シングル P チャンネル MOSFET ELM34409AA-N ■概要 ■特長 ELM34409AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-9A ・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー L=0.1mH Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 -30 ±25 -9 V V A -7 Idm Ias -50 -26 A A Eas 34 2.5 1.6 mJ -55 ～ 150 ℃ Pd Tj, Tstg 3 W ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 Rθjc Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 25 50 ℃/W ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE SOURCE SOURCE 4 5 6 GATE DRAIN DRAIN 7 8 DRAIN DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM34409AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss -30 V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±25V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -1.0 9 ±100 nA -1.5 -3.0 V A Rds(on) Vgs=-10V, Id=-9A Vgs=-4.5V, Id=-7A 15 25 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-10V, Id=-9A 24 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=-1A, Vgs=0V 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz ドレイン - ソースオン状態抵抗 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Crss Rg Qg Qgs Qgd Vgs=15mV, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-9A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-1A, RL=1Ω, Rgen=6Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4-2 μA 20 35 -1.2 -2.1 1 mΩ 1 S 1 V A 1 1610 410 pF pF 200 3.7 pF Ω 31.4 nC 2 4.5 8.2 nC nC 2 2 5.7 10.0 18.0 ns ns ns 2 2 2 5.0 ns 2 シングル P チャンネル MOSFET ELM34409AA-N ■標準特性と熱特性曲線 � � � � � � 4-3 シングル P チャンネル MOSFET ELM34409AA-N � � �� �� � � � �� �� � 4-4