MB39C308 - Spansion

Spansion® 模拟和微控制器产品
本文档包含有关 Spansion 模拟和微控制器产品的信息。尽管本文档内有原来开发该产品规格的公司名称
“富士通”或 “Fujitsu”， 该产品将由 Spansion 提供给现有客户和新客户。
规格的延续
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型号的延续
Spansion 将继续提供型号以“MB”开始的现有产品。如欲订购该类产品，敬请使用本文档内列出的产品型号。
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处。
FUJITSU SEMICONDUCRTOR
数据手册
DS04–27261–6Z
ASSP(Ultra Mobile PC 电源管理应用 )
支持 LPIA 平台
6 路通道 DC/DC 转换器 IC
MB39C308
■ 概要
MB39C308 是一款 6 路通道降压 DC/DC 转换器 IC。该芯片专为使用两节锂离子电池的 Ultra Mobile PC 设计，将 UMPC
所需电源集成在一块芯片上。MB39C308 因采用 N 型 FET 同步整流电流模式实现了高效率 DC/DC 转换。
作为电源管理 IC，MB39C308 支持 LPIA(Low Power Intel Architecture)— 英特尔公司为 UMPC 提议的低功耗平台。
CH1 和 CH2 根据输出电流值选择合适的外部 FET，容易优化效率。CH3、CH4、CH5 和 CH6 内置支持 1.5 A ~ 3.5 A 大电
流的开关 FET，使供电系统的小型化成为可能。
MB39C308 采用 LDMOS 加工技术，一颗芯片即可提供所需的全部功率。
■ 特征
•
•
•
•
•
•
输入电压范围
:5.5 V ~ 12.6 V
控制方式
: 电流模式
内置驱动外接 MOSFET 的 FET 驱动器 :CH1、CH2
内置开关 MOSFET
:CH3、CH4、CH5、 CH6
固定预设输出电压
:CH1、CH2、CH5
可选择预设输出电压
:CH3、CH4、CH6
通道
输出电压
输出电流
备注
CH1
5V
2 A*
⎯
CH2
3.3 V
4.5 A*
⎯
CH3
1.8 V/1.5 V
Max:2.7 A
CH4
0.9 V/0.75 V
Max:1.5 A
CH5
1.5 V
Max:2.5 A
CH6
1.1 V/1.05 V
Max:3.5 A
可选 DDR2/DDR3。
⎯
可选两个值。
*: 典型评估板时的参考值。
( 转下页 )
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2012.10
MB39C308
( 承上页 )
• PWM 开关频率
:0.7 MHz (CH4:0.7 MHz/0.35 MHz)
• 丰富的保护功能
- 过流保护 (OCP)
- 输入过压保护 (IVP)
- 输出短路保护 (SCP) - 欠压锁定 (UVLO)
- 输出过压保护 (OVP) - 过温保护 (OTP)
• 电源正常输出功能
• 不受输出负载影响的软启动功能
• 不受输出负载影响的软停止功能
• 负载电流范围广，实现高效率的 DC/DC 转换
• 小巧简洁的封装
:PFBGA-208 (9.00 mm x 9.00 mm x 1.30 mm)
■ 应用
• UMPC (Ultra Mobile PC)
• MID (Mobile Internet Device)
• 小型画像数据处理机等
2
DS04–27261–6Z
MB39C308
■ 引脚配置图
( 仰视图 )
CH3
CH2
CH1
16
NC
LX3C
LX3A
PVDD3G PVDD3D PVDD3A PVDD2
CB2
LX2
PGND2 PGND1
LX3G
LX3D
LX3B
PVDD3H PVDD3E PVDD3B OUT2H OUT2L
FB2
FB1
LX3H
LX3E
CB3
PVDD3I PVDD3F PVDD3C
PG3
PG4
LX3I
LX3F
FB3
LX1
CB1
PVDD1
SS1
NC
CTL1
CTL2
SS2
AVDD
ALLPG
CTL34
AGND
VREF
CTL5
CTL6
PGND7
FSEL4
DIN
VB
15
OUT1L OUT1H
14
PG2
PG5
PG6
通用控制部分
PG1
PGND3GPGND3D PGND3A
13
12
11
PGND3H PGND3E PGND3B
VSEL34 DVSEL6 PVDD7
10
PGND3I PGND3F PGND3C
FB6
PVDD6E PVDD6A
9
PGND4F PGND4C PGND4A
PVDD6I PVDD6F PVDD6B
PGND4GPGND4D PGND4B
PVDD6J PVDD6G PVDD6C
8
7
FB4
LX4F
LX4C
LX4A
LX4G
LX4D
LX4B
LX4H
LX4E
CB4
CB6
CH6
CH4
PGND4H PGND4E
PVDD6H PVDD6D
6
LX6G
LX6D
LX6A
LX6H
LX6E
LX6B
LX6I
LX6F
LX6C
5
散热引脚
4
CH5
3
PVDD4F PVDD4C PVDD4A PVDD5E PVDD5B
FB5
LX5G
LX5D
LX5A PGND5GPGND5D PGND5A PGND6H LX6J
PVDD4G PVDD4D PVDD4B PVDD5F PVDD5C
CB5
LX5H
LX5E
LX5B
PGND6C PGND6A
2
PGND5H PGND5E PGND5B PGND6I PGND6F PGND6D PGND6B
1
NC
T
PVDD4E PVDD5H PVDD5G PVDD5D PVDD5A
R
P
N
M
L
LX5I
LX5F
LX5C
K
J
H
PGND5I PGND5F PGND5C PGND6J PGND6G PGND6E
G
F
E
D
C
B
NC
A
(BGA−208P−M02) (156 引脚 + 52 散热引脚 )
DS04–27261–6Z
3
MB39C308
■ 引脚功能介绍
部分
CH1
CH2
CH3
CH4
引脚名
I/O
功能
FB1
I
PVDD1
⎯
CH1 的电源引脚。
CB1
O
CH1 开关 FET 驱动部分的内部电源引脚。
LX1
⎯
CH1 电感器连接引脚。
OUT1H
O
CH1 高端 N-ch FET 驱动输出引脚。
OUT1L
O
CH1 低端 N-ch FET 驱动输出引脚。
PGND1
⎯
CH1 的接地引脚。
FB2
I
PVDD2
⎯
CH2 的电源引脚。
CB2
O
CH2 开关 FET 驱动部分的内部电源引脚。
LX2
⎯
CH2 电感器连接引脚。
OUT2H
O
CH2 高端 N-ch FET 驱动输出引脚。
OUT2L
O
CH2 低端 N-ch FET 驱动输出引脚。
PGND2
⎯
CH2 的接地引脚。
FB3
I
PVDD3A
~
PVDD3I
⎯
CH3 的电源引脚。
CB3
O
CH3 开关 FET 驱动部分的内部电源引脚。
LX3A
~
LX3I
⎯
CH3 电感器连接引脚。
PGND3A
~
PGND3I
⎯
CH3 的接地引脚。
FB4
I
PVDD4A
~
PVDD4G
⎯
CH4 的电源引脚。
CB4
O
CH4 开关 FET 驱动部分的内部电源引脚。
LX4A
~
LX4H
⎯
CH4 电感器连接引脚。
PGND4A
~
PGND4H
⎯
CH4 的接地引脚。
CH1 误差放大器的输入引脚。连接 CH1 的输出。
CH2 误差放大器的输入引脚。连接 CH2 的输出。
CH3 误差放大器的输入引脚。连接 CH3 的输出。
CH4 误差放大器输入引脚。连接 CH4 的输出。
( 转下页 )
4
DS04–27261–6Z
MB39C308
部分
CH5
CH6
引脚名
I/O
FB5
I
PVDD5A
~
PVDD5H
⎯
CH5 的电源引脚。
CB5
O
CH5 开关 FET 驱动部分的内部电源引脚。
LX5A
~
LX5I
⎯
CH5 电感器连接引脚。
PGND5A
~
PGND5I
⎯
CH5 的接地引脚。
FB6
I
PVDD6A
~
PVDD6J
⎯
CH6 的电源引脚。
CB6
O
CH6 开关 FET 驱动部分的内部电源引脚。
LX6A
~
LX6J
⎯
CH6 电感器连接引脚。
PGND6A
~
PGND6J
⎯
CH6 的接地引脚。
CTL1
I
CH1 的控制输入引脚。 (L: 停止 /H: 正常工作 )
CTL2
I
CH2 的控制输入引脚。 (L: 停止 /H: 正常工作 )
CTL34
I
CH3 和 CH4 的控制输入引脚。 (L: 停止 /H: 正常工作 )
CTL5
I
CH5 的控制输入引脚。 (L: 停止 /H: 正常工作 )
CTL6
I
CH6 的控制输入引脚。 (L: 停止 /H: 正常工作 )
PG1
O
CH1 的电源正常输出引脚。 (N-ch MOS 开漏输出 )
PG2
O
CH2 的电源正常输出引脚。 (N-ch MOS 开漏输出 )
PG3
O
CH3 的电源正常输出引脚。 (N-ch MOS 开漏输出 )
PG4
O
CH4 的电源正常输出引脚。 (N-ch MOS 开漏输出 )
PG5
O
CH5 的电源正常输出引脚。 (N-ch MOS 开漏输出 )
PG6
O
CH6 的电源正常输出引脚。 (N-ch MOS 开漏输出 )
ALLPG
O
电源正常输出引脚 (CH3、CH4、CH5 和 CH6 都处于电源正常输出状态时输出 H)。
FSEL4
I
CH4 开关频率设置引脚。
FSEL4 = "H": 700 kHz
FSEL4 = "L": 0.35 MHz ( 参见 "■ 电气特性 ")
VSEL34
I
CH3/CH4 的预设输出电压设置引脚。
VSEL34 = "H": Vout_CH3 = 1.8 V、 Vout_CH4 = 0.9 V
VSEL34 = "L": Vout_CH3 = 1.5 V、 Vout_CH4 = 0.75 V
DVSEL6
I
预设输出电压的引脚，用于动态设置 CH6 的输出电压。
DVSEL6 = "H": Vout_CH6 = 1.1 V
DVSEL6 = "L": Vout_CH6 = 1.05 V
I
软启动和软停止时间设定引脚。（参见 "■ 软启动和软停止功能的工作原理 " 中的软
启动 / 软停止时间 (tson/tsoff) 的设定条件）
共用引脚
SS1
SS2
功能
CH5 误差放大器输入引脚。连接 CH5 的输出。
CH6 误差放大器输入引脚。连接 CH6 的输出。
( 转下页 )
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5
MB39C308
( 承上页 )
部分
共用引脚
6
引脚名
I/O
功能
VB
O
自举电路及全通道的 N-ch 栅极驱动部分的偏置电压输出引脚。
DIN
I
自举偏置电压输入引脚。
须将 DIN 引脚连接 VB 引脚。
( 参见 "■ 框图 ")
PVDD7
⎯
VB 部分的电源引脚。
PGND7
⎯
VB 部分的接地引脚。
AVDD
⎯
通用控制部分的电源引脚。
VREF
O
参考电压的输出引脚。
AGND
⎯
通用控制部分的接地引脚。
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MB39C308
■ 框图
应用电路例 ( 支持两节锂电池 )
MB39C308
PVDD1
系统
上拉电阻
Vo1
VIN
(5.5 V ~ 12.6 V)
上拉电阻
Vo2
PG1
CTL1
FB1
PG2
CTL2
FB2
FB1
OUT1H
( CH1 5.0 V )
电流模式
降压方式
电流模式
降压方式
至 5.0 V 系统
PGND1
PVDD2
OUT2H
( CH2 3.3 V )
Vo1
CB1
LX1
OUT1L
FB2
Vo2
CB2
LX2
OUT2L
至 3.3 V 系统
PGND2
DDR
上拉电阻
Vo3
PG3
CTL34
VSEL34
FB3
PG4
Vo4
上拉电阻
Vo5
上拉电阻
Vo6
上拉电阻
连接 VB/VREF/
GND
( CH3 1.8 V / 1.5 V )
电流模式
降压方式
CB3
FSEL4
FB4
PG5
CTL5
FB5
PG6
CTL6
DVSEL6
FB6
( CH4 0.9 V / 0.75 V )
电流模式
降压方式
Vo3
CB4
至 DDR2/DDR3
FB4
Vo4
LX4A ~ LX4H
至 DDR2/DDR3 终端
PGND4A ~
PGND4H
芯片组
PVDD5A ~
PVDD5H
( CH5 1.5 V )
电流模式
降压方式
( CH6 1.1 V / 1.05 V )
电流模式
降压方式
ALLPG
FB5
CB5
Vo5
LX5A ~ LX5I
PGND5A ~
PGND5I
PVDD6A ~
PVDD6J
CB6
至 1.5 V 芯片组
FB6
Vo6
LX6A ~ LX6J
PGND6A ~
PGND6J
至 1.1 V/1.05 V 芯片组
AVDD
SS1
SS2
FB3
LX3A ~ LX3I
PGND3A ~
PGND3I
PVDD4A ~
PVDD4G
上拉电阻
VREF
PVDD3A ~
PVDD3I
保护电路
部分
通用控制
部分
PVDD7
DIN
VB
PGND7
AGND VREF
DS04–27261–6Z
7
MB39C308
电流模式 DC/DC 转换器的工作原理
电流模式 (C-mode) 的 DC/DC 转换器控制部分如图 "• 电流模式 DC/DC 转换的工作原理图 " 所示。
在本 IC 的 C-mode 下，每到一个内部振荡器生成的时钟周期，SR-FF 置位且高端 FET 处于导通的状态。导通期间 (ton)
内，电流从 VIN 提供，电感电流 (IL) 增加。不仅如此，与电感电流 (IL) 相应的检测电流 (1/m × IL) 流过电阻 (Rs)，电阻电压
(Vs)上升。Vs 上升到误差放大器的输出Eout 时，SR-FF 复位。在下一个时钟上升前，高端FET 一直处于关闭 (toff)的状态。
通过控制电感电流 (IL) 的高峰电流，实现对 DC/DC 转换器的控制。
• 电流模式 DC/DC 转换的工作原理图
CB
偏置
电源
高端驱动器
R1
FB
-
R2
Eout
SR-FF
+
R
+
VREF
VIN
Q
-
S
驱动器
控制
逻辑
偏流
电流检测
IL
Vo
低端驱动器
OSC
Vs
1 × IL
m
Rs
OSC
IL
Eout
Vs
toff
ton
8
DS04–27261–6Z
MB39C308
■ 绝对最大额定
项目
符号
条件
电源电压
VDD
CB 电压
LX 电压
额定值
单位
最小
最大
AVDD、 PVDD1 ~ PVDD7 引脚
− 0.3
+ 13.5
V
VCB
CB1 ~ CB6 引脚
− 0.3
+ 18.5
V
VLX
LX1 ~ LX6 引脚
− 0.3
VDD
V
CBn - LXn 电压
VCBLX
CBn, LXn 引脚
− 0.3
+7
V
OUTH 电压
VOUTH
OUT1H、 OUT2H 引脚
VLX − 0.3
VCB
V
OUTL 电压
VOUTL
OUT1L、 OUT2L 引脚
− 0.3
+7
V
DIN 电压
VDIN
DIN 引脚
− 0.3
+7
V
VB 电压
VVB
VB 引脚
− 0.3
+7
V
VREF 电压
VVREF
VREF 引脚
− 0.3
+7
V
CTL 电压
VCTL
CTL1 ~ CTL6 引脚
− 0.3
+ 13.5
V
VSEL 电压
VSEL
VSEL34、 DVSEL6 引脚
− 0.3
+7
V
FSEL 电压
VFSEL
FSEL4 引脚
− 0.3
+7
V
FB 电压
VFB
FB1 ~ FB6 引脚
− 0.3
+7
V
PG 电压
VPG
PG1 ~ PG6、 ALLPG 引脚
− 0.3
+7
V
SS 电压
VSS
⎯
− 0.3
+7
V
封装容许损耗
PD
Ta ≤ + 25 °C
⎯
2940*
mW
Ta = + 85 °C
⎯
1180*
mW
工作环境温度
Ta
⎯
− 40
+ 85
°C
TSTG
⎯
− 55
+ 125
°C
保存温度
*: 关于 Ta = +25 °C ~ +85 °C 间的容许损耗，参见 "■ 典型特性 " 中的最大损耗 - 工作环境温度特性图。
< 警告 >
如在半导体器件上施加的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 超过最大额定值，将会导致该器件永久性损坏，因此任何
参数均不得超过其绝对最大额定值。
< 注意事项 > 在 GND 引脚 (AGND、 PGND1 ~ PGND7) 上施加 − 0.3 V 以下的负电压时，有可能导致寄生晶体管发生，引
发误动作。
将 LX 引脚直接连接 VDD 引脚 (AVDD、PVDD1 ~ PVDD7) 或 GND 引脚 (AGND、PGND1 ~ PGND7)，可能
会对器件造成永久性损伤。
DS04–27261–6Z
9
MB39C308
■ 推荐工作条件
项目
符号
条件
规格值
最小
典型
最大
单位
电源电压
VDD
AVDD = PVDD1 ~ PVDD7 引脚
5.5
⎯
12.6
V
输入电容
CIN
VDD1 - PGND1 引脚 ~ VDD6 - PGND6 引脚
⎯
4.7
⎯
μF
CBn - LXn 电容
CCB
CBn, LXn 引脚
⎯
0.1
⎯
μF
L1
LX 电感
输出电流
LX1 引脚
⎯
3.3
⎯
μH
L2
LX2 引脚
⎯
3.3
⎯
μH
L3
LX3 引脚
⎯
1.5
⎯
μH
LX4 引脚、 FSEL4 引脚 = H
fosc = 0.7 MHz
⎯
1.5
⎯
LX4 引脚、 FSEL4 引脚 = L
fosc = 0.35 MHz
⎯
1.5
⎯
L5
LX5 引脚
⎯
1.5
⎯
μH
L6
LX6 引脚
⎯
1.5
⎯
μH
IO1
Vo1 (5 V)、 DC、 RonH1 = 32 mΩ 时
⎯
1
2*
A
IO2
Vo2 (3.3 V)、 DC、 RonH2 = 16 mΩ 时
⎯
2.25
4.5*
A
IO3
Vo3 (1.8 V/1.5 V)、 DC
⎯
1.35
2.7*
A
IO4
L4
Vo4 (0.9 V/0.75 V)、 DC
⎯
1
1.5*
A
IO5
Vo5 (1.5 V)、 DC
⎯
1.25
2.5*
A
IO6
Vo6 (1.1 V/1.05 V)、 DC
⎯
1.75
3.5*
A
CO1
Vo1 (5 V)、 RonH1 = 32 mΩ、 L = 3.3 μH、
SS1, SS2 引脚 = GND
⎯
100
300
μF
CO2
Vo2 (3.3 V)、 RonH1 = 16mΩ、 L = 3.3 μH、
SS1, SS2 引脚 = GND
⎯
100
700
μF
CO3
Vo3 (1.8 V)、 L = 1.5 μH、
SS1, SS2 引脚 = GND
⎯
100
300
μF
CO4
Vo4 (0.9 V)、 L = 1.5 μH、
SS1, SS2 引脚 = GND
⎯
100
500
μF
CO5
Vo5 (1.5 V)、 L = 1.5 μH、
SS1, SS2 引脚 = GND
⎯
100
300
μF
CO6
Vo6 (1.05 V)、 L = 1.5 μH、
SS1, SS2 引脚 = GND
⎯
200
500
μF
RonH1
CH1 高端 FET 连接 OUT1H 引脚
⎯
32
⎯
mΩ
输出电容
外接 FET 导通阻抗
VB 输出电容
μH
RonL1
CH1 低端 FET 连接 OUT1L 引脚
⎯
32
⎯
mΩ
RonH2
CH2 高端 FET 连接 OUT2H 引脚
12
16
20
mΩ
RonL2
CH2 低端 FET 连接 OUT2L 引脚
⎯
16
⎯
mΩ
CVB
VB 引脚
⎯
1
⎯
μF
VREF 输出电容
CVREF
VREF 引脚
⎯
4.7
⎯
μF
VREF 输出电流
IVREF
VREF 引脚
−1
⎯
0
mA
PG 输入电压
VPG
PG1 ~ PG6、 ALLPG 引脚
⎯
⎯
6
V
PG 灌电流
IPG
⎯
2
mA
PG1 ~ PG6、 ALLPG 引脚
⎯
CTL 输入电压
VCTL
CTL1 ~ CTL6 引脚
⎯
⎯
AVDD
V
VSEL 输入电压
VSEL
VSEL34、 DVSEL6 引脚
⎯
⎯
6
V
FSEL 输入电压
VFSEL
FSEL4 引脚
⎯
⎯
6
V
SS1、 SS2 引脚
⎯
⎯
VB
V
SS 输入电压
VSS
( 转下页 )
10
DS04–27261–6Z
MB39C308
( 承上页 )
*: MB39C308 热设计的假设工作条件为 : 各通道的输出电流是最大输出电流的 60％，在推荐电源电压的范围内使用。
< 警告 >
为确保半导体器件的正常工作，其须满足所推荐的运行环境或条件。器件在所推荐的环境或条件下运行时，其全
部电气特性均可得到保证。请务必在所推荐的工作环境或条件范围内使用该半导体器件。如超出该等范围使用，
可能会影响该器件的可靠性并导致故障。
本公司对本数据手册中未记载的使用范围、运行条件或逻辑组合不作任何保证。如果用户欲在所列条件之外使用
器件，请务必事先联系销售代表。
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11
MB39C308
■ 电气特性
(Ta = + 25 °C、 AVDD = PVDD1 ~ PVDD7 = 7.2 V)
项目
基准电压
参考电压部分
[VREF]
低压误动作防止
电路部分 [ UVLO ]
过温保护电路部分
[OTP]
输入过压保护
电路部分 [IVP]
振荡器部分
[OSC]
控制部分
[CTL1 ~ CTL6]
条件
VREF
规格值
单位
最小
典型
最大
VREF 引脚 = 0 mA
2.45
2.5
2.55
V
输入稳压误差
VREF
Line
AVDD 引脚 = 5.5 V ~ 12.6 V
− 10
⎯
+ 10
mV
负载稳压误差
VREF
Load
VREF 引脚 = 0 mA ~ − 1 mA
− 15
⎯
+ 15
mV
5.5 V ≤ AVDD ≤ 12.6 V
VB 引脚 = 0 mA
4.8
5
5.2
V
偏置电压
偏置电压部分
[VB]
符号
VVB
负载稳压误差
VB
Load
VB 引脚 = 0 mA ~ − 1 mA
− 15
⎯
+ 15
mV
阈值电压
VTLH
AVDD 引脚
4.5
5.0
5.2
V
迟滞幅度
VHU
AVDD 引脚
0.05
0.1
0.4
V
TOTPH
⎯
+ 150
⎯
°C
迟滞幅度
TH
⎯
+ 25
⎯
°C
阈值电压
VIVPH
AVDD 引脚
12.6
13.0
13.4
V
解除电压
VIVPL
AVDD 引脚
12.5
12.85
13.3
V
迟滞幅度
VHI
AVDD 引脚
⎯
0.15
⎯
V
开关频率 *2
fosc
CH1 ~ CH3、 CH5、 CH6
CH4:FSEL4 引脚 = "H" 电平
0.56
0.7
0.84
MHz
CH4:FSEL4 引脚 = "L" 电平
0.28
0.35
0.42
MHz
停止温度
*1
*1
输出 ON 条件
VIH
CTL1 ~ CTL6 引脚
2
⎯
⎯
V
输出 OFF 条件
VIL
CTL1 ~ CTL6 引脚
⎯
⎯
0.8
V
ICTLH
CTL1 ~ CTL6 引脚 = 3 V
23
30
43
μA
ICTLL
CTL1 ~ CTL6 引脚 = 0 V
⎯
⎯
1
μA
输入电流
( 转下页 )
12
DS04–27261–6Z
MB39C308
(Ta = + 25 °C、 AVDD = PVDD1 ~ PVDD7 = 7.2 V)
项目
符号
条件
规格值
最小
典型
最大
单位
VSEL34 "H" 电平
VLGH
VSEL34、 DVSEL6 引脚
2
⎯
⎯
V
VSEL34 "L" 电平
VLGL
VSEL34、 DVSEL6 引脚
⎯
⎯
0.8
V
ISELH
VSEL34、 DVSEL6 引脚 = 3 V
23
30
43
μA
ISELL
VSEL34、 DVSEL6 引脚 = 0 V
⎯
⎯
1
μA
Low 端阈值电压
VPGL
FB1 ~ FB6 引脚
PG1 ~ PG6 引脚
Vo × 0.85
Vo × 0.9
Vo × 0.95
V
High 端阈值电压
电源正常输出
检测器部分
迟滞幅度
[PG1 ~ PG6、
ALLPG]
输出 Low 时
PG 电压
VPGH
FB1 ~ FB6 引脚
PG1 ~ PG6 引脚
Vo × 1.05
Vo × 1.1
Vo × 1.15
V
⎯
Vo × 0.03
⎯
V
输出电压
选择部分
[VSEL34、
DVSEL6]
通用控制部分
输入电流
⎯
VH
VOL
PG1 ~ PG6、 ALLPG 引脚 =
1 mA
⎯
0.1
0.3
V
PG 泄漏电流
ILKPG
PG1 ~ PG6、 ALLPG 引脚 =
6V
⎯
⎯
1
μA
AVDD 待机电流
IAVDDS
CTL1 ~ CTL6 引脚 = 0 V、
AVDD 引脚 = 12.6 V
⎯
⎯
1
μA
AVDD 电源电流
IAVDD
CTL1 ~ CTL6 引脚 = 3 V
⎯
0.25
⎯
mA
CH1 输出电压
Vo1
FB1 引脚
4.75
5
5.25
V
PVDD1 待机电流
CH1 效率
CH1 部分
[CH1]
OUT1H 拉电流
OUT1H 灌电流
OUT1L 拉电流
IPVDD1S
CTL1 引脚 = 0 V、
PVDD1 引脚 = 12.6 V
⎯
⎯
15
μA
ηL1
0.05 × Io ( 最大 ) < Io <
0.3 × Io ( 最大 )
87*3
⎯
⎯
％
ηT1
0.3 × Io ( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
92*3
⎯
⎯
％
ηF1
0.6 × Io ( 最大 ) < Io<
Io ( 最大 )
92*3
⎯
⎯
％
Duty ≤ 5％、 CB1 引脚 = 5 V、
IsourceH1 LX1 引脚 = 0 V、
OUT1H 引脚 = 0 V
⎯
− 400*1
⎯
mA
Duty ≤ 5％、 CB1 引脚 = 5 V、
LX1 引脚 = 0 V、
OUT1H 引脚 = 5 V
⎯
400*1
⎯
mA
⎯
− 400*1
⎯
mA
IsinkH1
Duty ≤ 5％、 VB 引脚 = 5 V、
IsourceN1 LX1 引脚 = 0 V、
OUT1L 引脚 = 0 V
( 转下页 )
DS04–27261–6Z
13
MB39C308
(Ta = + 25 °C、 AVDD = PVDD1 ~ PVDD7 = 7.2 V)
项目
规格值
单位
典型
最大
Duty ≤ 5％、 VB 引脚 = 5 V、
LX1 引脚 = 0 V、
OUT1L 引脚 = 5 V
⎯
400*1
⎯
mA
ROH1
OUT1H 引脚 = − 15 mA
⎯
12
18
Ω
ROL1
OUT1H 引脚 = 15 mA
⎯
12
18
Ω
ROH1
OUT1L 引脚 = − 15 mA
⎯
12
18
Ω
ROL1
OUT1L 引脚 = 15 mA
⎯
12
18
Ω
Vo1 输出过压阈值
Vo1
FB1 引脚
5.9*1
6*1
6.1*1
V
Vo1 极限电流
IOCP1
Io1
(RonH1 = 32 mΩ、 L = 3.3 μH)
3.4*1
4.0*1
4.6*1
A
FB1 输入电阻
RFB1
FB1 引脚
⎯
340
⎯
kΩ
软启动时间
SS1
FB1 引脚
SS1 = SS2 = AGND 引脚
1.19
1.4
1.61
ms
CH2 输出电压
Vo2
FB2 引脚
3.135
3.3
3.465
V
OUT1H 导通阻抗
OUT1L 导通阻抗
PVDD2 待机电流
CH2 效率
OUT2H 拉电流
CH2 部分
[CH2]
条件
最小
OUT1L 灌电流
CH1 部分
[CH1]
符号
OUT2H 灌电流
OUT2L 拉电流
OUT2L 灌电流
OUT2H 导通阻抗
OUT2L 导通阻抗
IsinkN1
IPVDD2S
CTL2 引脚 = 0 V、
PVDD2 引脚 = 12.6 V
⎯
⎯
15
μA
ηL2
0.05 × Io( 最大 ) < Io <
0.3 × Io ( 最大 )
87*3
⎯
⎯
％
ηT2
0.3 × Io( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
92*3
⎯
⎯
％
ηF2
0.6 × Io ( 最大 ) < Io < Io ( 最大 )
92*3
⎯
⎯
％
Duty ≤ 5％、 CB2 引脚 = 5 V、
IsourceH2 LX2 引脚 = 0 V、
OUT2H 引脚 = 0 V
⎯
− 400
⎯
mA
Duty ≤ 5％、 CB2 引脚 = 5 V、
LX2 引脚 = 0 V、
OUT2H 引脚 = 5 V
⎯
400
⎯
mA
Duty ≤ 5％、 VB 引脚 = 5 V、
IsourceN2 LX2 引脚 = 0 V、
OUT2L 引脚 = 0 V
⎯
− 400
⎯
mA
Duty ≤ 5％、 VB 引脚 = 5 V、
LX2 引脚 = 0 V、
OUT2L 引脚 = 5 V
⎯
400
⎯
mA
ROH2
OUT2H 引脚 = − 15 mA
⎯
12
18
Ω
ROL2
OUT2H 引脚 = 15 mA
⎯
12
18
Ω
ROH2
OUT2L 引脚 = − 15 mA
⎯
12
18
Ω
ROL2
OUT2L 引脚 = 15 mA
⎯
12
18
Ω
IsinkH2
IsinkN2
( 转下页 )
14
DS04–27261–6Z
MB39C308
(Ta = + 25 °C、 AVDD = PVDD1 ~ PVDD7 = 7.2 V)
项目
CH2 部分
[CH2]
符号
条件
规格值
单位
最小
典型
最大
3.894*1
3.96*1
4.026*1
V
6.7*1
7.9*1
9.0*1
A
⎯
220
⎯
kΩ
Vo2 输出过压阈值
Vo2
FB2 引脚
Vo2 极限电流
IOCP2
Io2
(RonH1 = 16 mΩ、 L = 3.3 μH)
FB2 输入电阻
RFB2
FB2 引脚
软启动时间
SS2
FB2 引脚
SS1 = SS2 = AGND 引脚
1.19
1.4
1.61
ms
CH3 输出电压
Vo3
VSEL34 = "H" 电平、 FB3 引脚
1.71
1.8
1.89
V
VSEL34 = "L" 电平、 FB3 引脚
1.425
1.5
1.575
V
高端 FET 导通阻抗
RONH3
LX3 引脚 = − 100 mA、 VGS = 5 V
⎯
65*1
⎯
mΩ
低端 FET 导通阻抗
RONL3
LX3 引脚 = 100 mA、 VGS = 5 V
⎯
40*1
⎯
mΩ
PVDD3 待机电流
IPVDD3S
CTL34 引脚 = 0 V、
PVDD3 引脚 = 12.6 V
⎯
⎯
15
μA
ηL31
VSEL34 引脚 = "H" 电平、
Vo3 = 1.8 V
0.05 × Io ( 最大 ) < Io <
0.3 × Io ( 最大 )
85*3
⎯
⎯
％
ηL32
VSEL34 引脚 = "L" 电平、
Vo3 = 1.5 V
0.05 × Io ( 最大 ) < Io <
0.3 × Io ( 最大 )
82*3
⎯
⎯
％
ηT31
VSEL34 引脚 = "H" 电平、
Vo3 = 1.8 V
0.3 × Io ( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
87*3
⎯
⎯
％
ηT32
VSEL34 引脚 = "L" 电平、
Vo3 = 1.5 V
0.3 × Io ( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
85*3
⎯
⎯
％
ηF31
VSEL34 引脚 = "H" 电平、
Vo3 = 1.8 V
0.6 × Io ( 最大 ) < Io < Io ( 最大 )
87*3
⎯
⎯
％
ηF32
VSEL34 引脚 = "L" 电平、
Vo3 = 1.5 V
0.6 × Io ( 最大 ) < Io < Io ( 最大 )
85*3
⎯
⎯
％
CH3 部分
[CH3]
CH3 效率
( 转下页 )
DS04–27261–6Z
15
MB39C308
(Ta = + 25 °C、 AVDD = PVDD1 ~ PVDD7 = 7.2 V)
项目
Vo3 输出过压阈值
CH3 部分
[CH3]
符号
VOVP3
条件
规格值
单位
最小
标准
最大
VSEL34 引脚 = "H" 电平、
Vo3 = 1.8 V、 FB3 引脚
2.124*1
2.16*1
2.196*1
V
VSEL34 引脚 = "L" 电平、
Vo3 = 1.5 V、 FB3 引脚
1.77*1
1.8*1
1.83*1
V
3.0*1
3.75*1
4.5*1
A
⎯
250
⎯
kΩ
Vo3 极限电流
IOCP3
Io3、
(L = 1.5 μH)
FB3 输入电阻
RFB3
FB3 引脚
软启动时间
SS3
FB3 引脚
SS1 = SS2 = AGND 引脚
1.19
1.4
1.61
ms
VSEL34 引脚 = "H" 电平、
FB4 引脚
0.855
0.9
0.945
V
VSEL34 引脚 = "L" 电平、
FB4 引脚
0.7125
0.75
0.7875
V
CH4 输出电压
Vo4
高端 FET 导通阻抗
RONH4
LX4 引脚 = − 100 mA、
VGS = 5 V
⎯
130*1
⎯
mΩ
低端 FET 导通阻抗
RONL4
LX4 引脚 = 100 mA、
VGS = 5 V
⎯
55*1
⎯
mΩ
PVDD4 待机电流
IPVDD4S
CTL34 引脚 = 0 V、
PVDD4 引脚 = 12.6 V
⎯
⎯
15
μA
ηT41
VSEL34 引脚 = "H" 电平、
FSEL4 引脚 = "H" 电平、
Vo4 = 0.9 V
0.3 × Io ( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
80*3
⎯
⎯
％
ηT42
VSEL34 引脚 = "L" 电平、
FSEL4 引脚 = "H" 电平、
Vo4 = 0.75 V
0.3 × Io ( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
80*3
⎯
⎯
％
ηF41
VSEL34 引脚 = "H" 电平、
FSEL4 引脚 = "H" 电平、
Vo4 = 0.9 V
0.6 × Io ( 最大 ) < Io < Io ( 最大 )
83*3
⎯
⎯
％
ηF42
VSEL34 引脚 = "L" 电平、
FSEL4 引脚 = "H" 电平、
Vo4 = 0.75 V
0.6 × Io ( 最大 ) < Io < Io ( 最大 )
83*3
⎯
⎯
％
VSEL34 引脚 = "H" 电平、
Vo4 = 0.9 V、 FB4 引脚
1.035*1
1.08*1
1.125*1
V
VSEL34 引脚 = "L" 电平、
Vo4 = 0.75 V、 FB4 引脚
0.862*1
0.90*1
0.938*1
V
CH4 部分
[CH4]
CH4 效率
Vo4 输出过压阈值
VOVP4
( 转下页 )
16
DS04–27261–6Z
MB39C308
(Ta = + 25 °C、 AVDD = PVDD1 ~ PVDD7 = 7.2 V)
项目
CH4 部分
[CH4]
IOCP4
Io4、
(L = 1.5 μH、 fosc = 700 kHz)
FB4 输入电阻
RFB4
FB4 引脚
软启动时间
SS4
FB4 引脚、
SS1 = SS2 = AGND 引脚
规格值
单位
最小
典型
最大
1.92*1
2.4*1
2.88*1
A
⎯
750
⎯
kΩ
1.19
1.4
1.61
ms
FSEL4 “H” 电平
VFLGH4
FSEL4 引脚
2
⎯
⎯
V
FSEL4 “L” 电平
VFLGL4
FSEL4 引脚
⎯
⎯
0.8
V
IFSELH4
FSEL4 引脚 = 3 V
23
30
43
μA
IFSELL4
FSEL4 引脚 = 0 V
⎯
⎯
1
μA
1.425
1.5
1.575
V
CH5 输出电压
Vo5
FB5 引脚
高端 FET 导通阻抗
RONH5
LX5 引脚 = − 100 mA、
VGS = 5 V
⎯
65*1
⎯
mΩ
低端 FET 导通阻抗
RONL5
LX5 引脚 = 100 mA、
VGS = 5 V
⎯
40*1
⎯
mΩ
PVDD5 待机电流
IPVDD5S
CTL5 引脚 = 0 V、
PVDD5 引脚 = 12.6 V
⎯
⎯
15
μA
ηL5
0.05 × Io ( 最大 ) < Io <
0.3 × Io ( 最大 )
82*3
⎯
⎯
％
ηT5
0.3 × Io ( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
85*3
⎯
⎯
％
ηF5
0.6 × Io ( 最大 ) < Io < Io ( 最大 )
85*3
CH5 效率
⎯
1
⎯
％
1
1
1.83*
V
Vo5 输出过压阈值
VOVP5
FB5 引脚
1.77*
1.8*
Vo5 极限电流
IOCP5
Io5、
(L = 1.5 μH)
2.8*1
3.5*1
4.2*1
A
FB5 输入电阻
RFB5
FB5 引脚
⎯
250
⎯
kΩ
软启动时间
SS5
FB5 引脚、
SS1 = SS2 = AGND 引脚
1.19
1.4
1.61
ms
DVSEL6 = "H" 电平、
FB6 引脚
1.045
1.1
1.155
V
DVSEL6 = "L" 电平、
FB6 引脚
0.9975
1.05
1.1025
V
CH6 输出电压
CH6 部分
[CH6]
条件
Vo4 极限电流
FSEL4 输入电流
CH5 部分
[CH5]
符号
Vo6
高端 FET 导通阻抗
RONH6
LX6 引脚 = − 100 mA、
VGS = 5 V
⎯
61*1
⎯
mΩ
低端 FET 导通阻抗
RONL6
LX6 引脚 = 100 mA、
VGS = 5 V
⎯
35*1
⎯
mΩ
PVDD6 待机电流
IPVDD6S
CTL6 引脚 = 0 V、
PVDD6 引脚 = 12.6 V
⎯
⎯
15
μA
( 转下页 )
DS04–27261–6Z
17
MB39C308
( 承上页 )
(Ta = + 25 °C、 AVDD = PVDD1 ~ PVDD7 = 7.2 V)
项目
符号
规格值
单位
最小
标准
最大
ηL61
DVSEL6 引脚 = "H" 电平、
Vo6 = 1.1 V
0.05 × Io ( 最大 ) < Io <
0.3 × Io ( 最大 )
80 *3
⎯
⎯
％
ηL62
DVSEL6 引脚 = "L" 电平、
Vo6 = 1.05 V
0.05 × Io ( 最大 ) < Io <
0.3 × Io ( 最大 )
80 *3
⎯
⎯
％
ηT61
DVSEL6 引脚 = "H" 电平、
Vo6 = 1.1 V
0.3 × Io ( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
82 *3
⎯
⎯
％
ηT62
DVSEL6 引脚 = "L" 电平、
Vo6 = 1.05 V
0.3 × Io ( 最大 ) < Io <
0.6 × Io ( 最大 )
82 *3
⎯
⎯
％
ηF61
DVSEL6 引脚 = "H" 电平、
Vo6 = 1.1 V
0.6 × Io ( 最大 ) < Io < Io ( 最大 )
81 *3
⎯
⎯
％
ηF62
DVSEL6 引脚 = "L" 电平、
Vo6 = 1.05 V
0.6 × Io ( 最大 ) < Io < Io ( 最大 )
81 *3
⎯
⎯
％
DVSEL6 引脚 = "H" 电平、
Vo6 = 1.1 V、 FB6 引脚
1.298*1
1.32*1
1.342*1
V
DVSEL6 引脚 = "L" 电平、
Vo6 = 1.05 V、 FB6 引脚
1.239*1
1.26*1
1.281*1
V
4.0*1
5.0*1
6.0*1
A
⎯
350
⎯
kΩ
1.19
1.4
1.61
ms
CH6 效率
CH6 部分
[CH6]
Vo6 输出过压阈值
条件
VOVP6
Vo6 极限电流
IOCP6
Io6、
(L = 1.5 μH)
FB6 输入电阻
RFB6
FB6 引脚
软启动时间
SS6
FB6 引脚、
SS1 = SS2 = AGND 引脚
*1: 该参数并非指定参数，应在设计电路时用作参考。
*2: 通常将 FSEL4 引脚设定为 "H" 电平，即在 fosc = 700 kHz 的设定下使用。若 Vo4 预设为 0.75 V，输入电压高时，因导
通期间非常短暂，轻负载状态下的 CH4 输出可能不太稳定。遇到这种情况，请将 FSEL4 引脚拉为 "L" 电平并设定 fosc
= 350 kHz。
*3: 该值是推荐评估板电路测试过的参考值，应在设计电路时用作参考。
18
DS04–27261–6Z
MB39C308
■ 通道控制功能
根据 CTL1、CTL2、CTL34、CTL5 和 CTL6 引脚的电平设定各通道 ON 或 OFF。
• 各通道的 ON/OFF 设定条件
CTL1
CTL2
CTL34
CTL5
CTL6
CH1
CH2
CH3
CH4
CH5
CH6
L
L
L
L
L
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
H
L
L
L
L
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
L
H
L
L
L
OFF
ON
OFF
OFF
OFF
OFF
L
L
H
L
L
OFF
OFF
ON
ON
OFF
OFF
L
L
L
H
L
OFF
OFF
OFF
OFF
ON
OFF
L
L
L
L
H
OFF
OFF
OFF
OFF
OFF
ON
H
H
H
H
H
ON
ON
ON
ON
ON
ON
■ 电源正常输出功能
下图所示为 "• 电源正常输出功能的工作波形 "。ALLPG 引脚和 PGx 引脚连接到 N-ch MOS 的漏极，通过连接电阻器使用。
CTLx 引脚为 ON 且输出电压在预设电压的 7％以内时，PGx 引脚从 "L" 电平拉为 "H" 电平。PGx = "H" 代表电源正常输出的
状态。输出电压的变化超过预设电压的 10％时，PGx 引脚变为 "L" 电平。输出电压在预设电压的 7％以内时，PGx 引脚从 "L"
电平拉为 "H" 电平。此外，当 CH3 ~ CH6 的全通道都处于电源正常输出的状态时，ALLPG 引脚拉为 "H" 电平。
• 电源正常输出功能的工作波形
工作过程
软启动
软停止
CTLx
PGx
+10%
预设输出电压
Vox
-7%
+7%
-10%
-7%
PGx
DS04–27261–6Z
19
MB39C308
■ 保护功能
<1> 低压误动作防止 (UVLO)
电源电压 (AVDD)、偏置电压 (VB)、内部基准电压 (VREF) 的瞬态和瞬间下降时，该功能可防止 IC 误动作和系统的损坏、
劣化。
AVDD 引脚降至 5.0 V( 典型值 ) 以下时，UVLO 保护功能启动，CH1 ~ CH6 所有高端 FET、同步端 FET 都为 OFF。AVDD
引脚超过 5.1 V( 典型值 ) 时，UVLO 功能解除。这是非锁定式保护。
<2> 输入过压保护 (IVP)
电源电压 (AVDD)、偏置电压 (VB)、内部基准电压 (VREF) 的瞬态和瞬间上升时，该功能可防止 IC 误动作和系统的损坏、
劣化。
AVDD 引脚超过 13.0 V( 典型值 ) 时，IVP 保护功能启动，CH1 ~ CH6 所有高端 FET、同步端 FET 都为 OFF。AVDD 引脚
降至 12.85 V( 典型值 ) 以下时，IVP 功能解除。这是非锁定式保护。
<3> 过温保护 (OTP)
过温保护是保护 IC 免遭热破坏的功能。芯片温度超过 + 150 °C ( 典型值 ) 时，CH1 ~ CH6 所有高端 FET、同步端 FET 都
为 OFF。结温降至 + 125 °C ( 典型值 ) 以下时，OTP 功能解除。这是非锁定式保护。
<4> 输出短路保护 (SCP)
输出电路保护功能在输出电压下降时停止输出，以保护连接输出的器件。
因到 GND 的输出短路或超出最大负载条件的大电流，CH1 ~ CH6 中任何一路通道的输出电压下降时，SCP 定时器开始计
数。若输出电压的下降持续 1.4 ms ( 典型值 ) ，则锁定保护功能启动，所有高端 FET、同步端 FET 都为 OFF。
解除输出短路保护功能，可使用以下两种方法。
- 将 CH1 ~ CH6 所有 CTL 信号设定为 "L" 之后，再将各 CTL 信号设定为 ON。
- AVDD 引脚的电压降至 UVLO 阈值电压以下，之后 AVDD 引脚的电压上升到 UVLO 阈值电压之上时，各输出启动。
<5> 输出过压保护 (OVP)
输出过压保护功能在输出电压上升时，保护连接输出的器件。CH1 ~ CH6 中任何一路通道的输出电压上升到其预设电压的
120%( 典型值 ) 以上时，该通道的所有高端 FET、同步端 FET 变为 OFF ( 仅 CH4 的高端 FET 为 OFF，同步端 FET 为 ON。
因 CH4 受到固定 PWM 的控制，低端 FET 的逻辑与其他通道不同 )。输出电压降至预设电压的 103%( 典型值 ) 以下时，OVP
功能解除。这是非锁定式保护。
<6> 过流保护 (OCP)
过流保护是控制输出电流的功能。高端 FET 漏极 - 源极间的电流过剩时，该功能将输出电流限制在各通道的预设值。由于
过流保护功能，输出电压一般下降。于是输出短路保护功能启动，用锁定设置停止全部输出。过流保护功能仅对该当通道起
作用，停止全通道输出的是输出短路保护功能。
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DS04–27261–6Z
MB39C308
■ 软启动和软停止功能的工作原理
软启动功能防止各通道 ON 时的冲击电流。CTL1、CTL2、CTL34、CTL5 及 CTL6 设定为 "H" 电平时，各通道误差放大器
的反转输入引脚的电平以一定的倾斜度上升。因此，软启动时间可独立设定，不受输出负载影响。CTL1、CTL2、CTL34、
CTL5 及 CTL6 设定为 "L" 电平时，各通道误差放大器的反转输入引脚的电平以一定的倾斜度下降。输出电压随之下降。与输
出负载无关，软停止时间可独立设定。
软启动和软停止时间可通过组合 SS1 和 SS2 引脚的电平预先定义，无需电容器和电阻器等外接元件。详见下表 " 软启动 /
软停止时间 (tson/tsoff) 的设定条件 "。
• 软启动 / 软停止时间 (tson/tsoff) 的设定条件
SS1 引脚
SS2 引脚
软启动时间
(tson)
(Typ) *
软停止时间
(tsoff)
(Typ) *
单位
连接 AGND 引脚
连接 AGND 引脚
1.4
1.4
ms
连接 AGND 引脚
连接 VREF 引脚
2.2
2.2
ms
连接 AGND 引脚
连接 VB 引脚
2.9
2.9
ms
连接 VREF 引脚
连接 AGND 引脚
3.5
3.5
ms
连接 VREF 引脚
连接 VREF 引脚
4.1
4.1
ms
连接 VREF 引脚
连接 VB 引脚
5.1
5.1
ms
连接 VB 引脚
连接 AGND 引脚
5.9
5.9
ms
连接 VB 引脚
连接 VREF 引脚
7.3
7.3
ms
连接 VB 引脚
8.2
8.2
ms
连接 VB 引脚
*: 精度 : Typ ±15％
DS04–27261–6Z
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MB39C308
<< 软启动 / 软停止工作时各通道的输出电压波形 >>
通过 CTL1、CTL2、CTL34、CTL5 和 CTL6 引脚的 ON 或 OFF 启动 / 切断各通道的输出。
(1) CTLX 和 CTLY 同时设定为 "H" 或 "L" 时
CTLX
CTLY
VoX
VoX
(CHX 输出 )
VoY
VoY
(CHY 输出 )
tson
tsoff
VoX 和 VoY 同时开始
软启动 / 软停止。
(2) VoX 的软启动或软停止工作完成后
CTLY 设定为 "H" 或 "L" 时
(3) VoX 的软启动或软停止工作开始后
CTLY 设定为 "H" 或 "L" 时
CTLX
CTLX
CTLY
CTLY
VoX
*: CHY 和 CHX 为相互不同的
通道
VoX
VoX
(CHX 输出 )
VoX
(CHX 输出 )
tson
tsoff
tson
VoY
VoY
VoY
(CHY 输出 )
(CHY 输出 )
tson
tsoff
VoY
tsoff
tson
tsoff
VoX 和 VoY 分别进行
软启动 / 软停止。
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DS04–27261–6Z
MB39C308
(4) CTL34 设定为 "H" 或 "L" 时
CTL34
Vo3 (1.8 V/1.5 V)
(CH3 输出 )(1.8 V/1.5 V)
Vo4 (0.9 V/0.75 V)
(CH4 输出 )(0.9 V/0.75 V)
Vo3 和 Vo4 同时进行软启动 / 软停止
tson
tsoff
■ CH3/CH4/CH6 的输出电压预设功能
CH3 和 CH4 的预设输出电压由 VSEL34 引脚决定 ; CH6 的预设电压由 DVSEL6 引脚决定。详情参见下表。
• CH3/CH4/CH6 的输出电压预设条件
连接
VREF
GND
VSEL34
设定为 Vo3 = 1.8 V
设定为 Vo4 = 0.9 V
设定为 Vo3 = 1.5 V
设定为 Vo4 = 0.75 V
DVSEL6
设定为 Vo6 = 1.1 V
设定为 Vo6 = 1.05 V
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MB39C308
■ 典型特性
• 容许损耗 − 工作环境温度特性
容许损耗 − 工作环境温度
4
风速 : 0 m/s
容许损耗 PD (W)
3
2
1
0
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100
工作环境温度 Ta ( °C)
容许损耗如图 " 容许损耗 − 工作环境温度特性 " 所示。最大功耗取决于封装的热容量和环境温度。
各通道 (CH1 ~ CH6) 的功耗总和不可超过最大额定值。关于各通道的负载电流和功率损耗，详情参照 " 各通道的功率损耗
特性 "。
• 热测试条件
风速 : 0 m/s
MB39C308
(9 mm × 9 mm × 1.3 mm)
印刷电路板
(FR4 : 117 mm × 84 mm × 0.8 mm)
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DS04–27261–6Z
MB39C308
• 各通道的电耗特性
CH1 输出电流 − 电耗
1.8
1.8
VIN=7.2 V
Vo1=5.0 V
使用 Si7212DN 时
1.5
1.2
0.9
热设计点
0.6
外接 FET 的损耗除外
0.3
0.9
热设计点
0.6
外接 FET 的损耗除外
0
0
1
2
3
4
0
5
1
2
3
CH1 输出电流 (A)
CH2 输出电流 (A)
CH3 弌输出电流 - 电耗
CH4 输出电流 - 电耗
4
5
1.8
1.8
VIN=7.2 V
Vo3=1.8 V/1.5 V
1.5
Vo3=1.5 V
Vo3=1.8 V
1.2
0.9
热设计点
0.6
0.3
Vo4=0.9 V
Vo4=0.75 V
VIN=7.2 V
Vo4=0.9 V/0.75 V
1.5
CH4 电耗 (W)
CH3 电耗 (W)
1.2
0.3
0
1.2
0.9
0.6
热设计点
0.3
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
CH3 输出电流 (A)
CH4 输出电流 (A)
CH5 输出电流 - 电耗
CH6 输出电流 - 电耗
4
5
1.8
1.8
VIN=7.2 V
Vo5=1.5 V
1.5
1.2
0.9
热设计点
0.6
0.9
0
0
2
3
CH5 输出电流 (A)
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4
5
热设计点
0.6
0.3
1
Vo6=1.1 V
Vo6=1.05 V
1.2
0.3
0
VIN=7.2 V
Vo6=1.1 V/1.05 V
1.5
CH6 电耗 (W)
CH5 电耗 (W)
VIN=7.2 V
Vo2=3.3 V
使用 Si7212DN (2 个并联 ) 时
1.5
CH2 电耗 (W)
CH1 电耗 (W)
CH2 输出电流 − 电耗
0
1
2
3
4
5
CH6 输出电流 (A)
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MB39C308
■ 未使用引脚的处理
1. 引脚连接 ( 未使用 CH1/CH2 时 )
未使用 CH1 或 CH2 时，须将 PVDD 引脚连接电源，PG、CTL 和 FB 引脚连接模拟地 (AGND)。悬空 OUTH、OUTL、CB
和 LX 引脚，并将 PGND 引脚连接电源地。
• 未使用 CH1 时
PG1
1
CTL1
FB1
PVDD1
电源
OUT1H
" 悬空 "
CB1
" 悬空 "
LX1
" 悬空 "
OUT1L
" 悬空 "
PGND1
• 未使用 CH2 时
PG2
1
CTL2
FB2
PVDD2
电源
OUT2H
" 悬空 "
CB2
" 悬空 "
LX2
" 悬空 "
OUT2L
" 悬空 "
PGND2
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DS04–27261–6Z
MB39C308
2. 引脚连接 ( 未使用 CH3 和 CH4 时 )
未使用 CH3 和 CH4 的场合，须将 PVDD 引脚连接电源，PG、CTL34、FB、FSEL4 和 VSEL34 引脚连接模拟地 (AGND)。
悬空 CB 和 LX 引脚，并将 PGND 引脚连接电源地。
• 未使用 CH3 和 CH4 时
FSEL4
PVDD3
电源
VSEL34
PG3
CB3
" 悬空 "
CTL34
LX3
" 悬空 "
FB3
PGND3
PVDD4
PG4
电源
CB4
" 悬空 "
LX4
" 悬空 "
FB4
PGND4
DS04–27261–6Z
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MB39C308
3. 引脚连接 ( 使用 CH3 但未使用 CH4 时 )
使用 CH3 但未使用 CH4 时，须通过约 5 kΩ 的电阻器将 PVDD4 引脚连接 VB 引脚。将 PG4 引脚连接模拟地 (AGND)，在
CB4 引脚和 LX4 引脚之间接入一个 0.1 μF 的电容器，将 PGND4 引脚连接电源地，FSEL4 和 FB4 引脚连接 VREF 引脚。
• 仅使用 CH3 未使用 CH4 时
VB
VREF
PVDD4
FSEL4
㑺 5 kΩ
CB4
FB4
0.1 μF
LX4
᥻ࠊֵো “H”
CTL34
PG4
PGND4
( 注意事项 ) 若接通 CTL34，则 CH3 和 CH4 进入 ON 状态。使用 CH3 但未使用 CH4 时，须按上图所示连接引脚。不可悬
空 PVDD4。
4. 引脚连接 ( 未使用 CH5 时 )
未使用 CH5 时，须将 PVDD5 引脚连接电源。将 PG5、CTL5 和 FB5 引脚连接模拟地 (AGND)，悬空 CB5 和 LX5 引脚，并
将 PGND 引脚连接电源地。
• 未使用 CH5 时
PVDD5
电源
PG5
CB5
" 悬空 "
CTL5
LX5
" 悬空 "
FB5
PGND5
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DS04–27261–6Z
MB39C308
5. 引脚连接 ( 未使用 CH6 时 )
未使用 CH6 时，须将 PVDD6 引脚连接电源，并将 PG6、CTL6、FB6 和 DVSEL6 引脚连接模拟地 (AGND)。悬空 CB6 和
LX6 引脚，并将 PGND6 引脚连接电源地。
• 未使用 CH6 时
PVDD6
电源
PG6
CB6
" 悬空 "
CTL6
LX6
" 悬空 "
FB6
DVSEL6
PGND6
6. 引脚连接 ( 未使用电源正常输出功能 (POWERGOOD) 时 )
未使用电源正常输出功能时，须将 PG 或 ALLPG 引脚连接模拟地 (AGND)。
• 未使用 PG 或 ALLPG 时
PG
ALLPG
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MB39C308
■ 应用手册
• 电感器的选择
关于推荐电感，详情参见 "■ 推荐工作条件 "。另外，为了判断电感内通过的电流是否在额定值内，必须计算电感内通过电
流的最大值。电感的最大电流值可使用以下算式求得。
ILMAX ≥ IoMAX +
ΔIL =
ΔIL
VDD − VO
L
2
×
VO
VDD × fOSC
ILMAX : 电感最大电流值 [A]
IoMAX : 最大负载电流 [A]
ΔIL
: 电感纹波电流的峰峰值 [A]
VDD
: 电源电压 [V]
VO
: 输出设定电压 [V]
fOSC : 开关频率 [Hz]
电感电流
ILMAX
IoMAX
ΔIL
0
30
时间
DS04–27261–6Z
MB39C308
• FET 的选择 (CH1、CH2)
该 IC 需要检测高端 FET 的漏极 - 源极间所产生的电压。应该按以下标准选择高端 FET 的导通阻抗 :
CH1 高端 FET 导通阻抗 : 24 mΩ ~ 40 mΩ
CH2 高端 FET 导通阻抗 : 12 mΩ ~ 20 mΩ
过电流保护 (OCP) 的电流限定值取决于所用高端 FET 的导通阻抗。电流限定值可由以下算式求得。
IO1_OCP=
IO2_OCP=
0.141
RON1
0.133
RON2
-
-
0.5
L × fosc
0.5
L × fosc
VDD
: 电源电压 [V]
VO
: 输出设定电压 [V]
(VDD - VO1) × VO1
×
VDD
(VDD - VO2) × VO2
×
VDD
RON : 高端 FET 导通阻抗 [Ω]
L
: 电感值 (H)
fOSC : 开关频率 (Hz)
此外，推荐高端 FET 中使用 2.5 V 的驱动产品。应用 4 V 驱动产品时，推荐连接自举二极管 ( 详情参见 " • 自举二极管的选
择 ")。
为了判断FET内通过电流是否在额定值以内，必须计算FET内通过电流的最大值。FET的最大电流值可使用以下算式求得
IDMAX ≥ IoMAX +
ΔIL
2
IDMAX : FET 漏极最大电流值 [A]
IoMAX : 最大负载电流 [A]
ΔIL
: 电感纹波电流峰峰值 [A]
另外，为了判断 FET 的容许损耗是否在额定值以内，必须计算 FET 的损耗。高端 FET 损耗可使用以下算式求得。
PHisideFET = PRON + PSW
PHisideFET : 高端 FET 损耗 [W]
PRON
: 高端 FET 导通损耗 [W]
PSW
: 高端 FET 开关损耗 [W]
高端 FET 导通损耗
PRON = (IoMAX) 2 ×
VO
VDD
× RON
PRON : 高端 FET 导通损耗 [W]
IoMAX : 最大负载电流 [A]
VDD
: 电源电压 [V]
VO
: 输出设定电压 [V]
RON : 高端 FET 导通阻抗 [Ω]
DS04–27261–6Z
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MB39C308
高端 FET 开关损耗
PSW =
VDD × fOSC × (Ibtm × tr + Itop × tf)
2
PSW : 开关损耗 [W]
VDD
: 电源电压 [V]
fOSC : 开关频率 (Hz)
Ibtm : 电感纹波电流的最小值 [A]
Itop : 电感纹波电流的最大值 [A]
tr
: 高端 FET 导通时间 [s]
tf
: 高端 FET 关闭时间 [s]
tr 和 tf 可使用以下公式简单算出。
tr =
Qgd × 12
5 − Vth
tf =
Qgd × 12
Vth
Qgd : 高端 FET 栅极 - 漏极间电容 [C]
Vth
: 高端 FET 的阈值电压 [V]
低端 FET 的损耗可使用以下公式算出。
PLosideFET = PRon = (IoMAX) 2 × (1
VO
VDD
) × Ron
PRon : 低端 FET 导通损耗 [W]
IoMAX : 最大负载电流 [A]
VDD
: 电源电压 [V]
VO
: 输出设定电压 [V]
Ron
: 低端 FET 导通阻抗 [Ω]
( 注意事项 ) 开关状态转换时，低端 FET 漏极 - 源极间的电压一般较小，开关损耗小得足以可以忽略不计，所以在此省略。
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DS04–27261–6Z
MB39C308
• 输入电容器的选择
因本 IC 采用 C-Mode 方式，建议使用 ESR 小的陶瓷电容器。关于电容值，详情参见 "■ 推荐工作条件 "。
• 输出电容器的选择
因本 IC 采用 C-Mode 方式，建议使用 ESR 小的陶瓷电容器。关于电容值，详情参见 "■ 推荐工作条件 "。
• 自举二极管的选择
由于该器件内置自举二极管，所以通常无须外接二极管。但是，CHI, CH2 的开关 FET 中使用 4 V 驱动产品时，推荐添加
肖特基二极管 (SBD)。这种情况下，须尽量选择正向电流较小的二极管，如下图连接。
• 将自举 SBD 添加到 CH1 时
CB1
VB
高端 FET 的栅极驱动电流通过自举二极管。通过以下算式可求得平均电流。选择时不要超出电流额定值。
ID ≥ Qg × fOSC
ID
: 正向电流 [A]
Qg
: 高端 FET 栅极总电荷量 [C]
fOSC : 开关频率 [Hz]
自举二极管的电压额定值可通过以下算式求得。
VR_BOOT > VDD
VR_BOOT : 自举二极管的直流反向电压 [V]
VDD
: 电源电压 [V]
• 自举电容器的选择
尽管自举电容器 (CB-LX 间的电容器 ) 的默认值为 0.1 μF，若 CH1 和 CH2 使用的 SWFET 的 Qg 大，则必须调整容量值。
自举电容器须备有足够的电荷以驱动高端 FET 栅极。因此，作为选择参考标准，对于高端 FET 的 Qg，所选电容器至少具有
储存 10 倍电荷的容量。
CCB ≥ 10 ×
Qg
VCB
CCB
: 自举电容 [F]
Qg
: 高端 FET 栅极电荷量 [C]
VCB
: CB 电压 (4.3 V)
DS04–27261–6Z
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MB39C308
• VB 电容器的选择
尽管 VB 电容器的默认值为 1 μF，若 CH1 和 CH2 使用的 FET 的 Qg 大，则必须调整容量值。VB 电容器须备有足够的电
荷以驱动高端 FET 栅极。因此，作为选择参考标准，针对高端 FET 的 Qg，所选电容器至少具有储存 50 倍电荷的容量。
CVB
(
QgH12 + 9.3 × 10−9
VCB
+
QgL12 + 23 × 10−9
VVB
(
CVB ≥ 50 ×
: VB 电容 [F]
QgH12: CH1 和 CH2 的高端 SWFET 栅极电荷量的合计 [C] (VGS = 4.3 V 时的合计 )
QgL12: CH1 和 CH2 的低端 SWFET 栅极电荷量的合计 [C] (VGS = 5 V 时的合计 )
VVB
: VB 电压 (5 V)
VCB
: CB 电压 (4.3 V)
• 容许损耗和热设计
本 IC 是高效 IC，除高电源电压、高开关频率、高负载和高温条件下的使用外，基本上无须考虑热设计。
IC 内部损耗 (PIC) 可使用以下算式求得。
PIC = VDD × (IDD + Qg12 + 32 × 10−9) × fOSC) + PHisideFET3−6 + PLosideFET3−6
PIC
: IC 内部损耗 [W]
VDD
: 电源电压 (VIN)[V]
IDD
: 电源电流 [A] (250 μA Typ)
Qg12 : CH1、 CH2 的高端 FET(VGS = 4.3 V) 和低端 FET(VGS = 5 V) 的总电荷量 [C]
fOSC : 开关频率 [Hz]
PHisideFET3−6: 内部高端 FET 损耗的合计 [W]
PLosideFET3−6: 内部低端 FET 损耗的合计 [W]
此外，使用以下算式可求得各内置 CH 的高端 FET 损耗。
PHisideFET = PRON + PSW
PHisideFET : 高端 FET 损耗 [W]
PRON
: 高端 FET 导通损耗 [W]
PSW
: 高端 FET 开关损耗 [W]
高端 FET 导通损耗
PRON = (IoMAX) 2
VO
VDD
× RON
PRON : 高端 FET 导通损耗 [W]
IoMAX : 最大负载电流 [A]
VDD
: 开关电源电压 [V]
VO
: 输出设定电压 [V]
RON : 高端 FET 导通阻抗 [Ω]
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DS04–27261–6Z
MB39C308
高端 FET 开关损耗
VDD × fOSC × (Ibtm × tr + Itop × tf)
PSW =
2
PSW : 开关损耗 [W]
VDD
: 电源电压 [V]
fOSC : 开关频率 (Hz)
Ibtm : 电感纹波电流的最小值 [A]
Itop : 电感纹波电流的最大值 [A]
tr
: 高端 FET 的导通时间 [s]
tf
: 高端 FET 的关闭时间 [s]
可按照下式简单得出 tr 和 tf 值
tr = 4 ns
tf = 4 ns
低端 FET 损耗可使用以下算式求得。
PRon = (IOMAX)2 × (1 −
VO
VDD
) × Ron
PRON : 低端 FET 导通损耗 [W]
IoMAX : 最大负载电流 [A]
VDD
: 电源电压 [V]
VO
: 输出设定电压 [V]
RON : 低端 FET 导通阻抗 [Ω]
( 注意事项 ) 开关状态转换时，低端 FET 漏极 - 源极间的电压一般较小，开关损耗小得足以可以忽略不计，所以在此省略。
结温 (Tj) 可使用以下算式求得。
Tj = Ta + θja × PIC
Tj
: 结温 [ °C] ( 最高 + 125 °C)
Ta
: 环境温度 [ °C]
θja
: PFBGA-208 Pin + Thermal-52 Pin 封装热阻 (34 °C/W)
PIC
: IC 损耗 [W]
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MB39C308
■ 参考数据
• 效率 - 负载电流
100
CH1 η1 - IO1
CH2 η2 - IO2
100
95
效率 η2 (％)
效率 η1 (％)
95
90
85
80
90
85
80
75
75
70
70
65
65
60
0.01
0.1
1
60
0.01
10
100
95
CH3 η3 - IO3
100
Vo3 = 1.8 V
Vo3 = 1.5 V
95
90
效率 η4 (％)
效率 η3 (％)
90
85
80
75
65
60
0.01
10
CH5 η5 - IO5
100
95
85
80
75
1
10
CH6 η6 - IO6
VO6 = 1.05 V
VO6 = 1.1 V
85
80
75
70
70
65
65
0.1
1
负载电流 IO5 (A)
36
0.1
90
90
效率 η6 (％)
效率 η5 (％)
95
60
0.01
fosc = 700 kHz, VO4 = 0.9 V
fosc = 700 kHz, VO4 = 0.75 V
fosc = 350 kHz, VO4 = 0.9 V
fosc = 350 kHz, VO4 = 0.75 V
负载电流 IO4 (A)
负载电流 IO3 (A)
100
CH4 η4 - IO4
75
65
1
10
80
70
0.1
1
85
70
60
0.01
0.1
负载电流 IO2 (A)
负载电流 IO1 (A)
10
60
0.01
0.1
1
10
负载电流 IO6 (A)
DS04–27261–6Z
MB39C308
• 负载稳压精度
3.35
5.04
3.34
5.03
3.33
5.02
3.32
输出电压 VO2 (V)
输出电压 VO1 (V)
CH1 VO1 - IO1
5.05
5.01
5.00
4.99
Ta = + 25°C
VO1 = 5.0 V
fosc = 700 kHz
4.98
4.97
3.31
3.30
3.29
Ta = + 25°C
VO2 = 3.3 V
fosc = 700 kHz
3.28
3.27
3.26
4.96
4.95
CH2 VO2 - IO2
3.25
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5 1
1.54
1.84
1.53
1.83
1.52
1.51
1.50
1.49
Ta = + 25°C
VO3 = 1.5 V
fosc = 700 kHz
1.47
3.5 4
4.5
1.82
1.81
1.80
1.79
Ta = + 25°C
VO3 = 1.8 V
fosc = 700 kHz
1.78
1.77
1.76
1.46
1.75
1.45
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
负载电流 IO3 (A)
0.5
1
1.5
2
2.5
3
负载电流 IO3 (A)
CH4 VO4 - IO4
CH4 VO4 - IO4
0.80
0.95
0.79
0.94
fosc = 350 kHz
fosc = 700 kHz
0.77
0.76
0.75
0.74
0.73
Ta = + 25°C
VO4 = 0.75 V
0.72
0.71
fosc = 350 kHz
fosc = 700 kHz
0.93
输出电压 VO4 (V)
0.78
输出电压 VO4 (V)
2.5 3
CH3 VO3 - IO3
1.85
输出电压 VO3 (V)
输出电压 VO3 (V)
CH3 VO3 - IO3
1.55
1.48
1.5 2
负载电流 IO2 (A)
负载电流 IO1 (A)
0.92
0.91
0.90
0.89
0.88
Ta = + 25°C
VO4 = 0.9 V
0.87
0.86
0.70
0.85
0
0.5
1
负载电流 IO4 (A)
1.5
0
0.5
1
1.5
负载电流 IO4 (A)
( 转下页 )
DS04–27261–6Z
37
MB39C308
( 承上页 )
CH5 VO5 - IO5
1.55
1.54
输出电压 VO5 (V)
1.53
1.52
1.51
1.50
1.49
1.48
Ta = + 25°C
VO5 = 1.5 V
fosc = 700 kHz
1.47
1.46
1.45
0
0.5
1
1.5
2
2.5
负载电流 IO5 (A)
CH6 VO6 - IO6
1.10
1.15
1.09
1.14
1.08
1.13
1.07
1.12
输出电压 VO6 (V)
输出电压 VO6 (V)
CH6 VO6 - IO6
1.06
1.05
1.04
1.03
Ta = + 25°C
VO6 = 1.05 V
fosc = 700 kHz
1.02
1.01
1.10
1.09
1.08
Ta = + 25°C
VO6 = 1.1 V
fosc = 700 kHz
1.07
1.06
1.05
1.00
0
0.5
1
1.5
2
2.5
负载电流 IO6 (A)
38
1.11
3
3.5
0
0.5
1
1.5 2 2.2
负载电流 IO6 (A)
3
3.5
DS04–27261–6Z
MB39C308
• 稳压精度
CH2 VO2 - VIN
3.35
5.04
3.34
5.03
3.33
5.02
3.32
输出电压 VO2 (V)
输出电压 VO1 (V)
CH1 VO1 - VIN1
5.05
5.01
5.00
4.99
4.98
Ta = + 25°C
VO1 = 5.0 V
fosc = 700 kHz
4.97
4.96
3.31
3.30
3.29
Ta = + 25°C
VO2 = 3.3 V
fosc = 700 kHz
3.28
3.27
3.26
4.95
3.25
5
6
7
8
9
10
11
12
5
13
6
7
1.54
1.84
1.53
1.83
1.52
1.82
输出电压 VO3 (V)
输出电压 VO3 (V)
1.85
1.51
1.50
1.49
Ta = + 25°C
VO3 = 1.5 V
fosc = 700 kHz
11
12
13
1.81
1.80
1.79
Ta = + 25°C
VO3 = 1.8 V
fosc = 700 kHz
1.78
1.77
1.46
1.76
1.45
1.75
5
6
7
8
9
10
11
12
5
13
6
7
8
9
10
11
12
13
输入电压 VIN (V)
输入电压 VIN (V)
CH4 VO4 - VIN
CH4 VO4 - VIN
0.80
0.95
0.79
0.94
fosc = 350 kHz
fosc = 700 kHz
0.78
0.77
0.76
0.75
0.74
0.73
Ta = + 25°C
VO4 = 0.75 V
0.72
fosc = 350 kHz
fosc = 700 kHz
0.93
输出电压 VO4 (V)
输出电压 VO4 (V)
10
CH3 VO3 - VIN
CH3 VO3 - VIN
1.55
1.47
9
输入电压 VIN (V)
输入电压 VIN (V)
1.48
8
0.92
0.91
0.90
0.89
0.88
Ta = + 25°C
VO4 = 0.9 V
0.87
0.86
0.71
0.85
0.70
5
6
7
8
9
10
输入电压 VIN (V)
11
12
13
5
6
7
8
9
10
11
12
13
输入电压 VIN (V)
( 转下页 )
DS04–27261–6Z
39
MB39C308
( 承上页 )
CH5 VO5 - VIN
1.55
1.54
输出电压 VO5 (V)
1.53
1.52
1.51
1.50
1.49
Ta = + 25°C
VO5 = 1.5 V
fosc = 700 kHz
1.48
1.47
1.46
1.45
5
6
7
8
9
10
11
12
13
输入电压 VIN (V)
CH6 VO6 - VIN
1.15
1.09
1.14
1.08
1.13
1.07
1.12
输出电压 VO6 (V)
输出电压 VO6 (V)
CH6 VO6 - VIN
1.10
1.06
1.05
1.04
1.03
Ta = + 25°C
VO6 = 1.05 V
fosc = 700 kHz
1.02
1.01
1.10
1.09
Ta = + 25°C
VO6 = 1.1 V
fosc = 700 kHz
1.08
1.07
1.06
1.00
1.05
5
40
1.11
6
7
8
9 10 11
输入电压 VIN (V)
12
13
5
6
7
8
9 10 11
输入电压 VIN (V)
12
13
DS04–27261–6Z
MB39C308
• 负载电流阶跃波形
CH2 (VO2 = 3.3 V)
CH1 (VO1 = 5.0 V)
I O1 = 0 A
2 A, IO1 slew rate = 2 A/μs
I O2 = 0 A
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO1 = 5.0 V
fosc = 700 kHz
IO2 2 A/div
IO1 2 A/div
4
VO2 500 mV/div
3.3 V 1
1
100 μs/div
100 μs/div
CH3 (VO3 = 1.8 V)
CH3 (VO3 = 1.5 V)
IO3 = 0 A 2.7 A, IO3 slew rate = 2.7 A/μs
IO3 1 A/div
I O3 = 0 A
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO3 = 1.5 V
fosc = 700 kHz
2.7 A, IO3 slew rate = 2.7 A/μs
IO3 1 A/div
VO3 200 mV/div
VO3 200 mV/div
1.8 V
1
1
100 μs/div
100 μs/div
CH4 (fosc = 350 kHz, VO4 = 0.75 V)
IO4 = 0 A
1.5 A, IO4 slew rate = 1.5 A/μs
CH4 (fosc = 350 kHz, VO4 = 0.9 V)
1.5 A, IO4 slew rate = 1.5 A/μs
IO4 = 0 A
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO4 = 0.9 V
fosc = 350 kHz
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO4 = 0.75 V
fosc = 350 kHz
IO4 1 A/div
IO4 1 A/div
4
4
VO4 100 mV/div
VO4 100 mV/div
0.75 V
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO3 = 1.8 V
fosc = 700 kHz
4
4
1.5V
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO2 = 3.3 V
fosc = 700 kHz
4
VO1 500 mV/div
5V
4.5 A, IO2 slew rate = 4.5 A/μs
0.9 V
1
100 μs/div
1
100 μs/div
( 转下页 )
DS04–27261–6Z
41
MB39C308
( 承上页 )
CH4 (fosc = 700 kHz, VO4 = 0.75 V)
CH4 (fosc = 700 kHz, VO4 = 0.9 V)
IO4 = 0 A
I O4 = 0 A
1.5 A, IO4 slew rate = 1.5 A/μs
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO4 = 0.9 V
fosc = 700 kHz
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO4 = 0.75 V
fosc = 700 kHz
IO4 1 A/div
4
4
IO4 1 A/div
VO4 100 mV/div
VO4 100 mV/div
0.75 V
1.5 A, IO4 slew rate = 1.5 A/μs
0.9 V
1
1
100 μs/div
100 μs/div
CH5 (VO5 = 1.5 V)
IO5 = 0A
2.5 A, IO5 slew rate = 2.5 A/μs
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO5 = 1.5 V
fosc = 700 kHz
IO5 1 A/div
4
VO5 200 mV/div
1.5 V
1
100 μs/div
CH6 (VO6 = 1.05 V)
CH6 (VO6 = 1.1 V)
IO6 = 0 A
IO6 = 0 A
3.5 A, IO6 slew rate = 3.5 A/μs
IO6 2 A/div
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO6 = 1.05 V
fosc = 700 kHz
IO6 2 A/div
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO6 = 1.1 V
fosc = 700 kHz
4
4
VO6 100 mV/div
VO6 100 mV/div
1.1 V
1.05 V 1
100 μs/div
42
3.5 A, IO6 slew rate = 3.5 A/μs
1
100 μs/div
DS04–27261–6Z
MB39C308
• 软启动 / 软停止波形
CH1
CH2
1
CTL1:2 V/div
2
1
CTL2:2 V/div
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO1 = 5.0 V
IO1 = 2 A
fosc = 700 kHz
VO1: 2 V/div
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO2 = 3.3 V
IO2 = 4.5 A
fosc = 700 kHz
2
VO2: 2 V/div
5 ms/div
5 ms/div
CH5
CH3, CH4
1
CTL5:2 V/div
1
CTL34:2 V/div
VO3: 500 mv/div
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO3 = 1.8 V
IO3 = 2.7 A
VO4 = 0.9 V
IO4 = 1.5 A
fosc = 700 kHz
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO5 = 1.5 V
IO5 = 2.5 A
fosc = 700 kHz
2
2
3
VO4: 500 mV/div
5 ms/div
VO5: 500 mV/div
5 ms/div
CH6
1
CTL6:2 V/div
2
Ta = + 25 °C
VIN = 7.2 V
VO6 = 1.05 V
IO6 = 3.5 A
fosc = 700 kHz
VO6:500 mV/div
5 ms/div
DS04–27261–6Z
43
MB39C308
■ 应用电路例
M1
MB39C308PFBGA208
CTL1
OUT1H
G15
FB1
5 6
Q1
S 3
C13
G
4
CB1 D16
LX1 E16 0.22 μF
100 μF
3.3 μH
7 8
Q1
S 1
ECH8607
G
2
OUT1L F15
VB
CTL2
OUT2H
H15
FB2
CB2 J16
1 2 5 6 7
G
3
C14
S 4
02
OUT2L
VB
J15
R4
Pattern short
R9
PG4
VO4
VIN
VIN
VINs
PGNDs
PGND
G14
PG4
VREF
0Ω
100 kΩ
VB
C12
P7
FSEL4
FB4
CB4
LX4A
LX4B
LX4C
LX4D
LX4E
LX4F
LX4G
LX4H
PGND4A
PGND4B
PGND4C
PGND4D
PGND4E
PGND4F
PGND4G
PGND4H
4.7 μF
PVDD4A
PVDD4B
PVDD4C
PVDD4D
PVDD4E
PVDD4F
PVDD4G
P3
P2
R3
R2
R1
T3
T2
P16 0.1 μF
P15
R16
R15
R14
R13
T15
T14
T13
P12
P11
P10
R12
R11
R10
T12
T11
T10
P4
P6
P5
R6
R5
R4
T6
T5
T4
VO3
Vo3s
Vo3
L3
1.5 μH
C3
FB3
C15
VIN
C16
0.1 μF
VO4
Vo4s
Vo4
L4
1.5 μH
C4
VSEL34
100 μF
C11
P13
VO3
CTL34
0Ω
Pattern short
R8
VREF
PVDD3A
PVDD3B
PVDD3C
PVDD3D
PVDD3E
PVDD3F
PVDD3G
PVDD3H
PVDD3I
CB3
LX3A
LX3B
LX3C
LX3D
LX3E
LX3F
LX3G
LX3H
LX3I
PGND3A
PGND3B
PGND3C
PGND3D
PGND3E
PGND3F
PGND3G
PGND3H
PGND3I
L16
L15
L14
M16
M15
M14
N16
N15
N14
P14
4.7 μF
PG3
C14
CTL34
FDMA420NZ
S 4
03
VIN
H14
PG3
3.3 μH
1 2 5 6 7
R3
100 kΩ
PGND2 G16
G
3
VO2
Vo2s
Vo2
L2
D1
D2
D2
D4
D5
LX2 H16 0.22 μF
100 μF
VO2
K15
C2
CTL2
100 μF
C15
C8
PG2
FDMA420NZ
PVDD2 K16
D1
D2
D2
D4
D5
J14
4.7 μF
VIN
R2
100 kΩ
PGND1 F16
PG2
VO1
Vo1s
Vo1
L1
C9
VO1
E15
C1
CTL1
C7
PVDD1
4.7 μF
PG1
D15
ECH8607
C10
PG1
VIN
C16
D1
D2
K14
D1
D2
R1
100 kΩ
VB
P9
P8
R9
R8
R7
T9
T8
T7
( 转下页 )
44
DS04–27261–6Z
MB39C308
( 承上页 )
FB5
CB5
LX5A
LX5B
LX5C
LX5D
LX5E
LX5F
LX5G
LX5H
LX5I
PGND5A
PGND5B
PGND5C
PGND5D
PGND5E
PGND5F
PGND5G
PGND5H
PGND5I
FB6
VB
CB6
C7
LX6A
LX6B
LX6C
LX6D
LX6E
LX6F
LX6G
LX6H
LX6I
LX6J
A6
A5
A4
B6
B5
B4
C6
C5
C4
C3
PGND6A
PGND6B
PGND6C
PGND6D
PGND6E
PGND6F
PGND6G
PGND6H
PGND6I
PGND6J
A3
A2
B3
B2
B1
C2
C1
D3
D2
D1
VO6
Vo6s
Vo6
L6
0.1 μF
1.5 μH
M1
MB39C308PFBGA208
E7 Thermal1
E8 Thermal2
E9 Thermal3
E10 Thermal4
F6 Thermal5
F7 Thermal6
F8 Thermal7
F9
F10 Thermal8
Thermal9
F11 Thermal10
G5 Thermal11
G6 Thermal12
G7 Thermal13
G8 Thermal14
G9 Thermal15
G10 Thermal16
G11 Thermal17
G12 Thermal18
H5 Thermal19
H6 Thermal20
H7 Thermal21
H8 Thermal22
H9 Thermal23
H10 Thermal24
H11 Thermal25
H12 Thermal26
J5 Thermal27
J6 Thermal28
J7 Thermal29
J8 Thermal30
J9 Thermal31
J10 Thermal32
J11 Thermal33
J12 Thermal34
K5 Thermal35
K6 Thermal36
K7 Thermal37
K8 Thermal38
K9 Thermal39
K10 Thermal40
K11 Thermal41
K12 Thermal42
L6 Thermal43
L7 Thermal44
L8 Thermal45
L9 Thermal46
L10 Thermal47
L11 Thermal48
M7 Thermal49
M8 Thermal50
M9 Thermal51
M10 Thermal52
AGND
R7
VIN
SS1
PVDD7 A11
PGND7
B15
SS2
A13
VIN
1 μF
B16
C19
AGND B14
1 μF
AVDD A15
C20
ALLPG
VB
VB A12
DIN
VB
VREF
A14
C22
VREF
B12
C21
D14
VB
DS04–27261–6Z
C18
1 μF
VO6
DVSEL6
C6-2
C10
A10
A9
A8
A7
B10
B9
B8
B7
C9
C8
C6-1
100 μF
B11
DVSEL6
PVDD6A
PVDD6B
PVDD6C
PVDD6D
PVDD6E
PVDD6F
PVDD6G
PVDD6H
PVDD6I
PVDD6J
100 μF
CTL6
CTL6
100 kΩ
E3
E2
E1
F3
F2
F1
G3
G2
G1
4.7 μF
PG6
B13
ALLPG
1.5 μH
VIN
E14
PG6
VO5
Vo5s
Vo5
L5
H3 0.1 μF
H2
H1
J3
J2
J1
K3
K2
K1
R6
100 kΩ
VB
C17
L2
C12
VO5
C5
CTL5
L3
C11
C13
CTL5
PVDD5A
PVDD5B
PVDD5C
PVDD5D
PVDD5E
PVDD5F
PVDD5G
PVDD5H
100 μF
PG5
VIN
L1
M3
M2
M1
N3
N2
N1
P1
4.7 μF
R5
M1
MB39C308PFBGA208
F14
4.7 μF
PG5
100 kΩ
VB
VREF
45
MB39C308
■ 元件表
符号
元件名称
型号
规格
封装
供应商
备注
M1
IC
MB39C308
⎯
PFBGA-208
FML
⎯
Q1
N-ch Dual
MOSFET
ECH8607
VDS = 30 V,
ID = 5 A (Max)
ECH8
SANYO
Ch1 High &
Low-side
Q2-1
N-ch MOSFET
FDMA420NZ
VDS = 20 V,
ID = 5.7 A (Max)
MLP2x2-6L
FAIRCHILD
Ch2 High-side
Q3-1
N-ch MOSFET
FDMA420NZ
VDS = 20 V,
ID = 5.7 A (Max)
MLP2x2-6L
FAIRCHILD
Ch2 Low-side
Q2-2
N-ch MOSFET
⎯
⎯
SOT-6
⎯
(Ch2 Highside)
Q3-2
N-ch MOSFET
⎯
⎯
TSOP-6
⎯
(CH2 Lowside)
R1
Resistor
RR0816P-104-D
100 kΩ
1608
SSM
PG
R2
Resistor
RR0816P-104-D
100 kΩ
1608
SSM
PG
R3
Resistor
RR0816P-104-D
100 kΩ
1608
SSM
PG
R4
Resistor
RR0816P-104-D
100 kΩ
1608
SSM
PG
R5
Resistor
RR0816P-104-D
100 kΩ
1608
SSM
PG
R6
Resistor
RR0816P-104-D
100 kΩ
1608
SSM
PG
R7
Resistor
RR0816P-104-D
100 kΩ
1608
SSM
PG
R8
Resistor
⎯
Pattern short
⎯
⎯
VSEL34
R9
Resistor
⎯
Pattern short
⎯
⎯
FSEL4
C1
Ceramic Capacitor
C3225JB0J107M
100 μF (6.3 V)
3225
TDK
VO
C2
Ceramic Capacitor
C3225JB0J107M
100 μF (6.3 V)
3225
TDK
VO
C3
Ceramic Capacitor GRM31CR60G107ME39L
100 μF (4 V)
3216
MURATA
VO
C4
Ceramic Capacitor GRM31CR60G107ME39L
100 μF (4 V)
3216
MURATA
VO
C5
Ceramic Capacitor GRM31CR60G107ME39L
100 μF (4 V)
3216
MURATA
VO
C6-1
Ceramic Capacitor GRM31CR60G107ME39L
100 μF (4 V)
3216
MURATA
VO
C6-2
Ceramic Capacitor GRM31CR60G107ME39L
100 μF (4 V)
3216
MURATA
VO
C7
Ceramic Capacitor
C2012JB1C475K
4.7 μF(16 V)
2012
TDK
PVDD
C8
Ceramic Capacitor
C2012JB1C475K
4.7 μF(16 V)
2012
TDK
PVDD
C9
Ceramic Capacitor
C2012JB1C475K
4.7 μF(16 V)
2012
TDK
PVDD
C10
Ceramic Capacitor
C2012JB1C475K
4.7 μF(16 V)
2012
TDK
PVDD
C11
Ceramic Capacitor
C2012JB1C475K
4.7 μF(16 V)
2012
TDK
PVDD
C12
Ceramic Capacitor
C2012JB1C475K
4.7 μF(16 V)
2012
TDK
PVDD
C13
Ceramic Capacitor
C1608JB1E224K
0.22 μF (25 V)
1608
TDK
CB
C14
Ceramic Capacitor
C1608JB1E224K
0.22 μF (25 V)
1608
TDK
CB
C15
Ceramic Capacitor
C1608JB1H104K
0.1 μF (50 V)
1608
TDK
CB
C16
Ceramic Capacitor
C1608JB1H104K
0.1 μF (50 V)
1608
TDK
CB
C17
Ceramic Capacitor
C1608JB1H104K
0.1 μF (50 V)
1608
TDK
CB
C18
Ceramic Capacitor
C1608JB1H104K
0.1 μF (50 V)
1608
TDK
CB
C19
Ceramic Capacitor
C1608JB1C105K
1 μF (16 V)
1608
TDK
AVDD
( 转下页 )
46
DS04–27261–6Z
MB39C308
( 承上页 )
符号
元件名称
型号
规格
封装
供应商
备注
C20
Ceramic Capacitor
C1608JB1C105K
1 μF (16 V)
1608
TDK
PVDD7
C21
Ceramic Capacitor
C1608JB1C105K
1 μF (16 V)
1608
TDK
VB
C22
Ceramic Capacitor
C1608JB1A475K
4.7 μF (10 V)
1608
TDK
VREF
L1
Inductor
RLF7030-3R3M4R1
3.3 μH (4.1 A)
SMD
TDK
⎯
L2
Inductor
MPLC0730L3R3
3.3 μH (5.7 A)
SMD
NEC TOKIN
⎯
L3
Inductor
RLF7030-1R5N6R1
1.5 μH (6.1 A)
SMD
TDK
⎯
L4
Inductor
RLF7030-1R5N6R1
1.5 μH (6.1 A)
SMD
TDK
⎯
L5
Inductor
RLF7030-1R5N6R1
1.5 μH (6.1 A)
SMD
TDK
⎯
L6
Inductor
RLF7030-1R5N6R1
1.5 μH (6.1 A)
SMD
TDK
⎯
PIN
Wiring Terminal
WT-2-1
⎯
⎯
Mac-Eight
⎯
FML
SANYO
FAIRCHILD
SSM
TDK
MURATA
NEC TOKIN
Mac-Eight
: 富士通微电子株式会社
: 三洋电机株式会社
: 飞兆半导体日本公司
: 进工业株式会社
: TDK 株式会社
: 株式会社田村制作所
: NEC 东金株式会社
: Mac-Eight 株式会社
DS04–27261–6Z
47
MB39C308
■ 印刷电路板的布局
PCB 布局对稳定操作、降低噪声、转换功率等非常重要。设计布局时，需要参考评估板 (MB39C308EVB-01) 的布局并考虑
以下几点 :
1. IC 外围和各路通道的注意事项
• GND 和散热设计
通常，至少将里层中的一层设为 GND 层 (PGND)。须在各元件和 IC 的 GND 引脚的至近处设置通孔并连接到 GND 层，阻
抗越小越好。
如果条件允许，需要设置 AGND 引脚并使其与大电流通过的 GND 层分离。在 AGND 引脚内，将 VREF, AVDD 引脚的旁路
电容器连接到 IC 的 AGND 引脚。在 IC 的 AGND 引脚的至近处，将 AGND 引脚连接到 GND 层，以防止大电流通过 AGND
引脚。VB 旁路电容器和开关元件的 GND 引脚直接连接到 GND 层。
为使 IC 更有效地散热，须在 IC 各散热引脚的至近处设置通孔并连接到 GND 层。最佳状态为通过焊盘贯孔在各散热引脚
的焊盘部分直接设置通孔。此外，在 IC 贴装位置的基板底部设定 GND 焊盘也能有效散热。
• 旁路电容器和自举电容器
须将连接到 VREE, AVDD, VB, PVDD7 引脚的旁路电容器设置在 IC 各引脚的至近处。在 IC 贴装面的表层以最短距离布线
到各引脚。VB, PVDD7 引脚的旁路电容器的 GND 引脚应以最短距离连接到 PGND7 引脚。
将各通道的自举电容器配置到距离各通道的 CBX, LXX 引脚的至近处。
• 布局例
MB39C308
CBx LXx
AVDD
IC䌈㺙⛞Ⲭ
VREF
䗮ᄨ
⬉ᆍ
VB
PVDD7
x :৘䗮䘧ো
• 反馈线
因连接各通道 FB 引脚的网络对噪声较为敏感，须尽量减少与开关元件和开关线的重叠。
48
DS04–27261–6Z
MB39C308
• PFBGA 的印刷电路板设计规则
SMD
NSMD
㛊㝰ᓔষ䚼ߚ
㛊㝰ᓔষ䚼ߚ
⛞Ⲭ
SMD (㛊㝰ᅮᔶ)
0.5 mm 䯈䎱
DS04–27261–6Z
NSMD (䴲㛊㝰ᅮᔶ)
⛞Ⲭ
㛊㝰ᓔষ䚼ߚ
⛞Ⲭ
㛊㝰ᓔষ䚼ߚ
φ0.325 ∼ φ0.35
φ0.225 ∼ φ0.25
φ0.225 ∼ φ0.25
φ0.325 ∼ φ0.35
49
MB39C308
2. 外接开关 FET 的通道 (CH1 和 CH2)
对于各通道的输入电容 (CIN)- 高端 FET- 低端 FET 构成的环路 ( 环路 1)，须特别用心，使电流环路越小越好。
输入电容 (CIN)、高端 FET(High-side FET)、低端 FET(Low-side FET)、电感器 (L) 和输出电容 (CO) 的连接尽可能地宽、短
并放在表层。此外，连接这些元件时尽量避免使用通孔。
瞬间大电流从 FET 栅极流过 OUT1H、OUT1L、OUT2H、OUT2L 引脚的连接处。走线越短越好 ( 举 MB39C308 评估板为
例，信号线宽为 0.5 mm)。
PVDD1, PVDD2, LX1, LX2 引脚检测高端 FET 的漏极 - 源极间电压。如下图所示，PVDD1, PVDD2 引脚连接到高端 FET
的漏极引脚附近，不要连接到其他位置。LX1, LX2 引脚连接到高端 FET 的源极引脚附近，不要连接到其他位置，自举电容器
的连接如下布局示例图所示。此外，瞬间大电流通过 LX1, LX2 引脚。走线应尽可能短、宽 ( 举 MB39C308 评估板为例，
PVDD1, PVDD2, LX1, LX2 走线宽为 0.5 mm)
如以下布局图所示，PVDD 引脚和 LX 引脚与高端 FET 的漏极引脚和源极引脚未连接时，电流检测值和 PWM/PFM 转换电
流值以及 OCP 设定值可能偏离。
• 布局例
MB39C308
CB1, CB2ᓩ㛮
LX1, LX2ᓩ㛮
PVDD1, PVDD2ᓩ㛮
PVDDᓩ㛮Ẕ⌟ЏッFETⱘⓣᵕ
⬉य़ᑊ䖲᥹ࠄⓣᵕᓩ㛮䰘䖥ˈ
ϡ㽕䖲᥹ࠄ݊Ҫԡ㕂DŽ
ⓣᵕ⛞Ⲭ
ЏッFET
㞾В⬉ᆍ఼
䗮ᄨ
VIN
LXᓩ㛮Ẕ⌟ЏッFETⱘ⑤ᵕ⬉य़
ᑊ䖲᥹ࠄ⑤ᵕᓩ㛮䰘䖥ˈ䰸㞾В
⬉ᆍ఼໪ˈϡ㽕䖲᥹ࠄ݊Ҫԡ㕂DŽ
CIN
⑤ᵕ⛞Ⲭ
PGND
ৠℹᭈ⌕ッFET
CO
⦃䏃
L
VO
㟇FB1, FB2ᓩ㛮
50
DS04–27261–6Z
MB39C308
3. 内置开关 FET 的通道 (CH3、 CH4、 CH5 和 CH6)
各通道的输入电容 (CIN) 尽量配置在 IC 各通道的 PVDDX 和 PGNDX 引脚附近。
PVDDX、LXX、PGNDX 引脚、输入电容 (CIN)、电感器 (L)、输出电容 (CO) 的连接尽可能地宽、短并放在表层。此外，连接这
些开关元件时尽量避免使用通孔。
• 布局例
MB39C308
VIN
PVDDxᓩ㛮
CIN
LXxᓩ㛮
L
PGNDxᓩ㛮
CO
PGND
x :৘䗮䘧ো
DS04–27261–6Z
䗮ᄨ
VO
㟇FBxᓩ㛮
51
MB39C308
■ 使用注意事项
1. 设定条件不可超出最大额定值。
使用时如果超出最大额定值，可对 LSI 造成永久性损坏。
另外，平时使用时，也希望在推荐工作条件下使用。超出推荐工作条件的使用对 LSI 的可靠性带来不良影响。
2. 在推荐工作条件下使用。
推荐工作条件是确保 LSI 正常工作的保证值。
在推荐工作条件范围内以及各项条件下，电气特性的规格值都可得到保证。
3. 关于印刷电路板的接地，按照通用阻抗设计。
4. 采取防静电措施。
• 使用已采取防静电措施的容器或具有导电性的容器存放半导体。
• 保管、搬运贴片后的电路板时，使用导电性包装或容器。
• 将工作台、工具和测量仪器接地。
• 在操作人员的身体和接地之间，串联 250 kΩ ~ 1 MΩ 电阻后接地。
5. 不可施加负电压。
施加 − 0.3 V 以下的负电压时，可能会使 LSI 的寄生晶体管启动并导致误动作。
6. 连接负载时的注意点
DC/DC 工作状态中，若通过硬件开关连接远远大于 DC/DC 输出电容的电容，则剧烈响应可能会使输出电压振荡，或使保
护功能启动。须注意以下几点 :
• 连接负载电容器
一般使用 P-ch FET 作为负载开关。如下图所示，在栅极插入电阻器可使开关逐渐接通以防止冲击电流。
VO
负载电容器
负载开关
7. 输出半短路
DC/DC 输出与 GND 等低电位点发生短路时，短路保护 (SCP) 功能将输出停止。需要注意的是在半短路状态下，短路保护
(SCP) 功能不停止输出。在内置 FET 的多路通道中，发生半短路状态的情况下，可能引起冒烟、起火，因此建议输入端安装
保险丝。
[ 半短路 : 是指尽管有过电流，输出电压不降低程度的短路状态。]
52
DS04–27261–6Z
MB39C308
8. 电源容量不足对 SCP 锁定功能的影响
像输出短路这样的情况，所需输入电流超过了电源的电流极限，电源电压可能会下降。此时电源电压降至 5 V (Typ) 以下
时，欠压锁定 (UVLO) 功能将输出停止。因输出停止，输入电源电压恢复。电压一旦恢复，输出重启。该过程按顺序重复以下
4 个阶段。
1. 电源电流达到极限时，电源电压下降。
2. UVLO 功能停止 DC/DC 输出。
3. UVLO 功能解除。
4. 输出电流和电源电流增大。
在内置 FET 的多路通道中，如果发生半短路状态，可能引起冒烟、起火，因此建议输入端安装保险丝。
SCPϡ㛑䫕ᅮⱘഎড়
SCPℷᐌᎹ԰
䕧ߎⷁ䏃
䕧ߎⷁ䏃
UVLO
䯜ؐ
䖳⒲
⬉⑤⬉⌕
UVLO
DC/DC䕧ߎ⬉य़
DC/DC䕧ߎ⬉⌕
䅵ᯊ
⬉⑤⬉⌕ᵕ䰤
⬉⑤⬉⌕
SCP䫕ᅮ
1
2 4 1...
3
■ 订购型号
型号
封装
备注
208 球塑封 PFBGA
(BGA-208P-M02)
MB39C308BGF
■ 评估板的订购型号
型号
MB39C308EVB-11
评估板版号
备注
Board rev.1.0
PFBGA-208
■ 符合 RoHS 指令要求的品质管理 ( 无铅品 )
富士通半导体符合 RoHS 指令要求的 LSI 产品，其铅、镉、水银、六价铬及特性溴系难燃剂 (PBB 和 PBDE) 的含量都符合
RoHS 指令要求。产品编号的末尾缀以 ”E1” 表示。
DS04–27261–6Z
53
MB39C308
■ 产品印章 ( 无铅品 )
J APAN
MB 39 C308
XXXX XXX
E1
无铅标识
INDEX
54
DS04–27261–6Z
MB39C308
■ 产品标签 ( 无铅品的示例 )
无铅标识
JEITA 规格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 规格
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
无铅产品在型号末尾缀 "E1"。
DS04–27261–6Z
55
MB39C308
■ MB39C308BGF 推荐贴片条件
【本公司推荐贴片条件】
项目
内容
贴片方法
IR ( 红外线回流焊接 ) / 手工焊接 ( 部分加热法 )
贴片次数
2次
保管期间
开箱前
制造后 2 年以内使用
从开箱到第 2 次回流焊接之间的保管期间
6 天之内
超出开箱后的保管期间
实施烘烤 (125 °C， 24 小时 ) 后，
6 天之内处理
5 °C ~ 30 °C， 70％RH 以下 ( 尽可能低湿度 )
保管条件
【贴装方法的各种条件】
(1) IR ( 红外线回流焊接 )
250 °C
245 °C
真正加热
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(a)
M 级 : 250 °C Max
(a) 温度上升坡度
(b) 预加热
(c) 温度上升坡度
(d) 峰值温度
(d’) 真正加热
(e) 冷却
(c)
(d)
(e)
(d')
: 平均 1 °C/s ~ 4 °C/s
: 温度 170 °C ~ 190 °C， 60 s ~ 180 s
: 平均 1 °C/s ~ 4 °C/s
: 温度 250 °C Max
10 s 以内高于 245 °C
: 40 s 以内高于 230 °C
或
60s 以内高于 225 °C
或
80 s 以内高于 220 °C
: 自然冷却或强制冷却
( 注意事项 ) 上列温度为封装表面温度
(2) 手工焊接 ( 部分加热法 )
焊枪头温度 : 最高 400 °C
时间 : 5 秒以内 / 每只引脚
56
DS04–27261–6Z
MB39C308
■ 封装 / 外形尺寸图
0.50 mm
Lead pitch
208-pin plastic PFBGA
Package width ×
package length
9.00 mm × 9.00 mm
Ball
Lead shape
Sealing method
Plastic mold
Mounting height
1.30 mm Max
Weight
0.10 g
(BGA-208P-M02)
208-pin plastic PFBGA
(BGA-208P-M02)
9.00±0.10(.354±.004)
0.20(.008) S B
B
0.50(.020)
TYP
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A
9.00±0.10
(.354±.004)
0.50(.020)
TYP
(INDEX AREA)
T R P N MLK J HGF E DCBA
0.20(.008) S A
INDEX
208-ø0.30±0.10
(208-ø.012±.004)
ø0.05(.002)
M
S AB
S
0.10(.004) S
C
1.30(.051)
MAX
2007-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED B208002S-c-1-4
Dimensions in mm (inches).
Note:The values in parentheses are reference values.
请访问以下 URL 获取最新封装信息 :
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
DS04–27261–6Z
57
MB39C308
■ 目录
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58
页码
概要 ........................................................................................................................................ 1
特征 ........................................................................................................................................ 1
应用 ........................................................................................................................................ 2
引脚配置图 ............................................................................................................................. 3
引脚功能介绍 .......................................................................................................................... 4
框图 ........................................................................................................................................ 7
绝对最大额定 .......................................................................................................................... 9
推荐工作条件 .......................................................................................................................... 10
电气特性 ................................................................................................................................. 12
通道控制功能 .......................................................................................................................... 19
电源正常输出功能 ................................................................................................................... 19
保护功能 ................................................................................................................................. 20
软启动和软停止功能的工作原理 ............................................................................................. 21
CH3/CH4/CH6 的输出电压预设功能 ...................................................................................... 23
典型特性 ................................................................................................................................. 24
未使用引脚的处理 ................................................................................................................... 26
应用手册 ................................................................................................................................. 30
参考数据 ................................................................................................................................. 36
应用电路例 ............................................................................................................................. 44
元件表 ..................................................................................................................................... 46
印刷电路板的布局 ................................................................................................................... 48
使用注意事项 .......................................................................................................................... 52
订购型号 ................................................................................................................................. 53
评估板的订购型号 ................................................................................................................... 53
符合 RoHS 指令要求的品质管理 ( 无铅品 ) ............................................................................ 53
产品印章 ( 无铅品 ) ................................................................................................................. 54
产品标签 ( 无铅品的示例 ) ...................................................................................................... 55
MB39C308BGF 推荐贴片条件 ............................................................................................... 56
封装 / 外形尺寸图 ................................................................................................................... 57
DS04–27261–6Z
MB39C308
MEMO
DS04–27261–6Z
59
MB39C308
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Nomura Fudosan Shin-yokohama Bldg. 10-23, Shin-yokohama 2-Chome,
Kohoku-ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan
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30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road,
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本手册介绍的产品旨在为一般用途而设计、开发和制造，包括一般的工业使用、通常办公使用、个人使用和家庭使用；
而非用于以下领域的设计、开发和制造 (1) 使用中伴随着致命风险或危险，若不加以特殊高度安全保障，有可能导致对公
众产生危害，甚至直接造成死亡、人身伤害、严重物质损失或其他损失 ( 即核设施的核反应控制、航空飞行控制、空中交
通控制、公共交通控制、医用维系生命系统、核武器系统的导弹发射控制 )，(2) 需要极高可靠性的应用领域 ( 比如海底中
转器和人造卫星 )。
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半导体器件存在一定的故障发生概率。请用户对器件和设备采取冗余设计、消防设计、过流防护，其他异常操作防护措
施等安全设计，保证即使在 FUJITSU SEMICONDUCTOR 半导体器件发生故障的情况下，也不会造成人身伤害、社会损
害或重大损失。
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