双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM588822A-S ■概要 ■特点 ELM588822A-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=7.2A ·Rds(on) = 28mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) = 32mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) = 45mΩ (Vgs=1.8V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 20 ±12 7.2 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ 20 2.8 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 A 4.8 Idm 容许功耗 V V A W 1.8 -55 ~ 150 Tj, Tstg ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja 典型值 ■引脚配置图 最大值 62.5 单位 ℃/W ■电路图 TSSOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 3 DRAIN1/DRAIN2 SOURCE1 SOURCE1 4 5 GATE1 GATE2 6 SOURCE2 7 8 SOURCE2 DRAIN1/DRAIN2 D1 G2 G1 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 S1 S2 双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM588822A-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V，Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Vgs=4.5V, Id=7.2A Rds(on) Vgs=2.5V, Id=4.8A Vgs=1.8V, Id=3.0A 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 Gfs Vsd 20 V 1 Ta=85℃ 30 0.4 10 Vds=5V, Id=7A Is=1.6A, Vgs=0V 24 27 36 25 0.7 Is Ciss Coss μA ±100 nA 0.8 V A 28 32 45 mΩ 1.2 S V 1.5 A 700 75 pF pF Crss 45 pF Qg 650 nC 200 180 nC nC Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=7A td(on) Vgs=4.5V, Vds=10V tr RL=1.4Ω, Id=1A td(off) Rgen=3Ω tf 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 8 12 32 12 20 40 ns ns ns 10 15 ns AFN8822 Alfa-MOS 20V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM588822A-S Typical Characteristics ■标准特性和热特性曲线 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2010 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN8822 Alfa-MOS 20V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM588822A-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2010 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN8822 Alfa-MOS 20V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM588822A-S Typical Characteristics ■测试电路和波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Nov. 2010 www.alfa-mos.com Page 5 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。