RSSA

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シリコンサージアブソーバ
ABD
（Avalanche Breakdown Diode）
■公称ブレークダウン電圧
（VBR）
特 長
アバランシェ電流が流れ始める電圧で、通常1mA通電時
の端子間電圧。
●急峻なサージに対し高速応答性
（10-12sec）
を有している
●繰り返しサージに対しほとんど劣化しない
●動作時の内部抵抗が非常に小さい
●漏れ電流が非常に小さい
■ 最大使用電圧
（VWM）
連続して素子に印加できる最大電圧。
■漏れ電流
（IR）
用 途
スタンドオフ電圧印加時に素子を流れる電流の最大値を
いう。
●エアコン、
アミューズメント機器、
各種通信機器、
データ伝送
装置 等
電流
■定格ピークインパルス電流
（IPPM）
I PPM
素子に通電できる非繰り返し保証のピークインパルス電
流。電流波形は規定され、表では8/20μsを使用してい
る。
IT
IR
VC VBR VWM
■クランピング電圧
（VC）
電圧
IR
IT
VWM VBR VC
定格ピークインパルス電流を素子に通電した時、素子の
端子間に発生する最大電圧値。
ＣＰ／B
（双方向）
型
電圧−電流特性
■ 定格ピークインパルス電力損失
（PPPM）
（PPPM）
=
（IPPM）
×
（VC）
I PPM
電流
I PPM
【シリコンサージアブソーバのアプリケーション】
AC
IT
IR
+
-
電圧
VWM VBR VC
DC/DC
コンバーター
OR
ZＰ／U
（単方向）
型
電圧−電流特性
バッテリー
a）
スイッチングサージ保護
b）
DC/DCコンバーター保護
端子間静電容量
（代表値）
−ブレークダウン電圧
f=1MHz
（0バイアス）
制御
100
半導体
負荷
U3000/5000
端子間容量
（nF）
B3000/5000
U2000
10
B2000
c）
屋外DCパワーライン雷サージ保護
（複合ユニット）
1
D1
D2
D3
D4
SG
0.1
1
10
100
1000
e）
データライン保護（アレータイプ）
ブレークダウン電圧
（V）
57
d）RS-485-A雷サージ保護（複合ユニット）