CPR3EU

初稿
2011 年 3 月 15 日
直接贴装 DA700™ LED
CxxxDA700-Sxx000
技术数据表
Cree 的直接贴装 DA700 LED 是新一代的固态 LED 发射器,它将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料与 Cree 的专有器件技术和碳化硅
基板相结合,为常规照明市场提供了卓越的价值。 DA700 LED 是照明市场中辉度最高的产品,且只需要较低的正向电压,提供了一
个高辉度和高效率的解决方案。焊盘向下的设计使得可以采用共晶法贴片工艺,无需键合引线,并且由于热管理的改善而实现卓越的
性能。
特点
应用
•
直接贴装 LED 技术
•
•
方形 LED 辐射通量性能
––
飞机
––
––
装饰照明
450 和 460 nm – 最小 430 mW
常规照明
•
高可靠性 - 共晶贴片
––
任务照明
•
正向电压 (Vf) 低 - 350 mA 时为 3.3 V(典型值)
––
室外照明
•
最大直流正向电流 – 750 mA
•
白光 LED
•
氮化铟镓 (InGaN) 结向下式设计,改善热管理
•
相机闪光灯
•
无需引线键合
•
投射显示
•
汽车
•
大型 LCD 背光
––
电视
CxxxDA700-Sxx000 芯片示意图
R3EU Rev. 技术数据表: CP
俯视图
仰视图
祼芯片横截面
DA700 LED
700 x 700 μm
阳极 (+)
645 x 75 μm
间隙 75 μm
阴极 (-)
645 x 495 μm
t = 335 μm
信息若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com
1
初稿
2011 年 3 月 15 日
最大额定值,TA = 25°C 注 1, 2 & 3
CxxxDA700-Sxx000
750 mA
直流正向电流
峰值正向电流 (1kHz,1/10 周期)
1000 mA
LED 结温
150°C
反向电压
5V
工作温度范围
-40°C 至 +100°C
储存温度范围
-40°C 至 +100°C
典型电气/光学特征,TA = 25°C,If = 350 mA 注 2
正向电压 (Vf, V)
部件号
反向电流
[I(Vr=5V), μA]
半高全宽 (FWHM)
(λD, nm)
最小
典型
最大
最大
典型
C450DA700-Sxx000
2.9
3.3
3.5
2
20
C460DA700-Sxx000
2.9
3.3
3.5
2
21
CxxxDA700-Sxx000
机械规格
说明
P-N 结面积 (μm)
尺寸
公差
645 x 645
±35
芯片底面积 (μm)
700 x 700
±35
芯片顶面积 (μm)
340 x 340
±35
335
±25
金锡焊盘宽度 – 阳极 (μm)
芯片厚度 (μm)
75
±15
金锡焊盘长度 – 阳极 (μm)
645
±35
金锡焊盘宽度 – 阴极 (μm)
495
±35
金锡焊盘长度 – 阴极 (μm)
645
±35
75
±15
3
±0.5
焊盘间隙 (μm)
金锡焊盘厚度 (μm)
注:
1.
2.
3.
最大额定值取决于封装。上述额定值是用 Cree 3.45-mm x 3.45-mm SMT 封装 (采用硅胶封装和金锡金属自体贴片) 测定的。其他封装的额定值可能不同。应当在特
定封装中了解结温的特性,以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。
当组装后的产品在电流为 350 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时,所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高,效率越低。提供的典
型值在制造商对大批量产品所期望的平均值范围内,仅供参考。所有测量均使用 T-1 ¾ 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂封装和金锡金属自体贴片) 的灯完成。
光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。
最大正向电流由 LED 结点和环境之间的热阻决定。最终产品的设计方式必须能够将 LED 结点到环境的热阻减至最小,以优化产品的性能,这一点非常重要。
版权所有 © 2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标,DA 和 DA700 是 Cree,
Inc. 的商标。
2
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CxxxDA700-Sxx000 标准分档
LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxDA700-Sxxxxx)
订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxDA700-xxxxx) 交付。此处显示和规定的所有辐射通量和主波长值是在 If =
350 mA 条件下测定的。
辐射通量 (mW)
C450DA700-S43000
515
C450DA700-0217
C450DA700-0218
C450DA700-0219
C450DA700-0220
485
C450DA700-0213
C450DA700-0214
C450DA700-0215
C450DA700-0216
455
C450DA700-0209
C450DA700-0210
C450DA700-0211
C450DA700-0212
430
C450DA700-0205
C450DA700-0206
C450DA700-0207
C450DA700-0208
445
447.5
450
452.5
455
主波长 (nm)
辐射通量 (mW)
C460DA700-S43000
C460DA700-0217
C460DA700-0218
C460DA700-0219
C460DA700-0220
C460DA700-0213
C460DA700-0214
C460DA700-0215
C460DA700-0216
455
C460DA700-0209
C460DA700-0210
C460DA700-0211
C460DA700-0212
430
C460DA700-0205
C460DA700-0206
C460DA700-0207
C460DA700-0208
515
485
455
457.5
460
462.5
465
主波长 (nm)
注:上面的辐射通量值是 T-1¾ 封装的 5 mm 灯中所用裸芯片的代表性数据。
版权所有 © 2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标,DA 和 DA700 是 Cree,
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DW Shi
0
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2011 年 3 月 15 日
-2
0
特征曲线
100
200
300
400
500
600
700
If (mA)
Relative Light Intensity Vs Junction Temperature
这些是 DA LED 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档,实际的值将稍有不同。
100%
Wavelength Shift vs. Forward Current
Forward Current vs. Forward Voltage
95%
2
Relative Intensity
DW Shift (nm)
700
600
If (mA)
500
400
300
200
90%
1
85%
80%
0
75%
-1
70%
25
100
0
50
1
2
3
4
5
100
125
150
Junction Temperature (°C)
-2
0
75
0
100
200
300
Vf (V)
400
500
600
700
If (mA)
Relative Intensity vs. Forward Current
Dominant Wavelength Shift Vs Junction Temperature
200%
6
Forward Current vs. Forward Voltage
175%
700
Shift (nm)
IfDW
(mA)
Relative Intensity
150%
125%
100%
75%
5
600 4
500
3
400
2
50%
300
25%
200
1
100 0
0%
0
100
200
300
400
500
600
25
700
0
If (mA)
75
100
2
3 (°C)
Junction
Temperature
1
125
150
4
5
Vf (V)
Voltage Shift Vs Junction Temperature
Relative Light Intensity Vs Junction Temperature
0.000
100%
Wavelength Shift vs. Forward Current
95%
2
-0.050
-0.100
Voltage Shift (V)
Relative
DW Shift
(nm) Intensity
50
0
90%
1
85%
80%
0
-0.150
-0.200
-0.250
-0.300
75%
-0.350
-1
70%
-0.400
25
50
75
100
125
150
Junction Temperature (°C)
-2
0
100
200
300
400
500
25
50
75
100
125
150
Junction Temperature (°C)
600
700
If (mA)
Dominant Wavelength Shift Vs Junction Temperature
版权所有 ©
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初稿
DA700 blue
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辐射场型
这是 DA LED 产品的代表性辐射场型。每颗芯片的实际场型将稍有不同。
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