16 20 25 22 28 Is=2A, Vgs=0V 0.85 1.20 1.5 Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz 850 110 75 mΩ S V A 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd td(on) Vgs=4.5V, Vds=20V, Id=5A tr Vgs=10V, Vds=20V, Id=5.0A td(off) RL=4Ω, Rgen=1Ω tf 8- 2 10.0 pF pF pF 14.0 nC 2.8 3.2 6 12 nC nC ns 10 20 6 20 36 12 ns ns ns AFP4599W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM544599A-N Typical Characteristics ( N-Channel ) ■標準特性曲線 (N-ch) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Apr. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 8- 3 AFP4599W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM544599A-N Typical Characteristics ( N-Channel ) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Apr. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 8- 4 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM544599A-N ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss Vds=-32V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Ta=85℃ オン状態ドレイン電流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is V -1 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 -40 Vgs=-10V, Id=-7.2A Vgs=-4.5V, Id=-6.2A Vds=-15V, Id=-5A Is=-2A, Vgs=0V -20 -1.0 -20 μA ±100 nA -3.0 V A 34 50 20 42 60 -0.8 -1.2 -1.7 mΩ S V A 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd td(on) Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-20V Id=-5A tr Vgs=-4.5V, Vds=-20V td(off) Id=-5A, RL=4Ω, Rgen=1Ω tf 8- 5 1100 145 115 13.0 pF pF pF 20.0 nC 4.5 6.5 40 80 nC nC ns 55 30 12 100 60 20 ns ns ns AFP4599W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement コンプリメンタリーパワー MOSFET Mode MOSFET ELM544599A-N ■標準特性曲線 (P-ch) Typical Characteristics ( P-Channel ) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Apr. 2012 www.alfa-mos.com Page 6 8- 6 AFP4599W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM544599A-N Typical Characteristics ( P-Channel ) ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Apr. 2012 www.alfa-mos.com Page 7 8- 7 AFP4599W Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement コンプリメンタリーパワー MOSFET Mode MOSFET ELM544599A-N Typical Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Apr. 2012 www.alfa-mos.com Page 8 8- 8