双 N 沟道 MOSFET ELM14806AA-N ■概要 ■特点 ELM14806AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=9.4A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V) 另外，此芯片还内藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 15mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 21mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=1.8V) ·ESD 规格∶ 2000V HBM ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 20 ±12 9.4 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 7.5 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg V V 40 2.00 1.28 -55 ~ 150 A 1 A 2 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 45.0 72.0 34.0 62.5 110.0 40.0 ℃/W ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 3 SOURCE2 GATE2 SOURCE1 4 5 6 GATE1 DRAIN1 DRAIN1 7 8 DRAIN2 DRAIN2 D2 D1 G2 G1 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 N 沟道 MOSFET ELM14806AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V，Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±10V 20 10 Ta=55℃ 25 ±10 栅极 - 源极击穿电压 BVgso Vds=0V, Ig=±250μA ±12 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 0.50 30 1.00 11.0 14.0 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=8A Vgs=2.5V, Id=6A 14.3 12.6 16.5 17.0 16.0 22.0 Vgs=1.8V, Id=4A Vds=5V, Id=9.4A Is=1A 23.4 37 0.72 30.0 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Gfs Vsd Ta=125℃ Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 栅极电阻 开关特性 Crss Rg 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd μA μA V 0.75 Vgs=10V，Id=9.4A 漏极 - 源极导通电阻 V V A mΩ 1.00 S V 3 A Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz 1810 232 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 200 1.6 pF Ω 17.9 1.5 4.7 nC nC nC Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=9.4A 导通延迟时间 导通上升时间 td(on) tr Vgs=10V, Vds=10V 3.3 5.9 ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 td(off) RL=1.1Ω, Rgen=3Ω tf trr If=9.4A, dlf/dt=100A/μs 44.0 7.7 22.0 ns ns ns 8.6 nC 寄生二极管反向恢复电荷 备注： Qrr If=9.4A, dlf/dt=100A/μs 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 N 沟道 MOSFET ELM14806AA-N ■标准特性和热特性曲线 40 10V 20 4.5V 2.5V 2V Id (A) Id (A) Vds=5V 16 30 20 12 8 10 125°C 4 Vgs=1.5V 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1.5 2 2.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=1.8V 30 Vgs=2.5V 20 Vgs=4.5V 10 Vgs=10V 0 Vgs=2.5V,6A Vgs=4.5V, 8A 1.4 Vgs=1.8V, 4A 1.2 Vgs=10V, 9.4A 1 0.8 0 5 10 15 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 40 1.0E+01 1.0E+00 30 125°C Id=6A 1.0E-01 Is (A) Rds(on) (m� ) 3 1.6 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 40 1 125°C 20 25°C 1.0E-03 25°C 10 1.0E-02 1.0E-04 0 0 2 4 6 8 1.0E-05 10 0.0 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 双 N 沟道 MOSFET ELM14806AA-N 5 2400 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 2800 Vds=10V Id=9.4A 3 2 1 2000 Ciss 1600 1200 800 Coss Crss 400 0 0 4 8 12 16 0 20 0 5 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10 100.0 40 1ms 100�s 30 Power (W) Id (Amps) 10.0 10ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C 0.1 DC 1 10 0 0.001 100 Vds (Volts) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 10 10s 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Rds(on) limited 15 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000