MB39A136 - Spansion

Spansion® 模拟和微控制器产品
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“富士通”或 “Fujitsu”， 该产品将由 Spansion 提供给现有客户和新客户。
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FUJITSU MICROELECTRONICS
数据手册
DS04–27262–2Z
ASSP 电源用
( 通用 DC/DC 转换器 )
双通道 PFM/PWM 同步整流降压
DC/DC 转换器 IC
MB39A136
■ 概要
MB39A136 是一款采用电流模式，双通道 N-ch/N-ch 同步整流降压型 DC/DC 转换器 IC。该芯片内置丰富的保护功能，采
用 Symmetrical-Phase ( 反位相时钟 ) 方式，支持陶瓷电容器。该芯片不仅实现了瞬态响应快、效率高、纹波电压低，因工作
频率高，还可将电感器和输出入电容器小型化。
■ 特征
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
高效率
支持外接电阻设定频率 : 100 kHz ~ 1 MHz
误差放大器阈值电压
: 0.7 V ±1.0%
最小输出电压
: 0.7 V
大范围电源电压
: 4.5 V ~ 25 V
可选择 PFM/PWM 自动切换模式或强制 PWM 模式
支持 Symmetrical-Phase 方式
内置过压保护功能
内置低压保护功能
内置过流保护功能
内置过温保护功能
内置不受负载影响的软启动 / 软停止电路
内置支持 N 型 MOS FET 的同步整流方式输出段
待机电流
: 0 [µA] ( 典型值 )
小封装
: TSSOP-24
■ 应用
•
•
•
•
数字 TV
复印机
监控摄像头
STB
•
•
•
•
•
DVD 播放器、DVD 收录机
投影仪
IP 电话
售货机
其他 固定式机器
Copyright©2009 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2009.6
MB39A136
■ 引脚配置图
( 俯视图 )
CTL1
1
24
CB1
CS1
2
23
DRVH1
FB1
3
22
LX1
COMP1
4
21
DRVL1
ILIM1
5
20
VCC
RT
6
19
VB
VREF
7
18
GND
CTL2
8
17
DRVL2
ILIM2
9
16
LX2
COMP2
10
15
DRVH2
FB2
11
14
CB2
CS2
12
13
MODE
(FPT-24P-M09)
2
DS04–27262–2Z
MB39A136
■ 引脚功能描述
引脚号
引脚符号
I/O
1
CTL1
I
CH1 控制引脚
2
CS1
I
CH1 软启动时间设定用电容器的连接引脚
3
FB1
I
CH1 误差放大器的反相输入引脚
4
COMP1
O
CH1 误差放大器的输出引脚
5
ILIM1
I
CH1 过流检测电平设定电压的输入引脚
6
RT
⎯
开关频率设定用电阻的连接引脚
7
VREF
O
基准电压的输出引脚
8
CTL2
I
CH2 控制引脚
9
ILIM2
I
CH2 过流检测电平设定电压的输入引脚
10
COMP2
O
CH2 误差放大器的输出引脚
11
FB2
I
CH2 误差放大器的反相输入引脚
12
CS2
I
CH2 软启动时间设定用电容器的连接引脚
13
MODE
I
PFM/PWM 切换引脚 (CH1 和 CH2 通用 )
连接 VREF 为强制 PWM 模式 ; 连接 GND 为 PFM/PWM 切换模式。
14
CB2
⎯
CH2 自举电路电容器的连接引脚
15
DRVH2
O
CH2 外接主端 FET 栅极驱动用输出引脚
16
LX2
⎯
CH2 电感和外接主端 FET 源极的连接引脚
17
DRVL2
O
CH2 外接同步整流端 FET 栅极驱动用输出引脚
18
GND
⎯
接地引脚
19
VB
O
偏压部分的输出引脚
20
VCC
⎯
基准电压和控制电路的电源引脚
21
DRVL1
O
CH1 外接同步整流端 FET 栅极驱动用输出引脚
22
LX1
⎯
CH1 电感和外接主端 FET 源极的连接引脚
23
DRVH1
O
CH1 外接主端 FET 栅极驱动用输出引脚
24
CB1
⎯
CH1 自举电路电容器的连接引脚
DS04–27262–2Z
功能描述
3
MB39A136
■ 框图
MODE
VCC
RT
13
20
6
<CH1>
CS1
2
<Soft-Start,
<Soft-Stop>
ctl1
/uvp_out
/otp_out
VREF
5.5
µA
−
/uvlo
ovp_out
COMP1
FB1
<PFM Comp. >
+
pfm1
70 kΩ
<I Comp.>
−
+
+
180° out of phase
RS-FF
RQ
−
+
S
intref
ILIM1
19
VB
pfm2
ch.1
ch.2
<Error Amp>
Bias
Reg.
2.0 V
4
3
Clock
generator
24
Hi-side
Drive
23
Drive
Logic
22
DRVH1
LX1
VB
CLK
5
21
Lo-side
Drive
Vs
CB1
DRVL1
Level
Converter
<Di Comp.>
<OVP Comp.>
<UVP Comp.>
+
−
−
+
intref
x 1.15 V
−
+
intref
x 0.7 V
ovp1
uvp1
<UVLO>
ovp1
ovp2
uvp1
uvp2
50 µs
delay
ovp_out
SQ
R
512/fOSC
delay
SQ
R
CS2
12
uvp_out
VB
UVLO
uvlo
VREF
UVLO
H:UVLO
release
otp_out
OTP
<CH2>
控制电路的结构与 <CH1> 同样。
14
15
COMP2
FB2
10
16
11
17
CB2
DRVH2
LX2
DRVL2
VB ctl1, ctl2
ILIM2
9
<REF> <CTL>
intref
(3.3 V)
7
VREF
4
ON/OFF
CTL1
1
8 CTL2
18
GND
DS04–27262–2Z
MB39A136
■ 绝对最大额定
项目
符号
条件
额定值
最小
最大
⎯
27
单位
电源电压
VVCC
VCC 引脚
CB 引脚输入电压
VCB
CB1, CB2 引脚
⎯
32
V
LX 引脚输入电压
VLX
LX1, LX2 引脚
⎯
27
V
CB － LX 间电压
VCBLX
⎯
⎯
7
V
CTL1, CTL2 引脚
⎯
27
V
控制输入电压
VI
FB1, FB2 引脚
⎯
VVREF ＋ 0.3
V
VILIM
ILIM1, ILIM2 引脚
⎯
VVREF ＋ 0.3
V
VCSx
CS1, CS2 引脚
⎯
VVREF ＋ 0.3
V
MODE 引脚
⎯
VVB ＋ 0.3
V
VFB
输入电压
V
VMODE
输出电流
IOUT
DC DRVL1, DRVL2 引脚
DRVH1, DRVH2 引脚
⎯
60
mA
容许损耗
PD
Ta ≤ + 25 ℃
⎯
1644
mW
保管温度
TSTG
－ 55
＋ 150
℃
⎯
< 注意事项 > 施加超出最大额定值的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 可能会损坏半导体器件。因此，需注意每个项目，切勿
超出额定值。
DS04–27262–2Z
5
MB39A136
■ 推荐工作条件
项目
符号
条件
电源电压
VVCC
CB 引脚输入电压
VCB
基准电压输出电流
规格值
单位
最小
典型
最大
⎯
4.5
⎯
25.0
V
⎯
⎯
⎯
30
V
IVREF
⎯
－ 100
⎯
⎯
µA
VB 输出电流
IVB
⎯
－1
⎯
⎯
mA
CTL 引脚输入电压
VI
0
⎯
25
V
V
输入电压
CTL1, CTL2 引脚
0
⎯
VVREF
0.3
⎯
1.94
V
CS1, CS2 引脚
0
⎯
VVREF
V
MODE 引脚
0
⎯
VVREF
V
VFB
FB1, FB2 引脚
VILIM
ILIM1, ILIM2 引脚
VCS
VMODE
峰值输出电流
IOUT
DRVH1, DRVH2 引脚
DRVL1, DRVL2 引脚
Duty ≤ 5％ (t ＝ 1 / fOSC × Duty)
－ 1200
⎯
＋ 1200
mA
工作频率范围
fOSC
⎯
100
500
1000
kHz
频率设定电阻
RRT
RT 引脚
⎯
47
⎯
kΩ
软启动电容
CCS
CS1, CS2 引脚
0.0075
0.0180
⎯
µF
CB 引脚电容
CCB
CB1, CB2 引脚
⎯
0.1
1.0
µF
VREF 引脚
⎯
0.1
1.0
µF
⎯
2.2
10
µF
－ 30
＋ 25
＋ 85
℃
基准电压输出电容
CVREF
VB 输出电容
CVB
工作环境温度
Ta
VB 引脚
⎯
< 注意事项 > 推荐工作条件是保证半导体器件正常工作的条件。在该条件范围内可保证电气特性的规格值。务必在推荐工
作条件下使用该器件。超出推荐条件的使用对器件的可靠性产生不良影响。
对于数据手册未记载项目、使用条件和逻辑组合的使用，不做任何保证。如需在未记载条件下使用，务必事
先与本公司的销售部门联系。
6
DS04–27262–2Z
MB39A136
■ 电气特性
(Ta ＝＋ 25 ℃、 VCC 引脚＝ 15 V、 CTL 引脚＝ 5 V、 VREF 引脚＝ 0 A、 VB 引脚＝ 0 A)
项目
符号
引脚
条件
输出电压
VVREF
7
输入稳定度
VREF
LINE
典型
最大
⎯
3.24
3.30
3.36
V
7
VCC 引脚＝ 4.5 V ~ 25 V
⎯
1
10
mV
VREF
LOAD
7
VREF 引脚＝ 0 A ~
－ 100 µA
⎯
1
10
mV
VREF
IOS
7
VREF 引脚＝ 0 V
－ 14.5
－ 10.0
－ 7.5
mA
VVB
19
4.85
5.00
5.15
V
输入稳定度
VB
LINE
19
VCC 引脚＝ 6 V ~ 25 V
⎯
10
100
mV
负载稳定度
VB
LOAD
19
VB 引脚＝ 0 A ~ － 1 mA
⎯
10
100
mV
VB
IOS
19
VB 引脚＝ 0 V
－ 200
－ 140
－ 100
mA
VTLH1
19
VB 引脚
4.0
4.2
4.4
V
VTHL1
19
VB 引脚
3.4
3.6
3.8
V
VH1
19
VB 引脚
⎯
0.6*
⎯
V
VTLH2
7
VREF 引脚
2.7
2.9
3.1
V
VTHL2
7
VREF 引脚
2.5
2.7
2.9
V
滞回幅度
VH2
7
VREF 引脚
⎯
0.2*
⎯
V
充电电流
ICS
2, 12
CTL1, CTL2 引脚＝ 5 V,
CS1, CS2 引脚＝ 0 V
－ 7.9
－ 5.5
－ 4.2
µA
软启动结束电压
VCS
2, 12
CTL1, CTL2 引脚＝ 5 V
2.2
2.4
2.6
V
软停止放电阻抗
RDISCG
2, 12
CTL1, CTL2 引脚＝ 0 V,
CS1, CS2 引脚＝ 0.5 V
49
70
91
kΩ
软停止结束电压
VDISCG
2, 12
CTL1, CTL2 引脚＝ 0 V
⎯
0.1*
⎯
V
fOSC
6
RT 引脚＝ 47 kΩ
450
500
550
kHz
低压检测时的
开关频率
fSHORT
6
RT 引脚＝ 47 kΩ
⎯
62.5
⎯
kHz
开关频率温度
变动率
df/dT
6
Ta ＝－ 30 ℃ ~ ＋ 85 ℃
⎯
3*
⎯
%
短路时输出电流
输出电压
短路时输出电流
阈值电压
欠压锁定
电路部分
[UVLO]
软启动 / 软停
止部分
[Soft-Start,
Soft-Stop]
滞回幅度
阈值电压
开关频率
时钟生成器
部分
[OSC]
单位
最小
基准电压部分
[REF]
负载稳定度
VB 部分
[VB Reg.]
规格值
⎯
( 转下页 )
DS04–27262–2Z
7
MB39A136
(Ta ＝＋ 25 ℃、 VCC 引脚＝ 15 V、 CTL 引脚＝ 5 V、 VREF 引脚＝ 0 A、 VB 引脚＝ 0 A)
项目
符号
引脚
条件
EVTH
3, 11
EVTHT
规格值
单位
最小
典型
最大
⎯
0.693
0.700
0.707
V
3, 11
Ta ＝－ 30 ℃ ~ ＋ 85 ℃
0.689*
0.700*
0.711*
V
IFB
3, 11
FB1, FB2 引脚＝ 0 V
－ 0.1
0
＋ 0.1
µA
ISOURCE
4, 10
FB1, FB2 引脚＝ 0 V,
COMP1, COMP2 引脚＝
1V
－ 390
－ 300
－ 210
µA
ISINK
4, 10
FB1, FB2 引脚＝
VREF 引脚 ,
COMP1, COMP2 引脚＝
1V
8.4
12.0
16.8
mA
输出钳位电压
VILIM
4, 10
FB1, FB2 引脚＝ 0 V,
ILIM1, ILIM2 引脚＝ 1.5 V
1.35
1.50
1.65
V
ILIM 引脚输入
电流
IILIM
5, 9
FB1, FB2 引脚＝ 0 V,
ILIM1, ILIM2 引脚＝ 1.5 V
－1
0
＋1
µA
过压保护电路 过压检测电压
部分
[OVP Comp.] 过压检测时间
VOVP
3, 11
FB1, FB2 引脚
0.776
0.805
0.835
V
tOVP
3, 11
49
70
91
µs
低压保护电路 低压检测电压
部分
[UVP Comp.] 低压检测时间
VUVP
3, 11
0.450
0.490
0.531
V
tUVP
3, 11
⎯
512/fOSC
⎯
s
过温保护电路
部分
检测温度
[OTP]
TOTPH
⎯
结温
⎯
＋ 160*
⎯
℃
TOTPL
⎯
结温
⎯
＋ 135*
⎯
℃
⎯
0*
⎯
mV
阈值电压
输入电流
误差放大器
部分
[Error Amp1,
Error Amp2]
输出电流
同步整流
停止电压
PFM/PWM
PFM
模式条件
控制电路部分
强制 PWM
[MODE]
模式条件
MODE 引脚
输入电流
VTHLX
⎯
FB1, FB2 引脚
⎯
22, 16 LX1, LX2 引脚
VPFM
13
MODE 引脚
0
⎯
1.4
V
VPWM
13
MODE 引脚
2.2
⎯
VVREF
V
IMODE
13
MODE 引脚＝ 0 V
－1
0
＋1
µA
( 转下页 )
8
DS04–27262–2Z
MB39A136
( 承上页 )
(Ta ＝＋ 25 ℃、 VCC 引脚＝ 15 V、 CTL 引脚＝ 5 V、 VREF 引脚＝ 0 A、 VB 引脚＝ 0 A)
项目
符号
引脚
RON_MH
23, 15
RON_ML
最大
DRVH1, DRVH2 引脚＝
－ 100 mA
⎯
4
7
Ω
23, 15
DRVH1, DRVH2 引脚＝
100 mA
⎯
1.0
3.5
Ω
RON_SH
21, 17
DRVL1, DRVL2 引脚＝
－ 100 mA
⎯
4
7
Ω
RON_SL
21, 17
DRVL1, DRVL2 引脚＝
100 mA
⎯
0.75
1.70
Ω
ISOURCE
23, 15
21, 17
LX1, LX2 引脚＝ 0 V,
CB1, CB2 引脚＝ 5 V
DRVH1, DRVH2 引脚 ,
DRVL1, DRVL2 引脚＝ 2.5 V
DUTY ≤ 5%
⎯
－ 0.5*
⎯
A
23, 15
LX1, LX2 引脚＝ 0 V,
CB1, CB2 引脚＝ 5 V
DRVH1, DRVH2 引脚＝ 2.5 V
DUTY ≤ 5%
⎯
0.9*
⎯
A
21, 17
LX1, LX2 引脚＝ 0 V,
CB1, CB2 引脚＝ 5 V
DRVL1, DRVL2 引脚＝ 2.5 V
DUTY ≤ 5%
⎯
1.2*
⎯
A
tON
23, 15
COMP1, COMP2 引脚＝ 1 V
⎯
250*
⎯
ns
DMAX
23, 15
FB1, FB2 引脚＝ 0 V
72
80
⎯
％
死区时间
tD
23, 21,
15, 17
LX1, LX2 引脚＝ 0 V,
CB1, CB2 引脚＝ 5 V
⎯
60
⎯
ns
最大电流
检测电压
VRANGE
22, 16
VCC 引脚－ LX1, LX2 引脚
⎯
220*
⎯
mV
电压转换增益
ALV
22, 16
⎯
5.4
6.8
8.2
V/V
电压转换时的
补偿电压
VIO
22, 16
⎯
⎯
300
⎯
mV
坡度补偿倾斜
SLOPE
22, 16
⎯
⎯
2*
⎯
V/V
LX 引脚
输入电流
ILX
22, 16
320
420
600
µA
ON 条件
VON
1, 8
CTL1, CTL2 引脚
2
⎯
25
V
OFF 条件
VOFF
1, 8
CTL1, CTL2 引脚
0
⎯
0.8
V
滞回幅度
VH
1, 8
CTL1, CTL2 引脚
⎯
0.4*
⎯
V
ICTLH
1, 8
CTL1, CTL2 引脚＝ 5 V
⎯
25
40
µA
ICTLL
1, 8
CTL1, CTL2 引脚＝ 0 V
⎯
0
1
µA
待机电流
ICCS
20
CTL1, CTL2 引脚＝ 0 V
⎯
0
10
µA
电源电流
ICC
20
LX1, LX2 引脚＝ 0 V,
FB1, FB2 引脚＝ 1.0 V,
MODE 引脚＝ VREF 引脚
⎯
3.3
4.7
mA
输出拉电流
输出部分
[DRV]
输出灌电流
最短导通时间
最大占空比
输入电流
IC 全体
单位
典型
同步整流端输出
导通阻抗
控制部分
[CTL1,
CTL2]
规格值
最小
主端输出
导通阻抗
电平转换器
部分
[LVCNV]
条件
ISINK
LX1, LX2 引脚＝ VCC 引脚
*: 该值并非规格值，请作为设计时的目标值使用。
DS04–27262–2Z
9
MB39A136
■ 典型特性
容许损耗
容许损耗 - 工作环境温度
2000
1800
1644
1600
容许损耗 PD (mW)
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
−50
−25
0
+25
+50
+75
+100
+125
工作环境温度 Ta ( ℃ )
VREF 电压 - 工作环境温度
Error Amp 阈值电压 - 工作环境温度
3.36
Error Amp 阈值电压 EVTH (V)
0.71
VREF 电压 VVREF (V)
3.34
3.32
3.3
3.28
VCC = 15 V
fosc = 500 kHz
3.26
3.24
-40
-20
0
+20
+40
+60
工作环境温度 Ta ( ℃ )
+80
+100
0.705
CH1
0.7
CH2
VCC = 15 V
fosc = 500 kHz
0.695
0.69
-40
-20
0
+20
+40
+60
+80
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
( 转下页 )
10
DS04–27262–2Z
MB39A136
( 承上页 )
开关频率 - 工作环境温度
死区时间 - 工作环境温度
90
505
VCC = 15 V
死区时间 tD (ns)
开关频率 fOSC (kHz)
VCC = 15 V
fosc = 500 kHz
80
500
495
490
485
480
tD2
70
60
tD1
50
40
475
-40
-20
0
+20
+40
+60
+80
30
-40
+100
-20
工作环境温度 Ta ( ℃ )
0
+20
+40
+60
+80
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
tD1 : period from DRVL off to DRVH on
tD2 : period from DRVH off to DRVL on
开关频率 - 设定电阻
VB 电压 - VB 输出电流
1000
6
5.5
VCC = 6 V
5
VB 电压 VVB (V)
开关频率 fOSC (kHz)
VCC = 15 V
Ta = + 25°C
4.5
VCC = 5 V
4
3.5
3
VCC = 4.5 V
fosc = 500 kHz
Ta = + 25°C
2.5
100
10
100
2
-0.025
1000
-0.01
-0.005
VB 输出电流 IVB (A)
最大占空比 - 电源电压
最大占空比 - 工作环境温度
0
80
fosc = 500 kHz
Ta = + 25°C
79
78
CH2
77
CH1
76
0
10
20
电源电压 VVCC (V)
DS04–27262–2Z
30
最大占空比 DMAX (％)
最大占空比 DMAX (％)
-0.015
设定电阻 RRT (kΩ)
80
75
-0.02
VCC = 15 V
fosc = 500 kHz
79
CH2
78
CH1
77
76
75
-40
-20
0
+20
+40
+60
+80
+100
工作环境温度 Ta( ℃ )
11
MB39A136
■ 功能描述
1. 关于电流模式
开关 (Q1) 的电流波形作为控制波形使用，通过以下动作控制输出电压。
1: IC 内部的时钟生成器 (OSC) 生成的时钟 (CK) 将 RS-FF 置位并接通主端 FET。
2: 因主端 FET 接通，电感电流 (IL) 上升。该电流进行电压转换后生成 Vs。
3: 电流比较器 (I Comp.) 对该 Vs 和输出电压 (Vo) 负反馈的误差放大器 (Error Amp) 的输出 (COMP) 进行比较。
4: I Comp. 检测出 Vs 高于 COMP 时，RS-FF 复位、且主端 FET 断开。
5: 时钟生成器 (OSC) 生成的时钟 (CK) 再次接通主端 FET。
开关动作按照上述步骤循环往复。
作为反馈控制，FB 电位力图保持与 INTREF 电位相同，从而使输出电压趋于稳定。
VIN
<Error Amp>
FB
<I Comp.>
−
+
−
COMP
+
INTREF
DRVH
RS-FF
R
Q
S
Drive
Logic
CK
Q1
Current
Sense
DRVL
OSC
IL
VO
Q2
Vs
Rs
1
4
5
OSC(CK)
IL
3
COMP
Vs
2
toff
DRVH
ton
12
DS04–27262–2Z
MB39A136
(1) 基准电压部分 (REF)
基准电压部分 (REF) 利用 VCC 引脚供给的电压生成 IC 内部的基准电压。该基准电压是有温度补偿的稳定电压 ( 典型值
3.3 [V])，VREF 引脚最大可供给 100 µA。
(2) VB 部分 (VB Reg.)
VB 部分 (VB Reg.) 利用 VCC 引脚供给的电压生成 IC 内部的基准电压。该基准电压是有温度补偿的稳定电压 ( 典型值
5 [ V])，VB 引脚最大可供给 100 mA。
(3) 欠压锁定电路部分 (UVLO)
防止偏压 (VB) 和内部基准电压 (VREF) 启动时瞬态和瞬时低压状态下发生 IC 误动作和系统损坏、劣化的电路。该电路检
测 VB 引脚和 VREF 引脚的电压下降并停止 IC 运行。VB 引脚和 VREF 引脚的电压升到欠压锁定电路的阈值电压以上时，系
统恢复运行。
(4) 软启动 / 软停止部分 (Soft-Start, Soft-Stop)
关于软启动
防止输出开始时的冲击电流和输出电压 (VOX) 过冲。连接到CSX引脚的电容器的充电上升电压成为误差放大器 (Error Amp)
的基准电压，因此可设定不受输出 (VOX) 负载影响的软启动时间。将 CTLx 引脚置 "H" 电平，IC 一旦启动，CSX 引脚的电容器
(CS) 便开始以 5.5 µA 充电。软启动期间的输出电压 (VOX) 与 CSX 引脚电容器充电产生的 CSX 引脚电压成正比上升。
在 CS1 和 CS2 引脚电压 < 0.8 V 的软启动期间，动作如下。
• 仅强制 PWM 工作 ( 即使 MODE 引脚置 "L"，也是强制 PWM)
• 过压保护功能和低压保护功能无效
关于软停止
输出停止时，积蓄在输出电容器内的电荷放电。将 CTLX 引脚置为 "L" 电平，不受输出 (VOX) 负载影响的软停止功能启动。
这是因为将 CTLX 引脚置为 "L" 电平，连接到 CSX 引脚的电容器开始通过 IC 内部软停止用放电电阻 ( 典型值 70 [kΩ]) 进行放
电，因其放电下降电压输入误差放大器 (Error Amp)，所以可根据电容值设定不受输出 (VOX) 负载影响的软停止时间。CSX 引
脚电压因放电降至 100 mV( 典型值 ) 以下时，IC 断电，进入待机状态。此外，在低压保护电路部分 (UVP Comp.) 闩锁置位后
或过温保护电路部分 (OTP) 检测出过温后，软停止功能也启动。
在 CS1 和 CS2 引脚电压 < 0.8 V 的软停止期间，动作如下。
• 仅强制 PWM 工作 ( 即使 MODE 引脚置 "L"，也是强制 PWM)
• 过压保护功能和低压保护功能无效
(5) 时钟生成器部分 (OSC)
时钟生成器部分内置开关频率设定用的电容器。在 RT 引脚连接开关频率设定电阻，可使时钟生成器生成通道间相位差
180° 的时钟 (Symmetrical-Phase 方式 )。
(6-1) 误差放大器部分 (Error Amp1, Error Amp2)
误差放大器 (Error Amp1, Error Amp2) 检测 DC/DC 转换器的输出电压，并将该输出输出到电流比较器 (I Comp.1,
I Comp.2)。将外部输出电压设定电阻连接到 FB1 和 FB2，可任意设定输出电压。
此外，在 COMP1 引脚和 FB1 引脚之间及 COMP2 引脚和 FB2 引脚之间串联外部电阻和外部电容器，可任意设定环路增
益，因此对系统可做稳定的位相补偿。
(6-2) 过流检测 ( 保护 ) 部分 (ILIM)
这是为了限制输出电流 (IOX) 的电流检测电路。过流检测部分 (ILIM) 在每个周期对各通道的电平转换器输出波形 ( 参考 (12)
电平转换器部分 (LVCNV)) 和 ILIMX 引脚电压进行比较。只要负载电阻 (ROX) 下降，负载电流 (IOX) 就增大。电平转换器输出波
形比各通道的 ILIM 引脚电压高时采取切断主端 FET 并抑制电感电流峰值的方法限制输出电流。
其结果为输出电压 (VoX) 下降。
输出电压下降，FBX 引脚电位降至 0.3 V 以下时，会使开关频率 (fOSC) 下降到 1/8。
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13
MB39A136
(7) 过压保护电路部分 (OVP Comp.)
这是在输出电压 (VOX) 上升时保护连接在输出上的器件的电路。
过压保护功能只要启动，RS 闩锁便置位，DRVHX 引脚和 DRVLX 引脚分别置 "L" 电平和 "H" 电平、 主端 FET 固定在 OFF
状态、同步整流端 FET 固定在 ON 状态，使电压输出停止。内部基准电压 INTREF (0.7 V) 的 1.15 倍 ( 典型值 ) 的电压与反
馈电压进行比较，只要检测出反馈电压过高状态持续 50 µs ( 典型值 ) 以上时，该电路就启动。
过压保护功能在以下条件下解除。
• CTL1 和 CTL2 置 "L"。
• 电源电压低于 UVLO 阈值电压 (VTHL1,VTHL2) 。
(8) 低压保护电路部分 (UVP Comp.)
该电路在输出电压 (VOX) 下降时停止输出，以保护连接在输出上的器件。
低压保护电路部分一启动，RS 闩锁便置位，使两通道的电压输出停止。内部基准电压 INTREF (0.7 V) 的 0.7 倍 ( 典型值 )
的电压与反馈电压进行比较，只要检测出反馈电压过低状态持续 512/fOSC [s] ( 典型值 ) 以上时，该电路就启动。
低压保护功能在以下条件下解除。
• CTL1 和 CTL2 置 "L"。
• 电源电压低于 UVLO 阈值电压 (VTHL1,VTHL2) 。
(9) 过温保护电路部分 (OTP)
这是保护 IC 免遭热损坏的电路。结温达到＋ 160 ℃时，连接在 CSX 引脚的电容器通过 IC 内部软停止用放电电阻 ( 典型值
70 [kΩ]) 放电，使两通道的电压输出停止。
结温下降到＋ 135 ℃时，软启动重启输出。
(10) PFM 控制电路部分 (MODE)
该电路设定本 IC 的控制模式并控制 PFM/PWM 自动切换。
MODE 引脚连接
"L" (GND)
"H" (VREF)
控制模式
PFM/PWM
自动切换
强制 PWM
特征
轻负载时，效率高
开关频率稳定
开关纹波电压稳定
从重负载转换到轻负载时，负载突变性能好
PFM/PWM 自动切换模式动作
Di Comp. 将 LX1 和 LX2 引脚电压与 GND 电位进行比较。根据比较，LX 引脚为负电压时，同步整流端 FET 导通 ; LX 引脚
为正电压时，同步整流端 FET 断开 (Di Comp. 方式 )。轻负载时的电感电流的逆流被抑制，成为电感电流不连续 (DCM) 的开
关动作。该动作使开关频率降低，从而实现轻负载时的高效率。
(11) 输出部分 (DRV)
输出电路在主端和同步整流端都采用 CMOS 形式的结构，可驱动外接 N-ch MOS FET。
(12) 电平转换器部分 (LVCNV)
该电路检测并转换主端 FET 导通时的电流。主端 FET 的漏极 (VCC 引脚电压 ) 和源极 (LX1 和 LX2 引脚电压 ) 间的电压
波形转换为 GND 基准的电压波形。
( 注意事项 )X 代表各通道号
14
DS04–27262–2Z
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(13) 控制部分 (CTL1,CTL2)
该电路控制本 IC 输出的 ON/OFF。
控制功能表
DC/DC 转换器 (VO1) DC/DC 转换器 (VO2)
备注
CTL1
CTL2
L
L
OFF
OFF
待机
H
L
ON
OFF
⎯
L
H
OFF
ON
⎯
H
H
ON
ON
⎯
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15
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■ 保护功能一览表
各保护功能工作时，各引脚的状态如下 :
保护功能
检测条件
检测时各引脚的输出
DC/DC 输出下降状态
VREF
VB
DRVHx
DRVLx
< 2.7 V
< 3.6V
L
L
负载本身放电
欠压锁定
(UVLO)
VB < 3.6 V
VREF < 2.7 V
低压保护
(UVP)
FBX < 0.49V
3.3 V
5V
L
L
软停止功能放电
过压保护
(OVP)
FBx > 0.805V
3.3 V
5V
L
H
0 V 钳位
过流保护
(ILIM)
COMPX > ILIMX
3.3 V
5V
switching
过温保护
(OTP)
Tj > ＋ 160 ℃
3.3 V
5V
L
L
软停止功能放电
控制
(CTL)
CTLX : H → L
(CSX > 0.1 V)
3.3 V
5V
L
L
软停止功能放电
switching 恒电流动作使输出电压下降
( 注意事项 )X 代表各通道号。
16
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■ 输出入引脚等效电路图
VREF 引脚
CTL1, CTL2 引脚
VCC
VB
CTL1,CTL2
VREF
ESD 保护元件
GND
GND
VB 引脚
CS1, CS2 引脚
VCC
VREF
VB
CS1,CS2
GND
FB1, FB2 引脚
VREF
GND
COMP1, COMP2 引脚
VREF
FB1,FB2
COMP1,
COMP2
GND
GND
( 转下页 )
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17
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( 承上页 )
ILM1, ILM2 引脚
RT 引脚
VREF
VREF
VB
ILIM1,ILIM2
ILIM1,ILIM2
RT
GND
GND
GND
MODE 引脚
CB1, CB2, DRVH1, DRVH2, LX1, LX2 引脚
CB1,CB2
CB1,CB2
VREF
VREF
VREF
DRVH1,
DRVH1,
DRVH2
DRVH2
MODE
LX1,LX2
LX1,LX2
GND
DRVL1, DRVL2 引脚
GND
GND
VB
DRVL1,DRVL2
GND
18
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■ 应用电路示例
R21
VREF
VIN
(4.5 V ~ 25 V)
RT
MODE
13
C13
VCC
20
6
MB39A136
19
CS1
2
A
VB
<CH1>
C7
A
D2
COMP1
4
R8-1
R8-2
24
CB1
FB1
23
3
22
R9
R11
ILIM1
5
21
VO1
L1
C5
R23
C9
Q1
DRVH1
LX1
Q1
DRVL1
C2-1
C2-2
C2-3
C1
R12
C14
CS2
B
12
<CH2>
14
C8
15
COMP2
R14-1
R14-2
C11
10
16
R25
FB2
11
17
R15
R17
B
D2
CB2
Q2
9
VO2
C6
DRVH2
LX2
DRVL2
Q2
C3-1
C3-2
ILIM2
L2
C4-1
C4-2
C4-3
CTL1
1
CTL2
8
R18
7
VREF
18
GND
C15
DS04–27262–2Z
19
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■ 元件一览表
项目
条件
供应商
封装
Q1
N-ch FET
VDS ＝ 30 V,
ID ＝ 8 A, Ron ＝ 21 mΩ
NEC
SO-8
µPA2755
Dual type
(2 elements)
Q2
N-ch FET
VDS ＝ 30 V,
ID ＝ 8 A, Ron ＝ 21 mΩ
NEC
SO-8
µPA2755
Dual type
(2 elements)
D2
Diode
Onsemi
SOT-323
BAT54AWT1
Dual type
L1
Inductor
1.5 µH (6.2 mΩ, 8.9 A)
TDK
⎯
VLF10040T-1R5N
L2
Inductor
3.3 µH (9.7 mΩ, 6.9 A)
TDK
⎯
VLF10045T-3R3N
VF ＝ 0.35 V
at IF ＝ 0.2 A
型号
C1
Ceramic condenser 22 µF (25 V)
TDK
3225
C3225JC1E226M
C2-1
C2-2
C2-3
Ceramic condenser 22 µF (10 V)
Ceramic condenser 22 µF (10 V)
Ceramic condenser 22 µF (10 V)
TDK
TDK
TDK
3216
3216
3216
C3216JB1A226M
C3216JB1A226M 3 个并联
C3216JB1A226M
C3-1
C3-2
Ceramic condenser 22 µF (25 V)
Ceramic condenser 22 µF (25 V)
TDK
TDK
3225
3225
C3225JC1E226M
C3225JC1E226M 2 个并联
C4-1
C4-2
C4-3
Ceramic condenser 22 µF (10 V)
Ceramic condenser 22 µF (10 V)
Ceramic condenser 22 µF (10 V)
TDK
TDK
TDK
3216
3216
3216
C3216JB1A226M
C3216JB1A226M 3 个并联
C3216JB1A226M
C5
Ceramic condenser 0.1 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C6
Ceramic condenser 0.1 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
C7
Ceramic condenser 0.022 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H223K
C8
Ceramic condenser 0.022 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H223K
C9
Ceramic condenser 820 pF (50 V)
TDK
1608
C1608CH1H821J
C11
Ceramic condenser 1000 pF (50 V)
TDK
1608
C1608CH1H102J
C13
Ceramic condenser 0.01 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H103K
C14
Ceramic condenser 2.2 µF (16 V)
TDK
1608
C1608JB1C225K
C15
Ceramic condenser 0.1 µF (50 V)
TDK
1608
C1608JB1H104K
R8-1
R8-2
Resistor
1.6 kΩ
9.1 kΩ
SSM
SSM
1608
1608
RR0816P162D
RR0816P912D
R9
Resistor
15 kΩ
SSM
1608
RR0816P153D
R11
Resistor
56 kΩ
SSM
1608
RR0816P563D
R12
Resistor
47 kΩ
SSM
1608
RR0816P473D
R14-1
R14-2
Resistor
1.8 kΩ
39 kΩ
SSM
SSM
1608
1608
RR0816P182D
RR0816P393D
R15
Resistor
11 kΩ
SSM
1608
RR0816P113D
R17
Resistor
56 kΩ
SSM
1608
RR0816P563D
R18
Resistor
56 kΩ
SSM
1608
RR0816P563D
R21
Resistor
82 kΩ
SSM
1608
RR0816P823D
R23
Resistor
22 kΩ
SSM
1608
RR0816P223D
R25
Resistor
56 kΩ
SSM
1608
RR0816P563D
NEC
Onsemi
TDK
SSM
20
备注
符号
2 个串联
2 个串联
: 日本电气株式会社
: ON Semiconductor 株式会社
: TDK 株式会社
: 进工业株式会社
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■ 应用手册
PFM/PWM 和强制 PWM 模式的设定方法
关于各模式的设定方法，详情参照 [■ 功能描述 (10) PFM 控制电路部分 (MODE)]。
PFM/PWM 模式的使用注意事项
因负载突变等原因负载电流急剧减少时，输出电压过冲的收敛有费时倾向。其结果为过压保护功能有可能启动。
遇到这种场合，通过追加负载电阻使输出电压在过压检测时间内收敛，不妨为短缩收敛时间的对策。
输出电压的设定方法
可通过调整输出电压设定电阻比的方法设定。
VO ＝
R1 ＋ R2
× 0.7
R2
VO
: 输出设定电压 [V]
R1, R2 : 输出设定电阻值 [Ω]
VO
R1
FB1
FB2
R2
设定时，需确认最大占空比符合以下条件。
占空比可根据以下算式求得。
DMAX_Min ＝
VO ＋ RON_Sync × IOMAX
VIN － RON_Main × IOMAX ＋ RON_Sync × IOMAX
DMAX_Min
VIN
VO
RON_Main
RON_Sync
IOMAX
: 最大占空比的最小值
: 电源电压 [V]
: 输出设定电压 [V]
: 主端 FET 的导通阻抗 [Ω]
: 同步整流端 FET 的导通阻抗 [Ω]
: 最大负载电流 [A]
开关频率的设定方法
可通过调整 RT 引脚电阻的方法设定。
fOSC ＝
1.09
RRT × 40 × 10 － 12 ＋ 300 × 10 － 9
RRT
fOSC
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: RT 电阻值 [Ω]
: 开关频率 [Hz]
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MB39A136
设定开关频率时要保证导通时间 (tON) 大于 300 ns。
导通时间可根据以下算式求得。
tON ＝
VO
VIN × fOSC
tON
VIN
VO
fOSC
22
: 导通时间 [s]
: 电源电压 [V]
: 输出设定电压 [V]
: 开关频率 [Hz]
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MB39A136
软启动时间的设定方法
软启动时间可以下记算式为依据设定。
tS ＝ 1.4 × 105 × CCS
ts
CCS
: 软启动时间 [s]( 输出达到 100％所花时间 )
: CS 引脚电容值 [F]
请以下记算式为依据设定至软启动开始的延迟时间。
td1 ＝ 30 × CVB ＋ 290 × CVREF ＋ 1.455 × 104 × CCS
td1
CCS
CVB
CVREF
: 含 VB 电压及 VREF 电压启动的延迟时间 [s]
: CS 引脚电容值 [F]
: VB 引脚电容值 [F]
: VREF 引脚电容值 [F]( 典型值 0.1 [µF])
单只通道启动完成的状态 ( 解除 UVLO:VB 和 VREF 已经输出 ) 下，使之启动时的延迟时间可以下记算式为依据设定。
td2 ＝ 1.455 × 104 × CCS
td2
: 单只通道启动完成的状态下，使之启动时的延迟时间 [s]
CCS
: CS 引脚电容值 [F]
请以下记算式为依据设定软停止时的放电时间。
tdis ＝ 1.44 × 105 × CCS
tdis
: 放电时间 [s]
CCS
: CS 引脚电容值 [F]
请以下记算式为依据设定至放电开始的延迟时间。
td3 ＝ 7.87 × 104 × CCS
td3
: 至放电开始的延迟时间 [s]
CCS
: CS 引脚电容值 [F]
ts
tdis
CTL1
CTL2
VO1
VO2
td1
DS04–27262–2Z
td2
td3
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MB39A136
• 关于多路通道同时运行
如下图所示进行连接，可在电源 ON/OFF 时实现双通道同时软启动 / 软停止。
< 连接示例 1> 让软启动时间统一的场合
共用 CS 电容器。将 CTL1 和 CTL2 连接。
( 注意事项 ) 用这种方法连接，软启动时间 (ts) 、放电时间 (tdis) 和延迟时间 (td1, td2, td3) 都为 CS 电容器连接到各通道时的
一半。
设定 DC/DC 1 : Vo ＝ 1.2 V
CS1
V
< DC/DC 2 >
1.8 V
MB39A136
< DC/DC 1 >
Vo
1.2 V
CTL
CTL1
CTL2
CS2
CTL
CS 电容器
t
设定 DC/DC 2 : Vo ＝ 1.8 V
24
DS04–27262–2Z
MB39A136
过流检测值的设定方法
过流检测值 (ILIM) 可通过调整过流检测设定电阻比的方法设定。
过流检测设定电阻值可根据以下算式求得。
ILIM ＝
3.3 × R2
－ 0.3
R1 ＋ R2
VIN － VO
＋
6.8 × RON
L
× (200 × 10 － 9 －
VO
2 × fOSC × VIN
)
200 × 103 ≥ R1 ＋ R2 ≥ 30 × 103
ILIM
R1, R2
L
VIN
VO
fOSC
RON
*:
: 过流检测值 [A]
: ILIM 设定电阻值 [Ω]*
: 电感值 [H]
: 电源电压 [V]
: 输出设定电压 [V]
: 开关频率 [Hz]
: 主端 FET 导通阻抗 [Ω]
过流检测值取决于 FET 的导通阻抗。在调整过流检测设定电阻比时，需充分考虑导通阻抗的温度特性。
FET 的结温上升＋ 100 ℃， FET 的导通阻抗大约增为 1.5 倍。
电感电流
VREF
过流检测值
ILIM
R1
IO
ILIM*
R2
0
*:
时间
不使用过流检测功能时，请将 ILIM 引脚 (ILIM1, ILIM2) 连接到 VREF 引脚。
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MB39A136
电感器的选择
选择电感值时，大致参考标准为电感的纹波电流峰峰值在最大负载电流的 50% 以下。该场合的电感值可根据以下算式求
得。
L≥
VIN － VO
LOR × IOMAX
L
IOMAX
LOR
VIN
VO
fOSC
×
VO
VIN × fOSC
: 电感值 [H]
: 最大负载电流 [A]
: 电感的纹波电流峰峰值－最大负载电流比 ( ＝ 0.5)
: 电源电压 [V]
: 输出设定电压 [V]
: 开关频率 [Hz]
本 IC 在工作原理上需要一定程度的电感纹波电流值，但使用 Ron 阻抗较低的主端 FET 时，由电感纹波电流引起的主端
FET 导通纹波电压变低，有可能不足。遇到这种场合，请采用降低开关频率或减小电感值的方法解决。
请选择满足下记条件的电感。
L≤
VIN － VO
∆VRON
L
VIN
VO
fOSC
∆VRON
RON
×
VO
VIN × fOSC
× RON
: 电感值 [H]
: 电源电压 [V]
: 输出设定电压 [V]
: 开关频率 [Hz]
: 纹波电压 [V]( 推荐 20[mV] 以上 )
: 主端 FET 的导通阻抗 [Ω]
为了判断流过电感的电流在额定值以内，需求出流过电感的最大电流值。电感的最大电流值可根据以下算式求得。
ILMAX ≥ IoMAX ＋
ILMAX
IoMAX
∆IL
L
VIN
VO
fOSC
∆IL
2
VO
VIN － VO
×
L
VIN × fOSC
, ∆IL ＝
: 电感的最大电流值 [A]
: 最大负载电流 [A]
: 电感的纹波电流峰峰值 [A]
: 电感值 [H]
: 电源电压 [V]
: 输出设定电压 [V]
: 开关频率 [Hz]
电感电流
ILMAX
IoMAX
∆IL
时间
0
26
DS04–27262–2Z
MB39A136
SWFET 的选择
本 IC 在工作原理上需要主端 FET 漏极－源极间形成的导通纹波电压。请选择满足以下算式的导通阻抗的 SWFET。
RON_Main ≥
∆VRON_Main
, RON_Main ≤
∆IL
VRONMAX
∆IL
ILIM ＋
2
: 主端 FET 导通阻抗 [Ω]
RON_Main
∆IL
: 电感的纹波电流峰峰值 [A]
∆VRON_Main : 主端 FET 纹波电压 [V]( 推荐 20[mV] 以上 )
: 过流检测值 [A]
: 最大电流检测电压 [V]( 推荐 240[mV] 以下 )
ILIM
VRONMAX
另外，针对输入电压和负载电流，请选择有足够余量的 FET 额定。推荐选择比过电流检测设定值高的额定。
主端 FET 和同步整流端 FET 所需额定值可根据以下算式求得。
ID > IoMAX ＋
ID
IoMAX
∆IL
∆IL
2
: 漏极额定电流 [A]
: 最大负载电流 [A]
: 电感的纹波电流峰峰值 [A]
VDS > VIN
VDS
VIN
: 漏极－源极间的额定电压 [V]
: 电源电压 [V]
VGS > VB
VGS
VB
: 栅极－源极间的额定电压 [V]
: VB 电压 [V]
为了判断 SWFET 的容许损耗在额定值以内，需求得 SWFET 的损耗。根据以下算式可求得主端 FET 损耗。
PMainFET ＝ PRON_Main ＋ PSW_Main
PMainFET : 主端 FET 损耗 [W]
PRON_Main : 主端 FET 导通损耗 [W]
PSW_Main : 主端 FET SW 损耗 [W]
DS04–27262–2Z
27
MB39A136
主端 FET 导通损耗
VO
VIN
PRON_Main ＝ IoMAX2 ×
PRON_Main
IOMAX
VIN
VO
RON_Main
× RON_Main
: 主端 FET 导通损耗 [W]
: 最大负载电流 [A]
: 电源电压 [V]
: 输出电压 [V]
: 主端 FET 导通阻抗 [Ω]
主端 FET SW 损耗
PSW_Main ＝
VIN × fOSC × (Ibtm × tr ＋ Itop × tf)
2
PSW_Main
VIN
fOSC
Ibtm
Itop
tr
tf
: 主端 FET SW 损耗 [W]
: 电源电压 [V]
: 开关频率 [Hz]
: 电感的纹波电流下峰值 [A]
: 电感的纹波电流上峰值 [A]
: 主端 FET 导通时间 [s]
: 主端 FET 断开时间 [s]
Ibtm、Itop、tr 和 tf 可简单地根据以下算式求得。
∆IL
Ibtm ＝ IoMAX －
2
∆IL
Itop ＝ IoMAX ＋
tr ＝
2
Qgd × 4
5 － Vgs (on)
IOMAX
∆IL
Qgd
Vgs (on)
tf ＝
Qgd × 1
Vgs (on)
: 最大负载电流 [A]
: 电感的纹波电流峰峰值 [A]
: 主端 FET 栅极－漏极间电荷量 [C]
: 主端 FET 的 Qgd 上的栅极－源极间电压 [V]
同步整流端 FET 的损耗可根据以下算式求得。
PSyncFET ＝ PRon_Sync* ＝ IoMAX2 × (1 －
PSyncFET
PRon_Sync
IOMAX
VIN
VO
Ron_Sync
*:
28
VO
) × Ron_Sync
VIN
: 同步整流端 FET 损耗 [W]
: 同步整流端 FET 导通损耗 [W]
: 最大负载电流 [A]
: 电源电压 [V]
: 输出电压 [V]
: 同步整流端 FET 导通阻抗 [Ω]
开关状态转换时，同步整流端 FET 的漏极－源极间电压较小，开关损耗小得足以可以忽略不计，所以在此省略。
DS04–27262–2Z
MB39A136
驱动 SWFET 栅极的电力由 IC 内部的 LDO 供给，因此两路通道的 SWFET 容许最大总电荷量 (QgTotalMax) 可根据以下
算式求得。
QgTotalMax ≤
0.095
fOSC
: SWFET 容许最大总电荷量 [C]
: 开关频率 [Hz]
QgTotalMax
fOSC
续流二极管的选择
一般不需要续流二极管，但在注重转换效率的场合追加的话，可提高转换效率。开关频率越高或输出电压越低的使用条件
下，效果越好。尽量选择正向电压小的肖特基势垒二极管 (SBD)。因本 DC/DC 转换器控制 IC 采用的是同步整流方式，电流
流过续流二极管的时间仅限于死区时间 (60 ns × 2)。所以需选择电流不超出峰值正向浪涌电流 (IFSM) 额定的续流二极管。续
流二极管的峰值正向浪涌电流额定可根据下记算式求得。
IFSM ≥ IoMAX ＋
∆IL
2
: 续流二极管的峰值正向浪涌电流额定 [A]
: 最大负载电流 [A]
: 电感的纹波电流峰峰值 [A]
IFSM
IoMAX
∆IL
续流二极管的额定可根据下记算式求得。
VR_Fly > VIN
VR_Fly
VIN
: 续流二极管的直流反向电压 [V]
: 电源电压 [V]
输出电容器的选择
本 IC 支持小 ESR 的陶瓷电容器。要使输出纹波电压降低，ESR 比其他电容器低的陶瓷电容器比较理想。需采用陶瓷电容
器对应不了的大容量电容器的场合，请使用 ESR 较低的高分子电容器或钽电容器。
DC/DC 转换器的开关动作引起输出端的纹波电压。需根据容许波纹电压考虑输出电容的下限值。输出端的纹波电压可简
单地根据下记算式求得。
∆VO ＝ (
∆VO
ESR
∆IL
CO
fOSC
( 注意事项 )
1
＋ ESR) × ∆IL
2π × fOSC × CO
: 纹波电压 [V]
: 输出电容的等效串联电阻成分 [Ω]
: 电感的纹波电流峰峰值 [A]
: 输出电容 [F]
: 开关频率 [Hz]
要降低纹波电压，除了电容器以外，也可通过提高开关频率或电感值的方法解决。
电容器具有频率特性、温度特性和偏压特性等，其有效值因使用条件而异，在接近额定电压的高偏压等的使
用条件下，电容的有效值可能会变得特别小。需注意使用条件下的电容有效值。
•
•
DS04–27262–2Z
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MB39A136
输出电容器的额定可根据下记算式求得。
VCO > VO
: 输出电容器耐压 [V]
: 输出电压 [V]
VCO
VO
( 注意事项 ) 请选用对于输出电压有足够耐压余量的电容器。
此外，使用的电容器的容许纹波电流额定应具有足够余量。
输出电容器的容许纹波电流可根据下记算式求得。
∆IL
2√3
Irms ≥
Irms
∆IL
: 容许纹波电流 ( 有效值 )[A]
: 电感的纹波电流峰峰值 [A]
输入电容器的选择
输入电容器需尽量选用 ESR 小的电容器。陶瓷电容器比较理想。需采用陶瓷电容器无法对应的大容量电容器的场合，请使
用 ESR 较低的高分子电容器或钽电容器。
DC/DC 转换器的开关动作引起输入端的纹波电压。需根据容许波纹电压考虑输入电容的下限值。输入端的纹波电压可简
单地根据下记算式求得。
∆VIN ＝
IOMAX
CIN
∆VIN
IOMAX
CIN
VIN
VO
fOSC
ESR
∆IL
( 注意事项 )
×
VO
＋ ESR × (IOMAX ＋
VIN × fOSC
∆IL
2
)
: 输入端纹波电压峰峰值 [V]
: 负载电流最大值 [A]
: 输入电容 [F]
: 电源电压 [V]
: 输出设定电压 [V]
: 开关频率 [Hz]
: 输入电容的等效串联电阻充分 [Ω]
: 电感的纹波电流峰峰值 [A]
要降低纹波电压，除了电容器以外，也可通过提高开关频率的方法解决。
• 电容器具有频率特性、温度特性和偏压特性等，其有效值因使用条件而异，在接近额定电压的高偏压等的使
用条件下，电容的有效值可能会变得特别小。需注意使用条件下的电容有效值。
•
输入电容的额定可根据下记算式求得。
VCIN > VIN
VCIN
VIN
: 输入电容的耐压 [V]
: 电源电压 [V]
( 注意事项 ) 选择电容器时，要选择针对输入电压有足够耐压余量的电容器。
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DS04–27262–2Z
MB39A136
此外，有容许纹波电流额定要求的，需使用有足够余量的电容器。
容许纹波电流可根据下记算式求得。
Irms ≥ IOMAX ×
Irms
IOMAX
VIN
VO
√VO × (VIN － VO)
VIN
: 容许纹波电流 ( 有效值 )[A]
: 负载电流最大值 [A]
: 电源电压 [V]
: 输出电压 [V]
自举电路二极管的选择
应尽量选择正向电压小的肖特基势垒二极管 (SBD)。
驱动主端 FET 栅极的电流流过自举电路的 SBD。该平均电流可根据下记算式求得。选择时注意不要超出 SBD 电流额定。
ID ≥ Qg × fOSC
ID
Qg
fOSC
: 正向电流 [A]
: 主端 FET 栅极全电荷量 [C]
: 开关频率 [Hz]
自举电路二极管的额定可根据下记算式求得。
VR_BOOT > VIN
VR_BOOT
VIN
: 自举电路二极管的直流反向电压 [V]
: 电源电压 [V]
自举电容器的选择
要驱动主端 FET 的栅极，自举电容器需要存储足够的电荷。因此，作为选择自举电容器的参考标准，所选电容器至少可存
储主端 FET Qg 约 10 倍的电荷。
CBOOT ≥ 10 ×
CBOOT
Qg
VB
Qg
VB
: 自举电容 [F]
: 主端 FET 栅极电荷量 [C]
: VB 电压 [V]
自举电容器的额定可根据下记算式求得。
VCBOOT > VB
VCBOOT
VB
DS04–27262–2Z
: 自举电容器耐压 [V]
:VB 电压 [V]
31
MB39A136
位相补偿电路的设计
本 IC 以 1pole-1zero 的位相补偿电路为标准。
1pole-1zero 位相补偿电路
VO
Rc
R1
FB
Cc
+
至 I Comp.
COMP
R2
INTREF
Error
Amp
代表 DC/DC 转换器的控制环路频宽的交越频率 (fCO) 越高，高速响应性越优越，但另一方面因位相余量不足引发振荡的可
能性也越大。该交越频率 (fCO) 虽可任意设定，请以开关频率 (fosc) 的 1/10 为设定上限。此外，位相余量的设定标准最低为
30°，最好为 45° 以上。
位相补偿电路的 Rc、Cc 元件值可以下记算式为标准设定。
(VIN － VO) ALVCNV × RON_Main × fCO × 2π × CO × VO
VIN × fOSC × L × IOMAX
RC ＝
CC ＝
CO × VO
RC × IOMAX
RC
CC
VIN
VO
fOSC
IOMAX
L
CO
RON_Main
R1
ALVCNV
fCO
32
× R1
: 位相补偿电阻 [Ω]
: 位相补偿电容 [F]
: 电源电压 [V]
: 输出设定电压 [V]
: 开关频率 [Hz]
: 负载电流最大值 [A]
: 电感值 [H]
: 输出电容 [F]
: 主端 FET 导通阻抗 [Ω]
: 输出设定电阻 [Ω]
: 电平转换器电压转换增益 [V/V]
占空比 ≤ 50% : ALVCNV ＝ 6.8
占空比 > 50% : ALVCNV ＝ 13.6
: 交越频率 ( 任意设定 )[Hz]
DS04–27262–2Z
MB39A136
关于 VB 引脚电容器
VB 引脚电容以 2.2 µF 为标准，但使用的 SWFET 的 Qg 较大时，需做调整。
要驱动 FET 的栅极，VB 电容器需要存储足够的电荷。因此，作为选择电容器的参考标准，所选电容器至少可存储 SWFET
的 Qg 约 100 倍的电荷。
CVB ≥ 100 ×
CVB
Qg
VB
Qg
VB
: VB 引脚电容 [F]
: 两路通道的主端 FET 和同步整流端 SWFET 的栅极电荷量合计 [C]
: VB 电压 [V]
VB 引脚电容额定可根据下记算式求得。
VCVB > VB
VCVB
VB
DS04–27262–2Z
: VB 引脚电容器耐压 [V]
: VB 电压 [V]
33
MB39A136
关于 VB 稳压器
VCC － VB 电位差不足的条件下，VB 稳压器的输出导通阻抗、负载电流 ( 外接 FET 全栅极驱动电流的平均电流、内部 IC
的负载电流 ) 引起 VB 电压下降。
VB 电压下降到欠压锁定电路的阈值电压 (VTHL1) 时，开关动作停止。
因此，使用本 IC 时，请以下记算式为标准设定 VB 稳压器的输入输出电位差或开关频率和外接 FET。
VCC ≥ VB (VTHL1) ＋ (Qg × fOSC ＋ ICC) × RVB
VCC
VB (VTHL1)
Qg
fOSC
ICC
RVB
: 电源电压 [V] (VIN)
: VB 欠压锁定电路的阈值电压 [V] ( 最大 3.8[V])
: 两路通道的主端 FET 和同步整流端 SWFET 的栅极电荷量的合计 [C]
: 开关频率 [Hz]
: 电源电流 [A] (4.7 × 10 － 3[A] ≈ VB(LDO) 的负载电流 )
: VB 输出导通阻抗 [Ω] (100 Ω (VCC ＝ 4.5 V 时 参考值 ))
输入输出电位差较小时，可通过连接 VB 引脚和 VCC 引脚的方法解决。
该场合的输入电压范围条件如下所示。
VIN 输入电压范围
4.5 V
25 V
6.0 V
(1)
(3)
(1) 4.5 V < VIN < 6.0 V 的场合
→ 将 VB 引脚连接到 VCC
(2) 输入电压范围跨越 6.0 V 的场合
→ 正常使用 ( 未连接 VCC － VB)
(2)
(3) 6.0 V ≤ VIN 的场合
→ 正常使用 ( 未连接 VCC － VB)
输入输出电位差不足的条件下使用的场合，在正常工作时、启动时和切断时，需要对器件做充分确认。跨越6 V的输入电压
范围的场合，需要特别加以注意。
34
DS04–27262–2Z
MB39A136
关于容许损耗 / 热设计
本 IC 是高效芯片，一般情况下无需考虑，但在高电源电压、高开关频率、高负载和高温下使用时，则需考虑。
IC 内部损耗 (PIC) 可根据下记算式求得。
PIC ＝ VCC × (ICC ＋ Qg × fOSC)
PIC
VCC
ICC
Qg
fOSC
: IC 内部损耗 [W]
: 电源电压 (VIN) [V]
: 电源电流 [A] ( 最大 4.7 [mA])
: 两路通道的全 SWFET 总电荷量 [C] (Vgs ＝ 5 V 时的合计 )
: 开关频率 [Hz]
结温 (Tj) 可根据下记算式求得。
Tj ＝ Ta ＋ θja × PIC
Tj
Ta
θa
PIC
DS04–27262–2Z
: 结温 [ ℃ ] ( 最大＋ 150 [ ℃ ])
: 环境温度 [ ℃ ]
: TSSOP-24 封装热阻抗 (76 ℃ /W)
: IC 内部损耗 [W]
35
MB39A136
关于印刷板的布局
设计布局时，需要注意以下几点。
• 请尽量在IC贴装面设置GND焊盘。将开关系统元件的GND引脚、VCC、VB的旁路电容器连接到开关系统GND (PGND)，
其他 GND 引脚连接到控制系统 GND(AGND)。将各 GND 分离，尽量使大电流不通过控制系统的 GND(AGND)。将控制系
统 GND(AGND) 与开关系统 GND(PGND) 在 IC 下面连接。
• 开关系统元件的连接尽量在表层进行，尽量避免通过通孔连接。
• 在开关系统元件的 GND 引脚至近处设置通孔，连接里层的 GND。
• 要特别注意输入电容 (CIN)、开关 FET 和续流二极管 (SBD) 构成的环路，使电流环路越小越好。
• 尽量将自举电路电容器 (CBOOT1，CBOOT2) 配置在 IC 的 CB、LXX 引脚至近的地方。
• 本 IC 将 VCC － LX 引脚间电压作为主端 FET 的漏极－源极间电压检测。将各通道的输入电容器 (CIN) 和主端 FET 相互
靠近，在 CH1 和 CH2 的输入电容器的至近处拉出至 VCC 引脚的布线。将 LXX 引脚的网络从主端 FET 的源极引脚至近处
拉出。另外 LXX 引脚的网络有瞬间大电流通过。布线尽量地短，布线宽度掌握在 0.8 mm 左右。
• 连接开关 FET 栅极的 DRVHX 和 DRVLX 引脚的网络有大电流瞬间流过。布线尽量地短，宽幅大致为 0.8 mm 左右。
• 连接 VREF、VCC、VB 的旁路电容器 (CVCC, CVREF, CVB) 和连接 RT 引脚的电阻 (RRT) 尽量配置在引脚至近的地方。
此外，旁路电容器的 GND 引脚要在至近处由通孔连接里层的 GND。
• 连接RT、FBX、COMPX引脚的网络对噪声敏感，要尽量远离开关系统元件。此外，连接该网络的输出电压设定电阻和位相
补偿电路元件要尽量配置在 IC 附近，尽量使网络短，并将各贴装点下的里层设为纹波和峰值噪声小的控制系统 GND
(AGND) 或电源电压焊盘。
开关系统元件 : 输入电容 (CIN)、开关 FET、续流二极管 (SBD)、电感 (L)、输出电容 (CO)
( 注意事项 )X 代表各通道号
IC 周边配置例
SW 系统元件配置例
CBOOT1
1pin
至 VCC 引脚
通孔
主端 FET
主端 FET
VIN
CVCC
AGND
通孔
RRT
CIN
CIN
至 LX2 引脚
至 LX1 引脚
PGND
CVB
CVREF
同步整流端
FET
SBD (option)
SBD (option)
CO
CBOOT2
IC 下 AGND 和 PGND 连接
36
里层
CO
L
L
PGND
AGND
表层
同步整流端
FET
PGND
Vo1
输出电压 Vo1
反馈
Vo2
输出电压 Vo2
反馈
DS04–27262–2Z
MB39A136
■ 参考数据
CH1 转换效率
CH2 转换效率
转换效率 - 负载电流特性
转换效率 - 负载电流特性
100
100
CH1
VIN = 12 V
VO1 = 1.2 V
fosc = 300 kHz
Ta = + 25°C
转换效率 η(％)
90
85
CH2
VIN = 12 V
VO2 = 3.3 V
fosc = 300 kHz
Ta = + 25°C
95
90
转换效率 η(％)
95
80
PFM/PWM
75
70
85
PFM/PWM
80
75
强制 PWM
70
强制 PWM
65
65
60
0.01
0.1
1
60
0.01
10
0.1
负载电流 IO1(A)
10
负载电流 IO2(A)
CH1 负载稳定度
CH2 负载稳定度
输出电压 - 负载电流特性
输出电压 - 负载电流特性
1.30
3.60
VIN = 12 V
VO1 = 1.2 V
MODE = VREF
fosc = 300 kHz
Ta = + 25°C
1.26
1.24
VIN = 12 V
VO2 = 3.3 V
MODE = VREF
fosc = 300 kHz
Ta = + 25°C
3.50
输出电压 VO2(V)
1.28
输出电压 VO1(V)
1
1.22
1.20
1.18
1.16
1.14
3.40
3.30
3.20
3.10
1.12
1.10
3.00
0
1
2
3
负载电流 IO1(A)
4
5
0
1
2
3
4
5
负载电流 IO2(A)
( 转下页 )
DS04–27262–2Z
37
MB39A136
( 承上页 )
CH2 负载突变波形
CH1 负载突变波形
IO1 : 1 A/div
2A
IO2 : 1 A/div
2A
0A
0A
100 µs/div
100 µs/div
VO2 : 200 mV/div (3.3 V offset)
VO1 : 200 mV/div (1.2 V offset)
VIN ＝ 12 V, VO1 ＝ 1.2 V
IO1 ＝ 0 ←→ 2 A, fOSC ＝ 300 kHz, Ta ＝＋ 25 ℃
VIN ＝ 12 V, VO2 ＝ 3.3 V
IO2 ＝ 0 ←→ 2 A, fOSC ＝ 300 kHz, Ta ＝＋ 25 ℃
CTL 启动波形
CTL 停止波形
CTL1, 2 : 5 V/div
CTL1, 2 : 5 V/div
VO2: 1 V/div
VO2: 1 V/div
VO1: 1 V/div
VO1: 1 V/div
1 ms/div
1 ms/div
VIN ＝ 12 V, fosc ＝ 300 kHz, Ta ＝＋ 25 ℃ , 软启动设定时间＝ 3.0 ms
VO1 ＝ 1.2 V, IO1 ＝ 5 A (0.24 Ω) , VO2 ＝ 3.3 V, IO2 ＝ 5 A (0.66 Ω)
通常动作 → 过流保护动作 → 低压保护动作波形
VO1 : 0.5 V/div
1
VIN ＝ 12 V
VO1 ＝ 1.2 V
fOSC ＝ 300 kHz
Ta ＝＋ 25 ℃
CS1 : 2 V/div
2
LX1 : 10 V/div
3
IO1 : 10 A/div
4
500 µs/div
通常动作
38
过流保护动作
低压保护动作
DS04–27262–2Z
MB39A136
■ 使用注意事项
1. 设定条件不可超出最大额定值。
使用时如果超出最大额定值，可对 LSI 造成永久性损坏。
另外，平时使用时，也希望在推荐工作条件下使用。超出推荐工作条件的使用对 LSI 的可靠性带来不良影响。
2. 在推荐工作条件下使用。
推荐工作条件是确保 LSI 正常工作的保证值。
在推荐工作条件范围内以及各项目栏的条件下，电气特性的规格值都可得到保证。
3. 设计印刷电路板的接地线时，请考虑通用阻抗。
4. 采取防静电措施。
• 使用已采取防静电措施的容器或具有导电性的容器存放半导体。
• 保管、搬运贴片后的电路板时，使用导电性包装或容器。
• 将工作台、工具和测量仪器接地。
• 在操作人员的身体和接地之间，串联 250 kΩ ~ 1 MΩ 电阻后接地。
5. 不可施加负电压。
施加 - 0.3 V 以下的负电压时，可能会使 LSI 的寄生晶体管启动并导致误动作。
■ 订购型号
型号
封装
备注
MB39A136PFT-❏❏❏E1
24 脚塑封 TSSOP
(FPT-24P-M09)
无铅产品
■ 评估板的订购型号
型号
EV 板的版本
备注
MB39A136EVB-01
MB39A136EVB-01 Rev2.0
TSSOP-24
■ 支持 RoHS 指令的质量管理 ( 无铅品的场合 )
富士通的 LSI 产品支持 RoHS 指令，遵守关于铅 / 镉 / 水银 / 六价铬以及特定溴系难燃剂 PBB 和 PBDE 的标准。对于符合
该标准的产品，在型号的末尾缀 "E1" 加以表示。
DS04–27262–2Z
39
MB39A136
■ 产品印章 ( 无铅品的场合 )
39A136
XXXX
E1 XXX
INDEX
40
无铅标识
DS04–27262–2Z
MB39A136
■ 产品标签 ( 无铅品的场合的示例 )
无铅标识
JEITA 规格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 规格
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
无铅品在型号的末尾加 "E1"。
DS04–27262–2Z
"ASSEMBLED IN CHINA" 表示
该产品在中国组装。
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■ MB39A136PFT-❏❏❏E1 推荐贴片条件
[ 本公司推荐贴片条件 ]
项目
内容
贴片方法
IR ( 红外线回流焊接 ) / 手工焊接 ( 部分加热法 )
贴片次数
2次
保管期间
开箱前
制造后 2 年以内使用
从开箱到第 2 次回流焊接之间的
保管期间
8 天之内
超出开箱后的保管期间
实施烘烤 (125 ℃， 24 h) 后，
8 天之内进行处理
保管条件
5 ℃ ~ 30 ℃， 70％RH 以下 ( 尽可能低湿度 )
[ 贴片方法的各种条件 ]
(1) IR ( 红外线回流焊接 )
260 °C
255 °C
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(c)
(a)
H 级 : 260 ℃ Max
(a) 温度上升坡度
(b) 预备加热
(c) 温度上升坡度
(d) 峰值温度
(d’) 真正加热
(e) 冷却
(d)
(e)
(d')
: 平均 1 ℃ /s ~ 4 ℃ /s
: 170 ℃ ~ 190 ℃、 60 s ~ 180 s
: 平均 1 ℃ /s ~ 4 ℃ /s
: 260 ℃ Max
高于 255 ℃ 10 s 以内
: 高于 230 ℃ 40 s 以内
或
高于 225 ℃ 60 s 以内
或
高于 220 ℃ 80 s 以内
: 自然冷却或强制冷却
( 注意事项 ) 所示为封装表面温度
(2) 手工焊接法 ( 部分加热法 )
焊枪头温度 :Max 400 ℃
时间 : 5 s 以内 / 引脚
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■ 封装尺寸图
24-pin plastic TSSOP
Lead pitch
0.50 mm
Package width x
package length
4.40 mm × 6.50 mm
Leadshape
Gullwing
Sealing method
Plastic mold
Mounting height
1.20mm MAX
Weight
0.08g
(FPT-24P-M09)
24-pin plastic TSSOP
Note 1) Pins width and pins thickness include plating thickness.
Note 2) Pins width do not include tie bar cutting remainder.
Note 3) # : These dimensions do not include resin protrusion.
(FPT-24P-M09)
# 6.50±0.10(.256±.004)
0.145±0.045
(.0057±.0018)
13
24
BTM E-MARK
# 4.40±0.10 6.40±0.20
(.173±.004) (.252±.008)
INDEX
Details of "A" part
+0.10
1.10 –0.15
+.004
(Mounting height)
.043 –.006
1
12
0.50(.020)
0.20
.008
+0.07
–0.02
+.003
–.001
"A"
0.13(.005)
M
0~8˚
0.60±0.15
(.024±.006)
0.10±0.05
(Stand off)
(.004±.002)
0.10(.004)
C
2007-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED F24032S-c-2-3
Dimensions in mm (inches).
Note: The values in parentheses are reference values.
请访问以下网页以了解最新封装信息 :
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
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■ 目录
页码
• 概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 特征 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 引脚配置图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
• 引脚功能描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
• 框图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
• 绝对最大额定 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
• 推荐工作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
• 电气特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
• 典型特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
• 功能描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
• 保护功能一览表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
• 输出入引脚的等效电路图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
• 应用电路示例 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
• 元件一览表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
• 应用手册 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
• 参考数据 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
• 使用注意事项 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
• 订购型号 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
• 评估板的订购型号 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
• 支持 RoHS 指令的质量管理 ( 无铅品的场合 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
• 产品印章 ( 无铅品的场合 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
• 产品标签 ( 无铅品的场合的示例 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
• MB39A136PFT-❏❏❏E1 推荐贴片条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
• 封装尺寸图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
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众产生危害，甚至直接死亡、人身伤害、严重物质损失或其他损失 ( 即核设施的核反应控制、航空飞行控制、空中交通
控制、公共交通控制、医用维系生命系统、核武器系统的导弹发射控制 )， (2) 需要极高可靠性的应用领域 ( 比如海底中
转器和人造卫星 )。
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