双 P 沟道 MOSFET ELM18801BA-S ■概要 ■特点 ELM18801BA-S 是 P 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=-20V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=-4.7A (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=-4.5V) 另外，此芯片还内藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 53mΩ (Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-1.8V) ·ESD 规格∶ 3000V HBM ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -20 V ±8 -4.7 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） -3.7 Idm Tc=25℃ 容许功耗 -30 1.4 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 V 0.9 -55 ~ 150 Tj, Tstg A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≦10s 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 73 最大值 90 单位 ℃/W 96 63 125 75 ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 TSSOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 DRAIN1 SOURCE1 3 4 5 SOURCE1 GATE1 GATE2 6 7 8 SOURCE2 SOURCE2 DRAIN2 D1 G1 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 G2 S1 S2 双 P 沟道 MOSFET ELM18801BA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vds=-16V，Vgs=0V -1 Ta=55℃ 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Gfs Vsd Is 动态特性 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 Coss Crss μA Vds=0V, Vgs=±4.5V Vds=0V, Vgs=±8V ±10 μA -0.55 -1.00 V A 35 42 47 44 54 57 53 70 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Rds(on) V -5 ±1 Vgs=-4.5V，Id=-4.7A 漏极 - 源极导通电阻 -20 -0.30 -25 Ta=125℃ Vgs=-2.5V, Id=-4A Vgs=-1.8V, Id=-2A Vds=-5V, Id=-4.7A Is=-1A, Vgs=0V 8 16 -0.78 -1.00 -2.2 μA mΩ S V A 1450 pF Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz 205 160 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 6.5 Ω 17.2 nC 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-4A Qgd td(on) 1.3 4.5 9.5 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) RL=2.5Ω, Rgen=3Ω 17.0 94.0 ns ns 35.0 31.0 13.8 ns ns nC 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Rg Qg tf trr Qrr If=-4A, dlf/dt=100A/μs If=-4A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 P 沟道 MOSFET ELM18801BA-S ■标准特性和热特性曲线 25 10 -4.5V -8V Vds=-5V -3.0V 20 8 -2.5V -Id (A) -Id (A) -2.0V 15 10 6 125°C 4 Vgs=-1.5V 5 2 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2 1.6 Normalized On-Resistance Vgs=-1.8V Rds(on) (m� ) 1.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 80 60 Vgs=-2.5V 40 Vgs=-4.5V 20 Id=-4.7A, Vgs=-2.5V 1.4 Id=-2A, Vgs=-1.8V 1.2 Id=-4.7A, Vgs=-4.5V 1.0 0.8 0 2 4 6 8 10 0 25 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 1E+01 90 1E+00 Id=-4.7A 75 100 125 150 175 125°C 1E-01 -Is (A) 70 60 125°C 50 50 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 80 Rds(on) (m� ) 1 25°C 1E-02 1E-03 1E-04 40 25°C 1E-05 30 1E-06 20 0 2 4 6 0.0 8 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 双 P 沟道 MOSFET ELM18801BA-S 2400 5 Vds=-10V Id=-4.7A 2000 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 4 3 2 Ciss 1600 1200 1 800 Coss 400 0 0 5 10 15 Crss 0 20 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 40 10�s 100�s 1ms 10ms 1s 10s 1 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 10 -Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/(Ton+T) Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 0.1s DC 0.1 0.1 15 30 Rds(on) 10.0 limited 1.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000