MB39A138 - Spansion

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS04-27270-2
ASSP 電源用
( 汎用 DC/DC コンバータ )
2ch 同期整流降圧
DC/DC コンバータ IC
MB39A138
■ 概要
MB39A138 は , ボトム検出コンパレータ方式 , N-ch/N-ch 同期整流方式 2ch 降圧 DC/DC コンバータ IC です。低オンデュー
ティ対応により , 大きな入出力電圧差時に安定した低電圧出力が可能です。超高速応答性 , 高効率を実現し , 充実した保護
機能を内蔵しています。ASIC, FPGA などのコア , I/O 用 , メモリー用電源に最適です。
■ 特長
・ 高効率
・ 高精度基準電圧
・ 入力電圧範囲
・ 出力電圧設定範囲
：± 1.0％ ( 室温 )
：6 V ∼ 24 V
：CH1 0.7 V ∼ 5.2 V
：CH2 2.0 V ∼ 5.2 V
・ ブートストラップ用ダイオード内蔵
・ 過電圧保護機能内蔵
・ 低電圧保護機能内蔵
・ 過電流検出機能内蔵
・ 過熱保護機能内蔵
・ 負荷依存のないソフトスタート回路内蔵
・ ディスチャージコントロール回路内蔵
・ N-ch MOS FET 対応 同期整流式 出力段内蔵
・ スタンバイ電流
：0 μA ( 標準 )
・ 小型パッケージ
：TSSOP-24
■ アプリケーション
・ デジタル TV
・ 複写機
・ STB
・ BD, DVD プレーヤ / レコーダ
・ プロジェクタ
その他各種先端機器
Copyright©2008-2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2011.3
MB39A138
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
CTL1
1
24
CB1
CS1
2
23
DRVH1
FB1
3
22
LX1
VO1
4
21
DRVL1
ILIM1
5
20
VCC
GND
6
19
VB
CVBLPF
7
18
PGND
CTL2
8
17
DRVL2
ILIM2
9
16
LX2
VO2
10
15
DRVH2
FB2
11
14
CB2
CS2
12
13
TEST
(FPT-24P-M10)
2
DS04-27270-2
MB39A138
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
1
CTL1
I
CH1 コントロール端子です。
2
CS1
I
CH1 スタート時間設定用コンデンサ接続端子です。
3
FB1
I
CH1 DC/DC 出力電圧のフィードバック端子です。
4
VO1
I
CH1 DC/DC 出力電圧の入力端子です。
5
ILIM1
I
CH1 過電流検出レベル設定電圧入力端子です。
6
GND
⎯
7
CVBLPF
I
制御回路バイアス入力端子です。
8
CTL2
I
CH2 コントロール端子です。
9
ILIM2
I
CH2 過電流検出レベル設定電圧入力端子です。
10
VO2
I
CH2 DC/DC 出力電圧の入力端子です。
11
FB2
I
CH2 DC/DC 出力電圧のフィードバック端子です。
12
CS2
I
CH2 ソフトスタート時間設定用コンデンサ接続端子です。
13
TEST
I
IC テスト用端子です。DC/DC 動作時は GND に接続してください。
14
CB2
⎯
CH2 ブートストラップ用コンデンサ接続端子です。
15
DRVH2
O
CH2 外付けメイン側 FET 駆動用出力端子です。
16
LX2
⎯
CH2 インダクタ , 外付けメイン側 FET ソース接続端子です。
17
DRVL2
O
CH2 外付け同期整流側 FET ゲート駆動用出力端子です。
18
PGND
⎯
出力回路用接地端子です。
19
VB
O
出力回路バイアス出力端子です。
20
VCC
I
基準電圧 , 制御回路の電源端子です。
21
DRVL1
O
CH1 外付け同期整流側 FET ゲート駆動用出力端子です。
22
LX1
⎯
CH1 インダクタ , 外付けメイン側 FET ソース接続端子です。
23
DRVH1
O
CH1 外付けメイン側 FET 駆動用出力端子です。
24
CB1
⎯
CH1 ブートストラップ用コンデンサ接続端子です。
DS04-27270-2
機能説明
接地端子です。
3
MB39A138
■ ブロックダイヤグラム
CTL1 CTL2 VCC
1
8
20
VO1
<CH1>
4
/CTL1
UVP,OTP
5 μA
FB1
3
VO
Control
<Error Comp.>
−
+
+
R
S
ILIM1
Drv-1
Q
Drive
Logic
23
22
Drv-2
21
18
INTREF1
x 1.15 V
<UVP Comp.>
− uvp_q1
+
UVLO
R
1.7 ms
delay
10
<CH2>
S
Q
7
DRVL1
PGND
CVBLPF
H:UVLO
release
OTP
uvp_q2 ovp_q2
bias
14
11
15
16
CB2
DRVH2
LX2
12
17
ILIM2
LX1
Q
S
制御回路は＜ CH1 ＞と同様の構成です。
CS2
DRVH1
bias
R
50 μs
delay
INTREF1
x 0.7 V
FB2
CB1
5
<OVP Comp.>
+ ovp_q1
−
VO2
24
<ILIM Comp.>
LX1
−
PGND
+
/CTL1,/UVLO
UVP,OTP
−
10 μA +
2
VB
19 (5.2 V)
5.2 V Reg.
REF
tON
Generator
INTREF1
CS1
CTL
VO1 VCC
DRVL2
9
6
GND
4
DS04-27270-2
MB39A138
■ 絶対最大定格
項目
記号
条件
電源電圧
VVCC
⎯
CB 端子入力電圧
VCB
LX 端子入力電圧
VLX
CB-LX 間電圧
コントロール入力電圧
入力電圧
定格値
単位
最小
最大
⎯
26
V
CB1, CB2 端子
⎯
32
V
LX1, LX2 端子
⎯
26
V
⎯
7
V
CTL1, CTL2 端子
⎯
26
V
VCVBLPF
CVBLPF 端子
⎯
VB ＋ 0.3
V
VFB
FB1, FB2 端子
⎯
VB ＋ 0.3
V
VVO
VO1, VO2 端子
⎯
VB ＋ 0.3
V
VCS
CS1, CS2 端子
⎯
VB ＋ 0.3
V
VILIM
ILIM1, ILIM2 端子
⎯
VB ＋ 0.3
V
VTEST
TEST 端子
⎯
VB ＋ 0.3
V
DRVH1, DRVH2 端子 ,
DRVL1, DRVL2 端子
⎯
60
mA
Ta ≦＋ 25 °C
⎯
1333
mW
− 55
＋ 125
°C
⎯
VCBLX
VI
出力電流
IOUT
許容損失
PD
保存温度
TSTG
⎯
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
DS04-27270-2
5
MB39A138
■ 推奨動作条件
項目
記号
条件
電源電圧
VVCC
CB 端子入力電圧
規格値
単位
最小
標準
最大
⎯
6
⎯
24
V
VCB
⎯
⎯
⎯
30
V
バイアス出力電流
IVB
⎯
−1
⎯
⎯
mA
CTL 端子入力電圧
VI
CTL1, CTL2 端子
0
⎯
24
V
VCVBLPF
CVBLPF 端子
0
⎯
VB
V
VFB
FB1, FB2 端子
0
⎯
VB
V
VVO
VO1, VO2 端子
0
⎯
VB
V
VILIM
ILIM1, ILIM2 端子
30
⎯
200
mV
ピーク出力電流
IOUT
DRVH1, DRVH2 端子 ,
DRVL1, DRVL2 端子
Duty ≦ 5％ (t ＝ 1/fOSC × Duty)
− 1200
⎯
＋ 1200
mA
ソフトスタート容量
CCS
⎯
⎯
0.018
⎯
μF
CB 端子容量
CCB
⎯
⎯
0.1
1.0
μF
バイアス電圧出力容量
CVB
⎯
⎯
2.2
10.0
μF
バイアス電圧入力容量
CCVBLPF
⎯
⎯
1.0
4.7
μF
Ta
⎯
− 30
＋ 25
＋ 85
°C
入力電圧
動作周囲温度
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
6
DS04-27270-2
MB39A138
■ 電気的特性
(Ta ＝＋ 25 °C, VCC 端子＝ 12 V, CTL1, CTL2 端子＝ 5 V ＝ CVBLPF 端子：VB 端子接続 )
項目
記号
端子
番号
条件
VVB
19
⎯
LINE
19
LOAD
規格値
単位
最小
標準
最大
5.04
5.20
5.36
V
VCC 端子＝ 6 V ∼ 24 V
⎯
10
100
mV
19
VB 端子＝ 0 A ∼− 1 mA
⎯
10
100
mV
IOS
19
VB 端子＝ 0 V
− 200
− 140
− 100
mA
低電圧誤動作 スレッショルド
電圧
防止回路部
［UVLO］
ヒステリシス幅
VTLH
7
CVBLPF 端子
4.0
4.2
4.4
V
VTHL
7
CVBLPF 端子
3.4
3.6
3.8
V
VH
7
CVBLPF 端子
⎯
0.6*
⎯
V
充電電流
ソフトスター
ディスチャージ
ト / ディス
時放電抵抗
チャージ部
［Soft-Start,
ディスチャージ
Discharge］
終了電圧
ICS
2, 12
CS1, CS2 端子＝ 0 V
− 7.1
− 5.0
− 3.8
μA
RD
4, 10
CTL1, CTL2 端子＝ 0 V,
VO1, VO2 端子＝ 0.5 V
⎯
35
70
Ω
VVOVTH
4, 10
CTL1, CTL2 端子＝ 0 V,
VO1, VO2 端子
0.1
0.2
0.3
V
tON11
23
VCC 端子＝ 12 V,
VO1 端子＝ 1.2 V
256
320
384
ns
tON12
15
VCC 端子＝ 12 V,
VO2 端子＝ 3.3 V
470
587
704
ns
⎯
100
⎯
ns
⎯
380
⎯
ns
出力電圧
バイアス電圧 入力安定度
部
負荷安定度
［VB Reg.］
短絡時出力電流
ON/OFF 時間
発生部
［ tON
Generator］
オン時間
最小オン時間
tONMIN
23, 15 VCC 端子＝ 12 V,
VO1, VO2 端子＝ 0 V
最小オフ時間
tOFFMIN
23, 15
VTH1
3
Ta ＝ ＋ 25 °C
0.693
0.700
0.707
V
VTHT1
3
Ta ＝ 0 °C ∼＋ 85 °C
0.690*
⎯
0.710*
V
VTH2
11
Ta ＝＋ 25 °C
1.980
2.000
2.020
V
VTHT2
11
Ta ＝ 0 °C ∼＋ 85 °C
1.970*
⎯
2.030*
V
VTH3
4
Ta ＝ ＋ 25 °C
1.202
1.226
1.250
V
VTHT3
4
Ta ＝ 0 °C ∼＋ 85 °C
1.196
⎯
1.256
V
VTH4
10
Ta ＝ ＋ 25 °C
3.381
3.450
3.519
V
VTHT4
10
Ta ＝ 0 °C ∼＋ 85 °C
3.364
⎯
3.536
V
FB 端子
入力電流
IFB
3, 11
FB1, FB2 端子＝ 0.8 V
− 0.1
0
＋ 0.1
μA
VO 端子
入力電流
IVO1
4
VO1 端子＝ 1.226 V
⎯
80
115
μA
IVO2
10
VO2 端子＝ 3.450 V
⎯
225
325
μA
INTREF
INTREF
INTREF
× 1.11
× 1.15
× 1.19
⎯
50
⎯
帰還電圧 (CH1)
帰還電圧 (CH2)
ボトム検出電圧
出力電圧部
(CH1)
［VO Control,
Error Comp.］ ボトム検出電圧
(CH2)
過電圧保護回 過電圧検出電圧
路部
［OVP Comp.］ 過電圧検出時間
⎯
VOVP
3, 11
Error Comp. 入力
(4, 10)
tOVP
3, 11
(4, 10)
⎯
V
μs
（続く）
DS04-27270-2
7
MB39A138
(Ta ＝＋ 25 °C, VCC 端子＝ 12 V, CTL1, CTL2 端子＝ 5 V ＝ CVBLPF 端子：VB 端子接続 )
項目
低電圧検出
低電圧保護回 電圧
路部
［UVP Comp.］ 低電圧検出
時間
過熱保護回路
部
保護温度
［OTP］
端子
番号
VUVP
3, 11
Error Comp. 入力
(4, 10)
tUVP
3, 11
(4, 10)
TOTPH
TOTPL
条件
規格値
単位
最小
標準
最大
INTREF
INTREF
INTREF
× 0.65
× 0.70
× 0.75
⎯
1.2*
1.7*
2.2*
ms
⎯
⎯
⎯
＋ 150*
⎯
°C
⎯
⎯
⎯
＋ 125*
⎯
°C
V
メイン側
出力オン
抵抗
ROH
23, 15 DRVH1, DRVH2 端子＝
− 100 mA
⎯
5
7
Ω
ROL
23, 15 DRVH1, DRVH2 端子＝ 100 mA
⎯
1.5
2.5
Ω
同期整流側
出力オン
抵抗
ROH
21, 17 DRVL1, DRVL2 端子＝
− 100 mA
⎯
4
6
Ω
ROL
21, 17 DRVL1, DRVL2 端子＝ 100 mA
⎯
1
2
Ω
LX1, LX2 端子＝ 0 V,
23, 15 CB1, CB2 端子＝ VB 端子
DRVH1, DRVH2 端子＝ 2.5 V
Duty ≦ 5%
⎯
− 0.4*
⎯
A
LX1, LX2 端子＝ 0 V,
21, 17 CB1, CB2 端子＝ VB 端子
DRVL1, DRVL2 端子＝ 2.5 V
Duty ≦ 5%
⎯
− 0.5*
⎯
A
LX1, LX2 端子＝ 0 V,
23, 15 CB1, CB2 端子＝ VB 端子
DRVH1, DRVH2 端子＝ 2.5 V
Duty ≦ 5%
⎯
0.7*
⎯
A
LX1, LX2 端子＝ 0 V,
21, 17 CB1, CB2 端子＝ VB 端子
DRVL1, DRVL2 端子＝ 2.5 V
Duty ≦ 5%
⎯
0.9*
⎯
A
⎯
40
⎯
ns
⎯
80
⎯
ns
24, 14 IF ＝ 10 mA
0.7
0.8
0.9
V
CB1, CB2 端子＝ 30 V,
24, 14 LX1, LX2 端子＝ 24 V
Ta ＝＋ 25 °C
⎯
0.1
1
μA
出力ソース
電流
出力部
［DRV］
記号
出力シンク
電流
デッド
タイム
ISOURCE
ISINK
tD
LX1, LX2 端子＝ 0 V,
CB1, CB2 端子＝ VB 端子
DRVL1, DRVL2 端子 -low to
23, 21 DRVH1, DRVH2 端子 -on
15, 17 LX1, LX2 端子＝ 0 V,
CB1, CB2 端子＝ VB 端子
DRVH1, DRVH2 端子 -low to
DRVL1, DRVL2 端子 -on
ダイオード
電圧
VF
リーク電流
ILEAK
（続く）
8
DS04-27270-2
MB39A138
（続き）
(Ta ＝＋ 25 °C, VCC 端子＝ 12 V, CTL1, CTL2 端子＝ 5 V ＝ CVBLPF 端子：VB 端子接続 )
記号
端子
番号
IILIM
5, 9
ILIM1, ILIM2 端子＝ 0.1 V,
Ta ＝＋ 25 °C
TILIM
5, 9
Ta ＝＋ 25 °C 基準
VOFFILIM
5, 9
ILIMx − (PGND − LXx)
PGND − LXx ＝ 60 mV
過電流検出
設定範囲
VILIM
5, 9
オン条件
VON
項目
規格値
単位
最小
標準
最大
− 12.5
− 10.0
− 8.3
μA
⎯
4200*
⎯
ppm
/ °C
− 20
0
＋ 20
mV
ILIM 端子入力範囲
30
⎯
200
mV
1, 8
CTL1, CTL2 端子
2
⎯
24
V
VOFF
1, 8
CTL1, CTL2 端子
0
⎯
0.8
V
VH
1, 8
CTL1, CTL2 端子
⎯
0.4*
⎯
V
ICTLH
1, 8
CTL1, CTL2 端子＝ 5 V
⎯
25
40
μA
ICTLL
1, 8
CTL1, CTL2 端子＝ 0 V
⎯
0
1
μA
スタンバイ
電流
ICCS
20
CTL1, CTL2 端子＝ 0 V
⎯
0
10
μA
電源電流
ICC
20
LX1, LX2 端子＝ 0 V,
FB1, FB2 端子＝ 1.0 V
⎯
1.5
2.0
mA
ILIM 端子
ソース電流
ILIM 端子
ソース電流
過電流検出部 温度傾斜
［Current
過電流検出
Sense］
オフセット
電圧
オフ条件
コントロール
ヒステリシ
部
ス幅
［CTL1, CTL2］
入力電流
全デバイス
条件
＊：この値は規格値ではありません。設計する際の目安としてお使いください。
DS04-27270-2
9
MB39A138
■ 標準特性
・標準データ
許容損失 - 動作周囲温度
許容損失 PD (mW)
2000
1500
1333
1000
500
0
-50 -25
0
+25 +50 +75 +100 +125
動作周囲温度 Ta ( °C)
5.40
5.36
5.32
5.28
5.24
5.20
5.16
5.12
5.08
5.04
5.00
-40 -20
VB バイアス電圧 - VB バイアス出力電流
5.4
VCC = 12 V
IVB = 0 A
VB バイアス電圧 VVB (V)
Ta = + 25°C
5.3
5.2
VCC = 12 V
5.1
5.0
0
+20 +40 +60 +80 +100
VCC = 6 V
VCC = 24 V
0
5
10
15
20
25
動作周囲温度 Ta ( °C)
VB バイアス出力電流 (mA)
Error Comp.1 スレッショルド電圧 - 動作周囲温度
Error Comp.2 スレッショルド電圧 - 動作周囲温度
0.710
0.708
0.706
0.704
0.702
0.700
0.698
0.696
0.694
0.692
0.690
2.03
Error Comp.2 スレッショルド電圧
VTHT2 (V)
Error Comp.1 スレッショルド電圧
VTHT1 (V)
VB バイアス電圧 VVB (V)
VB バイアス電圧 - 動作周囲温度
-40 -20
0 +20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta ( °C)
2.02
2.01
2.00
1.99
1.98
1.97
-40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta ( °C)
（続く）
10
DS04-27270-2
MB39A138
（続き）
DRVH2 オン時間 - 動作周囲温度
400
740
380
700
360
340
320
300
VCC = 12 V
VO1 = 1.2 V
280
260
-40 -20
0
DRVH2 オン時間 tON12 (ns)
DRVH1 オン時間 tON11 (ns)
DRVH1 オン時間 - 動作周囲温度
540
VCC = 12 V
VO2 = 3.3 V
500
-40 -20
0
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta ( °C)
最小オフ時間 - 動作周囲温度
最小オフ時間 - 入力電圧
600
500
450
400
350
300
250
-40 -20
0
400
350
300
250
10
15
20
動作周囲温度 Ta ( °C)
入力電圧 VIN(V)
休止期間 - 動作周囲温度
ブートストラップダイオード IF - VF
25
30
25
LX = 0 V
VCB = VB
tD 1
40
IF 電流 IF (mA)
tD2
60
Ta = - 30°C
20
Ta = + 25°C
15
Ta = + 85°C
10
5
-20
0
+20 +40 +60 +80 +100
動作周囲温度 Ta( °C)
DS04-27270-2
450
5
100
20
-40
500
200
+20 +40 +60 +80 +100
120
80
Ta + = 25°C
550
VCC = 12 V
最小オフ時間 tOFFMIN (ns)
最小オフ時間 tOFFMIN (ns)
580
動作周囲温度 Ta ( °C)
550
休止期間 (ns)
620
460
+20 +40 +60 +80 +100
600
200
660
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VF 電圧 VF (V)
11
MB39A138
■ 機能説明
1. ボトム検出コンパレータ方式について
ボトム検出コンパレータ方式では , 固定されたオン時間 (tON) と出力電圧 (VOUT) に重畳するスイッチングリップル電圧
を利用します。
tON 時間は電源電圧 (VIN) と出力電圧 (VOUT) から一意に決定され , tON 期間中は電源電圧 (VIN) から電流が供給されます。
その結果 , インダクタ電流 (ILX) が増加し , 出力容量の寄生抵抗 (ESR) により出力電圧 (VOUT) も上昇します。
次に , tOFF 期間になると , インダクタに蓄積されたエネルギーを負荷に供給し , 徐々にインダクタ電流 (ILX) が減少しま
す。その結果 , 出力容量の寄生抵抗 (ESR) により上昇していた出力電圧 (VOUT) も低下します。出力電圧がある一定の電位を
下回ると RS-FF をセットし , 再度 tON 期間となります。こうしてスイッチングを繰り返します。
このように , Error Comp. にて基準電圧 (INTREF) と出力期間電圧 VFB を比較し , オフデューティを制御することで出力
電圧を安定させます。
VOUT VIN
Bias
Reg.
VIN
tON
generator
FB
<Error Comp.>
−
Err out
+
Hi-side
Drive DRVH
RS-FF
R Q RS out
ILX
Drive
Logic
S
VOUT
Bias
Lo-side
Drive DRVL
ESR
INTREF
ILX
FB
INTREF
toff
RS out
ton
DRVH
12
DS04-27270-2
MB39A138
(1) バイアス電圧部 (VB Reg.)
出力回路の電源および , ブートストラップ電圧設定用として 5.2 V ( 標準 ) を出力します。また , IC 外部に接続する抵抗
と容量の RC フィルタにより , 平滑されたバイアス電源を CVBLPF 端子 (7 ピン ) から制御回路に供給します。
(2) 低電圧時誤動作防止回路部 (UVLO)
制御回路のバイアス電圧 (VCVBLPF) 起動時の過渡状態や瞬時低下は , コントロール IC の誤動作を誘起し , システムの破
壊もしくは劣化を生じます。このような誤動作を防止するために , 低電圧時誤動作防止回路は CVBLPF 端子 (7 ピン ) の電
圧低下を検出し , DRVH1 端子 (23 ピン ) , DRVH2 端子 (15 ピン ) と DRVL1 端子 (21 ピン ) , DRVL2 端子 (17 ピン ) を “L” レ
ベルに固定します。CVBLPF 端子電圧が低電圧時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰しま
す。
(3) ソフトスタート・ディスチャージ部 (Soft-Start, Discharge)
ソフトスタート部は電源起動時の突入電流を防止するための回路です。
CTL1 端子 (1 ピン ) および , CTL2 端子 (8 ピン ) を “H” レベルにすると , CS1 端子 (2 ピン ) および , CS2 端子 (12 ピン ) に
接続されたコンデンサの充電を開始し , そのランプ電圧を各 CH の誤差比較器部 (Error Comp.) に入力していますので , DC/
DC コンバータの出力負荷に依存しないソフトスタート時間を設定できます。
ディスチャージ部は出力停止時に , 出力容量に蓄えられた電荷を放電する回路です。
CTL1 端子 (1 ピン ) および , CTL2 端子 (8 ピン ) を “L” レベルにすると , VO1 端子 (4 ピン ) および , VO2 端子 (10 ピン )
と GND 間に接続した放電用 FET (RON ＝ 35 Ω ( 標準 ) ) をオンさせ , 出力容量を放電します。放電が開始した後 , VO1 端子
電圧および , VO2 端子電圧が 0.2 V ( 標準 ) 以下まで低下すると , 放電用 FET がオフし , ディスチャージ動作が停止しま
す。また , ディスチャージ部は低電圧保護回路部 (UVP Comp.) での低電圧検出時や , 過熱保護回路部 (OTP) での IC のジャ
ンクション温度上昇検出時にも動作します。
(4) ON/OFF 時間発生部 (tON Generator)
ON/OFF 時間発生部 (tON Generator) は , タイミング設定用コンデンサおよびタイミング設定用抵抗を内蔵しており , 入力
電圧と出力電圧に依存した ON 時間を発生します。各 CH の ON 時間は次式のように設定されます。
tON11 (ns) ＝
VVO1
VVCC
× 3200 (fOSC1 ≒ 310 kHz)
tON12 (ns) ＝
VVO2
VVCC
× 2133 (fOSC2 ≒ 465 kHz)
両チャネル間の周波数ズレによるビートを回避するため , CH1 の発振周波数に対して , CH2 の発振周波数が 1.5 倍とな
るよう設定しています。
DS04-27270-2
13
MB39A138
(5) 出力電圧設定部 (VO Control, Error Comp.)
出力電圧設定部 (VO Control, Error Comp.) は , DC/DC コンバータの出力電圧に重畳するリップルのボトム値を誤差比較
器 (Error Comp.) にて検出します。FB1 端子 (3 ピン ) および , FB2 端子 (11 ピン ) に外付け出力電圧設定抵抗を接続するこ
とにより , 任意の出力電圧を設定できます。
また, FB1端子およびFB2端子をCVBLPF端子 (7ピン)に接続することでIC内蔵の出力設定抵抗の使用が可能となります。
< VO Control >.
VO1
VO2
4
10
SW2
FB1
FB2
3
11
+
Comp.1
SW1
−
2.5 V
−
Error Comp.
+
INTREF
出力電圧設定表
FB1, FB2 端子の接続状態
SW 状態
備考
外付け抵抗による
出力電圧設定
SW1：ON
SW2：OFF
外付け抵抗による DC/DC 出力電圧の任意設定が可能です。
CVBLPF 端子 (7 ピン ) に接続
SW1：OFF
SW2：ON
IC に内蔵された DC/DC 出力電圧設定抵抗を使用するため ,
出力電圧設定用外付け抵抗は不要です。
VO1 ＝ 1.23 V, VO2 ＝ 3.45 V に設定
(6) 過電圧保護回路部 (OVP Comp.)
内部基準電圧 INTREF (CH1/CH2 : 0.7 V/2.0 V) の 1.15 倍 ( 標準 ) の電圧と , FB1 端子 (3 ピン ) および , FB2 端子 (11 ピン )
に入力される帰還電圧とを比較し , 帰還電圧が 50 μs ( 標準 ) 以上高い状態を検出すると RS ラッチがセットされ , DRVH1
端子 (23 ピン ) および , DRVH2 端子 (15 ピン ) を “L” レベルに , DRVL1 端子 (21 ピン ) および , DRVL2 端子 (17 ピン ) を “H”
レベルにします。
DC/DC コンバータ両チャネルのメイン側 FET をオフ状態 , 同期整流側 FET をオン状態に固定するため
電圧出力が停止します。
IC をいったんスタンバイ状態などにし , UVLO 信号でラッチをリセットすることで過電圧保護状態を解除できます。
(7) 低電圧保護回路部 (UVP Comp.)
内部基準電圧 INTREF (CH1/CH2：0.7 V/2.0 V) の 0.7 倍 ( 標準 ) の電圧と , FB1 端子 (3 ピン ) および , FB2 端子 (11 ピン )
に入力される帰還電圧とを比較し , 帰還電圧が 1.7 ms ( 標準 ) 以上低い状態を検出すると , RS ラッチがセットされ , DRVH1
端子 (23 ピン ) および , DRVH2 端子 (15 ピン ) を “L” レベルに , DRVL1 端子 (21 ピン ) および , DRVL2 端子 (17 ピン ) を “L”
レベルにします。また , 低電圧保護のラッチがセットされると同時に , IC 内部のディスチャージ機能が動作し , 両チャネル
の電圧出力が停止します。
IC をいったんスタンバイ状態にして , UVLO 信号でラッチをリセットすることで低電圧保護状態を解除できます。
(8) 過熱保護部 (OTP)
過熱保護回路は接合部温度が＋ 150 °C に達すると IC 内部のディスチャージ機能が動作し , 両チャネルの電圧出力を停
止させます。また , 接合部温度が＋ 125 °C まで下がると再びソフトスタートを開始します。
14
DS04-27270-2
MB39A138
(9) 出力部 (DRV1, DRV2)
出力回路は , メイン側 , 同期整流側ともに CMOS 形式で構成しており , 外付け N-ch MOS FET を駆動できます。
(10) 過電流検出部 (ILIM)
過電流検出部 (ILIM) は , 同期整流期間中の PGND 端子 (18 ピン ) と LX1 端子 (22 ピン ) の間の差電圧と ILIM1 端子 (5
ピン ) 電圧および , PGND 端子と LX2 端子 (16 ピン ) の間の差電圧と ILIM2 端子 (9 ピン ) 電圧を比較し , 毎周期過電流検
出を行います。
PGND 端子と LXx 端子の間の差電圧が ILIMx 端子電圧を下回るまでメイン側 FET は OFF 状態を保持し , 下回った後に
メイン側 FET の ON を許可します。これにより過電流の保護動作を行なっています。この保護動作は出力電圧を垂下する
動作となります。
同期整流期間中の PGND と LXx 間の差電圧は , 同期側 FET のオン抵抗をセンス抵抗とし , インダクタ電流をセンスし
た電圧波形となります。
ILIMx 端子から 10 μA ( 標準 ) の IILIM 電流が供給されるため , ILIMx 端子に抵抗を接続することにより , 任意の過電流制
限値を設定できます。IILIM 電流につきましては , 同期側 FET のオン抵抗の温度依存特性を補償するために , 4200 ppm/ °C の
温度傾斜が設定されています。
(x：各チャネル番号 )
(11) コントロール部 (CTL)
CTL1 端子 (1 ピン ) により CH1 のオン / オフを設定し , CTL2 端子 (8 ピン ) により CH2 のオン / オフを設定します。
CTL1,
CTL2 を同時に “L” レベルにすることでスタンバイ状態となります ( スタンバイ時の電源電流 10 μA 最大 ) 。
コントロール機能表
CTL1
CTL2
DC/DC コンバータ (CH1)
DC/DC コンバータ (CH2)
L
L
OFF
OFF
H
L
ON
OFF
L
H
OFF
ON
H
H
ON
ON
DS04-27270-2
15
MB39A138
■ 保護機能一覧表
各保護機能が働いた場合の DRVH1, DRVH2 端子 (23, 15 ピン ) および , DRVL1, DRVL2 端子 (21, 17 ピン ) の状態を下記
の表に示します。
保護機能
検出条件
低電圧誤動作防止 VCVBLPF < 3.6 V
(UVLO)
検出時の各端子出力
DC/DC 出力降下状態
VB
DRVHx
DRVLx
⎯
L
L
ディスチャージ機能による放電
低電圧保護
(UVP)
VFBx < INTREFx × 0.7 V
5.2 V
L
L
ディスチャージ機能による放電
過電圧保護
(OVP)
VFBx > INTREFx × 1.15 V
5.2 V
L
H
0 V クランプ
過電流保護
(ILIM)
VPGNDx – VLXx > VILIMx
5.2 V
switching
過熱保護
(OTP)
Tj > ＋ 150 °C
5.2 V
L
L
ディスチャージ機能による放電
コントロール
(CTL)
CTLx：H → L (VOx > 0.2 V)
5.2 V
L
L
ディスチャージ機能による放電
switching 定電流で垂下
(x：各チャネル番号 )
16
DS04-27270-2
MB39A138
■ 入出力端子等価回路図
CTL1, CTL2 端子
CS1, CS2 端子
VCC 20
CVBLPF
CTL1, CTL2 1,8
0.1 V
ESD 保護素子
CS1, CS2
2,12
+
−
GND
GND
6
FB1, FB2 端子
VO1, VO2 端子
CVBLPF
VO1, VO2
FB1, FB2
4,10
+
3,11
−
2.5 V
GND
GND
ILIM1, ILIM2 端子
CVBLPF 端子
CVBLPF
7
CVBLPF
ILIM1, ILIM2 5,9
GND
GND
（続く）
DS04-27270-2
17
MB39A138
（続き）
TEST 端子
DRVH1, DRVH2 端子 CB1, CB2 端子 LX1, LX2 端子
CVBLPF
VB
24,14
CB1, CB2
23,15
DRVH1, DRVH2
22,16
LX1, LX2
TEST 13
GND
PGND
DRVL1, DRVL2 端子
VB 端子
VCC
VB
21,17
19 VB
DRVL1, DRVL2
CB1, CB2
18 PGND
18
PGND
DS04-27270-2
MB39A138
■ 応用回路例
VB
VCC
12 V
CVBLPF
C9
7
VIN
C7
R7
VCC 20
PGND
VB
13 TEST
VB 19
VB
C8
VCC
CRVH1 23
FB1
R2
3
C1-1
D1
D2
7
8
G
2
Q1 S 1
C5
R1-2
CB1 24
C1-2
R1-1
4 VO1
1.2 V, 5 A
L1
VO1
LX1 22
DRVL1 21
R5
5 ILIM1
CS1
MB39A138
C12
2
D1
D2
5
6
G
4
Q1 S 3
C2-3
CTL1
C2-1
1
CTL1
VCC
DRVH2 15
FB2
R4
11
C3-1
D1
D2
7
8
G
2
Q3 S 1
C6
3.3 V, 5 A
L2
VO2
8
CTL2
CTL2
ILIM2
DRVL2 17
R6
9
CS2
C13
12
D1
D2
5
6
G
4
Q3 S 3
C4-3
LX2 16
C4-1
R3-2
CB2 14
C3-2
VO2
R3-1
10
6
DS04-27270-2
GND
PGND 18
19
MB39A138
■ 部品表
記号
項目
条件
ベンダ
パッケージ
型格
備考
Q1
N-ch FET
VDS ＝ 30 V, ID ＝ 8 A,
Ron ＝ 21 mΩ
RENESAS
SO-8
μPA2755
Dual type
(2 elements)
Q3
N-ch FET
VDS ＝ 30 V, ID ＝ 8 A,
Ron ＝ 21 mΩ
RENESAS
SO-8
μPA2755
Dual type
(2 elements)
L1
Inductor
1.5 μH (6.8 mΩ, 9.0 A)
TDK
⎯
VLF10045T-1R5N9R0
L2
Inductor
2.2 μH (10.2 mΩ, 7.4 A)
TDK
⎯
VLF10045T-2R2N7R4
C1-1
Ceramic
condenser
10 μF (25 V)
TDK
3216
C3216JB1E106K
C1-2
Ceramic
condenser
10 μF (25 V)
TDK
3216
C3216JB1E106K
C2-1
OS-CON
220 μF (6.3 V, 15 mΩ Max)
SANYO
C6
6SVPC220MV
C2-3
Ceramic
condenser
1000 pF (50 V)
TDK
1608
C1608CH1H102J
C3-1
Ceramic
condenser
10 μF (25 V)
TDK
3216
C3216JB1E106K
C3-2
Ceramic
condenser
10 μF (25 V)
TDK
3216
C3216JB1E106K
C4-1
OS-CON
220 μF (6.3 V, 15 mΩ Max)
SANYO
C6
6SVPC220MV
C4-3
Ceramic
condenser
1000 pF (50 V)
TDK
1608
C1608CH1H102J
C5
Ceramic
condenser
0.1 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C6
Ceramic
condenser
0.1 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C7
Ceramic
condenser
0.1 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C8
Ceramic
condenser
2.2 μF (16 V)
TDK
1608
C1608JB1C225K
C9
Ceramic
condenser
1.0 μF (16 V)
TDK
1608
C1608JB1C105K
C12
Ceramic
condenser
0.015 μF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H153K
C13
Ceramic
condenser
4700 pF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H472K
R1-1
Resistor
1 kΩ
SSM
1608
RR0816P102D
R1-2
Resistor
24 kΩ
SSM
1608
RR0816P243D
R2
Resistor
36 kΩ
SSM
1608
RR0816P363D
R3-1
Resistor
1.1 kΩ
SSM
1608
RR0816P112D
R3-2
Resistor
22 kΩ
SSM
1608
RR0816P223D
R4
Resistor
36 kΩ
SSM
1608
RR0816P363D
R5
Resistor
18 kΩ
SSM
1608
RR0816P183D
R6
Resistor
18 kΩ
SSM
1608
RR0816P183D
R7
Resistor
5.6 Ω
KOA
1608
RK73H1JTTD5R6F
RENESAS
SANYO
TDK
SSM
KOA
20
：ルネサス エレクトロニクス株式会社
：三洋電機株式会社
：TDK 株式会社
：進工業株式会社
：コーア株式会社
DS04-27270-2
MB39A138
■ アプリケーションノート
1. 動作条件の設定について
出力電圧の設定
1. 出力設定電圧が Vo1 ＝ 1.23 V, Vo2 ＝ 3.45 V の場合
内部のプリセット機能により設定可能です。
出力電圧設定抵抗を使用する必要がなく , 最も少ない部品点数で設定でき
ます。
端子接続
出力電圧設定値 (Vo)
CH1
FB1 ＝ CVBLPF
Vo1 ＝ 1.23 V
CH2
FB2 ＝ CVBLPF
Vo2 ＝ 3.45 V
2. 出力設定電圧が Vo1 ＝ 1.23 V, Vo2 ＝ 3.45 V 以外の場合
出力電圧設定抵抗比を調整することで設定可能です。出力設定電圧は下記の式から算出してください。
R1 ＋ R2
R2
VOX ＝
× INTREF ＋
ΔVOX
2
VOX
：出力設定電圧 [V]
INTREF ：内部基準電圧 (CH1/CH2：0.7 V/2.0 V)
ΔVOX
：出力リップル電圧値 [V]
VOX
VOX
R1
FBX
R2
出力リップル電圧値 (ΔVOX) は下記の式から算出してください。
ΔVOX ＝ ESR ×
ΔVOX
L
VIN
VOX
fOSC
VOX
VIN − VOX
×
L
VIN × fOSC
：出力リップル電圧値 [V]
：インダクタ値 [H]
：電源電圧 [V]
：出力設定電圧 [V]
：発振周波数 [Hz] (CH1：310 kHz, CH2：465 kHz)
(x：各チャネル番号 )
以下のフィードバックコンデンサ (CFB) を使用しない場合は , R1//R2 ≦ 15 kΩ となるような抵抗値を目安に選定してく
ださい。
オン時間 (tON) が 100 ns 以下とならないことを確認してください。
( オン時間の計算方法については■機能説明の「 (4) ON/OFF 時間発生部」を参照してください。)
DS04-27270-2
21
MB39A138
出力設定電圧が高くなるにつれて , 出力電圧設定抵抗比 (R1//R2) も高くなりますが , 結果 , 発振周波数の乱れが発生す
ることがあります。これは FB 端子に印加されるリップル電圧値は R1, R2 比により縮小されることによるものです。この
場合は , 出力リップル電圧を大きくするか , R1 に並列にコンデンサ (CFB) を追加することで安定した発振周波数が得られ
ます。
追加するコンデンサは下記の式を目安に選定してください。
10 × (R1 ＋ R2)
2π × fosc × R1 × R2
CFB ≧
CFB
R1, R2
fOSC
：フィードバックコンデンサの容量値 [F]
：出力電圧設定抵抗値 [Ω]
：発振周波数 [Hz]
VO
VO
R1
CFB
FB
R2
また , このコンデンサ追加により出力リップル電圧に応じて出力電圧が上昇します。
出力電圧上昇値は下記の式から算出してください。
Vo_offset ＝
(VO − INTREF) × ΔVO
2 × INTREF
Vo_offset
VO
ΔVo
INTREF
：出力設定電圧オフセット値 [V]
：出力設定電圧 [V]
：出力リップル電圧値 [V]
：内部基準電圧 (CH1/CH2：0.7 V/2.0 V)
V
ΔVo
Vo_offset
Vo
t
出力設定電圧オフセット値を考慮した場合の出力設定電圧は下記の式から算出してください。
R1 ＋ R2
R2
VOX ＝
VOX
INTREF
ΔVOX
VO_offset
× INTREF ＋
ΔVOX
2
＋ VO_offset
：出力設定電圧 [V]
：内部基準電圧 (CH1/CH2：0.7 V/2.0 V)
：出力リップル電圧値 [V]
：出力設定電圧オフセット値 [V]
(x：各チャネル番号 )
22
DS04-27270-2
MB39A138
出力リップル電圧の検討
本デバイスは動作原理上 , 出力リップル電圧値が必要です。FB 端子で 15 mV 程度確保する必要があります。DC/DC コン
バータの出力に必要な出力リップル電圧は下記の式から算出してください。
ΔVOX ≧ K × 15mV
ΔVOX
K
：出力リップル電圧値 [V]
：係数 CFB 使用時
K ＝ 1,
VO
CFB 未使用時
K＝
INTREF
VO
：出力設定電圧 [V]
INTREF ：内部基準電圧 (CH1/CH2：0.7 V/2.0 V)
出力リップル電圧を大きくすることで安定した発振周波数が得られます。
ESR の大きい出力コンデンサを選定するか , インダクタンス値の小さいインダクタを選定することで出力リップル電圧
を大きくすることができます。
ただし , 出力リップル電圧を過度に大きくすると , オフ期間 (tOFF) の出力リップル電圧のスルーレートが大きくなり , ボ
トム検出電圧値への影響が大きくなります。結果 , 出力電圧値に影響を及ぼします。これはオンデューティが大きい条件ほ
ど顕著となります。FB 端子でのリップル電圧が過度に大きくならないよう設定してください。
DS04-27270-2
23
MB39A138
ソフトスタート時間の設定
ソフトスタート時間は下記の式から算出してください。
ts ＝
INTREF × CCS
5 × 10 − 6
ts
：ソフトスタート時間 [s] ( 出力 100% になるまでの時間 )
INTREF ：内部基準電圧 (CH1/CH2：0.7 V/2.0 V)
CCS
：CS 端子コンデンサの容量値 [F]
ソフトスタート開始までの遅延時間は下記の式から算出してください。
td ＝ 30 × (CVB ＋ CCVBLPF)
td
：VB 電圧遅延時間 [s]
CVB
：VB 端子コンデンサの容量値 [F]
CCVBLPF ：CVBLPF 端子コンデンサの容量値 [F]
ソフトスタート開始までの時間 td [μs]
ソフトスタート開始までの時間 - 電源電圧 参考特性
400
CVB = 2.2 μF, CCVBLPF = 1 μF
350
300
250
200
150
100
50
0
5
10
15
20
25
電源電圧 VIN [V]
また片側チャネル起動済みの状態 (UVLO 解除：VB 既出力 ) で , 起動させた場合は遅延時間はほとんど発生しません。
ts1
ts2
CTL1
CTL2
VO1
VO2
td1
（注意事項）CTL1, CTL2 端子への入力信号は , 750 V/s 以上のスルーレートを設定してください。
24
DS04-27270-2
MB39A138
過電流検出値の設定
過電流検出値は ILIM 端子に接続する過電流検出設定抵抗を調整することで設定可能です。
抵抗値は下記の式から算出してください。
RON_Sync × (ILIM −
RLIM ＝
ΔIL
2
＋
VO × 260 × 10 − 9
)
L
10 × 10 − 6
RLIM
：過電流検出値設定抵抗 [Ω]
ILIM
：過電流検出値 [A]
ΔIL
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
RON_Sync ：同期整流側 FET オン抵抗 [Ω]
VO
：出力設定電圧 [V]
L
：インダクタ値 [H]
ILIM
RLIM
インダクタ電流
過電流制限値
ΔIL
ILIM
IO
0
時間
過電流によるインダクタのインダクタンス値低下が著しい場合 , インダクタのリップル電流が増大し , 電流制限値が上
昇 , もしくは制限されないことがあります。
この場合は直流電流重畳特性に余裕のあるインダクタへ変更してください。
DS04-27270-2
25
MB39A138
過電流制限値は同期整流側 FET のオン抵抗やインダクタのインダクタンス値以外に , IC の「ILIM 端子ソース電流」や「過
電流検出オフセット電圧」によってもばらつきます。IC のばらつき起因による過電流制限低下値は下記の式から算出して
ください。
ΔILIM ＝−
1.7 × 10 − 6 × RLIM ＋ 0.02
RON_Sync
ΔILIM
：過電流制限低下値 [A]
RLIM
：過電流制限値設定抵抗 [Ω]
RON_Sync ：同期整流側 FET オン抵抗 [Ω]
インダクタ電流
過電流制限値 ILIM
ΔILIM
IC ばらつきにより低下した過電流制限値 ILIM’
IO
0
時間
過電流検出値は最大負荷電流に対し十分なマージンを設けてください。
26
DS04-27270-2
MB39A138
VB レギュレータについて
VCC-VB 電位差が十分にない条件では , VB レギュレータの出力オン抵抗 , 負荷電流 ( 外付け FET 全ゲート駆動電流の
平均電流 , 内部 IC の負荷電流 ) により , VB 電圧の低下が起こります。
VB電圧が低下し, 低電圧誤動作防止回路のスレッショルド電圧 (VTHL) に達した場合, スイッチング動作を停止します。
そのため , 本 IC を使用する際には VB レギュレータの入出力電位差 , もしくは発振周波数 , 外付け FET を下記の式を目
安に設定してください。入出力電位差が十分でない条件で使用される場合は , 通常動作時 , 起動時 , 切断時の動作を実機に
て十分ご確認ください。
VIN ≧ VB (VTHL) ＋ (Qg × fOSC ＋ ICC) × RVB
VB
(VTHL)
Qg
fOSC
ICC
RVB
：低電圧誤動作防止回路のスレッショルド電圧＝ 3.8[V] Max
：外付け FET のゲート電荷量の合計 [C]
：発振周波数 [Hz]
：電源電流＝ 2 × 10 − 3[A] ( ≒ VB (LDO) の負荷電流 )
：VB 出力オン抵抗＝ 75[Ω] (VIN ＝ 6 V 時 参考値 )
許容損失・熱設計について
本 IC は高効率のためほとんどの場合検討は不要ですが , 高電源電圧 , 高発振周波数 , 高負荷 , 高温での使用では検討の
必要があります。IC 内部損失は下記の式から算出してください。
PIC ＝ VCC × (ICC ＋ Qg1 × fOSC1 ＋ Qg2 × fOSC2)
PIC
VCC
ICC
Qg1, Qg2
fOSC1, fOSC2
：IC 内部損失 [W]
：電源電圧 (VIN) [V]
：電源電流 [A] (2 mA Max)
：各 CH のメイン側 FET, 同期側 FET の総電荷量合計 [C] (Vgs ＝ VB での合計 )
：各 CH 発振周波数 [Hz]
ジャンクション温度 (Tj) は下記の式から算出してください。
Tj ＝ Ta ＋ θja × PIC
Tj
Ta
θja
PIC
：ジャンクション温度 [ °C] ( ＋ 125 °C Max)
：周囲温度 [ °C]
：TSSOP-24 パッケージ熱抵抗 ( ＋ 75 °C/W)
：IC 内部損失 [W]
単チャネル使用時の端子処理
本デバイスは 2ch DC/DC コンバータ制御 IC ですが , 未使用チャネルの端子に対し以下の処理を行うことで 1ch DC/DC
コンバータとしても使用可能です。
VOx
CBx
“ 開放 ”
FBx
DRVHx
“ 開放 ”
CSx
DRVLx
“ 開放 ”
ILIMx
“ 開放 ”
CTLx
LXx
x：未使用チャネル No.
DS04-27270-2
27
MB39A138
2. 部品の選定
平滑インダクタの選択
インダクタ値は, 目安としてインダクタのリップル電流ピークピーク値が最大負荷電流の50％以下となるような値を選
択してください。この場合のインダクタ値は下記の式から算出してください。
L≧
VO
VIN − VO
×
LOR × IOMAX
VIN × fOSC
L
IOMAX
LOR
VIN
VO
fOSC
：インダクタ値 [H]
：最大負荷電流 [A]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 / 最大負荷電流比 (=0.5)
：電源電圧 [V]
：出力設定電圧 [V]
：発振周波数 [Hz]
インダクタに流れる電流が定格値以内であるかを判断するためにインダクタに流れる最大電流値を求める必要があり
ます。インダクタの最大電流値は下記の式から算出してください。
ILMAX ≧ IOMAX ＋
ΔIL ＝
ΔIL
VIN − VO
L
ILMAX
IOMAX
ΔIL
L
VIN
VO
fOSC
2
×
VO
VIN × fOSC
：インダクタの最大電流値 [A]
：最大負荷電流 [A]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
：インダクタ値 [H]
：電源電圧 [V]
：出力設定電圧 [V]
：発振周波数 [Hz]
インダクタ電流
ILMAX
IOMAX
ΔIL
時間
0
28
DS04-27270-2
MB39A138
スイッチング FET の選択
同期整流側 FET のオン抵抗は過電流制限機能を正常に動作させるために以下の範囲のものを選定してください。
0.03
(ILIM −
ΔIL
2
≦ RON_Sync ≦
)
0.2
(ILIM −
ΔIL
2
)
RON_Sync ：同期整流側 FET オン抵抗 [Ω]
ΔIL
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
ILIM
：過電流検出値 [A]
スイッチング FET に流れる電流が定格値以内であるかを判断するためにスイッチング FET に流れる最大電流値を算出
する必要があります。スイッチング FET の最大電流値は下記の式から算出してください。
ID ＝ IOMAX ＋
ID
IOMAX
ΔIL
ΔIL
2
：ドレイン電流 [A]
：最大負荷電流 [A]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
スイッチング FET の許容損失が定格値以内であるかを判断するためにスイッチング FET の損失を算出する必要があり
ます。メイン側 FET の損失は下記の式から算出してください。
PMainFET ＝ PRON_Main ＋ PSW_Main
PMainFET ：メイン側 FET 損失 [W]
PRON_Main ：メイン側 FET 導通損失 [W]
PSW_Main ：メイン側 FET スイッチング損失 [W]
メイン側 FET 導通損失
PRON_Main ＝ IOMAX2 ×
PRON_Main
IOMAX
VIN
VO
RON_Main
VO
× RON_Main
VIN
：メイン側 FET 導通損失 [W]
：最大負荷電流 [A]
：電源電圧 [V]
：出力電圧 [V]
：メイン側 FET オン抵抗 [Ω]
メイン側 FET スイッチング損失
PSW_Main ＝
VIN × fOSC × (Ibtm × tr ＋ Itop × tf)
2
PSW_Main
VIN
fOSC
Ibtm
Itop
DS04-27270-2
：スイッチング損失 [W]
：電源電圧 [V]
：発振周波数 (Hz)
：インダクタのリップル電流のボトム値 [A]
：インダクタのリップル電流のトップ値 [A]
29
MB39A138
Ibtm ＝ IOMAX −
ΔIL
ΔIL
2
, Itop ＝ IOMAX ＋
ΔIL
2
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
：最大負荷電流 [A]
IOMAX
t：
r メイン側 FET のターンオン時間 [s]
f メイン側 FET のターンオフ時間 [s]
t：
tr, tf は簡易的に下記の式から算出してください。
tr ＝
Qgd × 4
, tf ＝
VB − Vgs (on)
Qgd × 1
Vgs (on)
Qgd
：メイン側 FET ゲートドレイン間電荷量 [C]
Vgs (on) ：メイン側 FET の Qgd でのゲートソース間電圧 [V]
VB
：VB 電圧 [V]
同期整流側 FET の損失は下記の式から算出してください ( 同期整流側 FET のドレイン−ソース間電圧の遷移電圧は一
般的に小さく , スイッチング損失は無視できるほど小さなもののため , ここでは省略しています ) 。
PSyncFET ＝ RRon_Sync ＝ IOMAX2 × (1 −
PRon_Sync
IOMAX
VIN
VO
Ron_Sync
VO
) × Ron_Sync
VIN
：同期整流側 FET 導通損失 [W]
：最大負荷電流 [A]
：電源電圧 [V]
：出力電圧 [V]
：同期整流側 FET オン抵抗 [Ω]
スイッチング FET のゲート駆動電力は IC 内部の LDO から供給される関係上 , 2ch 分すべてのスイッチング FET 許容最
大総電荷量 (QgTotalMax) が下記の式から決定されます。
QgTotalMax ≦
140000
fOSC2
QgTotalMax ：2ch 分すべてのスイッチング FET 許容最大総電荷量 [nC]
fOSC2
：CH2 発振周波数 [kHz]
30
DS04-27270-2
MB39A138
フライバックダイオードの選択
通常は不要ですが , フライバックダイオードを追加することで変換効率の特性向上が可能です。発振周波数が高いとき
や出力電圧が低い使用条件ほど効果が得られます。極力順方向電流の小さなショットキーバリアダイオード (SBD) を選定
してください。本 DC/DC 制御 IC は同期整流方式を採用しているためフライバックダイオードに電流が流れる時間は同期
整流期間 (120[ns]) に限られます。よってフライバックダイオードの電流はせん頭順サージ電流 (IFSM) の定格を超えないも
のを選定してください。フライバックダイオードのせん頭順サージ電流定格は下記の式から算出してください。
IFSM ≧ IOMAX ＋
IFSM
IOMAX
ΔIL
ΔIL
2
：SBD のせん頭順サージ電流定格 [A]
：最大負荷電流 [A]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
フライバックダイオードの定格は下記の式から算出してください。
VR_Fly ＞ VIN
VR_Fly
VIN
：フライバックダイオードの直流逆方向電圧 [V]
：電源電圧 [V]
出力コンデンサの選択
本 IC が安定動作するために , ある程度の ESR が必要となります。出力コンデンサにはタンタルコンデンサや高分子キャ
パシタを使用ください。セラミックコンデンサのような低ESRのものを使用するには直列に抵抗を接続し等価的にESRを
増やすことで対応可能です。
平滑コンデンサに必要な ESR は下記の式により算出してください。
ESR ≧
ΔIL
ΔVO
ESR
ΔVO
ΔIL
：出力コンデンサの直列抵抗成分 [Ω]
：出力リップル電圧 [V]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
出力コンデンサの容量値は以下の条件を目安に選定してください。
CO ≧
1
4 × fOSC × ESR
CO
fOSC
ESR
：出力コンデンサの容量値 [F]
：発振周波数 [Hz]
：出力コンデンサの直列抵抗成分 [Ω]
上記式で求められる容量に満たないものを使用される場合は , ジッタレベルが問題ないことを重点に動作確認を行なっ
た上で , 使用してください。
DS04-27270-2
31
MB39A138
また , 許容オーバシュート / アンダシュート量からも出力コンデンサの容量値を算出します。下記の式は負荷急変の遷移
時間が 0s 時のワースト条件となります。遷移時間が長い場合は算出値より小さな容量の出力コンデンサで対応可能です。
CO ≧
ΔIO2 × L
・・・オーバシュート条件
2 × VO × ΔVO_OVER
CO ≧
ΔIO2 × L × (VO ＋ VIN × fOSC × 380 × 109)
・・・アンダシュート条件
2 × VO × ΔVO_UNDER × (VIN − VO − VIN × fOSC × 380 × 109)
CO
：出力コンデンサの容量値 [F]
ΔVO_OVER ：出力電圧許容オーバシュート量 [V]
ΔVO_UNDER ：出力電圧許容アンダシュート量 [V]
Δ IO
：負荷急変電流差 [A]
L
VIN
VO
fOSC
：インダクタ値 [H]
：電源電圧 [V]
：出力設定電圧 [V]
：発振周波数 [Hz]
コンデンサは周波数 , 使用温度 , バイアス電圧特性などを有しており , 使用条件により実効容量値が極端に小さくなる
ことがあります。ご注意ください。
出力コンデンサの電圧定格は下記の式から算出してください。
VCO ＞ VO
VCO
VO
：出力コンデンサ耐圧 [V]
：出力電圧 [V]
コンデンサの定格は出力電圧に対して十分マージンのある耐圧のものを選定してください。
出力コンデンサの許容リップル電流は下記の式から算出してください。
Irms ≧
ΔIL
2 √3
Irms
ΔIL
32
：許容リップル電流 ( 実効値 )[A]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
DS04-27270-2
MB39A138
入力コンデンサの選択
入力コンデンサは極力 ESR が小さいものを選定してください。セラミックコンデンサが理想です。セラミックコンデン
サでは対応できない大容量コンデンサの採用が必要な場合は ESR の低い高分子コンデンサやタンタルコンデンサを使用
してください。
電源と入力コンデンサの間にノイズフィルタとしてインダクタを接続し , このインダクタと入力コンデンサのカットオ
フ周波数が発振周波数よりも低く設定される場合は , DC/DC のスイッチング動作によるリップル電圧が発生します。
許容可能なリップル電圧により入力コンデンサの下限値を検討してください。
電源のリップル電圧は簡易的に下記の式
から算出してください。
ΔVIN ＝
IOMAX
VO
×
＋ ESR × (IOMAX ＋
CIN
VIN × fOSC
ΔVIN
IOMAX
CIN
VIN
VO
fOSC
ESR
ΔIL
ΔIL
2
)
：電源リップル電圧ピークピーク値 [V]
：負荷電流最大値 [A]
：入力コンデンサの容量値 [F]
：電源電圧 [V]
：出力設定電圧 [V]
：発振周波数 [Hz]
：入力コンデンサの直列抵抗成分 [Ω]
：インダクタのリップル電流ピークピーク値 [A]
コンデンサは周波数特性 , 温度特性 , バイアス電圧特性などを有しており , 使用条件により実効値が極端に小さくなる
ことがあります。使用条件での実効値にご注意ください。
入力コンデンサの定格は下記の式から算出してください。
VCIN ＞ VIN
VCIN
VIN
：入力コンデンサ耐圧 [V]
：電源電圧 [V]
コンデンサの定格は入力電圧に対して十分マージンのある耐圧のものを選定してください。
許容リップル電流の定格があるコンデンサを使用する場合はリップル電流の検討が必要です。リップル電流値は下記の
式から算出してください。
Irms ≧ IOMAX ×
Irms
IOMAX
VIN
VO
DS04-27270-2
√VO × (VIN − VO)
VIN
：リップル電流 ( 実効値 )[A]
：負荷電流最大値 [A]
：電源電圧 [V]
：出力設定電圧 [V]
33
MB39A138
ブートストラップコンデンサの選択
メイン側 FET のゲートを駆動するためにはブートストラップコンデンサに十分な電荷が蓄えられている必要がありま
す。そのため , 目安としてメイン側 FET の Qg に対して約 10 倍の電荷を蓄えられるコンデンサを最低値とし , ブートスト
ラップコンデンサを選定してください。
CBOOT ≧ 10 ×
CBOOT
Qg
VB
Qg
VB
：ブートストラップコンデンサの容量値 [F]
：メイン側 FET のゲート電荷量 [C]
：VB 電圧 [V]
ブートストラップコンデンサの定格は下記の式から算出してください。
VCBOOT ＞ VB
VCBOOT
VB
：ブートストラップコンデンサ耐圧 [V]
：VB 電圧 [V]
VB 端子のコンデンサ
2.2 μF を標準としていますが , 使用するスイッチング FET の Qg が大きい場合に調整が必要です。
メイン側 FET のゲートを駆動するためにはブートストラップコンデンサに十分な電荷が蓄えられている必要がありま
す。そのため , 目安としてスイッチング FET の Qg 合計に対して 100 倍の電荷を蓄えられる容量を最低値とし , 選定してく
ださい。
またコンデンサの変更により CTL ON 時にオーバシュートが発生することがあります。
このオーバシュートは DC/DC 動作に影響するものではありませんが , VB 端子の定格を超えないことをご確認のうえ ,
適用してください。
CVB ≧ 100 ×
CVB
Qg
VB
Qg
VB
：VB 端子コンデンサの容量値 [F]
：2ch 分のメイン側 FET, 同期整流側スイッチング FET のゲート電荷量の合計 [C]
：VB 電圧 [V]
VB 端子コンデンサの定格は下記式で算出してください。
VCVB ＞ VB
VCVB ：VB 端子コンデンサ耐圧 [V]
VB
：VB 電圧 [V]
CVBLPF 端子のコンデンサおよび抵抗
CVBLPF 端子のコンデンサおよび VB 端子と CVBLPF 端子の間の抵抗により , VB レギュレータ (VB 端子 ) から制御系
電源 (CVBLPF 端子 ) への電源供給に対して LPF を形成します。
カットオフ周波数は発振周波数の 10 分の 1 程度を目安に
設定してください ( 容量値は 1 μF を標準としています ) 。
また抵抗値をあまり大きな値に設定すると制御系電源への電圧ドロップを生じますので , なるべく小さな値を選定して
ください (5 Ω 程度を推奨 ) 。
34
DS04-27270-2
MB39A138
3. レイアウトについて
下記点に配慮しレイアウト設計を行ってください。
・ IC 搭載面には極力 GND プレーンを設けてください。スイッチング系部品の GND 端子 , VCC および VB に接続するバ
イパスコンデンサ , IC の PGND 端子をスイッチング系 GND (PGND) へ , その他の GND 接続端子は制御系 GND (AGND)
へ接続し , 各 GND を分離し , 制御系 GND (AGND) には大電流のパスが通らないよう極力努めてください。その際 ,
制御系 GND (AGND) とスイッチング系 GND (PGND) は IC の GND (PGND) 1 点で接続してください。
・ スイッチング系部品の接続は極力表層で行い , スルーホールを介しての接続を極力避けてください。
・ スイッチング系部品の GND 端子は直近にスルーホールを設け内層の GND へ接続してください。
・ 入力コンデンサ (CIN) , スイッチング FET, フライバックダイオード (SBD) で構成されるループには最も気を使い電流
ループが極力小さくなるよう配慮してください。
・ ブートストラップコンデンサ (CBOOT1, CBOOT2) は極力 IC の CBx, LXx 端子直近に配置してください。
・ スイッチング FET のゲートへ接続する DRVHx, DRVLx 端子のネットは瞬間的に大きな電流が流れます。
0.8 mm 程度の
配線幅を目安とし , 極力短く配線してください。
・ CVBLPF, VCC, VB に接続するバイパスコンデンサ (CVBLPF, CVCC, CVB) は極力端子に近づけて配置してください。
またバイパスコンデンサの GND 端子は直近にスルーホールにて内層の GND へ接続してください。
・ 出力コンデンサの ESR により発生するリップル電圧をより正確に IC にフィードバックできるよう , IC の VOx 端子に
接続するフィードバック線は , 極力出力コンデンサ端子直近から個別で引き出してください。VOx, FBx 端子に接続する
配線はノイズに敏感です。この配線はスイッチング系部品から極力遠ざけるよう配慮願います。
また , この配線に接続される出力電圧設定抵抗は極力 IC の近くに配置し , FB 端子の配線が極力短くなるよう努め ,
また , 搭載箇所直下の内層はリップル , スパイクノイズの少ない制御系 GND (AGND) もしくは電源のプレーンを極力
設けてください。
スイッチング系部品：入力コンデンサ (CIN) , スイッチング FET, フライバックダイオード (SBD) ,
インダクタ (L) , 出力コンデンサ (CO)
IC 周辺配置例
スイッチング系部品配置例
CBOOT1
1pin
VIN
CVCC
AGND
スルーホール
メイン側 FET
メイン側 FET
スルーホール
CIN
CIN
同期整流側
FET
CVREF
PGND
CVB
出力電圧
設定
抵抗配置 AGND
CBOOT2
PGND
DS04-27270-2
内層
LX1 端子へ
LX2 端子へ
PGND
SBD
(option)
CO
SBD
(option)
CO
L
L
IC 直下で AGND と PGND を接続
表層
同期整流側
FET
Vo1
出力電圧 VO1
フィードバック
Vo2
出力電圧 VO2
フィードバック
35
MB39A138
■ 参考データ
100
90
90
変換効率 η(%)
100
80
70
VIN =12 V
VO1=1.2 V
Ta = +25°C
60
50
発振周波数
fosc(kHz)
変換効率 - 負荷電流
0
1
2
3
4
80
70
VIN = 12 V
60
50
5
VO2 = 3.3 V
Ta = +25°C
0
1
2
3
4
負荷電流 IO(A)
負荷電流 IO(A)
発振周波数 - 負荷電流
発振周波数 - 負荷電流
430
580
370
520
発振周波数
fosc(kHz)
変換効率 η(%)
変換効率 - 負荷電流
310
VIN =12 V
250
460
VIN = 12 V
400
VO1 =1.2 V
VO2 = 3.3 V
Ta = +25°C
Ta = +25°C
190
1
2
3
4
340
5
2
3
出力電圧 - 負荷電流
出力電圧 - 負荷電流
3.60
1.25
3.45
1.20
VIN = 12 V
1.15
VO1 = 1.2 V
Ta = +25°C
0
1
負荷電流 IO(A)
1.30
1.10
0
負荷電流 IO(A)
出力電圧 VO (V)
出力電圧 VO (V)
0
1
2
3
負荷電流 IO(A)
4
5
5
4
5
3.30
VIN = 12 V
3.15
3.00
VO2 = 3.3 V
Ta = +25°C
0
1
2
3
4
5
負荷電流 IO(A)
（続く）
36
DS04-27270-2
MB39A138
リップル波形
VO1 : 50 mV/div (AC)
2.0 μs/div
1
VO2 : 50 mV/div (AC)
2
VIN = 12 V, VO1 = 1.2 V, IO1 = 5 A, VO2 = 3.3 V, IO2 = 5 A,
Ta = + 25 °C
CH2 負荷急変波形
CH1 負荷急変波形
100 μs/div
VO1 : 50 mV/div
100 μs/div
VO2 : 50 mV/div
1
1
5A
5A
IO2 : 2 A/div
IO1 : 2 A/div
0A
0A
4
4
VIN = 12 V, VO2 = 3.3 V, SR SET = 0.75 A/μs
5 A, Ta = + 25 °C
IO2 = 0 A
VIN = 12 V, VO1 = 1.2 V, SR SET = 0.75 A/μs
IO2 = 0 A 5 A, Ta = + 25 °C
CH2 CTL 起動波形
CH1 CTL 起動波形
1 ms/div
1 ms/div
CTL1 : 5 V/div
CTL2 : 5V/div
1
1
VO2 : 1V/div
VO1 : 500 mV/div
4
4
VLX1 : 10 V/div
2
VLX2 : 10V/div
2
VIN = 12 V, VO1 = 1.2 V, IO1 = 5 A (0.24 Ω),
ソフトスタート設定時間＝ 2.1 ms, Ta ＝＋ 25 °C
VIN = 12 V, VO2 = 3.3 V, IO2 = 5 A (0.66 Ω),
ソフトスタート設定時間＝ 1.9 ms, Ta ＝＋ 25 °C
（続く）
DS04-27270-2
37
MB39A138
（続き）
CH2 CTL 停止波形
CH1 CTL 停止波形
100 μs/div
100 μs/div
CTL1 : 5 V/div
3
CTL2 : 5 V/div
3
VO2 : 1 V/div
VO1 : 500 mV/div
1
1
VLX1 : 10 V/div
2
VIN = 12 V, VO1 = 1.2 V, IO1 = 5 A (0.24 Ω), Ta = + 25 °C
VLX2 : 10 V/div
2
VIN = 12 V, VO2 = 3.3 V, IO2 = 5 A (0.66 Ω), Ta = + 25 °C
CH2 出力過電流波形
CH1 出力過電流波形
500 μs/div
500 μs/div
3
VO2 : 1 V/div
VO1 : 500 mV/div
3
lO1 : 10 A/div
4
lO2 : 10 A/div
4
VLX1 : 10 V/div
2
通常動作
過電流保護
VIN = 12 V, VO1 = 1.2 V, Ta = + 25°C
38
VLX2 : 10 V/div
2
低電圧保護
通常動作
過電流保護
低電圧保護
VIN = 12 V, VO2 = 3.3 V, Ta = + 25°C
DS04-27270-2
MB39A138
■ 使用上の注意
1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合 , LSI の永久破壊となることがあります。
また , 通常動作では , 推奨動作条件下で使用することが望ましく , この条件を超えて使用すると LSI の信頼性に悪影響
をおよぼすことがあります。
2. 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は , LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は , 推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。
3. プリント基板のアースラインは , 共通インピーダンスを考慮し , 設計してください。
4. 静電気対策を行ってください。
・ 半導体を入れる容器は , 静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。
・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は , 導電性の袋か , 容器に収納してください。
・ 作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。
・ 作業する人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ∼ 1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。
5. 負電圧を印加しないでください。
− 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあります。
DS04-27270-2
39
MB39A138
■ オーダ型格
型格
パッケージ
MB39A138PFT
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M10)
備考
■ 評価ボードオーダ型格
40
型格
EV ボード版数
備考
MB39A138EVB-01
MB39A138EVB-01 Rev.2.0
TSSOP-24
DS04-27270-2
MB39A138
■ RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリーの場合 )
富士通セミコンダクター株式会社の LSI 製品は , RoHS 指令に対応し , 鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと , 特定臭素系
難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は , 型格に “E1” を付加して表します。
DS04-27270-2
41
MB39A138
■ MB39A138PFT 推奨実装条件
【弊社推奨実装条件】
項 目
内 容
実装方法
IR ( 赤外線リフロー ) ・手半田付け ( 部分加熱法 )
実装回数
2回
保管期間
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱∼ 2 回目リフロー迄の
保管期間
8 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合
ベーキング (125 °C , 24 h) を実施の上 ,
8 日以内に処理願います。
5 °C ∼ 30 °C, 70％RH 以下 ( できるだけ低湿度 )
保管条件
【実装方法の各条件】
(1) IR ( 赤外線リフロー )
260°C
255°C
本加熱
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(a)
H ランク：260 °C Max
(a) 温度上昇勾配
(b) 予備加熱
(c) 温度上昇勾配
(d) ピーク温度
(d’) 本加熱
(e) 冷却
(c)
(d)
(e)
(d')
：平均 1 °C/s ∼ 4 °C/s
：温度 170 °C ∼ 190 °C, 60 s ∼ 180 s
：平均 1 °C/s ∼ 4 °C/s
：温度 260 °C Max
255 °C up 10 s 以内
：温度 230 °C up 40 s 以内
or
温度 225 °C up 60 s 以内
or
温度 220 °C up 80 s 以内
：自然空冷または強制空冷
（注意事項）パッケージボディ上面温度を記載
(2) 手半田付け ( 部分加熱法 )
コテ先温度 ：Max 400 °C
時間
：5 s 以内 / ピン
42
DS04-27270-2
MB39A138
■ 製品捺印 ( 鉛フリーの場合 )
39A138
XXXX
E1 XXX
INDEX
DS04-27270-2
鉛フリー表示
43
MB39A138
■ 製品ラベル ( 鉛フリーの場合の例 )
鉛フリー表示
JEITA 規格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 規格
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
44
DS04-27270-2
MB39A138
■ パッケージ・外形寸法図
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
リードピッチ
0.65 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
4.40 mm × 7.80 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.20 mm MAX
質量
0.10 g
(FPT-24P-M10)
プラスチック・TSSOP, 24 ピン
（FPT-24P-M10）
注 1）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 2）端子幅はタイバ切断残りを含まず。
注 3）# 印寸法はレジン残りを含まず。
# 7.80±0.10(.307±.004)
+0.06
24
0.13 –0.03
+.002
.005 –.001
13
BTM E-MARK
# 4.40±0.10
(.173±.004)
INDEX
Details of "A" part
6.40±0.20
(.252±.008)
1
12
0.65(.026)
+0.07
0.22 –0.02
+.003
.008 –.001
1.20(.047)
(Mounting height)
MAX
0~8°
"A"
0.10(.004)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.10±0.05
(Stand off)
(.004±.002)
0.10(.004)
C
2008-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F24033S-c-1-2
単位：mm （inches）
注意：括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
DS04-27270-2
45
MB39A138
■ 目次
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
46
ページ
概要 .......................................................................................................................... 1
特長 .......................................................................................................................... 1
アプリケーション .................................................................................................. 1
端子配列図 .............................................................................................................. 2
端子機能説明 .......................................................................................................... 3
ブロックダイヤグラム .......................................................................................... 4
絶対最大定格 .......................................................................................................... 5
推奨動作条件 .......................................................................................................... 6
電気的特性 .............................................................................................................. 7
標準特性 .................................................................................................................. 10
機能説明 .................................................................................................................. 12
保護機能一覧表 ...................................................................................................... 16
入出力端子等価回路図 .......................................................................................... 17
応用回路例 .............................................................................................................. 19
部品表 ...................................................................................................................... 20
アプリケーションノート ...................................................................................... 21
参考データ .............................................................................................................. 36
使用上の注意 .......................................................................................................... 39
オーダ型格 .............................................................................................................. 40
評価ボードオーダ型格 .......................................................................................... 40
RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリーの場合 ) .......................................... 41
MB39A138PFT 推奨実装条件 ............................................................................... 42
製品捺印 ( 鉛フリーの場合 ) ................................................................................. 43
製品ラベル ( 鉛フリーの場合の例 ) ..................................................................... 44
パッケージ・外形寸法図 ...................................................................................... 45
DS04-27270-2
MB39A138
MEMO
DS04-27270-2
47
MB39A138
富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 プロモーション推進部