DA3547

初稿
2011 年 3 月 15 日
直接贴装 DA3547™ LED
CxxxDA3547-Sxxx00
技术数据表
Cree 的直接贴装 DA3547 LED 是下一代的固态 LED 发射器，它将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料与 Cree 的专有器件技术和碳化
硅基板相结合，为常规照明市场提供了卓越的价值。DA3547 LED 是照明市场中辉度最高的产品，且只需要较低的正向电压，提供了
一个高辉度和高效率的解决方案。焊盘向下的设计使得可以采用共晶法贴片工艺，无需键合引线，并且由于热管理的改善而实现卓越
的性能。设计经过优化，非常适合行业标准的顶发光式封装。
应用
特点
•
•
方形 LED 辐射通量性能
––
大型 LCD 背光
––
450 和 460 nm – 最小 76 mW
电视
•
高可靠性 - 共晶贴片
•
常规照明
•
正向电压 (Vf) 低 - 50 mA 时为 3.1 V（典型值）
•
中型 LCD 背光
•
最大直流正向电流 – 150 mA
––
便携式电脑
•
1000 V ESD 阈值额定
––
显示器
•
氮化铟镓 (InGaN) 结向下式设计，改善热管理
•
LED 显示屏
•
无需引线键合
•
白光 LED
CxxxDA3547-Sxxx00 芯片示意图
俯视图
DA3547 LED
350 x 470 μm
R3EL Rev. A
技术数据表： CP
仰视图
祼芯片横截面
阳极 (+)
296 x 90 μm
间隙 90 μm
阴极 (-)
296 x 236 μm
t = 155 μm
信息若有更改，恕不另行通知。
www.cree.com
1
初稿
2011 年 3 月 15 日
最大额定值，TA = 25°C 注 1,3, & 4
CxxxDA3547-Sxxx00
直流正向电流
150 mA
峰值正向电流 (1kHz，1/10 周期)
200 mA
LED 结温
150°C
反向电压
5V
-40°C 至 +100°C
工作温度范围
-40°C 至 +100°C
储存温度范围
静电放电阈值 (HBM) 注
1000 V
2
防静电等级 (依照 MIL-STD-883E) 注 2
2级
典型电气/光学特征，TA = 25°C，If = 50 mA 注 3
正向电压 (Vf, V)
部件号
反向电流
[I(Vr=5V), μA]
半高全宽 (FWHM)
(λD, nm)
最小
典型
最大
最大
典型
C450DA3547-Sxxx00
2.8
3.1
3.4
2
20
C460DA3547-Sxxx00
2.8
3.1
3.4
2
21
CxxxDA3547-Sxxx00
机械规格
说明
P-N 结面积 (μm)
尺寸
公差
296 x 416
±35
芯片底面积 (μm)
350 x 470
±35
芯片顶面积 (μm)
200 x 320
±35
155
±15
金锡焊盘宽度 – 阳极 (μm)
芯片厚度 (μm)
90
±15
金锡焊盘长度 – 阳极 (μm)
296
±35
金锡焊盘宽度 – 阴极 (μm)
236
±35
金锡焊盘长度 – 阴极 (μm)
296
±35
90
±15
3
±0.5
焊盘间隙 (μm)
金锡焊盘厚度 (μm)
注：
1.
2.
3.
4.
最大额定值取决于封装。上述额定值是用金属核心电路板上的芯片垫块测定的 (采用硅胶封装和金锡金属自体贴片)。其他封装的额定值可能不同。应当在特定封装中了解
结温的特性，以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。
根据人体模型，产品的抗静电放电 (ESD) 能力通过使用快速雪崩能量测试 (RAET) 模拟 ESD 进行测量。RAET 程序是为了粗略估计所示的最大 ESD 额定值。
当组装后的产品在电流为 50 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时，所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高，效率越低。提供的典
型值在制造商对大批量产品所期望的平均值范围内，仅供参考。所有测量均使用 T-1 3/4 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂封装和金锡金属自体贴片) 的灯完成。
光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。
最大正向电流由 LED 结点和环境之间的热阻决定。最终产品的设计方式必须能够将 LED 结点到环境的热阻减至最小，以优化产品的性能，这一点非常重要。
版权所有 © 2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA3547 是 Cree,
Inc. 的商标。
2
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初稿
2011 年 3 月 15 日
CxxxDA3547-Sxxx00 标准分档
LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxDA3547-Sxxxxx)
订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxDA3547-xxxxx) 交付。此处显示和规定的所有辐射通量和主波长值是在 If = 50 mA
条件下测定的。
辐射通量 (mW)
C450DA3547-S07600
88
82
76
C450DA3547-0313
C450DA3547-0314
C450DA3547-0315
C450DA3547-0316
C450DA3547-0309
C450DA3547-0310
C450DA3547-0311
C450DA3547-0312
C450DA3547-0305
C450DA3547-0306
C450DA3547-0307
C450DA3547-0308
445
447.5
450
主波长 (nm)
452.5
455
辐射通量 (mW)
C460DA3547-S07600
88
82
76
C460DA3547-0313
C460DA3547-0314
C460DA3547-0315
C460DA3547-0316
C460DA3547-0309
C460DA3547-0310
C460DA3547-0311
C460DA3547-0312
C460DA3547-0305
C460DA3547-0306
C460DA3547-0307
C460DA3547-0308
455
457.5
460
462.5
465
主波长 (nm)
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初稿
2011 年 3 月 15 日
特征曲线
这些是 DA LED 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档，实际的值将稍有不同。
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2011 年 3 月 15 日
辐射场型
这是 DA LED 产品的代表性辐射场型。每颗芯片的实际场型将稍有不同。
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