单 P 沟道 MOSFET ELM53401CA-S ■概要 ■特点 ELM53401CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=-20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-1.8A ·Rds(on) < 520mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 870mΩ (Vgs=-2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 -20 V ±12 V -1.8 -1.2 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 -6 1.25 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A A W 0.80 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja 稳定状态 ■引脚配置图 典型值 最大值 120 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 单位 ℃/W 2 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 5- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM53401CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=85℃ -5 Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=-20V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 -20 -0.4 -0.7 Vgs=-4.5V, Id=-1.8A Vgs=-2.5V, Id=-1.5A Vds=-10V, Id=-0.4A Is=-0.15A, Vgs=0V μA ±100 nA -1.0 V A 420 770 1 520 870 -0.65 -1.20 -1 V A 70 20 10 100 pF pF pF 1.0 0.1 1.3 nC nC mΩ S 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-10V Id=-0.25A 导通延迟时间 Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr RL=30Ω, Id=-0.2A td(off) Rgen=10Ω tf Vgs=-4.5V, Vds=-10V 5- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 0.3 10 15 nC ns 10 40 30 15 60 50 ns ns ns AFP2307A Alfa-MOS 20V P-Channel 单 P 沟道 MOSFET Technology Enhancement Mode MOSFET ELM53401CA-S ■标准特性和热特性曲线 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFP2307A Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 P 沟道 MOSFET ELM53401CA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2011 www.alfa-mos.com 5- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Page 4 Alfa-MOS 20V P-Channel ELM53401CA-S Enhancement Mode MOSFET 单 P 沟道 MOSFET Technology AFP2307A ■测试电路和波形 Package Information ( SOT-23 ) 5- 5 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2011 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 www.alfa-mos.com Page 5