初稿 2011 年 3 月 15 日 直接贴装 DA700™ LED CxxxDA700-Sxx000 技术数据表 Cree 的直接贴装 DA700 LED 是新一代的固态 LED 发射器，它将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料与 Cree 的专有器件技术和碳化硅 基板相结合，为常规照明市场提供了卓越的价值。 DA700 LED 是照明市场中辉度最高的产品，且只需要较低的正向电压，提供了一 个高辉度和高效率的解决方案。焊盘向下的设计使得可以采用共晶法贴片工艺，无需键合引线，并且由于热管理的改善而实现卓越的 性能。 特点 应用 • 直接贴装 LED 技术 • • 方形 LED 辐射通量性能 –– 飞机 –– –– 装饰照明 450 和 460 nm – 最小 430 mW 常规照明 • 高可靠性 - 共晶贴片 –– 任务照明 • 正向电压 (Vf) 低 - 350 mA 时为 3.3 V（典型值） –– 室外照明 • 最大直流正向电流 – 750 mA • 白光 LED • 氮化铟镓 (InGaN) 结向下式设计，改善热管理 • 相机闪光灯 • 无需引线键合 • 投射显示 • 汽车 • 大型 LCD 背光 –– 电视 CxxxDA700-Sxx000 芯片示意图 R3EU Rev. 技术数据表： CP 俯视图 仰视图 祼芯片横截面 DA700 LED 700 x 700 μm 阳极 (+) 645 x 75 μm 间隙 75 μm 阴极 (-) 645 x 495 μm t = 335 μm 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 1 初稿 2011 年 3 月 15 日 最大额定值，TA = 25°C 注 1, 2 & 3 CxxxDA700-Sxx000 750 mA 直流正向电流 峰值正向电流 (1kHz，1/10 周期) 1000 mA LED 结温 150°C 反向电压 5V 工作温度范围 -40°C 至 +100°C 储存温度范围 -40°C 至 +100°C 典型电气/光学特征，TA = 25°C，If = 350 mA 注 2 正向电压 (Vf, V) 部件号 反向电流 [I(Vr=5V), μA] 半高全宽 (FWHM) (λD, nm) 最小 典型 最大 最大 典型 C450DA700-Sxx000 2.9 3.3 3.5 2 20 C460DA700-Sxx000 2.9 3.3 3.5 2 21 CxxxDA700-Sxx000 机械规格 说明 P-N 结面积 (μm) 尺寸 公差 645 x 645 ±35 芯片底面积 (μm) 700 x 700 ±35 芯片顶面积 (μm) 340 x 340 ±35 335 ±25 金锡焊盘宽度 – 阳极 (μm) 芯片厚度 (μm) 75 ±15 金锡焊盘长度 – 阳极 (μm) 645 ±35 金锡焊盘宽度 – 阴极 (μm) 495 ±35 金锡焊盘长度 – 阴极 (μm) 645 ±35 75 ±15 3 ±0.5 焊盘间隙 (μm) 金锡焊盘厚度 (μm) 注： 1. 2. 3. 最大额定值取决于封装。上述额定值是用 Cree 3.45-mm x 3.45-mm SMT 封装 (采用硅胶封装和金锡金属自体贴片) 测定的。其他封装的额定值可能不同。应当在特 定封装中了解结温的特性，以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。 当组装后的产品在电流为 350 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时，所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高，效率越低。提供的典 型值在制造商对大批量产品所期望的平均值范围内，仅供参考。所有测量均使用 T-1 ¾ 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂封装和金锡金属自体贴片) 的灯完成。 光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。 最大正向电流由 LED 结点和环境之间的热阻决定。最终产品的设计方式必须能够将 LED 结点到环境的热阻减至最小，以优化产品的性能，这一点非常重要。 版权所有 © 2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA700 是 Cree, Inc. 的商标。 2 CPR3EU Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 初稿 2011 年 3 月 15 日 CxxxDA700-Sxx000 标准分档 LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxDA700-Sxxxxx) 订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxDA700-xxxxx) 交付。此处显示和规定的所有辐射通量和主波长值是在 If = 350 mA 条件下测定的。 辐射通量 (mW) C450DA700-S43000 515 C450DA700-0217 C450DA700-0218 C450DA700-0219 C450DA700-0220 485 C450DA700-0213 C450DA700-0214 C450DA700-0215 C450DA700-0216 455 C450DA700-0209 C450DA700-0210 C450DA700-0211 C450DA700-0212 430 C450DA700-0205 C450DA700-0206 C450DA700-0207 C450DA700-0208 445 447.5 450 452.5 455 主波长 (nm) 辐射通量 (mW) C460DA700-S43000 C460DA700-0217 C460DA700-0218 C460DA700-0219 C460DA700-0220 C460DA700-0213 C460DA700-0214 C460DA700-0215 C460DA700-0216 455 C460DA700-0209 C460DA700-0210 C460DA700-0211 C460DA700-0212 430 C460DA700-0205 C460DA700-0206 C460DA700-0207 C460DA700-0208 515 485 455 457.5 460 462.5 465 主波长 (nm) 注：上面的辐射通量值是 T-1¾ 封装的 5 mm 灯中所用裸芯片的代表性数据。 版权所有 © 2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA700 是 Cree, Inc. 的商标。 3 CPR3EU Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] DW Shi 0 初稿 -1 2011 年 3 月 15 日 -2 0 特征曲线 100 200 300 400 500 600 700 If (mA) Relative Light Intensity Vs Junction Temperature 这些是 DA LED 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档，实际的值将稍有不同。 100% Wavelength Shift vs. Forward Current Forward Current vs. Forward Voltage 95% 2 Relative Intensity DW Shift (nm) 700 600 If (mA) 500 400 300 200 90% 1 85% 80% 0 75% -1 70% 25 100 0 50 1 2 3 4 5 100 125 150 Junction Temperature (°C) -2 0 75 0 100 200 300 Vf (V) 400 500 600 700 If (mA) Relative Intensity vs. Forward Current Dominant Wavelength Shift Vs Junction Temperature 200% 6 Forward Current vs. Forward Voltage 175% 700 Shift (nm) IfDW (mA) Relative Intensity 150% 125% 100% 75% 5 600 4 500 3 400 2 50% 300 25% 200 1 100 0 0% 0 100 200 300 400 500 600 25 700 0 If (mA) 75 100 2 3 (°C) Junction Temperature 1 125 150 4 5 Vf (V) Voltage Shift Vs Junction Temperature Relative Light Intensity Vs Junction Temperature 0.000 100% Wavelength Shift vs. Forward Current 95% 2 -0.050 -0.100 Voltage Shift (V) Relative DW Shift (nm) Intensity 50 0 90% 1 85% 80% 0 -0.150 -0.200 -0.250 -0.300 75% -0.350 -1 70% -0.400 25 50 75 100 125 150 Junction Temperature (°C) -2 0 100 200 300 400 500 25 50 75 100 125 150 Junction Temperature (°C) 600 700 If (mA) Dominant Wavelength Shift Vs Junction Temperature 版权所有 © 6 2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA700 是 Cree, Inc. 的商标。 4 5 CPR3EU Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 初稿 DA700 blue 2011 年 3 月 15 日 辐射场型 这是 DA LED 产品的代表性辐射场型。每颗芯片的实际场型将稍有不同。 版权所有 © 2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA700 是 Cree, Inc. 的商标。 5 CPR3EU Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]