内藏肖特基二极管 单 N 沟道 MOSFET ELM14702AA-N ■概要 ■特点 ELM14702AA-N 是 N 沟道低输入电容，低 工作电压，低导通电阻的大电流 MOSFET。并 内藏有肖特基二极管。 ·Vds=30V 肖特基二极管 ·Id=11A ·Rds(on) < 16mΩ (Vgs=10V) ·Vka=30V ·If=3A ·Rds(on) < 25mΩ (Vgs=4.5V) ·Vf < 0.5V@1A ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） 肖特基二极管反向耐压 Id Idm Vka Ta=25℃ Ta=70℃ 正向电流（定常） 正向电流 （脉冲） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 肖特基二极管 单位 备注 V V MOSFET 30 ±20 11.0 9.3 50 30 4.4 3.2 30 3 2 - 55 ~ 150 If Ifm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 Pd Tj, Tstg 3 2 - 55 ~ 150 A 1 A V 2 A 1 A 2 W ℃ ■热特性 项目 (MOSFET) 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 项目 ( 肖特基二极管 ) 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 t≤10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl 记号 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 31 59 16 典型值 36 67 25 最大值 40 75 24 最大值 40 75 30 备注 ℃/W ℃/W ℃/W 备注 ℃/W ℃/W ℃/W 备注 1 3 备注 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 3 4 5 6 7 8 引脚名称 SOURCE SOURCE SOURCE GATE DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN D K S A G 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 内藏肖特基二极管 单 N 沟道 MOSFET ELM14702AA-N ■电特性 项目 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 记号 条件 栅极漏电电流 栅极阈值电压 导通时漏极电流 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Vr=30V Idss Vr=30V, Ta=125℃ Vr=30V, Ta=150℃ Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 栅极接地时漏极电流 ( 肖特基漏电电流 ) 正向跨导 二极管 + 肖特基正向压降 寄生二极管 + 肖特基最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 (FET+ 肖特基 ) 反馈电容 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷（10V） 总栅极电荷（4.5V） 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管 + 肖特基反向恢复时间 寄生二极管 + 肖特基反向恢复电荷 Gfs Vsd Is 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 Vgs=10V, Id=11A 30 1.0 40 Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=8A Vds=5V, Id=11A Is=1A, Vgs=0V V 0.007 0.050 3.200 10.000 mA 12.000 20.000 100 nA 1.8 3.0 V A 13.4 16.0 16.8 21.0 mΩ 20.0 25.0 25 S 0.45 0.50 V 5 A Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 1040 212 121 0.70 1250 Qg Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf trr Qrr 19.8 9.8 2.5 3.5 4.5 3.9 17.4 3.2 19 9 24.0 12.0 Vgs=10V, Vds=15V, Id=11A Vgs=10V, Vds=15V RL=1.35Ω, Rgen=3Ω If=11A, dlf/dt=100A/μs If=11A, dlf/dt=100A/μs 0.85 7.0 7.0 30.0 5.7 23 11 pF pF pF Ω nC nC nC nC ns ns ns ns ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 内藏肖特基二极管 单 N 沟道 MOSFET ELM14702AA-N ■标准特性和热特性曲线 30 20 4V 10V 25 20 3.5V Id (A) Id (A) Vds=5V 16 4.5V 15 12 125°C 8 10 25°C Vgs=3V 4 5 0 0 0 1 2 3 4 5 1.5 2 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 3 3.5 4 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 24 1.6 Vgs=10V 22 Vgs=4.5V Normalized On-Resistance Rds(on) (m�) 2.5 20 18 16 14 Vgs=10V 12 Id=11A 1.4 1.2 Vgs=4.5V 1 10 0 5 10 15 0.8 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 60 1.0E+01 50 1.0E+00 Id=11A 40 Is (A) Rds(on) (m�) 125°C 30 1.0E-02 125°C 20 25° 1.0E-01 FET+SCHOTTKY 1.0E-03 25°C 1.0E-04 10 2 4 6 8 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 内藏肖特基二极管 单 N 沟道 MOSFET ELM14702AA-N 10 1250 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 1500 Vds=15V Id=11A 6 4 2 750 500 0 4 8 12 16 20 0 5 10 15 50 Rds(on) limited 100�s Power (W) 10ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C DC 1 10 100 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 30 30 20 10 10s 0.1 0.1 25 Tj(max)=150°C Ta=25°C 40 10�s 1ms 20 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 Id (Amps) Crss 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance Coss FET+SCHOTTKY 250 0 10.0 Ciss 1000 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 T Pulse 0.1 Width (s) 0.001 0.01 1 10 Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000