1.3 MB - Spansion

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
MB39C601
ASSP
LED 照明用トライアック調光対応 LED ドライバ IC
Data Sheet (Full Production)
Publication Number MB39C601_DS405-00008
CONFIDENTIAL
Revision 2.1
Issue Date January 31, 2014
D a t a S h e e t
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
CONFIDENTIAL
MB39C601
ASSP
LED 照明用トライアック調光対応 LED ドライバ IC
Data Sheet (Full Production)
 概要
MB39C601 は、フライバック方式スイッチングレギュレータコントローラです。
LED 負荷に応じてオン時間もしくはスイッチング周波数を制御することにより LED 電流を制御し
ます。
商用および住居の電球の置換えなど、一般照明アプリケーション向けに適しています。
 特長
・シングルコンバージョンでの高力率を実現
・スイッチング周波数制御における Low Power Mode (LPM)のバースト動作により軽負荷時の高効
率を実現
・FB 電流制御によるスイッチング周波数任意設定可能: 30kHz ~ 130kHz
・外部センス抵抗なしで 1 次側トランスの電流制御可能
・トライアック調光に対応
・補助トランスのゼロエネルギー検出による高効率および低 EMI
・低電圧時誤動作防止回路内蔵
・過負荷保護内蔵
・出力過電圧保護内蔵
・過熱保護内蔵
・LED 負荷
:最大 25W
・入力電圧範囲 VDD
:9V ~ 20V
・アプリケーション対応電圧
:AC110VRMS, AC230VRMS
・小型パッケージ
:SOP-8 (3.9mm × 5.05mm × 1.75mm[Max])
 アプリケーション
・一般 LED 照明
・トライアック調光対応 LED 照明
など
オンラインデザインシミュレータ
Easy DesignSim
本製品は、回路動作や周辺部品をオンライン上で手軽に確認できるシミュレーションツールを提供しています。
下記、URL よりご利用ください。
http://www.spansion.com/easydesignsim/jp/
Publication Number MB39C601_DS405-00008
Revision 2.1
Issue Date January 31, 2014
本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Spansion Inc.は、本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更はない見込みで
す。ただし、誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。
CONFIDENTIAL
D a t a S h e e t
 端子配列図
(TOP VIEW)
FB
1
8
VDD
TZE
2
7
GND
PCL
3
6
DRN
OTM
4
5
VCG
(FPT-8P-M02)
 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
1
FB
I
スイッチング周波数設定端子です。
2
TZE
I
トランス補助巻線のゼロエネルギー検出端子です。
3
PCL
I
トランス 1 次巻線のピーク電流制御用端子です。
4
OTM
I
オン時間設定端子です。
5
VCG
-
外部 MOSFET のゲートバイアス用端子です。
6
DRN
O
外部 MOSFET のソース接続端子です。
7
GND
-
GND 端子です。
8
VDD
-
電源端子です。
2
CONFIDENTIAL
機能説明
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
VIN
AC
CONFIDENTIAL
CVDD
1
CBULK
1
1
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
1
OTM
1
TZE
FB
VDD
4
2
1
8
IFB
13V
IOTM
OV
Fault
3V
1V
VGATE
On-Time Modulation
and Fault Response
Control
5V
20mV
Shutdown
and Restart
Latch or
Retry
Zero Energy
Detect
Feedback
Processing
Modulators
1.5μA<IFB<210µA
Low Power Mode
210µA<IFB
Over Load
IFB<1.5µA
IFB
10V/8V
UVLO
10V/6V
Fault Latch
Reset
D
IFB
Thermal
Shutdown
Q
Q
1/tSW
Fault Latch
Reset
UVLO
VVCG
Shunt
VVDD
Switch
2V
14V
Current
Sense
VGATE
Discharge
Freq. Modulator
Enable
PWM
Fault
Enable
PWM
IFB
Fault Timing
and Control
VVCG
LDO
IFB
IFB
MB39C601
IP
Current
Modulator
Driver
HS
Drive
3
7
6
5
PCL
GND
DRN
VCG
1
1
DBIAS
D1
1
CVCG
Rst
1
2
1
2
Co
2
2
Rs
Vs
D a t a S h e e t
 ブロックダイヤグラム(オン時間制御時)
3
D a t a S h e e t
 絶対最大定格
項目
電源電圧
入力電圧
入力電流
出力電流
記号
条件
定格値
最小
最大
単位
VVDD
VDD 端子
－0.3
+25.0
V
VDRN
DRN 端子
-
+20.0
V
VVCG
VCG 端子
－0.3
+16.0
V
VTZE
TZE 端子
－0.3
+6.0
V
VOTM
OTM 端子
－0.3
+6.0
V
VPCL
PCL 端子
－0.3
+6.0
V
VFB
FB 端子
－0.3
+2.0
V
IVCG
VCG 端子
-
10
mA
IOTM
OTM 端子
－1
0
mA
IPCL
PCL 端子
－1
0
mA
IFB
FB 端子
0
1
mA
IDRN
DRN 端子
-
800
mA
IDRN
DRN 端子,
pulse 400ns / duty cycle 2%時
－1.5
+6.0
A
-
800*
mW
－55
+125
°C
許容損失
PD
保存温度
TSTG
Ta≦+ 25°C
*: 2 層基板実装時の場合
参考: θja (風速 0m/s): +125°C/W
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを
破壊する可能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご
注意ください。
4
CONFIDENTIAL
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 推奨動作条件
項目
記号
条件
規格値
単位
最小
標準
最大
9
-
20
V
VDD 端子入力電圧
VDD VDD 端子
VCG 端子入力電圧
VCG
VCG 端子(from low-impedance source)
9
-
13
V
VCG 端子入力電流
IVCG
VCG 端子(from high-impedance source)
10
-
2000
µA
OTM 端子接地抵抗
ROTM
OTM 端子 Shutdown/retry mode 時
10
-
100
kΩ
OTM 端子 Latch-off mode 時
150
-
750
kΩ
PCL 端子接地抵抗
RPCL
PCL 端子
24.3
-
200.0
kΩ
TZE 端子接続抵抗
RTZE1 TZE 端子トランス補助巻線接続抵抗
50
-
200
kΩ
VCG 端子接地容量
CVCG
VCG 端子
33
-
200
nF
VDD 端子バイパス容量
CBP
VDD-GND 端子間(セラミック容量)
0.1
-
1.0
µF
動作周囲温度
Ta
－40
+25
+85
°C
-
＜注意事項＞ 推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特
性の規格値は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用
してください。この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがありま
す。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証して
いません。
記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相
談ください。
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
5
D a t a S h e e t
 電気的特性
(Ta=+25°C, VVDD=12V)
項目
VDD and
VCG SUPPLY
MODULATION
DRIVER
CONFIDENTIAL
端子
条件
VCG (OPERATING)
5
停止時 VCG 電圧
VCG (DISABLED)
5
動作時, 停止時
VCG 電圧差
ΔVCG
5
VCG Shunt 入力電流
IVCG (SREG)
5
ΔVCG (SREG)
5
VCG (LREG)
5
VVDD=20V, IVCG=-2mA
VCG (LREG, DO)
-
VDD (ON)
VCG Shunt Load
Regulation
LDO Regulation 時
VCG 電圧
LDO Dropout 時
VCG 電圧
UVLO Turn-on
スレッショルド電圧
UVLO Turn-off
スレッショルド電圧
UVLO ヒステリシス
VDD スイッチ
ON 抵抗
Fault Latch Reset
VDD 電圧
規格値
単位
最小 標準 最大
VVDD=14V, IVCG=2.0mA 13
VVDD=12V,
IVCG=26µA,
15
IFB=350µA
VCG (DISABLED) 1.75
VCG (OPERATING)
VVCG=VCG (DISABLED) 100mV, VVDD=12V
26µA < IVCG≦5mA,
IFB=350µA
動作時 VCG 電圧
14
15
V
16
17
V
2.00
2.15
V
12
26
µA
125
200
mV
-
13
-
V
VDD-VCG,
VVDD=11V, IVCG=-2mA
-
2.0
2.8
V
8
-
9.7
10.2
10.7
V
VDD (OFF)
8
-
7.55
8.00
8.50
V
ΔVDD (UVLO)
8
1.9
2.2
2.5
V
RDS, ON (VDD)
6, 8
-
4*
10*
Ω
5.6
6.0
6.4
V
VDD (ON) - VDD (OFF)
VVCG=12V, VVDD=7V,
IDRN=50mA
-
VDD (FAULT RESET)
8
最小
スイッチング周期
tSW (HF)
6
Frequency Modulation
(FM) モード時,
IFB=5µA
7.215 7.760 8.305
µs
最大
スイッチング周期
tSW (LF)
6
IFB=IFB, CNR3 - 20µA
31.5
35.0
38.5
µs
DRN ピーク電流
IDRN (peak)
6
6
IFB=5µA, IPCL=100μA
IFB=5µA, IPCL=30μA
-
3*
1*
-
A
A
IDRN (peak, absmin)
6
RPCL=OPEN
-
0.45*
-
A
tBLANK (ILIM)
6
-
ns
PCL 電圧
VPCL
3
3
3.06
1.05
V
V
FM モード時
IFB 幅
IFB, CNR1
1
195
µA
AM モード時
IFB 幅
IFB,CNR2 - IFB,CNR1
1
RPCL 開放時
最小ピーク電流
ILIM
ブランキング時間
LPM 時 IFB 幅
LPM ヒステリシス
FB 電圧
ドライバ ON 抵抗
ドライバ OFF 時
リーク電流
High-Side
ドライバ ON 抵抗
DRN
ディスチャージ電流
6
記号
65
µA
IFB,CNR3 - IFB,CNR2 1
IFB, LPM-HYST
1
VFB
1
RDS (on) (DRN)
6, 7
IFB=5µA, RPCL=100kΩ,
400*
1.2A pull-up on DRN
IFB=5µA
2.94 3.00
IFB= 230µA
0.95 1.00
tS=tS (LF),
145 165
IDRN=IDRN (peak, max)
tS=tS (LF) ,IDRN (peak)
変動幅= IDRN (peak, max) ~ 35
45
IDRN (peak, min)
50
70
10
25
IFB=10µA
0.34 0.70
IDRN=4.0A
200*
90
40
0.84
400*
µA
µA
V
mΩ
IDRN (OFF)
6, 7
VDRN=12V
RDS (on) (HSDRV)
5, 6
IDIS
6, 7
High-Side
ドライバ電流=50mA
VDD=OPEN,
DRN=12V,
Fault latch set
-
1.5
20.0
µA
-
6*
11*
Ω
2.38
3.40
4.42
mA
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
項目
ゼロエネルギー
スレッショルド電圧
クランプ電圧
スタートタイマ動作
TRANSFORMER
スレッショルド電圧
ZERO ENERGY
ドライバ
DETECTION
turn-on 遅延時間
ゼロエネルギー
検出 wait-time
スタートタイマ周期
過電圧保護
スレッショルド電圧
OVERVOLTAGE
OVP
FAULT
ブランキング時間
入力バイアス電流
オーバロード
検出電流
オーバロード
Delay 時間
OVERLOAD
オーバロード後
FAULT
RETRY 時間
オーバロード検知
切替抵抗
シャットダウン
スレッショルド電圧
SHUTDOWN
シャットダウン時
THRESHOLD
OTM 電流
MAXIMUM ON
TIME
端子
条件
VTZE (TH)
2
-
VTZE (CLAMP)
2
VTZE (START)
2
tDRY (TZE)
6
tWAIT (TZE)
6
tST
6
VTZE (OVP)
2
tBLANK, OVP
6
ITZE (bias)
2
IFB (OL)
1
tOL
6
IFB=0A
tRETRY
6
ROTM=76kΩ
ROTM (TH)
4
-
VOTM (Vth)
4
IOTM, PU
規格値
単位
最小 標準 最大
20*
50*
mV
-200 -160
-100
mV
0.10
0.15
0.20
V
-
150
-
ns
2.0
2.4
2.8
µs
150
240
300
µs
-
4.85
5.00
5.15
V
-
0.6
1.0
1.7
µs
-0.1
0
+0.1
µA
0*
1.5*
3.0*
µA
200
250
300
ms
-
750
-
ms
100
120
150
kΩ
OTM=
0.7
1.0
1.3
V
4
VOTM= VOTM (vth)
-600 -450
-300
µA
ROTM=383kΩ
ROTM=76kΩ
-
3.74
3.4
2.7
4.17
3.8
3.0
4.60
4.2
3.3
µs
µs
V
ITZE=-10µA
150Ω pull-up 12V on
DRN
VTZE=0V
VTZE =5V
-
5*
オン時間
tOTM
OTM 電圧
VOTM
6
6
4
シャットダウン温度
TSD
-
Tj, temperature rising
-
+150*
-
°C
ヒステリシス
TSD_HYS
-
Tj, temperature falling,
degrees below TSD
-
25*
-
°C
IVDD (STATIC)
8
VVDD=20V, VTZE=1V
1.36
1.80
2.34
mA
IVDD (OPERATING)
8
VVDD=20V
-
3.0*
3.7*
mA
Low Power Mode
(LPM)時電源電流
IVDD (LPM)
8
IFB=350µA
-
550
900
µA
UVLO 時電源電流
IVDD (UVLO)
8
VVDD= VDD (ON) 100mV
-
285
500
µA
OTP
電源電流
POWER SUPPLY
CURRENT
記号
＊：設計標準値
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
7
D a t a S h e e t
 標準特性
電源電流 - VDD
電源電流 - Ta
4.0
3.8
3.8
3.6
3.6
3.4
3.4
IDD+ICG [mA]
IDD [mA]
4.0
3.2
3.0
2.8
3.2
3.0
2.8
2.6
2.6
2.4
2.4
VDD; decreasing from 20V
VCG=OPEN
IFB=5µA
2.2
2.0
2.0
8
10
12
14
16
VDD=12V
VCG=12V
IFB=5µA
2.2
18
20
-40 -30 -20 -10
0
+10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15
-5
+5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
Ta [°C]
VDD [V]
スイッチング周波数 - IFB
160
140
Ta=-25°C
3.0
120
Ta=+25°C
Ta=+85°C
2.5
IDRN(peak) [A]
100
fSW [kHz]
DRN ピーク電流 - IFB
3.5
80
Ta=-40°C
60
Ta=+25°C
Ta=+85°C
40
2.0
1.5
1.0
0.5
20
0
0.0
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
DRN ピーク電流 - IPCL
3.5
4
2.0
tOTM [us]
IDRN(peak) [A]
250
300
5
2.5
1.5
Shutdown/
Retry
(1)
3
Latch-off
(2)
2
1.0
0.5
Ta=-40°C
Ta=+25°C
Ta=+85°C
1
n=30
0
0.0
0
20
40
60
IPCL [µA]
CONFIDENTIAL
200
オン時間 - ROTM
6
3.0
8
150
IFB [uA]
IFB [µA]
80
100
0
100
200
300
400
500
600
ROTM [kΩ]
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
400
ドライバ ON 抵抗 - Ta
12
11
350
10
9
RDS(on)(HSDRN) [W]
RDS(on)(DRN) [mΩ]
300
250
200
150
8
7
6
5
4
100
3
50
1
2
0
0
-40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
Ta [°C]
1000
High-side ドライバ ON 抵抗 - Ta
-40 -30 -20 -10
0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15 -5
+5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
Ta [°C]
許容損失- Ta
900
800
許容損失[mW]
700
600
500
400
300
200
100
0
-50 -40 -30 -20 -10
0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80 +90 +100
Ta[°C]
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
9
D a t a S h e e t
 機能説明
(1) LED 電流制御機能
MB39C601 は、フライバック方式スイッチングレギュレータコントローラです。
LED 負荷に応じてオン時間もしくはスイッチング周波数を制御することにより LED 電流を制御し
ます。
LED 電流は、LED に直列に接続された検出抵抗(Rs)で検出電圧(Vs)に変換します。Vs は外付けの
誤差比較増幅器(ErrAMP)にて比較され、Vs が基準電圧を下回ると ErrAMP 出力は上昇し、フォト
カプラに流れる電流を減少させます。
オン時間制御では、フォトカプラを介して OTM 端子電流を制御します。OTM 端子電流が減少す
ると、オン時間は増加します。オン時間制御では周波数を一定値に設定するため、LED に供給さ
れる平均電流が制御され、LED 電流は安定化されます。
スイッチング周波数制御では、フォトカプラを介して FB 端子電流を制御します。FB 端子電流が
減少するとスイッチング周波数が高くなります。スイッチング周波数制御ではオン時間を一定値
に設定するため、LED に供給される平均電流が制御され、LED 電流は安定化されます。
(2)カスコードスイッチング
1 次巻き線のスイッチはカスコード接続です。外部 MOSFET のゲートは VCG 端子に接続され、
ソースは内部 Driver MOSFET のドレインに接続されます。
スイッチオン時、内部 Driver MOSFET がオン、HS Driver MOSFET がオフし、外部 MOSFET の
ソースは GND に引き下げられます。このときゲート電圧は常に DC バイアスが与えられるため、
外部 MOSFET はオンします。
スイッチオフ時、内部 Driver MOSFET がオフ、HS Driver MOSFET はオンし、外部 MOSFET の
ソースは VCG 端子電圧まで上昇します。このときゲート電圧は常に DC バイアスが与えられるた
め、外部 MOSFET はオフします。
また内部 Driver MOSFET に流れる電流は、1 次巻き線の電流と等しくなります。そのため、検出
抵抗を必要とすることなく 1 次巻き線のピーク電流を検出できます。
(3) Natural PFC (Power Factor Correction: 力率補正) 機能
力率は交流電圧入力において、入力電流波形を正弦波に近づけ、位相差をゼロに近づけることで
改善できます。
不連続モードのフライバック方式において入力コンデンサを小さく設定した場合、入力電流はト
ランス一次側のピーク電流(IPEAK)とほぼ等しくなり、
I PEAK =
VBULK × t ON
LMP
=
VBULK
LMP
tON
VBULK :1 次巻き線の印加電圧
LMP
:1 次巻き線のインダクタンス
tON
:オン時間
となります。
オン時間制御では、外付け Err AMP の応答速度を交流電圧周波数より十分低く(交流電圧周波数の
1/10 以下)設定することで、オン時間を一定にできます。したがって、入力電流を入力電圧に比例
させることができ、高力率を実現できます。
10
CONFIDENTIAL
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(4) 起動シーケンス
VBULK に電圧が入力されると、起動抵抗(Rst)を通じて VCG 端子容量(CVCG)に電荷が充電され、
VCG 端子電圧は上昇します。VCG 端子電圧が外付け MOSFET のスレッショルドを超えると、
ソースフォロアにより DRN 端子電圧が上昇します。DRN 端子は VDD スイッチを介して VDD 端
子に接続されており、DRN 端子から VDD 端子容量をチャージします。VDD 端子電圧が UVLO ス
レッショルド電圧を超えると、VDD スイッチがオフすると共に内部バイアス回路が動作し、
スイッチングを開始します。
スイッチング開始後の VDD 端子電圧は、外付けのダイオードを介して補助巻き線(Auxiliary
Winding)より供給されます。補助巻き線の電圧は、補助巻き線と 2 次巻き線(Secondary Winding)の
巻き数比と 2 次巻き線電圧で決定されるため、2 次巻き線の電圧が上昇し、補助巻き線電圧が
VDD 端子電圧より上昇するまでは、VDD 端子には電圧が供給されません。そのため、この期間
に VDD 端子電圧が UVLO スレッショルド電圧を下回らないように、VDD 端子容量を設定してく
ださい。
DRN-VDD 端子間のショットキーダイオードは、内部 VDD スイッチのボディダイオードに電流が
流れることを避けるために使用されます。
・起動時の電流パス
VBULK
Rst
Primary
Winding
Ist
HV-MOSFET
CVCG
D1
VDD Start-up Current
CVDD
DBIAS
VDD
VDD Operating and LPM Current
VCG
8
Auxiliary
Winding
5
VDD
Switch
UVLO
10V/8V
Enable
PWM
HS
Drive
VCG
Shunt
14V
6
2V
Fault
Driver
PWM
Control
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
DRN
7
GND
11
D a t a S h e e t
・起動シーケンス
UVLO スレッショルド
UVLO スレッショルド
(5) 停止シーケンス
AC ラインから交流電源が取り除かれると、スイッチングしても 2 次巻き線には電流が流れなくな
ります。LED 電流は、出力容量から供給され次第に低下します。同様に、補助巻き線も電流が流
れなくなるため、VDD 端子電圧は低下します。
VDD 端子電圧が UVLO スレッショルド電圧を下回ると、スイッチングが停止しシャットダウンし
ます。
・停止シーケンス
UVLO スレッショルド 8V
12
CONFIDENTIAL
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(6) OTM 部
OTM 端子に抵抗(ROTM)を接続することによって、オン時間を設定します。下図に示すように、
OTM から抵抗を介してフォトカプラのコレクタを接続することによって、オン時間制御できま
す。
・OTM 端子制御
下図は、設定抵抗によって 1.5µs ~ 5.0µs の間でオン時間が制御されることを示しています。
設定抵抗は、過負荷保護(latch-off か shutdown/retry)に対する制御方法を決めています。
latch-off および shutdown/retry モードの詳細は過負荷保護(OL)の項目を参照してください。
オン時間は、次式に基づいた設定抵抗にて制御されます。
Ω
])
s
Ω
(2) ROTM=tOTM × (0.918 × 1011[
])
s
(1) ROTM=tOTM × (2 × 1010[
・オン時間設定レンジ
また、OTM 端子電圧を VOTM (Vth) (typ 1V) 以下にすることによって、シャットダウンできます。
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
13
D a t a S h e e t
(7) PCL 部
PCL 端子に抵抗を接続することでトランスの 1 次巻き線のピーク電流を設定します。
最大ピーク一次側電流は、PCL 端子と GND 間の RPCL 抵抗によって設定されます。
100kV
)
RPCL
またスイッチングサイクルのはじめ約 400ns のブランキング時間は、サイクル立上りに現れるス
パイクノイズをマスキングすることで電流センスの誤動作を防止します(下図を参照してくださ
い)。
IDRN(pk) = (
・PCL 端子によるピーク電流制限
6
IDRN
VGATE
From
Optocoupler
Emitter
FB
I FB
From
High-Voltage
MOSFET Source
Driver
Current
Sense
t BLANKCL
DRN
7
GND
IFB
1
Current Modulator
I DRNPK
3
1
IFB, µA
I PCL
165 210
VPCL, V
3
1
IFB, µA
165 210
3
PCL
RPCL
14
CONFIDENTIAL
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(8) FB 部
スイッチング周波数は、FB 端子に流れる電流を設定することで制御できます。オン時間制御では、
FB 端子を VDD にプルアップすることでスイッチング周波数の設定ができます。またスイッチン
グ周波数制御においては、下図に示すように、FB 端子から抵抗を介してフォトカプラの
エミッタを接続することによって、スイッチング周波数を制御できます。抵抗(RFB)は、フォトカ
プラの暗電流を抜くために GND に接続されます。
・FB 端子制御
IFB
RFB
Filter
CFB
Filter
FB
RFB
IFB
1
Feedback
Processing
Modulators
1.5µA<IFB<210µA
Low Power Mode
210µA<IFB
Over Load
IFB<1.5µA
FB 電流(IFB)により、以下の 3 モードで切り換わります(「・FB 端子に基づくスイッチング周波数
およびピーク電流制御動作」を参照してください)。
(1) Frequency Modulation Mode (FM)
HV-MOSFET のピーク電流は最大設定値に設定され、IFB にてスイッチング周波数を
調整することによって LED 電流を制御します。スイッチング周波数の範囲は 30kHz ~
130kHz です。HV-MOSFET の最大設定電流 IDRN(peak, max)は、PCL 端子の抵抗値によっ
て設定されます。
(2) Amplitude Modulation Mode (AM)
HV-MOSFET のピーク電流を IFB によって制御することにより、LED 電流を制御しま
す。スイッチング周波数は約 30kHz であり、HV-MOSFET のピーク電流範囲は最大設
定値の 33% ~ 100%です。HV-MOSFET の最大設定電流 IDRN (peak, max)は、PCL 端子の抵
抗値によって設定されます。
(3) Low Power Mode (LPM)
軽負荷時に LPM-ON と LPM-OFF の 2 つの状態を繰り返します。
LPM-ON モードでは、30kHz でスイッチングし、LED に電流を供給します。このとき、
フォトカプラからのフィードバック電流が大きくなり、LPM-OFF モードへ移行しま
す。LPM-OFF モードでは、スイッチングせず、Co に蓄えられた電荷で LED に電流を
供給させ、フォトカプラからのフィードバック電流が少なくなった時点で、LPM-ON
モードへ移行します。この 2 つの状態を繰り返し、省電力で LED を点灯させます。
上記(1) FM, (2) AM, (3) LPM の 3 つのモードは、LED の負荷によって変わり、負荷が
軽くなると(1) → (2) → (3)と遷移します。
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
15
D a t a S h e e t
・FB 端子に基づくスイッチング周波数およびピーク電流制御動作
16
CONFIDENTIAL
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(9) TZE 部
MB39C601 では、次のスイッチングサイクルを開始するために以下の 3 つの条件すべてが必要で
す。
1. 前回のターンオンエッジからの時間が、IFB で設定されるスイッチング時間以上経過している
2. 前回のターンオンエッジからの時間が、MB39C601 で設定される最小スイッチング周期よりも
長い(7.5µs=133kHz)
3. TZE 端子でのゼロエネルギー検出の直後または、前回のゼロエネルギー検出からの時間が
tWAIT (TZE) (~2.4µs)よりも長い
・スイッチングサイクル開始遷移図
TZE≦150mV
TZE≦20mV の L-Edge
1 度もなし
VDD≧10.2V
MB39C601 Enable
TZE
<150mV
TZE
>150mV
スタート CLK
Tst=240µs
強制スイッチング
スイッチング周波数タイマが完了
TZE≦20mV の L-Edge
スイッチング周波数タイマが完了
TZE≦20mV の L-Edge
次周期の ON 開始
スイッチング周波数タイマが完了
TZE≦20mV の L-Edge
TZE≦20mV の L-Edge が 1 度以上あるがス
イッチング周波数タイマが完了後 2.4µs の期
間内に TZE≦20mV の L-Edge が発生しない。
前回の TZE L-Edge
スイッチング
開始せず
TZE>150mV
から 2.4µs 後に
TZE≦20mV の L-Edge が１度
次周期の ON 開始
以上あるがスイッチング周波数
タイマが完了後 2.4µs の期間内に
TZE≦20mV の L-Edge が発生し
ない。
TZE≦20mV の L-Edge が 1 度以上あるが
スイッチング周波数タイマが完了後
2.4µs の期間内に TZE≦20mV の L-Edge
が発生しない。
「・TZE 端子接続」に示すように、ゼロエネルギー検出はトランスの補助巻き線に接続された分
圧抵抗回路を通して TZE 端子にて検出できます。
また 1 次スイッチのターンオンを 1 次巻き線波形の共振ボトムに合わせるために、50ns ~ 200ns の
遅延を CTZE 容量によって追加できます。
・ゼロエネルギー検出時のスイッチング波形
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
17
D a t a S h e e t
・TZE 端子接続
NP
NS
NB
1
RTZE1
TZE
RTZE2
CTZE
Zero Energy
Detect
2
20mV
OV
Fault
5V
18
CONFIDENTIAL
Fault Timing
and Control
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 各種保護回路
・低電圧時誤動作防止回路(UVLO)
電源端子電圧(VDD)の起動時における過渡状態や瞬時低下での、IC の誤動作やシステムの破壊、
劣化を防止するための機能です。VDD 端子の電圧低下を比較器(Comp.)で検出し、出力 HS
DRIVER をオフ、出力 DRIVER をオフし、スイッチングを停止します。VDD 端子電圧が低電圧時
誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。
・出力過電圧保護(OVP)
LED が open 状態などで、出力電圧が上昇しすぎると、補助巻き線の電圧と TZE 端子電圧もそれ
に伴い上昇します。この TZE 端子電圧をサンプリングすることで、過電圧検出を行うことができ
ます。TZE 端子電圧が過電圧検出回路のスレッショルドを超えると、過電圧を検出します。出力
HS DRIVER をオフ、出力 DRIVER をオフし、スイッチングを停止します(latch 停止)。VDD 端子
電圧が Fault Latch Reset 電圧以下になれば、過電圧保護状態を解除します。
・過負荷保護(OL)
スイッチング周波数制御時に LED のカソードまたはアノードが GND ショートで過負荷になると、
Rs に電流が流れなくなり、IFB への電流フィードバックがなくなります。FB 端子電流が 1.5µA 以
下で過負荷を検出します。過負荷検出時の状態は、ROTM で決められる抵抗値によって、latch-off
か shutdown/retry 状態になります。
shutdown/retry
…
250ms の間スイッチング、750ms の間スイッチング停止の状態を繰り返
します。過負荷状態でなくなると、自動で復帰します。
latch-off
…
250ms の間スイッチングを継続し、その期間に過負荷状態から復帰しな
いと出力 HS DRIVER をオフ、出力 DRIVER をオフし、スイッチングを
停止します。この後で過負荷状態でなくなっても、スイッチング停止し
たままであり(latch 停止)、VDD 端子電圧が Fault Latch Reset 電圧以下に
なればラッチを解除します。
・過負荷保護シーケンス
・過熱保護(OTP)
過熱保護(OTP)は IC を熱破壊から保護するための機能です。接合部温度が+ 150°C に達すると、出
力 HS DRIVER をオフ、出力 DRIVER をオフし、スイッチングを停止します。接合部温度が
+125°C まで下がると再び復帰します (自動復帰) 。
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
19
D a t a S h e e t
 各種機能表
機能
DRN
LS_DRV HS_DRV VDD SW
通常動作
低電圧時誤動作防止
(UVLO)
OTM
シャットダウン
出力過電圧保護(OVP)
過負荷
保護
(OL)
LPM 時停止状態
過熱保護(OTP)
20
CONFIDENTIAL
保護動作時
検出条件
復帰条件
備考
OFF
OFF
-
-
-
OFF
OFF
ON
OFF
VDD < 8.0V
VDD > 10.2V
Standby
OFF
OFF
ON
OFF
OTM=GND
OTM > 1V
Standby
OFF
OFF
ON
ON
TZE > 5V
VDD < 6V
後に
VDD > 10.2V
Latch-off
IFB < 1.5µA
32.6k < ROTM <
100kΩ
IFB > 1.5µA
Shutdown
Retry OL
Timer
(250ms)
Shutdown
Retry Fault
(750ms)
IFB < 1.5µA
150k < ROTM <
459kΩ
IFB > 280µA
Tj > +150°C
VDD < 6V
後に
VDD > 10.2V
IFB < 255µA
Tj < +125°C
OFF
Shutdown/
Retry
モード
Latch-Off
モード
Discharge
SW
OFF
OFF
OFF
ON
OFF
OFF
OFF
ON
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
ON
ON
OFF
OFF
Latch-off
-
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 入出力端子等価回路図
端子
番号
端子
名
1
FB
2
TZE
3
PCL
4
OTM
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
等価回路図
21
D a t a S h e e t
端子
番号
端子
名
5
VCG
6
DRN
22
CONFIDENTIAL
等価回路図
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 応用回路例
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
CONFIDENTIAL
23
D a t a S h e e t
・部品表
・ Vac 90V~145V 50Hz/60Hz (Typ110V) Iout 390mA
No
回路記号
1
U1
IC PWM CTRLR CASCODE 8-SOIC
2
U2
OPTO ISOLATOR TRANSISTOR OUTPUT
3
U3, U4, U5
IC OPAMP GP R-R 1MHZ SGL SOT23-5
LMV321IDBVR
TI
4
VR1
SUR ABSORBER 7MM 430V 1250A ZNR
ERZ-V07D431
Panasonic
5
BR1
MB6S
Fairchild
6
T1*
750811148
Wurth
7
F1
IC RECT BRIDGE 0.5A 600V 4SOIC
TRANSFORMER FLYBACK EE20/10/6
430µH RATIO Np/Ns=2.91/1 Np/Na=5.33/1
FUSE PICO FAST 2.5A 250V AXIAL
026302.5WRT1L
Littelfuse
8
L1
IND COMMON MODE CHOKE 40MH
750311650
Wurth
9
L2
JUMPER (RES 0.0Ω 1206)
RK73Z2B
KOA
10
Q1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220FP
SPA07N60C3
Infineon
11
Q2
TRANSISTOR NPN 100V 1A SOT-89
FCX493TA
12
Q6
TRANSISTOR NPN GP 40V SOT23
13
C1*
CAP .47UF/400VDC METAL POLY
ECQ-E4474KF
Diodes
Micro
Commercial
Panasonic
14
C2
CAP CER 15000PF 250V X7R 1206
GRM31BR72E153KW01L
muRata
15
C3
CAP CER 10000PF 50V X7R 0603
GRM188R71H103KA01D
muRata
16
C4
CAP CER .1UF 25V X7R 10% 0603
GRM188R71E104KA01D
muRata
17
C5
CAP 100UF 25V ELECT RADIAL 2.5MM
EEU-FC1E101S
Panasonic
18
C6,C7
GRM32ER72A225KA35
muRata
19
C8
CAP 560UF 50V ELECT HE RADIAL
UPW1H561MHD
Nichicon
20
CAP .056UF/630VDC METAL POLY
ECQ-E10223KF
Panasonic
CAP CER 10000PF 50V X7R 0603
GRM188R71H103KA01D
muRata
22
C9
C10, C15,
C17, C18,
C19
C11
CAP CER 2.2NF X1/Y1 RADIAL
DE1E3KX222MA4BL01
muRata
23
C12
CAP CER 220PF 630VDC U2J 1206
GRM31A7U2J221JW31D
muRata
24
C13
CAP CER 0.33UF 16V X7R 0603
GRM188R71C334KA01
muRata
25
C14
CAP CER 1UF 16V X7R 0805
GRM21BR71C105KA01#
muRata
26
C16
CAP CER .1UF 25V 0805
GRM21BR71E104KA01#
muRata
27
C21
CAP .022UF/305VAC X2 METAL POLYPRO
28
D1
DIODE ULTRA FAST 800V 1A SMA
29
D3
30
D4
31
D5
DIODE GPP FAST 1A 600V DO-41
32
D6
DIODE GPP FAST 1A 600V SMA
33
D8
SHUNT REGULATOR 5.0V SOT-23
LM4040C50IDBZT
TI
34
D9
DIODE, SWITCHING 70V SC-70
BAW56WT1
On Semi
35
R1,R2,R31
RES 560kΩ 1/4W 1% 0805 SMD
RK73H2ATTD5603F
KOA
36
R3,R6,R15
RES 100kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1003V
Panasonic
37
R4
RES 75.0kΩ 1/4W 5% 1206 SMD
RK73B2BTTD753J
KOA
38
R5
RES 510Ω METAL FILM 2W 5%
ERG-2SJ511A
Panasonic
39
R7
RES 464kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF4643V
Panasonic
40
R8
RES 4.42kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF4421V
Panasonic
41
R9
RES 39.2Ω 1/8W 5% 0805 SMD
42
R10
RES 1.0kΩ METAL FILM 2W 5%
43
R11
RES 110kΩ 1/8W 5% 0805 SMD
21
24
CONFIDENTIAL
名称・仕様など
CAP CER 2.2UF 100V X7R 1210
指定型格
製造元
MB39C601
Spansion
PS2561L-1-A
CEL
MMBT3904-TP
B32921C3223M
Epcos
RS1K-13-F
Diodes
DIODE ULTRA FAST 200V SOT-23
MMBD1404
Fairchild
DIODE ZENER 18V 225MW SOT-23
BZX84C18LT1
On Semi
UF4005
Fairchild
RS1J
Fairchild
RK73B2ATTD390J
KOA
ERG-2SJ102A
Panasonic
RK73B2ATTD114J
KOA
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
No
回路記号
44
R12
45
R13
46
R14
47
R16
48
49
名称・仕様など
指定型格
製造元
RES 33.2kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF3322V
Panasonic
RES 40.2kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF4022V
Panasonic
RES 634kΩ1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF6343V
Panasonic
RES 5.1Ω 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD5R10F
KOA
R17
RES 3.00Ω 1/8W 1% 0805 SMD
RK73H2ATTD3R00F
KOA
R18
RES 10.0kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1002V
Panasonic
50
R19
RES .33Ω 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-8RQFR33V
Panasonic
51
R20
RES 301kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF3013V
Panasonic
52
R21
RES 71.5kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF7152V
Panasonic
53
R22
RES 200kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF2003V
Panasonic
54
R24, R35
RES 3.01kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF3011V
Panasonic
55
R25, R33
RES 1.00MΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1004V
Panasonic
56
R26
RES 2.00kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF2001V
Panasonic
57
R27
RES 511kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF5113V
Panasonic
58
R23, R28
RES 20.0kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF2002V
Panasonic
59
R29
RES 12.7kΩ 1/8W 1% 0805 SMD
RK73H2ATTD1272F
KOA
60
R30
RES 604kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF6043V
Panasonic
61
R32
RES 17.4kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1742V
Panasonic
62
R40
RES 16.5kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1652V
Panasonic
63
R41
64
R42
65
R43
RES 0.0Ω 1/20W 5% 0603 SMD
RK73Z1J
KOA
66
R44
RES 1.0kΩ 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1001V
Panasonic
*: Vac 180V～265V 50Hz/60Hz (Typ 230V) Iout 390mA
Spansion : Spansion Inc.（スパンション）
Wurth
: Adolf Wurth GmbH & Co. KG
Infineon : Infineon Technologies AG
CEL
: California Eastern Laboratories, Inc
Fairchild : Fairchild Semiconductor International, lnc.
Diodes : Diodes, Inc
On Semi : ON Semiconductor
Panasonic : パナソニック株式会社
muRata : 株式会社村田製作所
Epcos
: EPCOS AG
KOA
: コーア株式会社
TI
: Texas Instruments Incorporated
Micro Commercial : Micro Commercial Components Corp.
Nichicon : ニチコン株式会社
Littelfuse : Littelfuse, Inc.
No 回路記号
6
13
名称・仕様など
C1
CAP .22UF/400VDC METAL POLY
T1
TRANSFORMER FLYBACK EE20/10/6
1.2mH RATIO Np/Ns=4.42/1 Np/Na=8.15/1
指定型格
製造元
ECQ-E4224KF
Panasonic
750811145
Wurth
Panasonic : パナソニック株式会社
Wurth
: Adolf Wurth GmbH & Co. KG
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
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D a t a S h e e t
 使用上の注意
1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合、LSI の永久破壊となることがあります。
また、通常動作では、推奨動作条件下で使用することが望ましく、この条件を超えて使用すると
LSI の信頼性に悪影響をおよぼすことがあります。
2. 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は、LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は、推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されま
す。
3. プリント基板のアースラインは、共通インピーダンスを考慮し、設計してください。
4. 静電気対策を行ってください。
・ 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。
・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。
・ 作業台, 工具, 測定機器は、アースを取ってください。
・ 作業する人は、人体とアースの間に 250 kΩ～1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてくださ
い。
5. 負電圧を印加しないでください。
－0.3 V 以下の負電圧を印加した場合、LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあ
ります。
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MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 オーダ型格
型格
パッケージ
MB39C601PNF
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
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備考
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 RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合)
Spansion の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと、特定臭素系
難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は、型格に"E1"を付
加して表します。
 製品捺印 (鉛フリーの場合)
C601
E1 XXXX
XXX
INDEX
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鉛フリー表示
MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 製品ラベル (鉛フリーの場合の例)
鉛フリー表示
JEITA 規格
JEDEC 規格
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
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中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されています。
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 MB39C601PNF 推奨実装条件
【推奨実装条件】
推奨リフロー条件
項目
内容
実装方法
IR (赤外線リフロー)・温風リフロー
実装回数
2回
保管期間
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱 ～2 回目リフロー迄の
保管期間
8 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング(125°C±3°C, 24H＋2H/－0H)
を実施の上、8 日以内に処理願います。
ベーキングは 2 回まで可能です。
5°C～30°C, 70％RH 以下 (できるだけ低湿度)
保管条件
【実装方法の各条件】
(1)リフロープロファイル
260°C
255°C
本加熱
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(a)
H ランク：260℃ Max
(a) 温度上昇勾配
(b) 予備加熱
(c) 温度上昇勾配
(d) ピーク温度
(d') 本加熱
(e) 冷却
(c)
(d)
(e)
(d')
1℃/s～4℃/s
170℃～190℃, 60 s～180 s
1℃/s～4℃/s
260℃ Max
255℃ up 10 s 以内
：温度 230℃ up 40 s 以内
or
温度 225℃ up 60 s 以内
or
温度 220℃ up 80 s 以内
：自然空冷または強制空冷
：平均
：温度
：平均
：温度
(注意事項) パッケージボディ上面温度を記載
(2) JEDEC 条件: Moisture Sensitivity Level 3 (IPC/JEDEC J-STD-020D)
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MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
(3) 推奨手半田付け条件(部分加熱法)
項目
内容
開梱前
製造後 2 年以内
開梱後 ～実装までの保管期間
製造後 2 年以内
(部分加熱のため、保管期間の
吸湿管理不要)
保管期間
保管条件
5°C～30°C, 70%RH 以下(できるだけ低湿度)
実装条件
コテ先温度: Max. 400°C
時間:5 秒以内/ピン*
＊:パッケージボディにコテ先が触れないこと
(4) 推奨半田全面ディップ条件
項目
内容
実装回数
1回
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱 ～実装までの保管期間
14 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング(125°C±3°C, 24H＋2H/－0H)
を実施の上、14 日以内に処理願います。
ベーキングは 2 回まで可能です。
保管期間
保管条件
5°C～30°C, 70％RH 以下 (できるだけ低湿度)
実装条件
半田浴槽温度: Max. 260°C
時間:5 秒以内
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 パッケージ・外形寸法図
リードピッチ
1.27mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
3.9mm × 5.05mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.75mm MAX
質量
0.06g
プラスチック・SOP, 8 ピン
(FPT-8P-M02)
ピン
プラスチック・
（FPT-8P-M02）
注 1）* 印寸法はレジン残りを含む。
注 2）* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 3）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 4）端子幅はタイバ切断残りを含まず。
+.010
*1 5.05 +0.25
–0.20 .199 –.008
8
+0.03
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
Details of "A" part
45°
1.55±0.20
(Mounting height)
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
M
0~8°
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
単位：mm （inches）
注意：括弧内の値は参考値です 。
最新の外形寸法図については、下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
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MB39C601_DS405-00008-2v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t

主な変更内容
ページ
Revision 2.1
-
場所
-
January 31, 2014, MB39C601_DS405-00008-2v1-J
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変更箇所
社名変更および記述フォーマットの変換
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免責事項
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用
途の限定はありません) に使用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求
され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危
険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにお
ける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2)
極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたもの
ではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、
お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が
発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよ
う、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計を
お願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基
づき規制されている製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要と
なります。
商標および注記
このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Spansion が開発中の Spansion 製品に関
する情報が記載されている場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、
開発を中止したりする権利を有します。このドキュメントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供さ
れるものであり、その正確性, 完全性, 実施可能性および特定の目的に対する適合性やその市場性および他者の
権利を侵害しない事を保証するものでなく、また、明示, 黙示または法定されているあらゆる保証をするもの
でもありません。Spansion は、このドキュメントに含まれる情報を使用することにより発生したいかなる損害
に対しても責任を一切負いません。
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商標：Spansion®, Spansion ロゴ (図形マーク), MirrorBit®, MirrorBit® Eclipse™ , ORNAND™ 及びこれらの組合せ
は、米国・日本ほか諸外国における Spansion LLC の商標です。第三者の社名・製品名等の記載はここでは情報
提供を目的として表記したものであり、各権利者の商標もしくは登録商標となっている場合があります。
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