RazerThin® 第 III 代 LED CxxxRT200-Sxxxx Cree 的 RazerThin LED 是新一代固态 LED 发射器，它将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料与 Cree 的专有 G•SiC® 基板相结合， 成就了具有卓越性价比的高亮度蓝光和绿光 LED。LED 芯片为垂直结构，高度约 95 微米，且对正向电压的要求较低。Cree 的 RazerThin 系列芯片能够耐受 1000 V 的静电放电电压。 特点 应用 • 薄形 95 μm 芯片 • 低正向电压 –– 白光 LED –– –– 蓝光 LED –– 绿光 LED • • 在 5 mA 时为 3.0 V（典型值） RazerThin LED 性能 移动电话按键 –– 460 nm - 最小 10 mW • 蜂窝式电话 LCD 背光 –– 470 nm - 最小 8 mW • 汽车仪表盘照明 –– 527 nm - 最小 2 mW • LED 显示屏 • 音频产品显示屏照明 • 单焊线结构 • 2 级 ESD 额定值 CxxxRT200-Sxxxx 芯片示意图 俯视图 仰视图 祼芯片横截面 R3DS Rev. 技术数据表： CP 170 x 170 μm G•SiC LED 芯片 200 x 200 μm 阳极 (+) t = 95 μm 金焊盘 112 μm 直径 阴极 (-) 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 背面 金属化 90 平方微米 1 最大额定值，TA = 25°C 注 1&3 CxxxRT200-Sxxxx 30 mA 直流正向电流 峰值正向电流 (1kHz，1/10 周期) 100 mA LED 结温 125°C 反向电压 5V -40°C 至 +100°C 工作温度范围 -40°C 至 +100°C 储存温度范围 静电放电阈值 (HBM) 注 1000 V 2 2级 防静电等级 (依照 MIL-STD-883E) 注 2 典型电气/光学特征，TA = 25°C，IF = 5 mA 注 3 正向电压 (Vf, V) 部件号 反向电流 [I(Vr=5V), μA] 半高全宽 (FWHM) (λD, nm) 最小 典型 最大 最大 典型 C460RT200-Sxxxx 2.7 3.0 3.3 1 24 C470RT200-Sxxxx 2.7 3.0 3.3 1 25 C527RT200-Sxxxx 2.7 3.1 3.4 1 40 CxxxRT200-Sxxxx 机械规格 说明 尺寸 公差 P-N 结面积 (μm) 150 x 150 ± 35 顶面积 (μm) 200 x 200 ± 35 底面积 (μm) 170 x 170 ± 35 95 ± 15 芯片厚度 (μm) 金焊盘直径 (μm) 112 ± 20 金焊盘厚度 (μm) 1.0 ± 0.5 背接触金属宽度 (μm) 90 ± 10 注： 1. 2. 3. 4. 最大额定值取决于封装。上述额定值是用 T-1 3/4 封装测定的 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂)。卖方对其所用 T-1 3/4 封装以外的其他封装不做 任何关于额定值的表述。正向电流 (直流和峰值) 不受 G•SiC 裸芯片的限制，但会受到封装上 LED 结温的影响。125°C 的结温限制是对 T-1 3/4 封装的限制；应当在特定封装中了解结温的特性，以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。 产品的抗静电放电 (ESD) 能力通过使用快速雪崩能量测试 (RAET) 模拟 ESD 进行测量。RAET 程序是为了粗略估计所示的最大 ESD 额定值。卖方 对产品耐受 ESD 的能力不作其他任何保证。 当组装后的产品在电流为 5 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时，所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高， 效率越低。提供的典型值为卖方对大批量产品所期望的平均值，仅供参考。卖方对所发产品是否达到这些典型额定值不作保证。所有测量均使用 T-1 3/4 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂) 的灯完成。主波长测量值是使用 “照度 E” 获得的。 规格若有更改，恕不另行通知。 版权所有 © 2008 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree、Cree 徽标、G•SiC 和 RazerThin 是 Cree, Inc. 的注册商标。 2 CPR3DS Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] CxxxRT200-Sxx000 标准分档 LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxRT200-Sxx000) 订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxRT200-xxxx) 交付。此处显示和规定的所有辐射通量值是在 IF = 20 mA 条件下测 定的；主波长值是在 IF = 5 mA 条件下测定。 辐射通量 C460RT200-S1200 C460RT200-0309 C460RT200-0310 C460RT200-0311 C460RT200-0312 C460RT200-0305 C460RT200-0306 C460RT200-0307 C460RT200-0308 14.0 mW 12.0 mW 455 nm 457.5 nm 460 nm 主波长 462.5 nm 465 nm 辐射通量 C460RT200-S1000 C460RT200-0309 C460RT200-0310 C460RT200-0311 C460RT200-0312 C460RT200-0305 C460RT200-0306 C460RT200-0307 C460RT200-0308 C460RT200-0301 C460RT200-0302 C460RT200-0303 C460RT200-0304 14.0 mW 12.0 mW 10.0 mW 455 nm 457.5 nm 460 nm 主波长 462.5 nm 版权所有 © 2008 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree、Cree 徽标、G•SiC 和 RazerThin 是 Cree, Inc. 的注册商标。 3 CPR3DS Rev. - 465 nm 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] CxxxRT200-Sxx000 标准分档（续） 辐射通量 C470RT200-S1200 C470RT200-0313 C470RT200-0314 C470RT200-0315 C470RT200-0316 C470RT200-0309 C470RT200-0310 C470RT200-0311 C470RT200-0312 14.0 mW 12.0 mW 465 nm 467.5 nm 470 nm 主波长 472.5 nm 475 nm 辐射通量 C470RT200-S1000 C470RT200-0313 C470RT200-0314 C470RT200-0315 C470RT200-0316 C470RT200-0309 C470RT200-0310 C470RT200-0311 C470RT200-0312 C470RT200-0305 C470RT200-0306 C470RT200-0307 C470RT200-0308 14.0 mW 12.0 mW 10.0 mW 465 nm 467.5 nm 470 nm 主波长 472.5 nm 475 nm C470RT200-S0800 C470RT200-0313 C470RT200-0314 C470RT200-0315 C470RT200-0316 C470RT200-0309 C470RT200-0310 C470RT200-0311 C470RT200-0312 C470RT200-0305 C470RT200-0306 C470RT200-0307 C470RT200-0308 C470RT200-0301 C470RT200-0302 C470RT200-0303 C470RT200-0304 辐射通量 14.0 mW 12.0 mW 10.0 mW 8.0 mW 465 nm 467.5 nm 470 nm 主波长 472.5 nm 版权所有 © 2008 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree、Cree 徽标、G•SiC 和 RazerThin 是 Cree, Inc. 的注册商标。 4 CPR3DS Rev. - 475 nm 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] CxxxRT200-Sxx000 标准分档（续） 辐射通量 C527RT200-S0400 C527RT200-0310 C527RT200-0311 C527RT200-0312 C527RT200-0307 C527RT200-0308 C527RT200-0309 5.0 mW 4.0 mW 520 nm 525 nm 530 nm 535 nm 主波长 辐射通量 C527RT200-S0300 C527RT200-0310 C527RT200-0311 C527RT200-0312 C527RT200-0307 C527RT200-0308 C527RT200-0309 C527RT200-0304 C527RT200-0305 C527RT200-0306 5.0 mW 4.0 mW 3.0 mW 520 nm 525 nm 530 nm 535 nm 主波长 C527RT200-S0200 C527RT200-0310 C527RT200-0311 C527RT200-0312 C527RT200-0307 C527RT200-0308 C527RT200-0309 C527RT200-0304 C527RT200-0305 C527RT200-0306 C527RT200-0301 C527RT200-0302 C527RT200-0303 辐射通量 5.0 mW 4.0 mW 3.0 mW 2.0 mW 520 nm 525 nm 530 nm 535 nm 主波长 版权所有 © 2008 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree、Cree 徽标、G•SiC 和 RazerThin 是 Cree, Inc. 的注册商标。 5 CPR3DS Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 特征曲线 这些是 RazerThin 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档，实际的值将稍有不同。 版权所有 © 2008 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree、Cree 徽标、G•SiC 和 RazerThin 是 Cree, Inc. 的注册商标。 6 CPR3DS Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]