SW2263

SW2263
电流模式PWM控制器
描述
SW2263是电流模式PWM控制芯片。用于高性能、低
待机功耗的离线反激变换器的控制。
在空载或轻载时,芯片工作在轻载模式,减小开关损
SOT-23-6L
耗,提高效率。
芯片的低启动电流,使得启动电路可以采用阻值大的
启动电阻,来减小待机电流。
自带各种保护功能,包括每周期的过流保护、过载保
护、输入电压的过压及欠压保护等。
DIP-8-300-2.54
SOP-8-225-1.27
抖频工作技术以及带软开关控制的图腾柱式驱动输出
可以达到极佳的EMI性能。
主要特点
应用
* 开关的抖频控制提高 EMI 性能
* 电池充电器
* 轻负载模式减小待机功耗
* 适配器
* 外部设置开关频率
* 机顶盒电源
* 3μA 低启动电流
* 内置前沿消隐电路
* 输入电压的过压及欠压保护
* 栅驱动输出高电压钳位
* 电流限制
* 过负载保护
* SOT-23-6L/SOP8/DIP8 封装形式
产品规格分类
产
品 名 称
封 装 形 式
打
印 名 称
材
料
包
装
SW2263
SOT-23-6L
SW2263
无铅
编带
SW2263
DIP-8-300-2.54
SW2263
无铅
料管
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SW2263-CN-02
SW2263
内部框图
5
VDD
UVLO
3
RI
V2I
OSC
POR
稳压电路
S
Q
R
_
Q
AVDD_6V
GATE
6
驱动
频率抖动
OC
比较器
FB
轻载
模式
2
+
1.5V
-
0.8V
+
SENSE
4
OL
比较器
POR
OC 线性
补偿
PWM
比较器
锁存
+
斜率补偿
GND
-
1
极限参数
参
数
符 号
参
数 范 围
单位
电源电压
VDD
30
V
反馈电压
VFB
-0.3~6
V
VSENSE
-0.3~6
V
VRI
-0.3~6
V
结温
Tj
-20~150
°C
引脚温度
TL
260
°C
存储温度
Tstg
-55~160
°C
采样端电压
RI 端电压
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SW2263
SD4870
电气参数(除非特别说明,Tamb=25°C)
参
数
符 号
测 试 条 件
最小值 典型值
最大值
单位
电源电压
--
3
20
μA
--
2
--
mA
VSTART
13.3
14.3
15.3
V
VSHUT
--
7.8
--
V
IVDD =10mA
--
28.5
--
V
ΔVFB /ΔVSENSE
--
2
--
V/V
4.5
4.8
5
V
0.8
1
1.2
mA
启动电流
IVDD_ST
工作电流
IVDD
开启电压
关闭电压
VDD 钳位电压
VVDD_CLP
VDD=12 V,RI=100kΩ
VDD=16V, VFB =3V,
RI=100kΩ
反馈电压
PWM 增益
AVCS
FB 开环电压
VFB_OPEN
FB 短路电流
IFB_SHORT
FB 短接到地
过载保护 FB 阈值
VFB_OL
--
3.8
--
V
过载保护抗干扰时间
TD_OL
--
35
--
ms
FB 输入阻抗
ZFB_IN
4
6
--
kΩ
最大占空比
DMAX
--
75
--
%
--
300
--
ns
VDD=16V,RI=100kΩ
VFB =3V,VSENSE =0V
电流检测
LEB 时间
TLEB
RI=100kΩ
SENSE 输入阻抗
ZSENSE_IN
--
85
--
kΩ
过流检测控制延时
TOC
--
75
--
ns
VSENSE_OC
0.7
0.75
0.8
V
60
65
70
kHz
--
5
--
%
RRI_RANGE
50
100
150
kΩ
fS_LLM
--
22
--
KHz
RI=100kΩ
-3
--
3
%
过流检测阈值
振荡频率
振荡频率
振荡频率随 VDD 而
变化
RI 外接电阻范围
轻载模式的振荡频率
抖频范围
fS
ΔfS_VDD
ΔfS_SHUF
RI=100kΩ
VDD=12~28V,
RI=100kΩ
GATE 驱动
输出低电平
VOL
VDD=16V,IO=-20mA
--
--
0.8
V
输出高电平
VOH
VDD=16V,IO=20mA
10
--
--
V
--
13
--
V
高电平高钳位电压
VOH_CLAMP
输出上升时间
TR
VDD=16V,CL=1nF
--
220
--
ns
输出下降时间
TF
VDD=16V,CL=1nF
--
70
--
ns
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SW2263-CN-02
SW2263
管脚排列图
管脚描述
管 脚 号
SW2263
SOT23-6 SW2263
管脚名称
I/O
管 脚 描述
1
8
GND
--
地。
2
7
FB
I
反馈输入端。
3
5
RI
I/O
4
4
SENSE
I
开关电流采样端。
5
2
VDD
--
电源。
6
1
GATE
O
栅驱动输出。
--
3,6
NC
--
空脚。
振荡频率设置端。外接电阻到地。
功能描述
SW2263是电流模式的 PWM 控制芯片,应用于离线式反激变换器的应用。以下是对芯片各功
能的具体描述。
启动控制
SW2263的启动电流很低,因此可以快速启动。外部启动电路可以采用较大的启动电阻,在保
证启动正常的同时减小待机功耗。
在输入电压范围之内,可以采用 2 MΩ,1/8 W 的启动电阻。
抖频控制
芯片采用抖频控制来改善 EMI 性能。
振荡频率随机调制后,基频的能量被扩展到一个窄频带中,从而减小基频处的电磁干扰。整
个应用系统的设计会变得更简单。
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SW2263
轻负载模式
在轻负载或空载条件下,MOSFET 的开关损耗、变压器的损耗以及外部 snubber 电路的损耗
占总功耗的很大一部分。而以上这些损耗正比与单位时间内的开关次数。所以减小单位时间内的
开关次数将直接降低以上损耗。
SW2263在轻负载或空载时刻进入轻负载工作模式。只有当输出电压降低到设定设定值时,
MOSFET 才开始开关工作,同时,开关频率也降低。否则,MOSFET 一直截至。
振荡频率设置
振荡由 RI 和 GND 之间的外接电阻值决定,两者之间的关系如下公式所示。
fS =
6500
(kHz) ,其中,RRI 为外接电阻值,单位是 KΩ。
RRI
电流检测和前沿消隐
在 MOSFET 开启的时刻,由于缓冲电路中的二极管反向恢复会产生的电流毛刺。该毛刺会影
响 PWM 比较器的误判,必须去除。芯片中 SENSE 端内置的前沿消隐电路实现这一功能,原先需
要的外围 RC 滤波电路则可以省去。
在前沿消隐时间内,PWM 比较器和限流比较器是不工作的,MOSFET 开关在这段时间内是
保持导通状态的。所以,MOSFET 开关开启的最小时间就是前沿消隐的时间。
栅驱动
GATE 管脚连接到外部 MOSFET 的栅,来实现对 MOSFET 的开关控制。GATE 的驱动能力
太弱,MOSFET 的开关损耗会增加;反之,GATE 的驱动能力太强,则会带来 EMI 问题。因此,
芯片的图腾柱式的驱动输出部分在驱动能力和死区时间之间进行了折衷。
GATE 的输出高电平被钳位在 13V,以保护外部 MOSFET 的安全。
保护功能
芯片自带各种保护功能,包括每周期的过流保护、过载保护、输入电压的过压及欠压保护
等。
通过输入电压补偿的过流保护阈值电压,实现输出的恒功率控制。
VDD 由外部变压器的辅助绕组输出供电。当 VDD 电压过高时,被钳位在阈值处;当 VDD 电压
过低时,MOSFET 开关截止,系统重新进入上电复位过程。
当 FB 电压超过过载保护电压阈值,且维持时间达到时,MOSFET 开关截止,VDD 电压开始
下降,当 VDD 低于关闭电压后,重新复位启动。
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SW2263
典型应用电路图
AC in
DC out
VDD
GATE
SENSE
RI
SW2263
FB
GND
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SW2263
封装外形图
SOP-8-225-1.27
UNIT: mm
1.55±0.20
0.3~1.27
3.9±0.3
5.72±0.3
UNIT: mm
6.0±0.4
DIP-8-300-2.54
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SW2263
封装外形图
SOT-23-6L
UNIT: mm
MOS电路操作注意事项:
静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS电路由于受静电放电影
响而引起的损坏:
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
声明:
•
•
•
南方芯源保留说明书的更改权,恕不另行通知!
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用 Samwin 产品进行系
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失情况的发生!
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